Сызықтық күшейткіш

Пән: Электротехника
Жұмыс түрі: Курстық жұмыс
Тегін: Антиплагиат
Көлемі: 21 бет
Таңдаулыға:

СЫЗЫҚТЫҚ КҮШЕЙТКІШ

Мазмұны

Кіріспе:

Күшейткіштің құрылымдық схемасын таңдау және негіздеу
Күшейту каскадының санын есептеу
Күшейткіштің принципиалдық схемасын таңдау және негіздеу
Ақырғы каскадты есептеу
Тұрақты ток бойынша схема элементтерін есептеу
Жалпы ТКБ тереңдігін есептеу
Күшейткіштің күшейту коэффициентін есептеу және тексеру
Жалпы ТКБ тізбегіндегі ұзартқышты есептеу
Есептеу қорытындысын шығару
Қолданылған әдебиеттер тізімі

Кіріспе:

Қазіргі кезде жартылай өткізгіштік құралдарды ғылымның барлық салаларында қолданылады. Ең алғаш рет 1900 жылы орыс ғалымы А. С. Попов жартылай өткізгіштік құралын (диод-детектор) радиотелеграф қабылдағышында қолданған болатын. Келесі жылдары электровакуумды құралдар сол кезде жетілмеген жартылай өткізгіштік құралдарын шығарды. Біздің еллімізде 30-жылдарында А. Ф. Иоффе академигінің басшылығымен жартылай өткізгіштік құралдарының жүйелі зерттеулері басталған болатын. Түзету процесін неміс ғалымы В. Шоттки және американ ғалымдары Н. Мотто және У. Шокли зерттеу жұмыстарын жасаған. Бірақ жартылай өткізгіштік құралдарының облысында үлкен жетістікке жеткен американ ғалымдары Д. Бардин, В. Браттейін және У. Шокли транзисторды ойлап тапқан. ССРО-да 1949 жылы А. В. Красилов пен С. Т. Мадоян екеуі нүктелі транзисторлардың бірінші үлгілерін жасады. Транзистордың ашылуы Жартылай өткізгіштік электрониканың дамуындағы жаңа кезең басталды. 1948-1969 жылдар аралығында қатты денелі құралдардың 50-ден астам әр түрлі үлгілерін жасап, өнеркәсіп өндірісінде игерілген. Сызықты емес жартылай өткізгіштік резистор автоматика мен электротехникада электрондық аспаптар кең қолданылуда. Б. Т Коломница, И. Т. Шефтемя, Б. С. Сотсков және тағы басқа ғалымдардың аттары сызықты емес резисторлардың жаңа үлгілердің жасалуына байланысты.

Ең күрделісі сызықты күшейткіш болып келеді, ол аралық күшейткіш пунктілерде орналасқан және жабысып тұратын сыну өтімі үшін қызмет етеді. 60 жылдары үлкен назар аударатын жартылай өткізгіштік құралдардың жасаған, осылардың арасында ең үлкен мағынаға басты жаңалық түннельдік диодтың ашылуы болды. Оны жапон ғалымы Л. Есаки ойлап тапты.

Келесі жылдарда өте биік жиілікті облысында жартылай өткізгіштік құралдардың жылдам жылжуы байқалды. Дайындау технологиясы жақсы жетілдіру нәтижесінде мына бағытта алға басты СВЧ-транзисторлар, туннельдік диодтар және варикаптар.

Шотки тосқауылының ауысулары әр түрлі құралдарда кең қолданылды, түзететін диодтардан бастап және үлкен интеграл схемалармен аяқтады. Лазерлық техника электрониканың жаңа бағыты қарқынды дамыды. Советтік ғалымдары Н. Т. Басов пен А. М. Прохоров лазерлық техникаға зор үлестерін қосты. Электроника саласы ғылым облысыңда және құрылғылардың және әр түрлі электрондық құралдардың қолданылу принциптерін оқытады. ХХҮІІ-ХІХ ғасырларында физиктер электроника дамуына зор еңбектерін салған. Радиотехникада электрондық құралдар қолданыла бастады. 1904 жылы ағылшын ғалымы Д. А. Филлинг радиоқабылдағышта жоғары жиілік тербелулердің өндеуіне арналған катодпен күшейтілген екі электродты шамды қолданды. 1905 жылы АҚШ-та А. Хеллом газ толтырылған диодты (газотрон) маңызды ойлап тауып жасаған болатын. Үлкен назар аударатын 1909-1911 жылдары Ресейде алыс телефондық байланысқа шығу үшін күшейтілген бірінші триодтарды В. И: Коваленков жасаған. 1918-1919 жылдар аралығында М. А. Бонч-Бруев триод теориясын жасап, электрондық шамдардың жобалауына арналған үлкен құралды өндеді. Электровакуумды құралдардың жасауы Ленинградта көп жұмыстар өткізді. Ең маңызды табыс, ол катодтарды қыздыру болатын. Барлық зерттеулердің арқасында СССр-де 1921 жылы А. А. Чернышев көптеген кәіспорындарда электр лампаларын шығара бастады.

1920-1930 жылдар арасында электр құралдарын шетелде көптеген жасауында табыстарға жетті. 1926 жылы АҚШ-та А. Хелл тормен экрандалатын шамдар жетілдірді, ал 1930 жылда пентодты жасаған, ол көп тараған электрондық шамдар болатын. 1930 жылы СССР-де Л. А. Кубецкий фотоэлектронды көбейткіштерді ойлап тапқан, оның конструкциясын жаңартқандар С. А. Векшинский мен П. В. Тимофеев.

1954 жылы Мәскеуде жартылай өткізгіштік АН СССР институті жұмыс істей бастады. Сол жылдың аяғында Ленинградқа ауыстырды. 1972 жылы В. И. Тучкевич академигі басқарған жартылай өткізгіштік құралдардың жасаған болатын, ол артынан Ленинградтық сыйлыққа ие болды. Оның бұндай сыйлыққа ие болуы жартылай өткізгіштік құралдардың гетеро ауысуларды, байланыстын әр түрлі структуралық жартылай өткізгіштікті жасаған.

Цифрлық техникалық құрылғылардың толық жетілуі, олар әр түрлі объектілерді басқару автоматтандыруына арналған қолдану болатын. Мына электр қозғалтқыш сияқты бір-біріне жақын орналасқан электрондық құрылғылар және сондай-ақ қуатты агрегаттардың орнында бола алады, электромагниттер, электр қондырғышты құралдар. Осыған орай үлкен мағына шуылдардың азаюы проблемасы және электрондық құрылғылардың бөгет тұрақтылық қамтамасыз етуін ие болады. Мына сыртқы бөгеттердің шегінің өсуімен ғана емес байлаулу агрегаттардың жақындығы, бірақ сонымен қатар элеметтердің өзара ықпалын жасау ішкі бөгеттерінің артуымен және электрондық құрылғылардың біреуі басқаларына. Соңғы тенденцияның, әсіресе өзекті осымен орайлас тез әрекеті жоғарылауы және электрондық схемалардың цифрлық құрылғылар элементтер арасын сым арқылы қосады. Электр сымы бір элементтің шығысын кіріске қосса контур түзіледі, антендық деп аталатын. Электромагниттік ортаны ЭҚК кірісінде кедергі пайда болады, контурға байланысты, электромагниттік ортаның жылдамдығы, шығыс кедергі элементінің қабылдағышына байланысты.

Сондықтан барлық қисынды элементтердің үлгілері инерциональді компонеттерді асырайды (транзисторлар, диодтар, магниттік өзекшелер) ауыстырып қосуға арналған белгілі энергия сигнал беруге қажет.

Бөгеттердің азаюына арналған цифрлық қисынды схемаларда сигналдардың жұмыс істеуін қажет етеді, үлкен уақыт аралықта және басылуды, аз амплитуданы, сигналдардың санына шек қояды, бір мезгілде ауытырылып қосылады және шунталған нәтижелі әдістері және корек көзін қолданады.

Сыртқы бөгеттерге схемалардың тұрақтылығы жоғарылауына арналған кіруде стриггиралин Шмитта синхронизацияларын баяу қолдану керек.

I-бөлім. Сызықтық күшейткіштің құрылымдық схемасын таңдау және негіздеу

Байланыс техникасында беру жүйесінің қондырғылары көптеген электр сигналдарының күшейткіштерінен тұрады. Ең күрделі күшейткіш болып аралық күшейткіш пунктілерінде орналастырылатын сызықтық күшейткіштер саналады. Сызықтық күшейткіштің негізгі параметрлері болып мынадай параметрлер саналады:

1. Жиілікті жұмыс диапазоны.

2. Номиналды күшеюі.

3. Кіріс және шығыс кедергілері.

4. Сызықты емес күшею.

Күшею тұрақсыздығы.

Сызықтық күшейткіштің жиілікті жұмыс диапазоны-беру жүйесінің сызықты спектрімен анықталады.

Күшейткіштің номиналды күшеюі деп- күшейткіштің жиіліктік жұмыс диапазонының жоғарғы жиілігіндегі өшу мәнін күшейтуін атаймыз.

S - номиналдық күшею.

S=20 lgU вых /Uвх [дБ]

Сызықтық күшейткіштерде бір уақытта әртүрлі арналардың сигналдарын күшейтетін сызықты емес бұрмаланудың болуы арнада шуылдың болуына әсерін тигізеді. Бұл құбылыс өшу коэффициентімен бағаланады. а- өшу коэффициенті.

a=20lg 1/Kг [дБ]

Күшею тұрақсыздығы мына формуламен есептелінеді.

∆St=20lg [1+∆K/K] [дБ]

мұндағы: ∆K- күшею коэффициентінің өзгеруі.

K- күшею коэффициенті.

Сызықтық күшейткіш құрылым схемасы 1 суретте көрсетілген. Сызықтық күшейткіштің кіріс және шығыс қондырғысы ретінде трасформаторлы дифференциалдық жүйелері қолданылады. Күшейткіштің (АҚ) ақрығы еріс кері байланысы ескерілген сызықты емес бұрмаланудың ұқсат етілген мәніндегі жүктемені сигналдың берілген қуатыменқамтамасыз етеді. КПУ- Алдын ала күшейту каскады. Бұл каскад ақырғы каскадты басқару үшін қажет болатын сигналдың ток мәнін алу үшін қолданылады, күшейткіштің сапалық күшейткіштерінің мәндерін барлық күшейту каскадтарын қамтитын теріс кері байланыстың (ООС) максималдық тереңділігімен анықталады. Теріс кері байланыс тізбегінің құрамына мыналар жатады:

дБ-айнымалы ұзартқыш, бұл жиілікке тәуелсіз күшейткіш бөлігінің ұзындығына сәйкес күшеюді реттейді.
КНН- алғашқы иілу контуры. Бұл тұрақты параметрлі - берілген амплитуда-жиіліктік сипаттаманы қамтамасыз ететін, жиілікке тәуелді төртполюстік.
АРУ- бұл тізбектің өшуінің температуралық өзгеруіне сәйкес күшеюін реттейтін, айнымалы параметрлі жиілікке тәуелді төртполюстік

Трансформаторлы диференциалды жүйе 3 орамды трансформатордан және баланс кедергілерінен тұрады. Сигнал көзі және жүктеме ретінде байланыс желілері алынған.

II-бөлім. Күшейту каскадының санын есептеу.

Күшейту каскадының саны мына формуламен анықталады. Шыққан мәнді бүтін санға дейін дөңгелектейміз.

N=Sбез. ос/Sкаск. = 63/22 = 2, 8 = 3 каскад

Мұндағы: Sбез. ос. - кері байланыссыз күшейткіштің күшеюі. [дБ]

N- каскад саны.

Sбез. ос=S+Aос. = 33 + 30 = 63 дБ

Мұндағы: S - күшейткіштің номиналды күшеюі. Берілген нұсқам бойынша 35дБ

Аос -теріс кері байланыстың тереңдігі. Оны өзім таңдаймын

Аос =20÷30 дБ аралығында - 30 дБ таңдадым

Sкаск- бір каскадтың күшеюі. Оны өзім таңдаймын

Sкаск= 20÷25 дБ аралығында - 22 дБ таңдадым

III-бөлім. Күшейткіштің принципиалдық схемасын таңдау және негіздеу.

2-суретте 3 каскадты сызықтық күшейткіштің принципиалдық схемасы көрсетілген. Күшейткіштің V1, V2, V3 транзисторлары ОЭ схемасымен қосылған 3 каскадтан тұрады. Бірінші және екінші каскад өзара тікелей қосылған. Ал екінші және үшінші каскадтар С8 бөлгіш конденсаторы арқылы қосылған. Екінші каскадтың кірісінде кернеу бөлгіш пен бөлгіш конденсатордың болмауы схема элементтерінің санын азайтады, қоректендіру тогын үнемдейді. Сонымен қатар бөлгіш конденсатордың болмауы төменгі жиіліктегі амплитуда-жиіліктік бұрмалануды төмендетеді, бірақ кемшілігі қоректендіру кернеуінің үлкен мәнін талап етуі. Өйткені екінші каскад үшін кернеу бөлгіш болып бірінші каскад табылады. Сондықтан бірінші каскад барлық тербелісі екінші каскадқа беріледі. Яғни бұл схемада бірінші каскадтың режимінің тұрақты болуы өте маңызды. Каскад аралық паразитті кері байланысты әлсірету үшін ортақ қоректендіру көзінің тізбегі арқылы R6, C3, R11, C5 фильтрлеуші тізбегі қосылған. Күшейткіштің кіріс және шығыс қондырғылары Т1, Т2 дифференциальды трансформаторлардан жасалған.

R1 және R16 резисторлары балансты резисторлар болып саналады. Күшейткіште кіріс және шығыс қондырғыларының көмегімен жасалған ортақ теріс кері байланыс (ООС) қолданылады. ООС тізбегінің пассивті бөлігінде АРУ, КНН контурлары R7, R10, R12 резисторларынан құрылған айнымалы ұзартқыш қосылған. Кері байланыс тек айнымалы ток арқылы жүргізіледі. Сондықтан ООС тізбегінің кірісіне және шығысына C2, C11 конденсаторлары қосылған.

С1, С7, С10 конденсаторлары ООС пассивті бөлігі ілмегінің жоғарғы жиілікте айналып өту жолын құрайды және күшейткіштің өзіндік қозу мүмкіндігін жояды.

IV-бөлім. Ақырғы каскадты есептеу.

Ақырғы каскад сигналдың берілген қуатын қамтамасыз ету үшін қолданылады. Сызықтық күшейткіш қондырғыларында транзисторлары

ОЭ схемасымен қосылған бір тактілі трансформаторлық ақырғы каскадтар қолданылады. Бұл каскадтардың күшейткіш элементтері А режимінде жұмыс істейді. Сондықтан мұндай каскадтарда сызықты емес бұрмалану аз болады. Ақырғы каскадтың параметрлері транзистордың кіріс және шығыс статикалық сипаттамасын қолдана отырып графикті-аналитикалық әдіспен анықталады. Ақырғы каскадтың транзистор түрі коллекторлық таралу қуатының рұқсат етілген ең жоғарғы мәні бойынша анықталады. Транзистор түрін таңдау кезінде мынадай шарт орындалуы тиіс.

ƒ шек ≥ (40÷100) ƒжоғ ƒ шек ≥ 55*1304кГц ≥ 71, 72МГц

Рк. мах. ≥ (4÷5) Рж Рк. мах. ≥ 5*30мВт ≥ 150мВт

ПрI таблица1 методикалық нұсқаны қолдана отырып ақырғы каскадтың транзистор түрін таңдаймын және таңдалған транзистордың қалған параметрлерін көшіріп жазамын және прI көрсетілген статикалық сипаттамадан таңдап алынған транзистордың кіріс және шығыс сипаттамаларын сызып аламын.

Транзистордың сипаттамасынан анықталу аймағын табамын. Ол үшін транзистордың шығыс сипаттамасының бойынан қуаттың рұқсат етілген мәнін көрсететін түзуін көрсету керек. Бұл түзуді сызу үшін U _кэ мәнін КТ312А транзисторы үшін әрбір 5В сайын 5-25В аралығында осы транзисторлардың коллекторлық тогын мына формуламен есептеймін:

I _k =P _kmax /U _kэ P _kmax =225 мВт

Мұндағы : P _kmax - транзистор коллекторының рұқсат етілген max. мәні.

1 -кесте

U _кэ , В

Uкэ, В: I _k , мА

5: 45

10: 22, 5

15: 15

20: 11, 25

25: 9

ƒ _гр

P _{k. max}

h _{2. 1э. min}

h _{2. 1э. max}

U _{kэ. max}

I _{k. max}

r ^' _б.

ƒгр: 80МГц

Pk. max: 225мВт

h2. 1э. min: 10

h2. 1э. max: 100

Ukэ. max: 20В

Ik. max: 30мА

r'б.: 100Ом

КТ312А (n - p - n)

Таблицаны қолдана отырып транзистордың шығыс сипаттамасы бойынан анықталу облысын табамын.

Шығыс сипаттаманың бойынан қалдық кернеуді U _қал. анықтаймын. Ол үшін шығыс сипаттаманың сызықты өзгерген бөлігінің ең жоғарғы мәнінен Х-осіне перпендикуляр жүргіземін. Бұл түзумен Х-осінің қиылысқан нүктесі қалдық кернеудің мәнін көрсетеді.

Осы мәндерді қолдана отырып транзистордың тыныштық кернеуінің мәнін мына формуламен анықтаймын:

U _ko= (U _kэmax +U _қал ) /2=(20+2, 2) /2≈11 U _қал =2, 2В

Табылған мәнді бүтін санға дейін дөңгелектеймін. Күшейткіштің трансформаторының Пайдалы Әсер Коэффициентін (ПӘК) ескере отырып транзистордан берілетін қуаттың мәнін мына формуламен анықтаймын:

P ^' _~ =P _ж /ή _mp ; η _mp =0, 95 P _ж =30мВт

P ^' _~ =30/0, 95=31мВт

Транзистордың коллекторынан берілетін қуаттың мәнін мына формуламен есептеймін:

P _ко =Р ^' _~ /η _а *η _с, P _ко =31мВт/0, 4*0, 9=86мВт

η _а = 0, 4 - каскадтың А режиміндегі max. ПӘК

η _с = 0, 9 - кері байланыс тізбегіндегі сигнал қуатының жоғалуын ескеретін коэффициент

Транзистор коллекторындағы қуатын ескере отырып тыныштық тогын мына формуламен анықтаймын:

I _ko =P _ko /U _ko [mA] I _ko =86/11=8 mA

Транзистордың шығыс статикалық сипаттамасының бойынан I _ко3 және U _ко3 мәндерін белгілеймін. Табылған нүктенің бойынан I _бо3 кіріс тогының мәнін анықтаймын. Егер U _ко3 I _ко3 қиылысынан табылған нүкте сипаттаманың бойында жатпаса, онда сол нүкте арқылы сипаттамаға параллель түзу жүргіземін. Осытүзудің орналасқан деңгейі I _бо кіріс тогының мәнін көрсетеді. Шығыс сипаттаманың табылған I _бо мәнін кіріс сипаттамаға ауыстырамын да U _бо3 мәнін анықтаймын. Тыныштық нүктесінің координаталарын жазып аламын: U _ко3 , I _бо3 , I _ко3 , U _бо3

Шығыс сигналының кернеу амплитудасының мәнін мына формуламен

анықтаймын: U _km ≤U _ko - U _қал ≤ 11-2, 5 ≤ 9В U _ko +U _km = 11+9=20В

Шығыс сигналының ток амплитудасын анықтаймын:

I _{к. m} =2P ^' _~ /U _km = 2*31/9=7мА I _ko -I _km =8 - 7=1 мА

Айнымалы токтың жүктеме түзуін саламын. Ол үшін транзистордың шығыс сипаттамасының бойынан (сурет3) (I _ко - I _км ) және (U _ко + U _км ) координаталарын анықтаймын. Осы (нүктелердің) координаталарының қиылысқан жерінен М нүктесін белгілеймін. М нүктесімен тыныштық нүктесін (ТП) қоса отырып айнымалы токтың жүктеме түзуін сызамын.

Айнымалы токтың жүктеме түзуімен U _қал деңгейінің түзуінің қиылысқан жерінен N нүктесін белгілеймін. Сонымен М нүктесіне кіріс тогының min. мәні сәйкес келеді, ал N нүктесіне кіріс тогының max. мәні сәйкес келеді.

I _{б. max} = 0, 36мА; I _{б. min} = 0, 02мА

Кіріс сигналының ток амплитудасының мәнін анықтаймын:

I _{б. м} =(I _{б. max} - I _{б. min} ) /2 = (0, 36-0, 02) /2 = 0, 17мА

Таңдалынған режимдегі транзистордың беретін қуатын былайша

анықтаймын:

P _~ =(I _k. *U _{k. m} ) /2=(9*7) /2 = 31мВт

P _~ =P ^' _~ = 31мВт

Транзистодың кіріс сипаттамасының бойынан I _{б. max} және I _{б. min}

координаталарын белгілеймін және сол мәндерге сәйкес келетін U _{бэ. max} ,

U _{бэ. min} анықтаймын. U _{бэ. max} = 0, 47В U _{бэ. min} = 0, 29В

Кіріс синалының кернеу амплитудасын анықтаймын:

U _бм =(U _{бэ. max} - U _{бэ. min} ) /2= (0, 47 - 0, 29) /2 = 0, 09В

Транзистордың кернеу бойынша алынған күшейту коэффициентін

анықтаймын:

К=U _км /U _бм = 9/0, 09 = 100

Транзистордың кіріс кедергісін анықтаймын:

R _кір3 = U _бм /I _бм = 0, 09/0, 17*10 ^-3 = 0, 5 кОм

Шығыс тізбегіндегі жүктеме кедергісін анықтаймын:

R _~ =U _км / I _км =9/7*10 ^-3 = 1, 3 кОм

Транзистордың шығыс тізбегіндегі қоректендіру көзінен алатын қуатын анықтаймын:

Р _о =I _ко * U _ко = 8мА*11 = 88 мВт

Шығыс тізбегіндегі нақтылы П. Ә. К. анықтаймын:

η _ф =P ^' _~ /P _o = 31/88= 0, 4

Осы бөлімде есептелген параметрлерді мына таблицаға енгіземін.

Ақырғы каскад параметрлері 2- кесте

N _каск.

U _{ko. 3,} B

I _{ko. 3,} мА

U _{бо. 3,} В

I _{бо. 3,} мА

К ₃

R _{вх. 3,} Ом

R _{~. 3.} Ом

η _ф

Nкаск.: 3

Uko. 3,B: 11

Iko. 3,мА: 8

Uбо. 3,В: 0, 34

Iбо. 3,мА: 0, 08

К3: 100

Rвх. 3,Ом: 500

R~. 3.Ом: 1300

ηф: 0, 4

V-бөлім. Тұрақты ток бойынша схема элементтерін есептеу.

Бұл бөлімде есептеу ақырғы каскадтан басталады. Тыныштық тогының тұрақтылығын қамтамасыз ету үшін ақырғы каскадта бөлгіш тогының мәні есептеледі.

I _{б. 3} =(5÷10) *I _{бо. 3} =7*0, 08= 0, 56мА

3-каскадтың эмиттер тізбегіндегі R ₁₅ резисторының кернеуі былайша анықтадым;

U _R15 =(5÷10) *U _{бо. 3} =6*0, 34=2, 04В

Эмиттер тізбегіндегі R ₁₅ резисторының кедергісін мына формуламен анықтаймын: R ₁₅ =U _R15 /(I _{ko. 3.} +I _{бо. 3} ) =2, 04/(8+0, 08) * =0, 3 кОм. R ₁₅ -номиналы 300 Ом.

Қоректендіру көзінің кернеуін анықтаймын:

Е=U _R15 +U _{ko. 3} +I _{ko. 3} *R ₁₆ =2, 4+11+(8* *270) =15, 2 В мұндағы R ₁₆ =1/5*R _~ =1/5*1300=0, 26кОм. R ₁₆ - номиналы 270Ом

R ₁₃ және R ₁₄ ығысу кернеуінің резисторларының мәні мына формуламен анықтадым:

R ₁₃ =(E-U _{бо. 3} -U _R15 ) /(I _{д. 3} +I _{бо. 3} ) =(15, 2-0, 34-2, 04) /(0, 56+0, 08) * =20кОм

R ₁₃ - номиналы 2 Ом =20 кОм

R ₁₄ =(U _{бо. 3} +U _R15 ) /I _{д. 3} =(0, 34+2, 04) /0, 56* =4, 3 кОм = 4300Ом

R ₁₄ -номиналы 4300 Ом =4, 3 кОм

Ақырғы каскадтың резистор кедергілерін есептеп болған соң, алдын ала күшейту каскадтарының мәндерін анықтаймын. Ол үшін методикалық нұсқадағы 2-кестеден бірінші және екінші каскадтағы U _ko және I _ko мәндерін жазып аламын. Осы алынған мәндер бойынша транзистордың шығыс сипаттамасының бойынан бірінші және екінші каскадтың тыныштық нүктелерін белгілеймін.

Бұл нүктелердің орналасу деңгейіне байланысты I _{бо. 1} , I _{бо. 2} мәндерін анықтаймын. Транзистордың кіріс сипаттамасының бойына I _{бо. 1} және I _{бо. 2}

мәндерін белгілей отырып, оларға сәйкес келетін U _{бо. 1} , U _{бо. 2} мәндерін анықтаймын. Бұл табылған тыныштық нүктелерінің координаталарын мына кестеге толтырамын.

3 - кесте.

Каскад номері

U _{ko. 1} B

I _{ko. 1} мА

U _{бо. 1} В

I _{бо. 1} мА

Каскад номері: 1

Uko. 1B: 3

Iko. 1мА: 2

Uбо. 1В: 0, 3

Iбо. 1мА: 0, 03

Каскад номері: Каскад номері