Динисторлар

Жұмыс түрі: Материал
Тегін: Антиплагиат
Көлемі: 4 бет
Таңдаулыға:

Динисторлар

Динисторлар,немесе диодты тиристорлар,диодты ауыстырғыштар болып
табылады.

Динистордың екі ғана электроды (анод пен катод) болғандықтан,оның
кернеу түсірілетін кірісі мен шығысы бір болып,басқарылу мүмкіндіктерін
шектеп, қолдану ауқымдарын тарылтады.
Тиристорлардан айырмашылығы: динисторларда басқарушы электродтар
болмайды.
Олардың вольт-амперлік сипаттамасы (1-сурет) триотты тиристорларға
ұқсас.Бір айырмашылығы:оларда аралық ауысу нүктелерінің
болмауы.(Iy1,Uпр.1),(Iy2,Uпр.2)т.с. с

1-сурет.Динистордың вольт-амперлік сипаттамасы

Динистор құрылымындағы p-n ауысуларының өзара орналасуы мен ондағы
заряд тасушыларының ағындары 2-суретте көрсетілген.
Динистор құрылымы үш p-n ауысуынан(А1,А2,А3)тұрады.Сыртқы ток көзінің
оң полюсі анодқа қосылғанда А1 және А3 ауысулары тура ығысады да,ал А2
ауысуы кері ығысады.А1 мен А3-те инжекция басталып,А1-де кемтіктер
ағыны(тогы) Ip,А3-те электрондар ағыны In (ток бағыты кері
бағытталған)пайда болып,олар көрші аймақтарға (n1 және p2) еніп,тіпті өз
екпіндерімен одан арғы аймақтарға (p2 және n1) да өте бастайды.Осының
салдарынан p2 аймағында кемтіктер пайда болып,ал n1 аймағына электрондар
келіп қосылып,ондағы негізгі заряд тасушылар санын көбейтеді.Олай болса, p2-
де кемтіктердің оң зарядтарының көбеюі, n1-де электрондардың теріс
зарядтарының көбеюі қандай өзгерістерге әкеп соқтыруы мүмкін?Әрине,осы
зарядтарды бейтараптандыру үшін көрші қабаттардан қарама-қарсы заряд
тасушылар ағыны пайда болпр еді: n2 аймағынан қосымша электрондар,ал p1
аймағынан қосымша кемтіктер қозғалысы.Егер осы қосымша тартылған заряд
тасушылар саны бастапқы заряд тасушылар санынан артық болса,онда бұл
процесс үсті-үстіне үдей түсіп,p2 аймағында шектен тыс оң зарядтар,n1
аймағында электрондар жиналып,орталық А2-ге теріс бағытта түскеніне
қарамастан) әкеп соғар еді.Сонымен,А1,А2,А3 ауысуларының бәрі бірдей тура
қосылуға ығысып,динистор шексіз ток өткізе бастар еді.Токтың бұдан кейінгі
кедергісі жартылай өткізгіш қабаттарының ( p1,n1,p2,n2) өзіндік
кедергілерімен ғана анықталып,олардың өте аз шама болуына
байланысты,динистор токты шексіз үлкен шамада өткізіп жатыр деп есептеуге
болады.

2-сурет.Динистордың құрылымы(а) және оның транзисторлық балама схемасы (б)

Жоғарыда айтылған үдемелі процестің пайда болу себебі,кейінгі заряд
тасушыларының алғашқы заряд тасушылар санынан артық болуынан.Ал,егер
кейінгі заряд тасушыларының саны алғашқыларының санынан кем болса,онда
заряд ... жалғасы

Сіз бұл жұмысты біздің қосымшамыз арқылы толығымен тегін көре аласыз.