Интегралды микросхемалар құрылымы және техникалық пайдалану

ЖОСПАР

Кіріспе ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...3

I. Негізгі бөлім

1.1. Интегралды микросхемалардың активтік элементтері ... ... ... ... ... ... ... ..4
1.2. Цифрлық интегралдық схемалар ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .7
1.3. Аналогтық интегралдық микросхемалар ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..14
1.4. Интегралды схемалардың түрлері ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .18
1.5. Микросхеманың пассивтік элементтері ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 21

II. Екінші бөлім

2.1. Интегралды микросұлбаларды таңбалау ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..24
2.2. Логикалық элементтердің ИМС.ы ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .26
2.3. ИМС жұмысын сипаттайтын негізгі параметрлер ... ... ... ... ... ... ... ... ...29
2.4. ИМС құрылымы ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..31
2.5. ИМС.ның классификациясы, шартты белгілері және корпустарының түрлері ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .32

Қорытынды ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...35
Пайдаланылған әдебиеттер тізімі ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 36
Кіріспе
Қазіргі таңдағы радиоэлектронды аппараттарға қойылып отырған талаптарға сұраныстарды қанағаттандыру, микроминиатюралық құрылғылардың көмегімен жүзеге асырылады. Мұндай микроминиатюралық-электрондық құрылғылар өте күрделі және көпэлементті болып келеді. Бұл бағыттағы жұмыстарда, электрондық құрылғыларды жасағанда, олардың құрамына кіретін элементтерді кішірейту және сол элементтерді атқаратын қызметіне қарай топтастыру маңызды мәселе.
Осы заманғы физиканың, химияның, металлургияның және басқа да салалардың қол жеткен жетістіктерінің арқасында, 1 〖мм〗^2 ауданшаға бірнеше мыңдаған элементтерді интеграциялау (жинақтау) дәрежесіне қарай интегралдық схемалар алуға мүмкіндік туды.
Интегралды микросхема (ИМС) деп, кристалға біріктірілген активтік және пассивтік элементтердің байланысқан электрлік жиынынан тұратын микроэлектрондық бұйымдарды немесе ортақ төселімде тораптың функциялық біткен түрін айтады. Электр радиобөлшектерінің дайындалып жасалуы және олардың араларының қосылып біріктірілген технологиялық процестерін интегралдық деп атайды. Технологиялық әдіспен дайындалуына байланысты микросхемалар жартылай өткізгіштік, пленкалы, бірлескен және гибриттік деп бөлінеді.
Курстық жұмыстың тақырыбы - «Интегралды микросхемалар құрылымы және техникалық пайдалану».
Курстық жұмыстың мақсаты – интегралды микросхемалар түрлерін және құрылымын зерттеу және интегралды микросхемаларді таңбалау, негізгі параметрлерін анықтау.
Курстық жұмыстың міндеттері:
Интегралды схемалардың түрлерін қарастыру.
Интегралдық микросхеманың элементтерін топтау, олардың түрлерін анықтау.
ИМС таңбалау, құрылымын зерттеу.
ИМС жұмысын сипаттайтын негізгі параметрлерді айқындау.
Курстық жұмыстың құрылымы кіріспеден, екі бөлімнен, қорытындыдан және пайдаланылған әдебиеттер тізімінен тұрады.
Пайдаланылған әдебиеттер тізімі
1. Айғараева Ғ. Асанова Қ, Нысанов М. Сандық қондырғылар және микропроцессорлық жүйелер. 2009 ж
2. Нәдіров Е.Ғ. «Электротехника және электроника негіздері» Алматы «Бастау» баспасы. – 2012 – 588 б.
3. Қожаспаев Н., Кешуов С.А., Мухитов И. Электротехника – Алматы: Республикалық баспа кабинеті., 1996ж
4. Нұрпанов М.Ш. Микросхемотехника негіздері., 2003ж
5. Ахметов А.Қ. Электротехниканың теориялық негіздері – Астана: 2009ж
6. Китаев В.Е. «Электроника және өнеркәсіптік электроника негіздері» Алматы «Білім» 1991 ж
7. Әлімжан Берікұлы «Техникалық электроника» Алматы «Қазақстан» 1995 ж
8. Мухити И.М. Электротехника, Алматы, 2005 ж
9. Г.А. Иванов. «Жартылай өткізгіштер» Алматы, Мектеп, 1989
10. К. Исмаилов. «Жартылай өткізгіштер» Тараз, 2008 ж
11. А.С Енохович; Справочник по полупроводниковым материалам, Москва, Высшая школа, 1976
12. Калашников; Электричество; Москва, Просвещение,1980
13. Электротехнический справочник / Под. ред В.Г. Герасимова
14. Құсайнов А.Қ, Энергетика, Высшая школа, 2003
15. Общая электротехника/ Под ред. В. С. Пантюшина. М. Высшая школа, 1970.567 С.
        
        Экономика және ақпараттық технологиялар колледжі
Курстық жұмыс
Тақырыбы:
Дайындаған: Г-522 топ студенті
Сағынбай ... ... пән ... М.Ф
Орал 2014
ЖОСПАР
Кіріспе.......................................................................................................................3
* Негізгі бөлім
+ Интегралды микросхемалардың активтік ... ... ... схемалар.................................................................7
1.3. Аналогтық интегралдық микросхемалар..................................................14
1.4. Интегралды схемалардың түрлері.............................................................18
1.5. Микросхеманың пассивтік элементтері....................................................21
* Екінші бөлім
2.1. ... ... ... ... ... ИМС-ы.............................................................26
2.3. ИМС жұмысын сипаттайтын негізгі параметрлер...................................29
2.4. ИМС құрылымы..........................................................................................31
2.5. ИМС-ның классификациясы, шартты белгілері және корпустарының түрлері.....................................................................................................................32
Қорытынды ...........................................................................................................35
Пайдаланылған әдебиеттер тізімі........................................................................36
Кіріспе
Қазіргі таңдағы радиоэлектронды аппараттарға қойылып ... ... ... ... микроминиатюралық құрылғылардың көмегімен жүзеге асырылады. Мұндай микроминиатюралық-электрондық құрылғылар өте күрделі және ... ... ... Бұл ... ... ... ... жасағанда, олардың құрамына кіретін элементтерді кішірейту және сол элементтерді атқаратын қызметіне қарай топтастыру маңызды мәселе.
Осы заманғы физиканың, химияның, металлургияның және ... да ... қол ... ... арқасында, 1 мм2 ауданшаға бірнеше мыңдаған элементтерді ... ... ... қарай интегралдық схемалар алуға мүмкіндік туды.
Интегралды микросхема (ИМС) деп, кристалға біріктірілген активтік және пассивтік элементтердің байланысқан электрлік ... ... ... ... ... ... ... тораптың функциялық біткен түрін айтады. Электр радиобөлшектерінің дайындалып жасалуы және олардың араларының қосылып ... ... ... ... деп ... ... ... дайындалуына байланысты микросхемалар жартылай өткізгіштік, пленкалы, бірлескен және гибриттік деп бөлінеді.
Курстық жұмыстың тақырыбы - .
Курстық жұмыстың ... - ... ... түрлерін және құрылымын зерттеу және интегралды микросхемаларді ... ... ... ... ... ... Интегралды схемалардың түрлерін қарастыру.
* Интегралдық микросхеманың элементтерін ... ... ... ... ИМС ... ... зерттеу.
* ИМС жұмысын сипаттайтын негізгі параметрлерді айқындау.
Курстық жұмыстың құрылымы кіріспеден, екі бөлімнен, қорытындыдан және ... ... ... ... ... ... түрлері
Жартылай өткізгіштік ИМС. Мұндай түрдегі ИМС-лар моно- немесе ... ... ... ... оның ... ... етіп ... Активтік және пассивтік элементтерінің электрлік қосылыстары изоляцияланған қабаттармен бөлініп, локальдық (жергілікті) ... алып ... ... ... ... ... жоғарғы дәрежеде болады: 1 м3 көлемдегі элементтердің тығыздығы бірнеше мыңға жетіп жығылады; олардың бір-біріне қосылу ... саны ... ... олар ... ... ... ие болады. ИМС үшін қажетті материал кремний, себебі оның ... және ... ... ... және ... ... қанағаттанарлық; оның тотығуының пленкасы SiO2, қорғаныстық (изоляциялық) қасиеті айрықша болып ... Ол ... ... ... ... және ... ... бір кристалға топталған, өзара бір-бірінен электрлік изоляцияланған, сонымен қоса олар бір-бірімен функциялық тәуелділіктеріне қарай жалғанған.
Диаметрі 30...60 мм, ... ... мм, ... ... ... ... жоғары Омды n- немесе - p- түріндегі кремний пластинасы барлық ИМС-тің ортақ төселімі болып ... Онда ... ... және т.б. элементтердің құрылымдық схемасын жасау үшін, үш ретті диффузияланатын планарлық және эпитаксиальды-планарлық ... ... ... ... және ... да ... қолданады. Технологиялық процесс 100-ден артық амалдардан тұрады, ережеге сай, автоматтандырылған және ЭЕМ-мен басқарылады.
Жартылай өткізгіштік ИМС-тің көлемдік бөлігі ... ... ... (1) ... ... (қалталар) 4, олардың беттері тотық қабатымен (6) жабылып, изоляцияланған. Тереңдікке (4) ... 500 мкм ... n- ... ... ... ... Ажарланғаннан, жылтаратқанна, өңдегеннен және жуғаннан кейін, диффузиялық әдіспен p- түріндегі (2) облысты, 3 және 5 ... ... ... ... ... ... ИС топтау әдісімен жасалады. Диаметрі 60 мм бір пластинаға элементтер және аралық ... - ... ... ... теріледі; 20...30 партия пластиналары параллель өңделеді. Одан әрі кристалды бөліктерге бөліп кеседі, олар корпустарға бекітіледі.
Пленкалық ИС жұқа және ... ... ... ... Жұқа ... ... төселімінің негізі сапфирадан, керамикадан, шыныдан немесе басқа диэлектриктік материалдан тұрады. Оларда активтік, пассивтік элементтер, изолязиялық қабаттар, жұқа ... ... ... ... сымдары, жартылай өткізгішті немесе 1 мкм-ге дейінгі қалыңдықты диэлектрикті пленкалар қалыптасады. Төселімге ... ... ... ... пленка қапталады. Тозаңдатудың әр түрлі әдістері қолданылады. Термиялық тозаңдату вакуумде жүргізгенде, кейбір металдардың булану температурасы қайсыбір материалдың балқу температурасынан ... ... ... хром ... tбулан≈1200° С), титан (tбал≈11720, tбулан≈1540° С), магний (tбал≈650, tбулан≈440° С), кремний (tбал≈1415, tбулан≈1340° С) және т.б. ... ... баяу ... ... (металдар, диэлектриктер) жоғарғы үдеткіш кернеулермен (10кВ -қа дейін) ... ... ... ... арқылы бұйымға тұндырылады (шөгеді).
Метелдар мен диэлектриктерді жанама жолмен қыздырып, буландыру да жиі ... ... ... бір ... ... ... металл, диэлектик, жартылай өткізгіш пленкалар жұқа пленкалы ИМС болып табылады.
Температураға төзімді және жылу өткізгіштігі жоғары керамикалық төселімдерден, ... ... (96% Al2O3) ... пленкалы ИМС дайындалады. Төселімге өткізгіш және резистивтік паста - органикалық сұйықпен байланыстырылған өлшенген, шынылар, металл тотықтары және асыл ... ... ... салынады. Әкелінген паста трафаретмаска тор арқылы жағылады. Күйдіріп алғаннан кейін төсеніште ... ... қосу ... және ... ... ... ... қалыңдығы 20 мкм-ге дейін жетеді. Қалың пленка элементтердің негізгі кемшілігі параметрлерінің айтарлықтай шашыралқылығы.
Бірлескен (гибриттік) ИМС-те жартылай ... және ... ... ... ... ... ... Жартылай өткізгіштің көлемінде барлық активтік элементтер жасалады, л сонан соң осындай төсеніштің бетінде, пленкалық пассивті элементтер және ток ... ... ... ... ... ... негізгі диэлектриктік төселімді пленкалық ИМС болып табылады. Оған дискретті дайындалған активтік микрокомпоненттер қойылады (ілінеді). ... ... ... деп ... ... ... гибриттік ИМС-нің жалпы түрі көрсетілген. Диэлектрлік төселімге жұқа пленкалы әдіспен күшейткіш схемасының пассивті элементтері бекітілген: конденсатор 3 ... 4,5 және 9, сол ... ... түйіспе ауданшалары. Пленкалық бөлшектер - конденсатор, резисторлар, түйіспе ауданшалары диэлектрикті және металдарды термиялық әдіспен ... ... ... ... ... ... корпуссыз транзистор (7) болады. Ол төселімге бекітіліп, схеманың ... ... ... ... ... активтік элементтері
ИМС-ның активтік элементтері биополярлық, көп эмиттерлік және өрістік транзисторлар, диоттар, тиристорлар және компоненттерін күшейте алатын ... ... ... өзгерте алатын элементтер жатады. Элементтердің ең күрделісі транзисторлар болып табылады.
Интегралдықпен дайындалған транзисторлардың ерекше бір айырмашылықтары бар, атап ... ... үш ... - ... эмиттеттер мен коллектор пластинаның бір жағында орналасқандығы, оған қоса барлық транзисторлар және ИМС - ның ... ... бір - ... ... ... ... кейде жұмыс сипаттамаларына олардың өзара ықпалдары да себеп болады.
ИМС - да p - n- p ... да, n - p - n ... ... да ... ... бірақ осының ішінде ең көп қолданылатын n - p - n ... Оның ... ... ... әсері етуі өте тез жүреді және дайындау ... да ... тің ... ... ... екі ... p - n ауысулар және ... ... ... ... асырады. P - n ауысуын изоляция үшін пайдалану оны дайындаудың қарапайымдылығымен, өнеркәсіптік дәстүрмен және жақсы жөнге ... ... ... ... Изоляциялайтын p - n ауысуы жалпы жағдайда, екі өзара толықтыратын (комплементралық) негізгі n - p - n және p - n - p ... ... тән n - p - n - p төрт ... ... ... Бұл ... кемшілігі, оның тікелей ығысып, қалған мезетте изоляциялайтын p - n ауысуының өткізгіштігінің және ағып кету тогының артуы. Бұл ағып ... ... ... ондаған ноноамперге жетеді. Екінші кемшілігі, жиілік испаттамасына зиянды әсер тигізетін, электрод аралық сыйымдылықтың өсуі болып табылады. Жартылай ... ИМС - ның ... ... ... ... SiO2 ... болып табылады. Мұны кремнийді эпитаксиальды өсіру: алдында бетіне тотық ендіріледі.
МДП - ... ... ... ... өткізгішті ИМС - да кеңінен қолданылады. Олар өрістік транзисторларға жатады. Олардың жұмысы көлденең ... ... ... ... ... ... модуляциялауға негізделген. МДП - транзисторлары p - және n - ... ... және ... ... дайындалады. Индукцияланатын p - каналды транзистордың құрылымы көрсетілген. Ол қалыңдығы 0,2 ... 0,4 мм, бастапқы концентрациясы 1см3 ... реті 1014 ...1016 ... ... және ... ... 1... 10 Ом болатын n - түріндегі ( немесе p - түріндегі) кремний төселімінен (1) ... 2- ... 10...20 мкм ... SiO2 тотығынан өңделеді. Сонан соң бұл терезеге диффузия әдісімен төселімні таңбасына қарама - ... ... ... (3) ... ... ... p+ ... А ағып келу, Б бастау облыстары түзеледі; қабаттың тереңдігі 2 ... 3 мкм - ге ... ... ағып ... және бекітпенің шығыстары металл буымен тозаңдатылған пленка (4) болады. МДП - транзисторының өзі жоғарғы астары металл ... ... - ... ... ( p- ... кремний), ал диэлектригі - SiO2 тотық пленкасынан атын конденсаторды еске түсіреді. Егер бекітпеге кернеу түсірсе, онда ... ... мен ағып кету ... ... ... ... ... басталып, электродтар арасындағы кедергі және ток өзгереді. МДП - ... ... ... ... ... ... ... жан - жақтылығымен ерекшеленеді. МДП - транзисторларының басты артықшылығы оларды тек активтік элементтер ... ... ғана ... ... ... - резисторлары және конденсаторлары ретінде де пайдаланудың мүмкіншілігінің барлығында.
Диодтар цифрлық және аналогтық МДП - ... ... ... ... ... ... секілді, p - n ауысулардың және диффузиялық немесе эпитаксиальдық ... ... іске ... ... ... қосудың бес вариантының схемасы көрсетілген. Диодтық схема (1) коллектор мен базаны ... ... ... ... ауысу жұмысшы болып табылады; 4- схемада тек эмиттерлік ауысу жұмыс жасайды, коллекторлық изоляцияланған, 5- схемада керісінше, коллекторлық ауысу ... ... ... ... бес ... әр түрлі статикалық және динамикалық параметрлері бар болады.
1.3. Микросхеманың пассивтік элементтері
ИМС - ның пассивтік ... ... ... және ... ... ... әр ... тәсілдермен алуға болады. Микрокөлемнің резистор немесе жартылай ... ... ... бөлігі немесе тура не кері бағыттағы p- n ауысуы, тағы сол сияқты МДП - транзисторлардың каналы болуы ... ... жұқа - және ... ... ... кең ... ... негізгі параметрлері: номиналдық кедергісі (оммен), ауданға қатысты меншікті кедергісі ps Ом/квадрат, жіберілуге тиісті максималь қуаты pmax, Вт, жіберілуге ... ... тогы Imax, ... ... ... коэффициенті (РТК, %). Бұл параметрлер резистордың алғашқы материалдарынан, дайындау тәсілінен және конфигурацияларынан тәуелді болады.
Диффузия әдісі бойынша жартылай өткізгіш бетінің ... ... ... ... ... (1) денесінде 10 мкм тереңдікке дейін ойылып (2) жасалған. Онда пластинаға ... ... ... өткізгіштік поликристалды қабат өсірілген. Эпитаксиалдық қабат бетіне қоспалау үшін қоспа (3) ендіріледі. Бет тотық қабаты SiO2 мен (4) ... ... ... ... 5 ... Эпитаксия кезінде түзілген p - n ауысуы резистроды кристалдың басқа бөліктерінен ... ... ... ... ... N ... ... геометриалық параметрлері - l ұзындығынан, w енінен, d ... сол ... ... ... q және ... ... u-ден тәуелді болады. Сонда кедергі
R =1quNwd = piwd, ... ... ең ... ... ... ... ... байқалатындықтан, меншікті диффузиялық кедергіні шартты түрде беттік деп есептейді ол ом квадратпен өлшенеді және квадраттан тәуелсіз ... ... R= ... ... бір тұтас технологиялық циклда, диффузиялық резисторларды транзисторлармен бірге бір мезгілде қалыптастырады.
Пленкалық резисторлар жазық диэлектрлік төселімдерде әр ... ... ... металл жолағы түрінде жасалады. Резисторлар жұқа пленкалы және қалың ... деп ... Жұқа ... ... ... ... ... дайындайды. Кедергінің номиналдық мәні резисторлардың геометриалық өлшемінен тәуелді және пленка ... ... ... мына ... ... ( p - ... меншікті кедергісі, l - жолақтың ұзындығы, w және d - пленканың ені мен ... ... ... ... ... ... резистролар да кең тараған: төселімге тор трафарет арқылы ... ... ... ... жасытады. Жұқа пленкалының да қалың пленкалы резисторлардың түзелуі ( корректрленуі) лазер ... ... 0,1% ... ... Пленкалық резисторлардың номинальдық мәндерінің диапазоны бірнеше омнан басталып 500 кОм- ға ... ... - ның МДП - ... ... ... циклда транзисторларға ұқсас әдістермен дайындалады. Каналдың конфигурациясынан тәуелді болатын кедергі транзисторлардың каналы резисто болып саналады және бекітпедегі жабық кернеуде 0,1 - ден ... ға ... ... жетеді.
ИМС- конденсаторы транзистролық құрылым негізінде де жүзеге асырылуы мүмкін. Конденсаторлар біраз орын ... ... ... ... ИМС- да ... Көбіне, конденсатор ретінде кері бағытта ығысқан p- n ауысуы пайдаланады - биполярлық транзисторлардың эмиттерлік және коллекторлық ауысуларының ... ... ... ... ... ... сыйымдылығы жұмыс кернеуді Uжұм= 25...50 B болғанда, 100 пФ - дан аспайды. ... Q = ... - ... ... көп таралған. Конденсатордың төменгі астары төселімнің жартылай өткізгіштік ... ... ... болып табылады, диэлектрик ретінде қалыңдығы 1 мкм - ға дейін жететін SiO3 ... ... ... ал ... ... рөлін алюмимен тозаңдатылған пленка атқарады. Мұндай конденсатордың сыйымдылығы 500 ... - қа ... ... ол ... ... ... ... емес; тесілу кернеуі 50 В-ке дейін болады.
Пленкалық конденсаторларды көп қабатты пленкалар қалыптасатын диэлектрлік төселімдерде (1) дайындайды: төменгі - ... ... 2, ... ... 3, ... ... 4 және т.б.; екі ... ток өткізетін жол 5 тозаңдатылған. Пленканың конденсаторлар параметрлерінің өте жоғары тұрақтылығымен айрықшаланады. Жазық конденсатордың сыйымдылығы мына түрде анықталады:
C=εrε04PId=0,0885εSd,
мұндағы εr - ... ... ... ε0- ... - ... ... S - ... ауданы; d - диэлектриктің қалыңдығы.
Қазіргі кезде ИМС - да қолданылатын ... ... ... 105 пФ (шегі +20%), тесілу кернеуі 500 В/мм2 - қа дейін, сыйымдылықтың температуралық коэффициенті5*10-4С-1.
Индуктивтілігі 30 мкГн- ге ... ... ... ИМС - ның ... ... ... түрінде жұқа магниттік пленкаларды орналастыру арқылы алады. Егер индуктивтіктің мәні үлкен болу керек болса, онда гибридтік ИМС қолданылады.
1.4. Цифрлық ... ... ИМС деп, ... ... сигналдарды түрлендіріп және өңдеуге арналған микроэлектрондық бұйымдарды ... ... ИМС ... ... ... ... ... және басқа да функионалды толық немесе функционалды толық емес тораптарда және электрондық есептеу машиналарында, өлшеу блоктарында және автоматтық ... ... ИМС- ның ... ... және ... болып бөлінеді. Статикалық параметрлер белгілі бір уақыт кезеңінде, тізбектің өзгермейтін электр сигналдарына ... ... ... ... параметрлерге жататындар: қоректендіру көзінің кернеуі, логикалық нөлдің кіріс және шығыс кернеулері немесе кіріс және ... ... ... ... сол сияқты кірісу бойынша бірігу коэффициенті бірігуі, ... ... ... саны кіру саны) және шығыс бойынша тармақтану ... - бір ... ... жүктеме саны. Статистикалық параметрлер болып мүмкін деген бөгеуіл кернеуі және ... ... қуат ... ... ... ... қосу режимінде, цифрлық ИМС-ның қасиеттерін сипаттайды:0-ден 1-ге ... ... ... ... ... керісінше, сигналдың таралу кезінде кешігу уақыты, динамикалық бөгеу тұрақтылығы және т.б.
Цифрлық ИМС-ның көпшілігі потенциалдыққа жатады: олардың кірісі мен ... ... және ... деңгейлі кернеулер болатындықтан, соған сәйкес 1 және 0 ... ... ... күйінен тәуелділігіне қарай оң және теріс деп ажыратылады. Оң логика кіріс сигналы нөлінші деңгейден бірге дейін өзгергенде, яғни оң ... ... ... 1-ге) ... ... ... ... тән. Теріс логиканың элементтері 1-ден 0-ге дейін өзгеретін кіріс сигналдарымен басқарылады. Потенциалды логикалық ИМС-дан басқа ... те кең ... ... ... тағайындалуына қарай логикалық, триггерлік, арифметикалық құрылғылардың элементі және т.б. болып бөлінеді. ИМС әрбір шағын ... ... ... ... бөлінеді. Олар параметрлерімен және элементтерінің түрлішелігімен айырылатын базистердің принциптік схемаларының негізінде құрылады.
Логикалық ... ... ... ... ... ... ... амалдарын (операцияларын) және одан да күрделі ЖӘНЕ - ЕМЕС, НЕМЕСЕ - ЕМЕС, ЖӘНЕ - ... - ЕМЕС ... ... ... ИМС логикалық элементтердің жиынынан тұрады. Олардың әрқайсысы бір, екі және одан да көп ... ... және ... ... яғни ... элементтерден тәуелсіз бола алады. Қалыптасқан терминология бойынша, логикалық ИМС резистор-транзисторлық логикаға (РТЛ), диодтранзисторлық диодқа (ДТЛ), транзистор-транзисторлық логикаға (ТТЛ), токты ауыстырып қосу ... ... ... сол ... ... ... ... жатады. Логиканың бір түрі екіншісінен айырмашылығы ИМС-ның тізбегінің кіріс және ... ... ... ... ... ... ... микросхемасының базистық схемасы транзисторлардың шығысында және резисторлар жыйынының кіріс тізбегіне құрылады; ДТЛ-ның диоды кірісінде және транзисторлары шығысында болады. РТЛ және ДТЛ - ның ... ... ... ... ... ... ол ... кірістерде және тармақталған шығыстарда ерекше байқалады. ТТЛ микросхемаларының РТЛ-ға және ДТЛ-ға қарағанда жақсы сипаттамалары бар, сондықтан олар іс жүзінде кең ... ... ... ... ... ... екі не одан да ... эмиттері бар, көп эмиттерлі транзисторлар болып табылады.
ЖӘНЕ - ЕМЕС ... ... ... ... ТТЛ ... ... ол көп эмиттері V1, V2 транзисторларынан R1, R2 резисторларынан тұрады. V1 ... ... ... ... ... оның ... V2 транзисторының базасына қосылған; шығыстың қызметін V2-нің коллекторы атқарады. Схемасының жекеленген элементтерімен ЖӘНЕ - ЕМЕС логикалық амалдары ... Үш ... ... ... ... бір мезетте, полярлығы оң логикасы 1 жеткілікті шамадағы кіріс сигналдарының әсерімен жүреді: барлық ... кері ... ... V1 ... ... диод ... ... істеп, Eк-нің тогын тура араласқан коллеторлық ауысу арқылы V2 ... ... ... V2 ... қанығу режимінде ұсталынып тұрады, шығысында төмен оң ... ... ... 0 әсер ... Егер ... ... ... (теріс) кернеу (логикалық 0) берілетін болса, онда тиісті V1 эмиттері тура бағытта ығысады, соның нәтижесінде оның коллекторының потенциалы V2 ... ... ... ... ... оң ... ... 1) пайда болады.
ТТЛ схемасының артықшылығы; транзистор құрылымын дайындаудағы технологиялық процестердің болуы, микросхемасының алатын ауданының аздығы және арзандығы (қымбатқа түспейтіндігі); ... тағы бір ... тез әсер ... ... ... сәл ... және т.б. ... жататыны: екінші транзисторды ашу кернеуінің (0,2...0,3 В) аздығынан бөгеуге ... ... ... ... ... ... болды.
ТАҚТЛ микросхемалары (оларды логикалық схемамен эмиттерлі - байланысқан деп жиі айтады- ЭБТЛ) транзисторлардың кіріс және шығыс тізбектерінен тұрады. ... ... ... ... және оған ... қосылған екі транзисторлармен (транзисторлар эмиттерлік қайталағыштар режимінде жұмыс жасайды) орындалады. ... ... - көп ... ... ... ... бір ... жалғанады, ал екінші транзистордың базасы тірек кернеуінің қосымша көзіне қосылады. ТАҚТЛ ... ... тез ... ... артуына қарай кең қолданыс табуда. Бұл зарядтарды тасымалдаушыларының қанығуынсыз жүретін транзисторлардың ауысудағы режимімен түсіндіріледі.
МДП-транзисторларындағы микросхемалар индукцияланатын каналды транзисторларды дайындалады. Логикалық ... ... - ЕМЕС ... ... Ол үш ... қосылған V1...V3 МДП-транзисторларынан тұрады. Кіріс сигналдары V1...V3 транзисторларының бекітпесіне келіп түседі. V4 транзисторы басқарылатын жүктеме резисторының рөлін атқарады; оның ... ... ... ағып кету ... ... жеке кернеу көзіне қосылады. Теріс кернеуді (логикалық 1) кірістің біріне тосқан кезде, тиісті транзистор ... оның ... күрт ... ... ... (логикалық 0) потенциалы қалыптасады.
МДП-транзисторларындағы микросхемалар пайдалануда сенімділігі жоғары, өлшемі кішкене, бағасы арзан, дайындау ... ... ... келеді. Алайда, МДПТЛ микросхемаларының тез әсер еуі баяу, ол ... ағып кету және ... ... ... ықпалында болады.
Триггер - микросхемалары әр түрлі функционалдық тораптарды құру үшін қолданылады. ИМС-триггерлердің көптеген сериялары өнеркәсіпте шығарылады. ... ... ... ... және ... болып бөлінеді. Асинхрондық триггерлер басқарылатын сигналдармен кіріске түсу мезетінен бастап ауыстырылып қосылады. Синхронды триггерлер басқарылатын және синхрондалатын сигналдар ... ... ... ... оның бірі болмаған жағдайда, триггер ауыстырылып қосылмайды. Триггерлер құралу күрделілігіне, іске қосылу тәсіліне және басқа да ... ... ... ... ... классификация бойынша триггерлер мынадай түрлерге бөлінеді: RS - триггердің күйін басқаратын S және R ... ... ... ... S ... ... болғанда, Q шығысында - 1, ал Q ... ... ... Q ... ал Q ... ... ... білдіреді); басқа R кірісінде кіріс сигналының әсері болғанда, Триггер өзінің күйін кері бағытта ... Q ... - 0, ал Q ... ... ... RS- ... ... элементтері болып ЖӘНЕ - ЕМЕС, НЕМЕСЕ - ЕМЕС, ЖӘНЕ - НЕМЕСЕ, ЖӘНЕ - ... - ЕМЕС ... ... ... ... ... ... Мысалы, К137, К115, К191 және т.б. - биполярлық транзисторлардығы сериялар, 106-ТТЛ-дегі ... ал ... ... ... ... МДП-транзисторларындағы екі ретті RS-триггер болып табылады.
Интегралдық D ... ... ... ... жасап іске кірісу қасиеті болады; D - ... бір ... ... және бір ... ... болады. Триггердің іске қосылуы үшін тек ақпараттық сигналдың болуы ғана емес, синхрондаушы сигналдың да болуы ... D - ... ... ... ... та және ... та болуы мүмкін. D - триггерлері уақытқа байланысты іске қосуды бөгейтін құрылыларда ... ... ... логикалық элементтердің ауыстырылып қосылу реті арқылы сигналдың ... өтуі ... іске ... - ... ... кірісі бар триггер) бір кірісті (асинхронды триггер) ... екі ... ... екінші V - кірісі ауыстырып қосуды синхронды үшін қажет.
JK - триггері оны жан-жақты қолдануға мүмкіндік беретін ... ... ... ... табылады. JK - триггердің базистық схемасы RS- триггерінікі ... ЖӘНЕ - ... ... - ЕМЕС, ЖӘНЕ - НЕМЕСЕ - ЕМЕС логикалық элементтердің комбинациялары түрінде құралады. Триггердің (J және K) екі ... ... ... бір немесе екі синхрондаушы (C және V) және қалыптастырушы ... ... ... ... ЖӘНЕ ... ... кірістері J және K болатын триггерлер жиі кездеседі, сондықтан ... ... ... ... ... қосуға (дизъюкцияға) қолдануға болады. JR - триггерінің жеңілдетілген схемасы көрсетілген. Ол екі сатыдан тұрады.
Негізгі сатыны ЖӘНЕ - ... - ЕМЕС екі ... ... ... ЖӘНЕ - ЕМЕС - екі ... ... оларды екі коммутациялайтын транзияторлар біріктіреді. Негізгі сатының үш ақпараттық кірісі бар J және K, бір кірісі C ... ... үшін ... жасайды, біріктіретін кірістері S және R. Триггерлер ... ... ... ... сумматор немесе өздік функционалдық құрылғылар ретінде пайдаланылуы мүмкін.
JK - ... ... ... S және R ... ... ... беру ... триггерді бастапқы күйіне келтіреді. Триггерді ауыстырып қосу J немесе K кірісінде сигналдардың болуымен ғана емес, C кірісінде ... ... ... де байланысты, синхрондалған сигнал жоғалғаннан кейін Q және Q шығыстарында сигнал пайда болады. Бұл мезетте транзистордың эмиттеріне 0-ге сәйкес кернеу үшін ... Ол ... ... ... ... сол ... өзі арқылы өтеді, ал бұл транзистордың базасында кіріс сигналдарынан кіріс сигналдарынан оң кернеу қалыптасады. Кірісіне - келіп түскен 0 ... ... ... ... - 1-ді және ... ... 0-ді ... тораптардың интегралдық дискретті микросхемалары тораптардың үлкен тобы - ... ... ... ... және де ... ... қосқыштар жеке элементтердің құрастырушыларын құрайды. Олар жоғарғы дәрежеде интеграцияланған (150-200 және одан да көп элементтерге ... ... ... және ... өткізгіштік немесе гибриттік технологиямен дайындалады. Оның көпшілігі біз ... ... ... базистік принциппен құрылады, яғни бір серияның ИМС-ның мынадай ортақ бірқатар беогілері - ... ... ... ... ... ... ... процестің ортақтығы және т.б. болады.
Жоғарғы дәрежелі интеграцияланған гибриттік ИМС-ларға К229, К220, К234, К240 микросхемалары, ал жартылай өткізгішті микросхемаларға К110, К144, К501 және т.б. ... ... ... төрт ... RST - ... тұрады, олардың әрқайсысы НЕМЕСЕ - ЕМЕС алты ... ... Бұл ... ... және ... ... ... не санағышты, не ығыстырғыш регисторды, не басқа да тораптарды алуға болады. Бұл ... ... тағы бір түрі ... төрт ... ... және ... - ЕМЕС екі элементінен тұрады, ... ... екі ... ... ... ... гибриттік ИМС-ның К230 сериясы ТТЛ түріндегі 40 логикалық элементтен тұрады. Олар не санағышты, не ... не ... ... ... ... ... 36x24x5 мм ... тікбұрышты металл керамиканың корпусқа құрастырылған (монтаждалған), оның 50 шығысы болады.
К120 серилы микросхемалар МДП-логикалық жартылай өткізгіштерге ... ... ... ... 8-16 ... ығысулары бар рагисторлар болса, басқасы - К1ИШ201-шифраторлар, үшіншісі-санағыштар; ал бұл ... ... 20 ... ИМС ... дәрежедегі интеграциялық микросхемалар ЭЕМ-ның блоктарында қолданылады. Олардың жұмысы жоғарғы дәрежелі сенімді, өлшемі ... ... да онша ... ... ... ... бағасымен салыстырғанда өзіндік құны аз болып келеді.
1.5. Аналогтық интегралдық микросхемалар
Аналогтыққа ... ... ... ... ... ... ... және т.б. жатады. Аналогтықтың дискриттіліктен айырмашылығы оларда ... ... ... ... ... ... секілді аналогтық ИМС бырқатар серияларға бөлінеді; әрбір серия қайсыбір парамертлерінде айырмашылықтары бар, базистік схемалардың жиынынан тұрады; толық ... және ... ... емес ... да болады. Аналогтық ИМС дискреттіні дайындағандай әдіспен дайындайды; МДП құрылымдағы және ИМС биполярлық жартылай өткізгіштік, сол сияқты жұқа және ... ... ... ... ... жиі ... ИМС-ның параметрлері де статикалық және динамикалық болып бөлінеді. Статикалыққа жататындар - номиналдық кернеулер мен токтар, бекітілген бір жиілік ... ... ... ... кіріс және шығыс сигналдарының мәндері, мысалы, 1000 Гц жиілікте ... ... мен ... ... ... ... температураның және басқа да факторлардың әсері және т.б.
Динамикалық параметрлерге жататындар - амплитудалардың, жекеленген каскадтардың және микросхемалардың ... ... ... ... тәуелділігі.
Өнеркәсіпте көптген арнайы аналогтық ИМС-тер шығарылады, мысалы, теледидар аппаратуралары, магнитофондар, мини-ЭЕМ, байланыс құрылғылары және т.б. ... тек ... ... ... ... ИМС-ның көптеген сериялары күшейткіштер түрінде болады (мысалы, жоғарғы жиілікті күшейткіштер ... ... 2УС351 және т.б.). 10 мВ ... ... ... 5...150 Мгц ... қабылдағыш, бергіш радиоаппаратураларының күре жолдарын (трактларын) құру үшін пайдаланылады және олар 30...50 есес одан да артық күшейтуді алуға ... ... ... ... ... үш транзистордан екі диодтан, сегіз резистордан және алты конденсатордан тұрады. Ол ... ... ... 200 ... де ... ... жиілікте күшейтуді тұрақтылықпен орындай алатын автоматты күшейту тізбегі (АКТ) болып табылады.
Төменгі жиілікті күшейтудің (ТЖК) ... ... ... ... ... бірі ... Бұл тура байланысатын ТКЖ-нің түріне жатады, n-p-n құрылымды бес транзистордан (V1...V5) және он бір резистордан тұрады. Эмиттер тізбегінің ... ... R ... ... ... ... ... кедергісі артады. V3 транзисторы эмиттерлік қайталағыштың режимінде жұмыс жасайды. Транзисторлардың ... ... ... ... және ... ... ... кері байланысты жүзеге асырады. Қоректендіру кернеуі (5...12) 3,7 және 6 шығыстарына беріледі, тұтынылатын қуаты 200 мВт-тан ... ... ИМС 1, 4, 5 және 8 ... ... ... және конденсаторлардың комплектілерімен қолданылады; олар күшейткіштің сипаттамаларын түзету үшін қажет. Шығыс сигналдары 2 және 6 ... ... ... ... қызметін шығу (9) атқарады. ИС шығыс сигналын 200 еседен артық күшейту үшін, сызықтық ... ... ... ... ... ... керек.
Айнымалы ток тізбегінде де, тұрақты ток тізбегінде де қолданылатын дифференциалдық күшейткіштің универсиалдық қасиеттері бар. ... ... ... ... ... ... триггерлер, коммутаторлар және басқа да құрылғылар жасалады. Дифференциалдық күшейткіштерінің ИМС-ның түрлері көп: К118, К112, К124 және т.б. ... ... бір ... ... қалғандары эмиттерлі қайталағышты көп каскадты болады.
Интегралдық орындаудағы (К1УТ221) бір каскадты дифференциалдық күшейткіш ... ... ... ... ... ... элементтер болып, n-p-n электр өткізгішті төрт транзистор, алты резистор және түйіспелі шығыстары қосылған металл өткізгіштер есептелінеді. ... ... V1 және V2 ... ... ... ... ... және коллекторлық тізбектердегі кедергілерімен бірге теңгерілген көпірлік схеманы түзеді. V3 транзисторы күшейту каскадындағы қоректендіру ... ... ... ... ... және ... да ... жүзеге асырады. V4 транзисторы диод схемасыбойынша қосылған және термотұрақтандырғыш элементтің рөлін атқарады. Дифференциалдық күшейткіштің ең ... ... - оның әр ... ... ... ықпалына және оның пайда болуына жоғары дәрежедегі тұрақтылығы. Дифференциалдық күшейткіштің тағы бір ... - оған ... ... және ... ... ... тәсілмен қосыла алу мүмкіндігі, сонымен бірге бұл симметриялық және симметриялық емес тәсілдермен де орындалады. Сигналдар симметриялы болғанда 4 және 10 ... V1 және V2 ... ... ... токтары қарсы фазаға өзгереді, соның салдарынан транзисторлардың коллекторларының дифференциалдық ... (5 және 9 ... ... ... ... сигналды симметриялық емес режимінің айырмашылығы, сигнал базалық электродтың біріне барып түседі, ал екінші транзистордың базасы ... ... ... ... V1 немесе V2 транзисторларының коллеторларының біріне қосылады және де V1(5) ... V1(4) ... ... қарағанда, инверторланушы болса, V2(10) кірісімен салыстырғанда инверторланбайтын болып шығады, керісінше ... V2(9) ... V2(10) үшін ... ал V1(4) ... ... ... ... басқаруды токты тұрақтандырғаш V3 транзисторы (шығыстары 3, 8, 11, 12) жағынан да жүргізуге болады. Тоқтты тұрақтандырғыш V3 транзисторының жұмыс ... V4 ... ... ... және R2-R3 ... ... базалық ығысу кернеуіне тәуелді болады. К1УТ221Б микросхемасы параметрлері: ЕК=+-6,3 B (шығыстары 7 және 1); Rкір=6 кОм,Uкір= -3/+1 B; KY,U>22; ... ... ... кернеуі ара тәрізді генератордың мысалымен дифференциалдық күшейткіштің іс жүзінде қолданылуына тоқталайық. Генератордың жеңілдетілген ... ... ... ... ... ... ... оған іліктірілетін компоненттер конденсатор, диод және екі резистор қосылған. Конденсатор, диод және R1 резисторы инвенторленетін шығыс (5) пен күшйткіштің (4) тура ... ... ... Олар ... уақыт тапсырушы кері байланыс тізбегін түзеді. R резисторы арқылы екінші кіріс (10) ... ... ... R резисторына қосылған; ортақ нүкте ретінде 3 шығуы алынады. Микрогенератордың жұмысы ... ... ... ... көзін қосқанда V1 транзисторы жабылады, ал V2 ашылады, себебі оның ... uб1 ... uб2 мен ... ... ... Диодтың тура кедергісі және кіріс кедергісі онша үлкен болмағандықтан, конденсатор тез зарядталады. А нүктесіндегі кернеу іске қосу кернеуінен асып түскен ... ... ... ... V1 ... ал V2 ... R1 кедергісі арқылы С конденсаторы баяу зарядталады, V1 база - ... ... ... аз ... ... ... iшығ тогы баяу өседі. Конденсатордағы кернеу tp= R2C уақытында, бастапқы u0 ... uc= 0.37 ... тең ... және V2 база ... ... ... ... жетеді. Транзисторлар ауысып қосылады, процесс қайталанады. периодының ұзақтығы R1 C - тің ... ... және іс ... ол кең ... ... ... ... бірнеше микросекундқа дейін өзгере алады. Шығыс кренеуінің сызықтылығы токты тұрақтандырғыш транзисторлардың реттеуімен ... ... ... ... ... және ... түрлері.
Өнеркәсіп ИМС-ны әр түрлі параметрлі, принциптік схемалы топтардан тұратын, сериялар ... ... ... ... ... тек қоректендіру тізбегінің параметрлері мен конструктивті - ... ... ... ... ИМС-ның сериялары бір төселімде орындалған блоктардан немесе топтардан, әр түрлі элементтерден тұрады және типтік корпусқа монтаждалған болады. Сериялар логикалық және ... деп екі ... ... Әрбір серияда 20 түрліден астам құрылғылар болады, олардың әрқайсысы нақтылы ... ... ... ... ИМС- ның логикалық тобының бір сериясында, мысалы, оның саны 240 болып, 27 түрлі құрылғылардан: ЖӘНЕ - ЕМЕС, резисторлар, ... ... ... ... К224 ... ... сериясы 23 түрлі микроқұрылғылардан тұрады, олар: каскадты күшейткіштер, универсальдық күшейткіштер, жиілілікті түзеткіштер, детекторлар, мультивибраторлар және т.б; ... ... да деп ... тік ... ... корпусқа монтаждалады және т.с.с.
ИМС серияларының құрылымы, олардың жасалуы, өндірісі, жаңартуы (модернизациялау) ... ... ... Әр ... ... тағайындылығын білдіретін өз цифры бар болады. Нақтылы ИМС-ның шифрында оның функционалдық ... ... ... ... ... ... екі әрпі ... оның бірі жалпы барлық түрлер үшін, ал екіншісі - түрлердің ... әр ... ... үшін ... ... ... тоқталайық. Генераторлар: ГС-гармоникалық тербелістер, ГГ-тік бұрышты сигналдар, ГЛ-сызықты өзгеретін сигналдар және т.б. Логикалық элементтер: ЛИ - ЖӘНЕ ... ЛР - ... ... ЛК - ЖӘНЕ-НЕМЕСЕ-ЕМЕС/ЖӘНЕ-НЕМЕСЕ элементі және т.б. Триггерлер: ТВ - JK - түрлі тригерлер, ТТ - Т - ... ... және т.б. ... УВ - ... ... ... УН - төменгі жиілікті күшейткіш, УТ - тұрақты жиілікті күшейткіштер, УД - операциялық және ... ... ... ФВ - ... ... ... ФЕ - ... сүзгілер және т.б. Қалыптастырушылар: АГ - тікбұрышты түрлі қалыптастырушы, АА - ... ... ... ... ... және т.б. ... және ... құрылғылардың элементтері: ИР - резисторлар, ИМ - сумматорлар, ИЕ - санағыштар, ИВ - ... ИД - ... және т.б. ... ... ... ... өзі күрделі болктардан тұрады, мысалы ЭЕМ-ның арифметикалық блоктары әріптермен белгіленеді: ХЛ - көп ... ... ХА - ... ... ... белгісі Мемлекеттік стандартпен регламенттелген. Шартты белгісі төрт амалдан тұрады. Бірінші элементі цифр, ол ... - ... ... ... 1,5 және - 7 - ... ... 2,4,6,8 - ... 3 - қалғандары. Екнші элементі екі цифрлы, дайындалу сериясының ... ... ... 99-ға дейін). Үшінші элемент екі әріпті функционалдық тағайындылығын көрсетеді. ГЛ - кернеуі берілген сериядағы функционалдық белгі ... ... ... ... ... яғни ... ... элементтің, түйіннің базистық схемасының әр түрлілігі.
1-мысал. 121 сериясының 121Лб1 микросхемасы: ... ... ... ... ... (ЛБ), ... схеманың функциялық белгісінің 21-жасалымы.
1924 жылғы дейінгі жасалған ИМС-ның шартты белгілерінде әріптік индекстер бірінші элементтен кейін тұрады, ал кең қолданыс табатын ... ... үшін ... белгілеудің басында қосымша индекс К әрпі қойылады.
2-мысал. К223 сериясының 223ИЕ2 ... ... (2), - ... ... (ИЕ), ... ... ... белгісінің 23-жасалымы.
3-мысал. К265 сериясының 265МП2 микросхемасы: кең қолданылатын (К) микросхемасы; гибриттік (2), дикодирланушы түрлендіргіш (МП), 2-базистық схеманың функциялық белгісінің 65-жасалымы.
ИМС-ның ... оны ... ... және ... да ... қорғайды. Корпусты шыныдан, металшыны және металкерамикалық композициялардын, сол сияқты пластмассадан және керамикадан ... ... ... ... ... ... ... бар, тікбұрышты және дөңгелек формасы болатындығын көруге ... ... ... ... ... шығыс сымдары бар шыны изолятор дәнекерленеді. Осы негізге ... ... ... ... ... ... ИМС көрсетілген. Корпустың негізі шығыстары бар ленталық рамка, ИМС рамкаға ... ... ... ... ... ... ... жалғағаннан кейін корпус пластмассамен герметикалық жабылады. Дөңгелек формалы металл корпустың металшыны сирақтарының сым шығыстарына ... ... ... ... колпакпен жабылып сирақтарға дәнекерленген. Копустың шартты белгілерінде цифрдың бірінші тобы ... ... ... тобы - ... ... ... ал ... цифрлар - тіркеудің реттік нөмірін көрсетеді.
+ Интегралды ... ... ... ... микросұлба (ИМС немесе қарапайым ИС) түрінде шығады. ИМС сұлбасы деп барлық қондырғылардың компоненттер байланысы және электрлік байланысы ... ... бір ... ... ... Кез ... ИМС ... функционалды күрделілігін интеграция дәрежесі сипаттайды, микросұлбадағы N - компонент саны. Интеграция дәрежелері арқылы ажыратылады:
* N

Пән: Электротехника
Жұмыс түрі: Курстық жұмыс
Көлемі: 27 бет
Бұл жұмыстың бағасы: 700 теңге









Ұқсас жұмыстар
Тақырыб Бет саны
Интегралды микросхема14 бет
Синхронды триггерлер25 бет
INDF және FSR регистрінің қосымша адресациясы8 бет
Микропроцессорлардың компаненттері17 бет
Анықталған интегралды жуықтап шешу әдістері36 бет
Ақпарат және оны өрнектеу жолдары жайлы ақпарат5 бет
Бір айнымалылы функциялардың интегралдық есептеулері3 бет
Басқарудың микропроцессорлық жүйелерi11 бет
Дербес ЭЕМ. Дербес ЭЕМ-нің элементтік базасы5 бет
Дифференциалдық теңдеулер курсында тірек конспектілерін қолдану, және де дифференциалдық теңдеулерді шешу жолдары36 бет


+ тегін презентациялар
Пәндер
Көмек / Помощь
Арайлым
Біз міндетті түрде жауап береміз!
Мы обязательно ответим!
Жіберу / Отправить


Зарабатывайте вместе с нами

Рахмет!
Хабарлама жіберілді. / Сообщение отправлено.

Сіз үшін аптасына 5 күн жұмыс істейміз.
Жұмыс уақыты 09:00 - 18:00

Мы работаем для Вас 5 дней в неделю.
Время работы 09:00 - 18:00

Email: info@stud.kz

Phone: 777 614 50 20
Жабу / Закрыть

Көмек / Помощь