Биполярлы транзисторлар



Биполярлы транзистор – екi өзара әрекеттесушi түзеткiш электрлiк ауысулары және екi шықпалары бар шалаөткiзгiштi аспап, оның күшейту қабiлетi негiзгi емес зарядтардың инжекциясы және эстракциясы құбылыстармен анықталады. Биполярлы транзисторда бiр уақытта заряд тасымалдағыштарының екi типi – электрондар және кемтiктер қолданылады (Биполярлы деген атау осыдан шыққан). Транзисторлардың p-n-p және n-p-n түрлерi болады. n-p-n транзисторлары кеңiнен қолданылады. Шартты графиктiк белгiленуi төмендегiдей





n-p-n типті транзистор p-n-p типті транзистор

Биполярлы транзистордың жұмысы екi p-n ауысуының өзара әрекеттесуiне негiзделген, бұл транзистор базасы аймағындағы қалындық осы аймақтағы заряд тасымалдағыштардың α-диффузиялық ұзындығынан кем етiп алу нәтижесiнде iске асады.
Транзистор жұмысының ұстанымын n-p-n- типтi транзистор мысалында қарастырайық, мұнда n (эмиттерлi ) Nn – аймақтағы негiзгi тасымалдағыштар концентрациясы р (базалық) Pp- аймаққа қарағанда айтарлықтай көп, яғни Nn>>Pp.
Шалаөткiзгiш (эмиттерлi-, коллекторлы-, базалық) – аймақтарға дәнекерленiп жабыстырылған металдық шықпалар аймақтарға сәйкес Эмиттерлi, Коллекторлы, Базалық шықпалар деп аталады.
Эмиттерлi ауысуға база – эмиттер (Uбэ) тура кернеуiн, ал Коллекторлы ауысуға коллектор – база (Uкб) керi кернеуiн берейiк. Нәтижесiнде Эмиттерлi ауысу арқылы база (Б) аймағына электрондар инжекцияланады да (база аймағынан Эмиттерлi аймаққа кемтiктердiң инжекциялануын ескермеймiз), транзистордың Iэ эмититерлi тоғын қалыптастырады.
База аймағына инжекцияланған электрондардың бiр бөлiгi осы аймақ үшiн негiзгi тасымал болып табылады – кемтiктермен рекомбинациялана отырып Iб – тоғын қалыптастырады. Коллекторлы ауысуға жеткен инжекцияланған электрондарды тағы бiр бөлiгi коллектор – база Uкб кернеуi тудырған электрлiк өрiс көмегiмен транзистордың коллекторлы аймағына экстракцияланады да, Iк – коллектолы тоғын қалыптастырады.

Пән: Физика
Жұмыс түрі:  Материал
Тегін:  Антиплагиат
Көлемі: 5 бет
Таңдаулыға:   
Биполярлы транзисторлар

Биполярлы транзистор – екi өзара әрекеттесушi түзеткiш электрлiк
ауысулары және екi шықпалары бар шалаөткiзгiштi аспап, оның күшейту
қабiлетi негiзгi емес зарядтардың инжекциясы және эстракциясы құбылыстармен
анықталады. Биполярлы транзисторда бiр уақытта заряд тасымалдағыштарының
екi типi – электрондар және кемтiктер қолданылады (Биполярлы деген атау
осыдан шыққан). Транзисторлардың p-n-p және n-p-n түрлерi болады. n-p-n
транзисторлары кеңiнен қолданылады. Шартты графиктiк белгiленуi
төмендегiдей

n-p-n типті транзистор p-n-p типті транзистор

Биполярлы транзистордың жұмысы екi p-n ауысуының өзара әрекеттесуiне
негiзделген, бұл транзистор базасы аймағындағы қалындық осы аймақтағы заряд
тасымалдағыштардың α-диффузиялық ұзындығынан кем етiп алу нәтижесiнде iске
асады.
Транзистор жұмысының ұстанымын n-p-n- типтi транзистор мысалында
қарастырайық, мұнда n (эмиттерлi ) Nn – аймақтағы негiзгi тасымалдағыштар
концентрациясы р (базалық) Pp- аймаққа қарағанда айтарлықтай көп, яғни
NnPp.
Шалаөткiзгiш (эмиттерлi-, коллекторлы-, базалық) – аймақтарға
дәнекерленiп жабыстырылған металдық шықпалар аймақтарға сәйкес Эмиттерлi,
Коллекторлы, Базалық шықпалар деп аталады.
Эмиттерлi ауысуға база – эмиттер (Uбэ) тура кернеуiн, ал Коллекторлы
ауысуға коллектор – база (Uкб) керi кернеуiн берейiк. Нәтижесiнде Эмиттерлi
ауысу арқылы база (Б) аймағына электрондар инжекцияланады да (база
аймағынан Эмиттерлi аймаққа кемтiктердiң инжекциялануын ескермеймiз),
транзистордың Iэ эмититерлi тоғын қалыптастырады.
База аймағына инжекцияланған электрондардың бiр бөлiгi осы аймақ үшiн
негiзгi тасымал болып табылады – кемтiктермен рекомбинациялана отырып Iб –
тоғын қалыптастырады. Коллекторлы ауысуға жеткен инжекцияланған
электрондарды тағы бiр бөлiгi коллектор – база Uкб кернеуi тудырған
электрлiк өрiс көмегiмен транзистордың коллекторлы аймағына
экстракцияланады да, Iк – коллектолы тоғын қалыптастырады. Эмиттерлi ауысу
арқылы өтетiн электрондар ағымына қарағанда Коллекторлы ауысу арқылы өтетiн
электрондар ағымының (сондай-ақ, Iк – коллекторлы тоқтың) азаюын келесi
қатынаспен ескеруге болады: Iк =α*Iэ мұнда α=0.95÷0.99 – эмиттер тоғын
өткiзу коэффициентi.

Күшейткіш элементтердің (тразисторларды) қосылу сұлбалары.
Төменде транзистордың ортақ эмиттерлі (ОЭ), ортақ коллекторлы (ОК)
және ортақ базалы (ОБ) қосылу сұлбалары көрсетілген. Биполярлы транзисторды
күшейткіш құрылы ретінде ширек өрістілік (четырехполюсник) бейнелеуге
болды. Транзистордың үш шықпаларының қайсысы төрт өрістіліктің кіріс және
шығыстарымен ортақ болғанына байланысты ОБ, ОЭ, ОК қосылу сұлбалары болды.
Қосылу сұлбаларының ішінде ОЭ қосылу сұлбалары кеңінен қолданылады.

Сурет 1

Қосылатын сыртқы көздің өрістілігі транзистор типіне байланысты
тоғы, шығыс тоғы ретінде қосқан жағдайда кіріс тоғы ретінде база сұлбасы
(1,в) транзисторда кіріс тоғы – эпиттер тоғы, шығыс тоғы – коллектор тоғы
болады.
Транзистордың қосылу сұлбаларының ішінде маңызды орын алатыны ОК
қосылу сұлбасы (1,б). Бұл жағдайда жүктеме эмиттелерлі тізбекке
қосылғандықтан, бұл сұлбаны эмиттерлі қайталағыш сұлбасы деп атайды.
Транзисторды белсенді сызықтың емес ширекөрістілік ретінде сипатайтын
негізгі параметрлер (кез келген қосылу сұлбасында) күшейту коэффициент
болып табылады:
тоқ бойынш: ;
кернеу бойынша: ;
қуат бойынша: ;
сонымен қатар,
кіріс кедергісі: ;
шығыс кедергісі: .

Төменде транзистордың әрбір қосылу сұлбасына арналған жоғарыдағы
параметрлерді есептеу жолдары көрсетілген.
ОБ сұлбасы үшін:
;

мұнда Rкір Б – бірнеше Ом құрайтын эмиттерлі ауысуының ашық кедергісі;

мұнда kиб1, өйткені Rн Rкір Б
Сонымен, ОБ қосылу сұлбасы аз ... жалғасы

Сіз бұл жұмысты біздің қосымшамыз арқылы толығымен тегін көре аласыз.
Ұқсас жұмыстар
Биполярлық транзисторлар
Транзистор туралы жалпы сипаттама
Транзистор және оның параметрлері
Биполярлы транзисторлы күшейткіш каскадын есептеу
Транзисторлар
Жартылай өткізгіштердің ерекшеліктері
Биполяр транзистор
Биполярлы транзисторлар туралы ақпарат
Биполярлы транзисторлар. Транзисторлардың қосылу схемалары
Биполяр транзисторлар
Пәндер