Интегралды-инжекционды логикалық және nМДП-интегралды сұлбалар

Интегралды-инжекционды логикалық сұлбалар биполярлы ТТЛ және ЭСЛ ИС-терден резистордың жоқтығымен ерекшеленеді, бұл оларды БИС пен СБИС жасағанда ыңғайлы етеді. Кристалда үлкен аудан алатын резистордың жоқтығынан таралудың үлкен емес қуатымен және И -сұлбаның компоновкасының жоғары тығыздығымен түсіндіріледі.
Базалық И элементі (Сурет 1) ортақ біріккен аймағы бар p-n-n және n-p-n типті екі транзисторлардан тұратын физикалық орналасқан құрылым болып табылады. P-типті жартылай өткізгіш аймағы бір уақытта көлденең құрылымды p-n-p транзисторының коллекторы және тік құрылымды n-p-n транзисторының базасы болып қызмет етеді. p-n-p транзисторының база рөлін және n-p-n транзисторының эмиттері “жер” шинасына қосылған сол бір n-типті аймақ атқарады. p-n-p транзисторының инжектор делінетін эмиттерлік аймағы оң кернеулі қорек көзіне қосылады. n-p-n типті транзистор элементі – терістегіштің (Сурет 1) электрлік тәуелсіз шығыстары болатын бірнеше коллекторға ие. Жоғарыда көрсетілгендей p-n-p транзисторы -дің эмиттері оң қорек көзіне қосылады. Бұл кезде ішкі кедергісі қоректену көзінің кернеуі p-n-p транзистордың эмиттерлік өтуінің U ашылудың табалдырықтық кернеуінен асады және (1-1,5)В құрайды.
Бірақ мәні және токтарының тұрақтылық талабын ескеріп асынады және В. Негізіндегі резисторы микросұлбаның корпусынан тыс орналасады, сондықтан элементімен таратылатын және былай анықталатын , тұтынудың Р жалпы қуатының тек үлкен емес бөлігін ғана құрайды, яғни . Қалған тұтыну қуатының бөлігі (Р-Р ) R резисторымен таратылады.
элементтерінің ерекшелігі n-p-n транзисторының қанығу дәрежесіне тәуелді теріс бөгуіл үшін бөгеуіл тұрақтылықтың өте төмен мәні болып табылады және оң бөгуіл үшін бөгуіл тұрақтылықтың шамасы көп және .
Кернеудің өте аз логикалық түсуінің, аз сиымдылықтың (~1nФ) және элементінде заряд жиналудың болмауы арқасында сиганл таралудың бөгелуі ~(5-20)нс. Осылайша элементтер қажетінше жылдам және ауысудың өте аз жұмысына ие пДж (ТТЛ мен ЭСЛ элементтермен салыстырғанда).
        
        Интегралды-инжекционды логикалық және nМДП-интегралды сұлбалар
Интегралды-инжекционды сұлбалар.
Интегралды-инжекционды логикалық сұлбалар биполярлы ТТЛ және ЭСЛ ... ... ... ... бұл ... БИС пен ... ыңғайлы етеді. Кристалда үлкен аудан ... ... ... ... емес ... және ... ... тығыздығымен түсіндіріледі.
Базалық И элементі (Сурет 1) ортақ біріккен ... бар ... n-p-n ... екі ... ... ... орналасқан құрылым
болып табылады. P-типті жартылай өткізгіш аймағы бір уақытта ... p-n-p ... ... және тік құрылымды n-p-n
транзисторының базасы болып қызмет етеді. p-n-p транзисторының база ... n-p-n ... ... ... шинасына қосылған сол бір n-типті
аймақ атқарады. p-n-p ... ... ... ... ... ... қорек көзіне қосылады. n-p-n типті транзистор ...... ... 1) ... тәуелсіз шығыстары болатын
бірнеше коллекторға ие. Жоғарыда көрсетілгендей p-n-p транзисторы -дің
эмиттері оң қорек көзіне қосылады. Бұл ... ішкі ... ... ... p-n-p ... эмиттерлік өтуінің U
ашылудың табалдырықтық кернеуінен асады және (1-1,5)В құрайды.
Сурет 1. ... ... ... мәні және ... ... ... ... және В. Негізіндегі резисторы микросұлбаның
корпусынан тыс ... ... ... ... ... анықталатын , тұтынудың Р жалпы қуатының тек үлкен емес ... ... яғни . ... ... ... бөлігі (Р-Р) R
резисторымен таратылады.
элементтерінің ерекшелігі n-p-n ... ... ... теріс бөгуіл үшін бөгеуіл тұрақтылықтың өте төмен ... ... және оң ... үшін ... ... шамасы көп және
.
Кернеудің өте аз логикалық түсуінің, аз ... (~1nФ) ... ... ... болмауы арқасында сиганл таралудың
бөгелуі ~(5-20)нс. Осылайша ... ... ... және ... аз жұмысына ие пДж (ТТЛ мен ЭСЛ элементтермен салыстырғанда).
сұлбаларды биполярлы ИС ... ... ... ... (аз ... қуаты, интеграцияның жоғары дәресін алу
мүмкіндігі) олардың қолданысының маңызды ... ... ... ... ... ... сұлбаларында, калькуляторда және
т.б. кең қолданылады.
Мұндай ... ... ... ... ... ... және т.б. ... (және де ТТЛ мен ЭСЛ) ... ... БИС және ... ... жады мен ... ... ... сұлбалары жасалуда, соның ішінде триггерлер,
регистрлер, мультиплексорлар, екілік ... ... ... және ... ... ... ... өткізгіш) диэлектрик
рөлін кремнидің қос окисі SiO атқарады, сондықтан бұл транзисторларды
МОП аббревиатурасымен де (металл-окис-жартылай өткізгіш) белгілейді.
Сондықтан ... ... ... ... ... ... ... қарай pМОП және nМОП деп бөледі. Олардың
негізінде pМОП, nМОП және ... МОП ... ... ... жасалады. Бұл элементтер МОП(КМОП) интегралды сұлба элементтері
жасалады. Бұл ... ... ... ИС ТТП мен ... ... ... ... жоғары бөгеуіл тұрақтылығына және
аз тұтыну қуатына ие, және де жартылай өткізгіш криссталында өте аз ... ... ... аз. МОП ... ... ... ... жібереді. ТТЛ сұлбаларымен, мысалы 74ALSххх(КР1533) сериялы
микросұлбалармен, nМОП сұлбалар жалпы ... ... ... да ... жоғары деңгейлі логикалық сигнал беру қажет, ал жоғары емес шығыс
тогы кезінен МОП ИС шығысына тек бір ... ... ... параметрлері бірдей болған кезде pМОП транзисторға қарағанда
жоғары жылдамдыққа ие nМОП ... ... ... логикалық
элементтердің (ЛЭ) тұрғызылу принципі мен жұмысын қарасытырайық.
Сурет 1-де И-НЕ және ИЛИ-НЕ логикалық функциясын ... ... ... ЛЭ-ң ... ... ... сұлбада, ағындық қоректің оң кернеуін қолданушы, логикалық 1
сигналына жоғары деңгей, ал логикалық 0-ге ... оң ... ... ... Екі сұлба да үш транзистордан тұрады, біреуі жүктеме ... мен ... ... жүзеге асыратын ауыстырғыш
транзистор болып табылады. И-НЕ ... ... ... ... ... ЛЭ ... ... мен транзисторлары
тізбектеліп қосылған. Сондықтан сұлба шығысында төмен деңгейлі кернеу ... мен ... ... ... ... ... ... Осылайша И-НЕ элементінің екі кірісінде де логикалық 1 сигналы
болғанда оның шығысында логикалық сигнал ... ... ... саны (m ... бойынша бірігу
коэффициенті) 4-тен ... И-НЕ ... ... ... ... ... топологияны қиындатады, интеграл және ... ... ... 0 ... деңгейін өсіру арқылы
төмендетеді.
ИЛИ-НЕ сұлбасында (Сурет 1,б) мен ... ... ... ... ең ... бір ... ... 1
сигналын бергенде оның шығысында логикалық 0 ... ... ... ЛЭ И-НЕ (а) және ... (б) ... бойынша бірігу коэффициенті m 10-ға тең. Бұл ИЛИ-НЕ
сұлбасында m саны ... ... ... ... ... ... ... шығысына кернеу түсуі есебінен “1” деңгейінің
төмендеуімен шектеледі. Себебі бұл ток өте аз, m ... ... ... ... ... және ағу тогының аз мәніне байланысты сандық
ИС-ң МП-транзисторлары жоғары жүктемелік қабілетке ие (n=10-20).
МДП транзисторларындағы элементтер.
Комплементарлық МОП ... ... ... ... ... құралған терістегіш сұлбасы (Сурет 3,а) болып табылады. n-
типті өткізгішті транзисторының ... ... ... ... ... ... ... оң қорек көзіне қосылған, ал екі
транзистордың қақпандары біріккен және ... ... ... ... ... nМОП элементтерінен статикалық режимде аз тұтыну
қуатымен, ... ... ... жоғары жүктемелік қабілетімен
(n≥15-20) және логикалық 1 мен логикалық 0 ... ... ... есебінен жақсы бөгуіл тұрақтылығымен тиімді ерекшеленеді. Статикалық
режимде қуат қорек кернеуінің шамасымен және жабық транзистордың өте ... ... КМОП ИС ... қуат С ... ... ... өтпелі процесс кезінде шығындалады.
Сондықтан сұлбаның ауысу жиілігі және С ... ... ... ... және ... ... -ағындық қоректің кернеу көзі -жұмыс жиілігі.
Қарапайым екі жүрісті КМОП логикалық – тура ... ... ... ... Бұл КМОП ИС-тің ең кең қолданылатын
сериялы жұмыс ... ... ... ... ... ... 1, ... деңгейіне – логикалық 0 сигналы сәйкес. Суретте 3-те И-НЕ жүзеге
асыру үшін nМОП ... ... ... және ... параллель қосылысы қолданылатынын көруге болады. ИЛИ-НЕ
функциясын жүзеге асыру үшін nМОП ... ... ... ... тізбектеліп қосылады. Бұдан басқа nМОП пен ... әр ... ... КМОП ... ... ... және КМОП элементтерінің кіріс болады.
КМОП-ң И-НЕ элементінің А кірісіне логикалық 0 ... ... ... ... ал ... ... ... байланысқан pМОП
транзистор ашылады. Нәтижесінде ... ...... ... ... 1 ... ... а) | б) |в) ... 4. КМОП ... ... ... (а), И-НЕ (б) және ... ... және В кірістеріне логикалық 1 сигналын берсе nМОП ... ... ал nМОП пен ... бұл ... ... 0 ... ... әкеледі. Бұл кезде
Сжүктемесінің сиымдылығы ашық не pМОП ... ... ... ... ... КМОП элемент осындай nМОП элментке қарағанда
тез ауысады.
КМОП элементтің минималды қорек кернеуі pМОП ... ... ... ... ... nМОП транзистордың
кернеуінен үлкен. Бұл жағдайда жоғары ... ... және ... ... ... элменттері ИЛИ-НЕ (Сурет 3) солай жұмыс істейді, ... ... ... 1 сигналы тек А мен В кірістеріне логикалық 0 ... ... ... ... ... КМОП ... ... бірігу коэффициенті 4-тен аспайды. (m≤4). КМОП И-НЕ және ИЛИ-НЕ
элементтерін ұқсас nМОП элементтермен салыстыру. Сол бір ... ... ... КМОП ... ... көп ... қолданатын
көрсетті, бұл олардың кемшілігіне жатады. Бірақ өте аз тұтыну қуаты ... ... КМОП ... ... ... ... етеді,
әсіресе өте үлкен интегралды сұлбалар жасауда. Интегралды сұлбаларды
транзисторлар саны ... ... ... ... МОП
транзисторлар жүктемелік КМОП ИС-ті триггерлік ... ... ... және ... ... ... мен құрылғыларды
жобалауға қолдану ерекше қызығушылық туғызады.
-----------------------

Пән: Физика
Жұмыс түрі: Материал
Көлемі: 7 бет
Бұл жұмыстың бағасы: 200 теңге









Ұқсас жұмыстар
Тақырыб Бет саны
INDF және FSR регистрінің қосымша адресациясы8 бет
АБЖ макеттеу6 бет
Аэрофотогеодезия29 бет
Тіршілік қауіпсіздігі18 бет
C++ Builder бағдарламалау тілінде логикалық желіде виртуалдық қарым қатынас жасау10 бет
Turbo Pascal 7.0 интегралдық программалау ортасын пайдалану43 бет
Visual Basic-те компьютерлік логикалық ойын26 бет
Аймақтық және интегралдық реография8 бет
Анықталған интегралды жуықтап шешу әдістері36 бет
Арифметикалық және логикалық командалар . avr тегінденгі микроконтроллерларды пайдалану ерекшеліктері . Тактілі генераторлардың сыртқы элементтері . Интерфейстарды шешудің негізгі сұлбалары5 бет


+ тегін презентациялар
Пәндер
Көмек / Помощь
Арайлым
Біз міндетті түрде жауап береміз!
Мы обязательно ответим!
Жіберу / Отправить


Зарабатывайте вместе с нами

Рахмет!
Хабарлама жіберілді. / Сообщение отправлено.

Сіз үшін аптасына 5 күн жұмыс істейміз.
Жұмыс уақыты 09:00 - 18:00

Мы работаем для Вас 5 дней в неделю.
Время работы 09:00 - 18:00

Email: info@stud.kz

Phone: 777 614 50 20
Жабу / Закрыть

Көмек / Помощь