Сызықтық күшейткіш

Мазмұны

Кіріспе:

1. Күшейткіштің құрылымдық схемасын таңдау және негіздеу
2. Күшейту каскадының санын есептеу
3. Күшейткіштің принципиалдық схемасын таңдау және негіздеу
4. Ақырғы каскадты есептеу
5. Тұрақты ток бойынша схема элементтерін есептеу
6. Жалпы ТКБ тереңдігін есептеу
7. Күшейткіштің күшейту коэффициентін есептеу және тексеру
8. Жалпы ТКБ тізбегіндегі ұзартқышты есептеу
9. Есептеу қорытындысын шығару
10. Қолданылған әдебиеттер тізімі
Кіріспе:
Қазіргі кезде жартылай өткізгіштік құралдарды ғылымның барлық салаларында қолданылады. Ең алғаш рет 1900 жылы орыс ғалымы А. С. Попов жартылай өткізгіштік құралын (диод-детектор) радиотелеграф қабылдағышында қолданған болатын. Келесі жылдары электровакуумды құралдар сол кезде жетілмеген жартылай өткізгіштік құралдарын шығарды. Біздің еллімізде 30-жылдарында А. Ф. Иоффе академигінің басшылығымен жартылай өткізгіштік құралдарының жүйелі зерттеулері басталған болатын. Түзету процесін неміс ғалымы В. Шоттки және американ ғалымдары Н. Мотто және У. Шокли зерттеу жұмыстарын жасаған. Бірақ жартылай өткізгіштік құралдарының облысында үлкен жетістікке жеткен американ ғалымдары Д. Бардин, В. Браттейін және У. Шокли транзисторды ойлап тапқан. ССРО-да 1949 жылы А. В. Красилов пен С. Т. Мадоян екеуі нүктелі транзисторлардың бірінші үлгілерін жасады. Транзистордың ашылуы Жартылай өткізгіштік электрониканың дамуындағы жаңа кезең басталды. 1948-1969 жылдар аралығында қатты денелі құралдардың 50-ден астам әр түрлі үлгілерін жасап, өнеркәсіп өндірісінде игерілген. Сызықты емес жартылай өткізгіштік резистор автоматика мен электротехникада электрондық аспаптар кең қолданылуда. Б. Т Коломница, И. Т. Шефтемя, Б. С. Сотсков және тағы басқа ғалымдардың аттары сызықты емес резисторлардың жаңа үлгілердің жасалуына байланысты.
Ең күрделісі сызықты күшейткіш болып келеді, ол аралық күшейткіш пунктілерде орналасқан және жабысып тұратын сыну өтімі үшін қызмет етеді. 60 жылдары үлкен назар аударатын жартылай өткізгіштік құралдардың жасаған, осылардың арасында ең үлкен мағынаға басты жаңалық түннельдік диодтың ашылуы болды. Оны жапон ғалымы Л. Есаки ойлап тапты.
Келесі жылдарда өте биік жиілікті облысында жартылай өткізгіштік құралдардың жылдам жылжуы байқалды. Дайындау технологиясы жақсы
        
        СЫЗЫҚТЫҚ КҮШЕЙТКІШ
Мазмұны
Кіріспе:
1. Күшейткіштің құрылымдық схемасын таңдау және негіздеу
2. Күшейту каскадының санын ... ... ... ... таңдау және негіздеу
4. Ақырғы каскадты есептеу
5. ... ток ... ... ... есептеу
6. Жалпы ТКБ тереңдігін есептеу
7. Күшейткіштің күшейту коэффициентін есептеу және тексеру
8. Жалпы ТКБ тізбегіндегі ұзартқышты ... ... ... ... ... ... тізімі
Кіріспе:
Қазіргі кезде жартылай өткізгіштік құралдарды ғылымның барлық
салаларында қолданылады. Ең алғаш рет 1900 жылы орыс ... А. С. ... ... ... ... радиотелеграф қабылдағышында
қолданған болатын. ... ... ... ... сол кезде
жетілмеген жартылай өткізгіштік құралдарын ... ... ... ... А. Ф. Иоффе академигінің басшылығымен жартылай өткізгіштік
құралдарының жүйелі зерттеулері басталған болатын. ... ... ... В. Шоттки және американ ғалымдары Н. Мотто және У. Шокли зерттеу
жұмыстарын жасаған. ... ... ... ... ... ... жеткен американ ғалымдары Д. Бардин, В. Браттейін және У. Шокли
транзисторды ойлап тапқан. ССРО-да 1949 жылы А. В. ... пен С. ... ... ... ... бірінші үлгілерін жасады.
Транзистордың ашылуы Жартылай өткізгіштік электрониканың ... ... ... ... ... ... қатты денелі құралдардың 50-ден
астам әр түрлі үлгілерін ... ... ... игерілген. Сызықты
емес жартылай өткізгіштік резистор автоматика мен ... ... кең ... Б. Т ... И. Т. ... Б. ... және тағы ... ғалымдардың аттары сызықты емес резисторлардың жаңа
үлгілердің жасалуына байланысты.
Ең күрделісі сызықты ... ... ... ол ... ... орналасқан және жабысып тұратын сыну өтімі үшін қызмет етеді.
60 жылдары үлкен ... ... ... ... ... ... арасында ең үлкен мағынаға басты жаңалық түннельдік диодтың
ашылуы ... Оны ... ... Л. Есаки ойлап тапты.
Келесі жылдарда өте биік ... ... ... ... жылдам жылжуы байқалды. Дайындау технологиясы жақсы жетілдіру
нәтижесінде мына бағытта алға ... ... ... ... ... ... өте биік ... облысында жартылай өткізгіштік
құралдардың жылдам жылжуы байқалды. Дайындау технологиясы ... ... мына ... алға ... СВЧ-транзисторлар, туннельдік диодтар
және варикаптар.
Шотки тосқауылының ауысулары әр түрлі құралдарда кең ... ... ... және үлкен интеграл схемалармен аяқтады.
Лазерлық ... ... жаңа ... қарқынды дамыды. Советтік
ғалымдары Н. Т. Басов пен А. М. ... ... ... зор ... ... саласы ғылым облысыңда және құрылғылардың және әр түрлі
электрондық құралдардың ... ... ... ... ... ... ... зор еңбектерін салған.
Радиотехникада электрондық құралдар қолданыла бастады. 1904 жылы ... Д. А. ... ... ... ... тербелулердің өндеуіне
арналған катодпен күшейтілген екі электродты шамды қолданды. 1905 жылы АҚШ-
та А. ... газ ... ... ... ... ... ... жасаған
болатын. Үлкен назар аударатын 1909-1911 ... ... алыс ... шығу үшін ... ... триодтарды В. И: Коваленков
жасаған. 1918-1919 ... ... М. А. ... ... ... ... шамдардың жобалауына арналған үлкен құралды өндеді.
Электровакуумды құралдардың жасауы ... көп ... ... Ең
маңызды табыс, ол катодтарды қыздыру ... ... ... СССр-де 1921 жылы А. А. Чернышев көптеген кәіспорындарда электр
лампаларын шығара ... ... ... ... құралдарын шетелде көптеген
жасауында табыстарға жетті. 1926 жылы ... А. Хелл ... ... ... ал 1930 жылда пентодты жасаған, ол көп ... ... ... 1930 жылы ... Л. А. Кубецкий фотоэлектронды
көбейткіштерді ойлап тапқан, оның ... ... С. ... мен П. В. Тимофеев.
1954 жылы Мәскеуде жартылай ... АН СССР ... ... ... Сол ... аяғында Ленинградқа ауыстырды. 1972 жылы В. И. Тучкевич
академигі басқарған жартылай өткізгіштік ... ... ... ... ... сыйлыққа ие болды. Оның ... ... ие ... ... ... гетеро ауысуларды, байланыстын әр түрлі
структуралық жартылай өткізгіштікті жасаған.
Цифрлық техникалық құрылғылардың толық ... олар әр ... ... ... ... қолдану болатын. Мына
электр қозғалтқыш сияқты бір-біріне жақын ... ... ... ... ... ... орнында бола алады, электромагниттер,
электр қондырғышты құралдар. Осыған орай үлкен мағына шуылдардың ... және ... ... ... ... қамтамасыз етуін
ие болады. Мына сыртқы бөгеттердің шегінің өсуімен ғана емес ... ... ... ... ... элеметтердің өзара ықпалын
жасау ішкі бөгеттерінің артуымен және электрондық құрылғылардың біреуі
басқаларына. ... ... ... ... ... ... тез ... және электрондық схемалардың микроминиатюризациялауымен цифрлық
құрылғылар элементтер арасын сым арқылы қосады. Электр сымы бір ... ... ... ... ... ... деп ... ортаны ЭҚК кірісінде кедергі пайда болады, ... ... ... ... ... ... ... байланысты.
Сондықтан барлық қисынды элементтердің үлгілері инерциональді
компонеттерді ... ... ... ... өзекшелер)
ауыстырып қосуға арналған белгілі энергия сигнал беруге қажет.
Бөгеттердің азаюына арналған цифрлық қисынды схемаларда ... ... ... етеді, үлкен уақыт ... және ... ... ... санына шек қояды, бір мезгілде ... және ... ... ... және ... көзін қолданады.
Сыртқы бөгеттерге схемалардың тұрақтылығы жоғарылауына ... ... ... ... баяу ... керек.
I-бөлім. Сызықтық күшейткіштің құрылымдық схемасын таңдау және ... ... беру ... қондырғылары көптеген электр
сигналдарының күшейткіштерінен тұрады. Ең күрделі күшейткіш болып аралық
күшейткіш пунктілерінде ... ... ... ... күшейткіштің негізгі параметрлері болып мынадай параметрлер
саналады:
1. Жиілікті ... ... ... ... ... және ... кедергілері.
4. Сызықты емес күшею.
5. Күшею тұрақсыздығы.
Сызықтық күшейткіштің жиілікті жұмыс ... ... ... ... номиналды күшеюі деп- күшейткіштің жиіліктік ... ... ... өшу ... ... ... номиналдық күшею.
S=20 lgU вых /Uвх [дБ]
Сызықтық күшейткіштерде бір ... ... ... ... ... емес ... ... арнада шуылдың
болуына әсерін тигізеді. Бұл құбылыс өшу ... ... ... коэффициенті.
a=20lg 1/Kг [дБ]
Күшею тұрақсыздығы мына ... ... [1+(K(K] ... (K- ... коэффициентінің өзгеруі.
K-күшею коэффициенті.
Сызықтық күшейткіш құрылым схемасы 1 суретте көрсетілген. Сызықтық
күшейткіштің кіріс және ... ... ... ... жүйелері қолданылады. Күшейткіштің (АҚ) ақрығы еріс кері
байланысы ескерілген сызықты емес бұрмаланудың ... ... ... ... берілген қуатыменқамтамасыз етеді. КПУ- Алдын ала
күшейту каскады. Бұл ... ... ... ... үшін ... ... ток ... алу үшін қолданылады, ... ... ... барлық күшейту каскадтарын қамтитын теріс кері
байланыстың (ООС) максималдық тереңділігімен анықталады. ... ... ... ... ... жатады:
1) дБ-айнымалы ұзартқыш, бұл ... ... ... ... ... ... реттейді.
2) КНН- алғашқы иілу контуры. Бұл тұрақты параметрлі – берілген амплитуда-
жиіліктік ... ... ... , ... ... АРУ- бұл ... өшуінің температуралық өзгеруіне сәйкес күшеюін
реттейтін, айнымалы параметрлі жиілікке тәуелді төртполюстік
Трансформаторлы диференциалды жүйе 3 ... ... және ... ... ... көзі және жүктеме ретінде байланыс желілері
алынған.
II-бөлім. Күшейту каскадының санын есептеу.
Күшейту каскадының саны мына ... ... ... ... ... дейін дөңгелектейміз.
N=Sбез.ос(Sкаск. = 63/22 = 2,8 = 3 каскад
Мұндағы: Sбез.ос.-кері байланыссыз күшейткіштің ... ... ... 33 + 30 = 63 ... S - ... ... ... Берілген нұсқам бойынша 35дБ
Аос-теріс кері байланыстың тереңдігі. Оны өзім таңдаймын
Аос=20(30 дБ ... - 30 дБ ... ... ... Оны өзім ... дБ ... – 22 дБ ... Күшейткіштің принципиалдық схемасын таңдау және ... 3 ... ... ... ... схемасы
көрсетілген. Күшейткіштің V1, V2, V3 транзисторлары ОЭ схемасымен қосылған
3 каскадтан тұрады. Бірінші және ... ... ... ... қосылған. Ал
екінші және үшінші каскадтар С8 ... ... ... ... ... ... кернеу бөлгіш пен бөлгіш конденсатордың болмауы ... ... ... қоректендіру тогын үнемдейді. Сонымен қатар
бөлгіш конденсатордың болмауы төменгі ... ... ... бірақ кемшілігі қоректендіру кернеуінің ... ... ... ... ... каскад үшін кернеу бөлгіш болып бірінші
каскад табылады. Сондықтан бірінші ... ... ... ... ... Яғни бұл ... бірінші каскадтың режимінің тұрақты болуы өте
маңызды. Каскад аралық паразитті кері ... ... үшін ... көзінің тізбегі арқылы R6, C3, R11, C5 ... ... ... ... және ... ... Т1, Т2 ... жасалған.
R1 және R16 резисторлары балансты резисторлар болып саналады. Күшейткіште
кіріс және ... ... ... жасалған ортақ теріс кері
байланыс (ООС) қолданылады. ООС тізбегінің пассивті бөлігінде АРУ, ... R7, R10, R12 ... ... ... ұзартқыш
қосылған. Кері байланыс тек айнымалы ток арқылы жүргізіледі. Сондықтан ООС
тізбегінің кірісіне және ... C2, C11 ... ... С7, С10 ... ООС ... ... ... жоғарғы жиілікте
айналып өту жолын құрайды және күшейткіштің өзіндік қозу мүмкіндігін жояды.
IV-бөлім. Ақырғы каскадты ... ... ... берілген қуатын қамтамасыз ету үшін
қолданылады. Сызықтық күшейткіш қондырғыларында ... ... ... бір тактілі трансформаторлық ақырғы каскадтар
қолданылады.Бұл ... ... ... А режимінде жұмыс
істейді. Сондықтан мұндай ... ... емес ... аз ... ... ... ... кіріс және шығыс статикалық
сипаттамасын қолдана отырып ... ... ... ... транзистор түрі коллекторлық таралу қуатының рұқсат
етілген ең ... мәні ... ... ... ... ... ... шарт орындалуы тиіс.
( шек ( (40(100)(жоғ ( шек ( ... ... ( ... ... ( 5*30мВт (
150мВт
ПрI таблица1 методикалық ... ... ... ... ... ... ... және таңдалған транзистордың қалған
параметрлерін көшіріп жазамын және прI ... ... ... ... ... кіріс және шығыс сипаттамаларын сызып
аламын.
Транзистордың сипаттамасынан ... ... ... Ол ... ... ... ... қуаттың рұқсат етілген
мәнін көрсететін түзуін көрсету керек. Бұл ... сызу үшін Uкэ ... ... үшін ... 5В сайын 5-25В ... ... ... тогын мына формуламен есептеймін:
Ik=Pkmax/Ukэ Pkmax =225 ... : Pkmax – ... ... ... ... max. ... -кесте
|Uкэ , В |5 |10 |15 |20 |25 ... , мА |45 |22,5 |15 |11,25 |9 ... |Pk.max ... |Ik.max |r'б. ... ... |10 |100 |20В |30мА |100Ом ... (n - p - ... ... отырып транзистордың шығыс сипаттамасы бойынан
анықталу облысын табамын.
Шығыс сипаттаманың бойынан қалдық кернеуді Uқал. ... Ол ... ... ... өзгерген бөлігінің ең жоғарғы мәнінен Х-
осіне перпендикуляр жүргіземін. Бұл ... ... ... ... ... ... көрсетеді.
Осы мәндерді қолдана отырып транзистордың тыныштық кернеуінің ... ... ... ... мәнді бүтін санға дейін дөңгелектеймін. Күшейткіштің
трансформаторының Пайдалы Әсер Коэффициентін (ПӘК) ескере отырып
транзистордан берілетін қуаттың мәнін мына формуламен анықтаймын:
P'~=Pж/ήmp ; ... ... ... қуаттың мәнін мына формуламен
есептеймін:
Pко=Р'~/ηа*ηс, ... = 0,4 – ... А ... max. ... 0,9 – кері байланыс тізбегіндегі сигнал қуатының жоғалуын ескеретін
коэффициент
Транзистор коллекторындағы қуатын ескере отырып тыныштық тогын ... ... [mA] ... ... ... ... ... бойынан Iко3 және Uко3
мәндерін белгілеймін. Табылған нүктенің бойынан Iбо3кіріс тогының мәнін
анықтаймын. Егер ... ... ... ... ... ... онда сол ... арқылы сипаттамаға параллель түзу жүргіземін.
Осытүзудің орналасқан деңгейі Iбо кіріс тогының мәнін ... ... ... Iбо мәнін кіріс сипаттамаға ауыстырамын да Uбо3мәнін
анықтаймын. Тыныштық нүктесінің координаталарын ... ... Uко3 ... Iко3, ... сигналының кернеу амплитудасының мәнін мына формуламен
анықтаймын: Ukm ≤Uko – Uқал ≤ 11-2,5 ≤ 9В Uko+Ukm= ... ... ток ... анықтаймын:
Iк.m=2P'~/Ukm = 2*31/9=7мА Iko-Ikm=8 -
7=1 мА
Айнымалы токтың жүктеме түзуін саламын. Ол үшін ... ... ... ... (Iко- Iкм) және (Uко+ Uкм) ... Осы ... ... ... ... ... белгілеймін. М нүктесімен тыныштық ... (ТП) қоса ... ... ... ... ... токтың жүктеме түзуімен Uқал деңгейінің түзуінің қиылысқан
жерінен N нүктесін белгілеймін. Сонымен М нүктесіне ... ... ... ... келеді, ал N нүктесіне кіріс тогының max. мәні сәйкес келеді.
Iб.max = 0,36мА; Iб.min = ... ... ток ... мәнін анықтаймын:
Iб.м =(Iб.max- Iб.min)/2 = (0,36-0,02)/2 = 0,17мА
Таңдалынған режимдегі транзистордың беретін қуатын былайша
анықтаймын:
P~=(Ik.*Uk.m)/2=(9*7)/2 = 31мВт
P~=P'~ = ... ... ... ... Iб.max және I ... ... және сол мәндерге сәйкес келетін Uбэ.max
,
Uбэ.min анықтаймын. Uбэ.max = 0,47В ... = ... ... ... ... анықтаймын:
Uбм=(Uбэ.max – Uбэ.min)/2= (0,47 - 0,29)/2 = ... ... ... ... ... ... = 9/0,09 = ... кіріс кедергісін анықтаймын:
Rкір3 = Uбм/Iбм = 0,09/0,17*10 –3 = 0,5 кОм
Шығыс ... ... ... ... Iкм =9/7*10 –3 = 1,3 ... шығыс тізбегіндегі қоректендіру көзінен алатын қуатын
анықтаймын:
Ро=Iко* Uко = 8мА*11 = 88 мВт
Шығыс тізбегіндегі нақтылы П.Ә.К. анықтаймын:
ηф=P'~/Po = 31/88= 0,4
Осы ... ... ... мына ... ... ... ... 2- кесте
|Nкаск. |Uko.3,B |Iko.3,мА ... ... |
|1 |3 |2 |0,3 |0,03 ... ... |Uko.2 B |Iko.2 мА |Uбо.2 В |Iбо.2 мА |
|2 |5 |3 |0,32 |0,05 ... ала ... ... ... үшін UR6, UR11 ... өзара тең деп
аламын.
UR6=UR11=1 B
Бірінші каскадтың бөлгіш тогы осылай анықталады:
Iд.1=(5(10)*Iбо.1= 6*0,03= 0,18мА
Бірінші каскадтың эмиттер
тізбегіндегі резистор кернеуін анықтаймын:
UR5=(5(10)*Uбо.1 = 7*0,3 ... ... ... ... ... кедергісін
анықтаймын:
R5=UR5/(Iко.1+Iбо.1) = 0,21/(2+0,03)* =3,5кОм=3500Ом.
R5 – номиналы 3600 Ом =3,6 кОм
Бірінші каскадтың коллектор тізбегіндегі резистор кедергісін
анықтаймын:
R4=(E-UR6-UR11-Uko.1-UR5)/(Iko.1+Iбо.2) =(15,2-1-1-3-
0,21)/(2+0,05)*
= 5кОм = 5000 ...... 5000 Ом = 5 ... ... бөлгіш резистор кедергілерін анықтаймын:
R2=(E- UR6-UR11-Uбо.1-UR5)/(Iд.1+Iбо.1) =(15,2-1-1-0,03-
0,21)/(0,18+0,03)*=62кОм = 62000 Ом.
R2 - номиналы 62000 Ом = ... 23кОм = 23000 ... ... 30000 Ом = ... ... ... тізбегіндегі резистор кедергісін анықтаймын:
R9=(UR5+Uko.1-Uбо.2)/(Iko.2+Iбо.2) =(0,21+3-0,32)/(3+0,05)*
 =0,9кОм =900Ом.
R9 – номиналы 910Ом =0,91 кОм.
Екінші каскадтың коллектор тізбегіндегі резистор кедергісін
анықтаймын:
R8=(E-UR11-UR9-Uko.2)/Iko.2 =(15,2-1-2,745-5)/ 3*10 -3 ... ... 2200 Ом = 2,2 ... ... экв9=(3+0,05)* 10 -3 * 0,9* 10 -3 =
2,745 В
Фильтрлеуші тізбектің резистор ... ... ... =400 Ом. R6 – ... 430 Ом = 0,43 кОм.
R11=UR6/(Iд.1+Iko.1+Iбо.1+Iбо.2+Iko.2)
=1/(0,18+2+0,03+0,05+3)
= 0,2 кОм = 200 ... ... 200 Ом = 0,2 ... ... ... ... арналған схема
|±5% |10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30,33,36,39,43,47,51,56,62,68,75,82|
| |,91. |
| | ... ... ... элементтер тізімін таблицада келтіремін
|Позициондық |Аты ... ... Ом | ... | | | ... ... ... | ... ... ... | ... ... ... | ... ... | ... | ... ... ... | ... ... ... | ... ... ... | ... ... ... | ... ... ... | ... ... ... | ... ... ... | ... ... ... | ... ... ... | ... ... ... | ... | ... ... | ... Жалпы ООС тереңдігін есептеу.
Күшейткішке теріс кері байланыс ... ... оның ... ... ... ... көрсеткіштері ретінде
сызықты емес бұрмаланудың азаюы, күшею коэффициентінің тұрақтылығының
көбеюі, ... ... ... ... Бұл ... ... шектік мәні жалпы ООС схемасының максималдық тереңділігімен
анықталады.
Сызықты емес бұрмаланудың ... ... мәні ... ООС тереңділігін
анықтаймын. Ол үшін ... ... ... ... ... әсер
коэффициентіне сәйкес келетін екінші және ... ... ... ... ηф α2г ... деңгейіндегі өшу мәнін мына формуламен анықтаймын:
ηф = 0,4 α2г = 25 дБ. α3г. = 30 ... 25+10lg ... 40 ... ... 30+20lg ... 60 ... емес өшу ... қамтамасыз ету үшін, ООС тереңділігі мына
шартқа сәйкес келуі тиіс:
Ак.б1≥ α'2 - α2г≥ 40-25 ≥15 ... α'3 - ... ≥ 30 ... : ... Ак.б2 – теріс кері байланыс тереңділігі. [дБ]
Күшею тұрақсыздығының рұқсат ... мәні ... ... кері ... ... ... ... бір каскад үшін 0,15 тең деп
алса болады.
∆К/К=0,15*3=0,45
Күшею тұрақсыздығы ∆St децибелла мәнімен белгіленгендіктен оны мына
формуланы ... ... ... ... ... ... 0,08
Сонда ООС тереңдігі мына формуламен анықталады:
Ак.б3≥20lg*(0,15*√N )/(100,05*∆St) ≥ 20lg ... ... ... ... N- күшейткіштің каскад саны.
∆St- күшею тұрақсыздығы.
Шағылысу коэффициентінің ... ... ... сәйкес теріс кері
байланыс тереңділігін ... ... және ... ... ... ... элементтердің болуы күшейткіштің сыртқы
тізбектерімен келісу мәнінің әртүрлі болуына әкеп соқтырады. Сондықтан орта
жиіліктегі шағылысу коэффициенті анықталады.
δср=0,5δ ... ООС ... мына ... анықталады:
Ак.б4≥20lg*1/δср ; [дБ] ... 20lg ... ... ООС тереңділігін таңдаймыз. Ол үшін есептелген Ак.б1,
Ак.б2 , Ак.б3 , Ак.б4 ... ... ... ең ... ... ... алынған Ак.б мәнін децибелладан салыстырмалы бірлікке мына формула
бойынша ауыстырамын: F=100,05*Aк.б. ... = 33 ... ... ... бірліг
VII-бөлім. Күшейткіштің күшею коэффициентін есептеу және тексеру.
Бірінші және екінші каскадтың кіріс кедергісін анықтаймы. Ол үшін
кернеу ... ... ... мәні тең деп ... ... ... Rкір мына ... анықталады.
Rкір.1=r'б+0,025/Ik.o.1*( h2.1.min -1) = 100+0,025/2*10 –3 ( 10+1) = ... ... h2.1.min -1) ... –3 (10+1) = 191,6 ... Ом
Мұндағы: r'б- жоғарғы жиіліктегі базаның көлемдік кедергісі.
h2.1.min- ОЭ ... ... ... ... ... және ... ... параметрлерін мына кестеге толтырамын.
|Каскад номері |h2.1.min ... Ом |
|1 |10 |240 ... ... ... ... Ом |
|2 |10 |200 ... ... айнымалы ток бойынша алынған жүктеме кедергісін
анықтаймын.
R~2=(R8*Rб.3*Rкір.3)/(R8*Rб.3+R8*Rкір.3+Rб.3*Rкір.3)
=2200*3539*500/(2200*3539)+(2200*500)+(3539*500) = ... ... Rб.3- ... ... ... резисторы. Ол мына
формуламен анықталады:
Rб.3= (R13* R14)/( R13+ R14) = 20000*4300/20000+4300 =3539Ом
Екінші каскадтың кернеу бойынша алынған күшейту коэффициетін
анықтаймын.
К2=(h2.1э.min* R~2)/ Rкір.2 = ... = ... ... ... ... ... ... коэффициентін
анықтаймын:
К1=(h2.1.э.min* R~1)/ Rкір.1 =(10*220)/240 = 8,8
Мұндағы: R~1=(R4* Rкір.1)/(R4+ Rкір.1) =(5000*240)/(5000+240)=229Ом
Ном/лы 220 Ом
R4 – Бірінші каскадтың коллектор ... ... ... кері байланысы жоқ күшейткіштің кернеу бойынша алынған
күшейту коэффициентін ... K2 ... = ... : К3 – ... каскадтың кернеу бойынша алынған күшейту
коэффициенті.
Күшейткіштің теріс кері байланысы ескерілген ... ... ... ... ... = ... ≈ 40
Мұндағы: 1,2 – схема элементтерінің ... ... ... - ... кері байланыстың салыстырмалы бірлікте алынған тереңділігі.
Күшейткіштің нақтылы күшею коэффициентін, берілген S мәнімен
салыстырамын. Ол үшін S ... ... ... ... ауыстырамын.
К=100,05*s= 100.05*32 ≈ ... ... ... ... болса, онда Кф≈К болуы керек. Ал егер
Кф15К болса, онда екінші каскадқа жергілікті теріс
кері
байланыс енгіземіз. Бұл жағдайда ... ... ... ... тізбектей жалғаған екі резистордан тұрады. Rэ'2, Rэ''. Ал
жергілікті ООС эмиттерлік кедергінің тек бір ... ғана ... ... ТКБ ... ұзартқышты есептеу.
Жалпы ООС тізбегіндегі беру коэффициенті мына формуламен анықталады.
β=(2(10)/К=8/32= 0,25
Мұндағы: Алымындағы ... ... және ... ... және ... ... анықтайды.
К- күшейткіштің салыстырмалы бірліктегі кернеу бойынша алынған күшейту
коэффициенті. Т тәріздес ұзартқыштың ... ... ... ... ... = 225*1/1+0,25 = 18 0Ом.
R7 – номиналы 180 Ом.
R12 – номиналы 180 Ом.
R10= Rc*1/1+β2 = 225*1/1+0,222 = 211,8 Ом.
R10 - ... 220 ... Rc - ... ... ... =150(250 Ом = ... IX- Бөлім. Есептеу қорытындысын шығару.
Берілген тапсырма бойынша ... ... ... ... ... ... керек.
Х-бөлiм. Қолданылған әдебиеттер тiзiмi.
1) Мурадян А.Г., Разумихин В.М., Тверецкий М.С. Усилительные
устройства. -М.: Связь, 1976 г.
2) Цыкина А. В. Усилители. Учебное ... – М.: ... и ... ... ... усилители. Методическая разработка для
выполнения контрольных работ, курсового и дипломного
проектов для учащихся ВЗТС и ... ... ... -М.: Радио и связь, 1982 г.
4) Дипломное проектирование. Методические указания для
дипломного проектирования. –М.: Радио и связь, 1983 г.
5) ... ... ... схем и ... –М.: ... г.

Пән: Электротехника
Жұмыс түрі: Реферат
Көлемі: 20 бет
Бұл жұмыстың бағасы: 400 теңге









Ұқсас жұмыстар
Тақырыб Бет саны
Оптикалық ретранциляторлар3 бет
RC байланысы бар күшейткіштер8 бет
Микроэлектроника және схематехника10 бет
Радиоқабылдағыш құрылғылар17 бет
Стрес этиологиясы.Классификациясы. Қабыну,ісіну механизімі6 бет
C++ тілінде сызықтық тізіммен жұмыс29 бет
n-ші ретті, коэффициенттері айнымалы біртекті сызықтық дифференциалдық теңдеулерді жалпыланған Абель формуласын пайдаланып шешу36 бет
«Автомобильдердің рульдік басқару жүйесіндегі күшейткіштер»20 бет
Жазбалар. Graph модулі. Сызықтық емес теңдеулер жүйесінің түбірлерін Итерация және Ньютон әдісімен жуықтап шешу. Анықталған интегралды Симпсон, Трапеция, Тіктөртбұрыштар формуласы арқылы есептеу13 бет
Желілі күшейткішті есептеу27 бет


+ тегін презентациялар
Пәндер
Көмек / Помощь
Арайлым
Біз міндетті түрде жауап береміз!
Мы обязательно ответим!
Жіберу / Отправить


Зарабатывайте вместе с нами

Рахмет!
Хабарлама жіберілді. / Сообщение отправлено.

Сіз үшін аптасына 5 күн жұмыс істейміз.
Жұмыс уақыты 09:00 - 18:00

Мы работаем для Вас 5 дней в неделю.
Время работы 09:00 - 18:00

Email: info@stud.kz

Phone: 777 614 50 20
Жабу / Закрыть

Көмек / Помощь