Вольт-амперлі сипаттамалы биполярлық транзисторды алып және оны зерттеу

Жұмыс түрі: Материал
Тегін: Антиплагиат
Көлемі: 3 бет
Таңдаулыға:

ЗЕРТХАНАЛЫҚ ЖҰМЫС №4

Вольт-амперлі сипаттамалы биполярлық транзисторды алып және оны зерттеу.

Жұмыстың мақсаты : биполярлық транзистор әрекетінің принципін оқып меңгеру, ВАС транзисторды алу

1. Қысқаша теориялық мәліметтер:

Биполярлы транзистор - екі p-n аусуы бар жартылайөткізгіштік құрал. Транзисторлардың биполяр (екі полоюсті) атану себебі - одан ток өткен кезде заряд тасымалдаушылардың екі тегі (электрондар мен кемтіктер) қатысады. Транзисторлар екі типті болады: p-n-p және n-p-n. Біршама артықшылықтары бар болғандықтан n-p-n типті транзисторлар қолданыста кеңінен таралған. Биполяр транзисторлардың схемадағы белгіленуі 4. 1-суретте келтірілген.

4. 1-сурет - Транзисторлардың схемадағы белгіленуі

Бұл жердегі белгіленулер: «б» - база, «к» - коллектор, «э» - эмиттер. Транзистордың типі ( п-р-п немесе р-п-р ) эмиттердегі бағдарсызықтың бағытымен анықталады, ол эмиттерлік ауысу тогының бағытын көрсетеді. р-п-р типті транзистордың коллекторы қуат көзінің теріс полюсіне, ал п-р-п типті транзисторда оң полюсіне қосылады.

2. Жұмыстың орындалу тәртібі

Зертханалық жұмыста 4. 2-4. 3 суреттерді көрсетілген электр сұлбасының моделін Electronics Workbench бағдарламасында құрастырудан тұрады

2. 1. Бағдарламаны іске қосу

Electronics Workbench бағдарламасын келесі әдістермен іске қосуға болады:

"C:\Program Files\EWB512\WEWB32. EXE" папкасында орналасқан "WEWB32. EXE" файлы бойынша;
"Пуск" менюінің ішінде "Программы" командасын таңдап, ашылған бағдарламалардың тізіміненElectronics Workbench" таңдау арқылы; 4. 2-сурет - Биполярлы транзисторды зерттеу үшін арналған схема.

$C:\8-2.bmp$

4. 3-сурет - Биполярлы транзисторды зерттеу үшін арналған схема.

1-тапсырма.

а) Екі кернеу бойынша Uкэ=5 B коллектор эмиттер база эмиттер Іб (Uбэ) өтудің Вольт-аиперлі сипаттамасы анықталады. ВАС транзистор тобын құрыңыз, яғни тұрақты ток Іб=0, 1; 0, 5; 1, 0 мА болғанда Ік-ның Uкэ-ға тәуелділігін анықтаңыз.

KT891A-транзистор, $E_{1} = \ \ldots\ В, E_{2} = 0\ В\, N - 9\ нұсқа\$

4. 4-сурет - Биполярлы транзисторды зерттеу үшін арналған схема.

4. 1-кесте. Өлшеу нәтижелерінің параметрі.

Е1, В

0. 1

0. 2

0. 3

0. 4

0. 5

0. 6

0. 7

0. 8

0. 9

1. 0

Е1, В:

, мА

0: 0

0. 1:

0. 2:

0. 3:

0. 4:

0. 5:

0. 6:

0. 7:

0. 8:

0. 9:

1. 0:

Е1, В:

, В

0: 0

0. 1:

0. 2:

0. 3:

0. 4:

0. 5:

0. 6:

0. 7:

0. 8:

0. 9:

1. 0:

Е1, В:

, мА

0: 0

0. 1:

0. 2:

0. 3:

0. 4:

0. 5:

0. 6:

0. 7:

0. 8:

0. 9:

1. 0:

Е1, В:

0: 0

0. 1:

0. 2:

0. 3:

0. 4:

0. 5:

0. 6:

0. 7:

0. 8:

0. 9:

1. 0:

б) U _КЭ = 0 және U _КЭ = 5В кезіндегі тұрақты кернеудегі I _Б және U _БЭ транзисторлардың қатынастарының графикалық тәуелділігін жасау.

4. 5-сурет - U _КЭ = 0 және U _КЭ = 5В кезіндегі тұрақты кернеудегі I _Б және U _БЭ транзисторлардың қатынастарының графикалық тәуелділігі.

2-тапсырма.

а) Транзистор базасының тізбегіне өлшемі 100кОм -нан 1МОм-ға дейінгі ток тұрақтандырғыш резисторды енгізеді. Базалық көздің кернеуі ретінде рет-ретімен 0, 1 мА; 0, 5 мА және 1мА-база тогының шамаларын береміз. Базаның әрбір нақты алынған тогы үшін коллектор-эмиттер кернеуі 0-ден 10В-қа дейін өзгереді. Кернеу 1В-тан кем болса, коллектор - эмиттер кернеуінің өзгеру қадамы 0, 2В, ал кернеу 1В-тан 10В-қа дейін болғанда қадамы 1В.

KT891A-транзистор, $E_{1} = \ 0. 8\ В, E_{2} = . . . В\, R_{1} = 9\ кОм, N - 9\ нұсқа\$