Наножартылайөткізгіштер

Жоспар
КІРІСПЕ
НЕГІЗГІ БӨЛІМ
1. Жартылайөткізгіштер
2. Жартылайөткізгіш электрониканың пайда болу тарихы
3. Нанотехнологиялардың жартылайөткізгіштердегі жетістіктері
4. Молекулалық . сәулелік эпитаксия
5. Изолятордағы кремний
6. Наножартылайөткізгіштер өндірісінің жаңа технологиялары
ҚОРЫТЫНДЫ
ПАЙДАЛАНЫЛҒАН ӘДЕБИЕТТЕР
КІРІСПЕ
Аз өлшемді құрылыс физикасы қатты заттардың заманауи физика аумағында өзекті және анағұрлым тез дамып жатыр. Бұл аумаққа қызығушылықтың тууы жаңа фундаменталды ғылыми мәселелер мен физикалық құбылыстармен байланысты. Ашылған құбылыстар негізінде жаңа кванттық қондырғылар мен кең функционалдық мүмкіндіктері бар опто- және наноэлектроника, техника өлшегіштері, жаңа буынның ақпараттық технологиясы, байланыс құралдары жүйесінің негізінде перспективті келеді. Аз өлшемді жүйелерді зерттеу нәтижелері жаңа, қазіргі таңда кеңінен қолданылатын құбылыстар, соның ішінде екі өлшемді электронды газдағы Холл бүтін санды және бөлшектік квант эффектісі, квази екі өлшемді электрондар мен тесіктің вигнерлік кристалдануы, жаңа квазибөлшек пен бөлшектік заряды бар электрондық қозуларды табу, жоғары жиілікті блоховск осцилляциясы және тағы басқа құбылыстардың нәтижелері болып табылады. Гетероауысулардағы заманауи жартылайөткізгіш лазерлер аз өлшемді жүйелерді пайдалануға негізделген (кванттық нүктелермен және кванттық жіптермен өзіндік ұйымдастырылған кванттық шұңқырлардың құрылысы). Бұл аумақта анағұрлым жетістік физикада үш рет Нобель сыйлығын алған (1985 жылы Холлдың квант эффектісін ашуы; 1998 жылы Холлдың бөлшектік квант эффектісін ашылуын; 2000 жылы заманауи ақпараттық технология негіздеріне салынған еңбектері үшін).
Бұл аумақтағы даму инженерлік аймақ құралдары мен инженерлік толқындық функциясын құрастыру мен сәйкес қосымшалар немесе жаңа физикалық құбылыстарды табу мен зерттеуге қажетті электронды спектрі мен қасиеттері бар заманауи нана құрылыстардың жоғары технологияларды пайдалану мүмкіндіктері ашылды (тор үсті, кванттық шұңқыр лар, нүктелер мен жіптер, кванттық контактілер, атомдық кластерлер және т.б. ).
Осылайша құрастырылған наноқұрылыстар алдын – ала қасиеттермен берілген жасанды материалдар болып табылады.
Ешқандай күмәнсіз, алуан түрлі аз өлшемді құрылысты пайдалануға негізделген элементтік база жаңа буынның электронды техникасының анағұрлым перспективті болып табылады. Дегенмен, нанометрлік масштабті жүйелерге ауысу кезінде қатты денедегі квазибөлшектердің квантомеханикалық табиғаты анық байқала бастайды. Нәтижесінде принципиалды жаңа жағдай пайда болады. Бұл кезде кванттық эффектілер
ПАЙДАЛАНЫЛҒАН ӘДЕБИЕТТЕР
1. В.И. Фистуль. Введение в физику полупроводников. М. Высшая школа, 1984.
2. Сонин А.С. Введение в сегнетоэлектричество. - М.: Наука, 1996
3. Виноградов Ю.В. «Основы электронной и полупроводниковой техники». Изд. 2-е, доп. М., «Энергия», 1972 г. – 536 с.
4. Рыбалкина М. «Нанотехнология для всех», 2006 г.;
5. Андрюшин Е.А. «Сила нанотехнологий: наука & бизнес». – М., Фонд «Успехи физики», 2007;
6. http://nanodigest.ru – Интернет-журнал о нанотехнологиях;
7. Асеев А.Л. «Наноматериалы и нанотехнологии для современной полупроводниковой электроники», 2006 г
        
        Е. А. Бөкетов атындағы Қарағанды мемлекеттік университеті
Химия факультеті
Реферат:
Наножартылайөткізгіштер
Қарағанды 2014 жыл
Жоспар
КІРІСПЕ
НЕГІЗГІ БӨЛІМ
* Жартылайөткізгіштер
* Жартылайөткізгіш электрониканың пайда болу тарихы
* Нанотехнологиялардың ... ... ... - сәулелік эпитаксия
* Изолятордағы кремний
* Наножартылайөткізгіштер ... жаңа ... ... ... құрылыс физикасы қатты заттардың заманауи физика аумағында өзекті және анағұрлым тез дамып жатыр. Бұл аумаққа қызығушылықтың тууы жаңа ... ... ... мен ... ... байланысты. Ашылған құбылыстар негізінде жаңа кванттық қондырғылар мен кең функционалдық мүмкіндіктері бар опто- және ... ... ... жаңа ... ... технологиясы, байланыс құралдары жүйесінің негізінде перспективті келеді. Аз өлшемді жүйелерді зерттеу нәтижелері жаңа, қазіргі таңда кеңінен қолданылатын ... ... ... екі ... ... ... Холл ... санды және бөлшектік квант эффектісі, квази екі өлшемді электрондар мен тесіктің вигнерлік кристалдануы, жаңа квазибөлшек пен бөлшектік заряды бар ... ... ... ... ... блоховск осцилляциясы және тағы басқа құбылыстардың нәтижелері ... ... ... ... ... ... аз өлшемді жүйелерді пайдалануға негізделген (кванттық нүктелермен және кванттық жіптермен өзіндік ұйымдастырылған кванттық шұңқырлардың құрылысы). Бұл аумақта анағұрлым жетістік ... үш рет ... ... ... (1985 жылы Холлдың квант эффектісін ашуы; 1998 жылы Холлдың бөлшектік квант эффектісін ашылуын; 2000 жылы заманауи ақпараттық технология негіздеріне ... ... ... ... ... даму ... аймақ құралдары мен инженерлік толқындық функциясын құрастыру мен ... ... ... жаңа ... ... табу мен ... ... электронды спектрі мен қасиеттері бар заманауи нана құрылыстардың жоғары технологияларды пайдалану мүмкіндіктері ашылды (тор үсті, кванттық ... лар, ... мен ... ... контактілер, атомдық кластерлер және т.б. ).
Осылайша құрастырылған наноқұрылыстар алдын - ала қасиеттермен ... ... ... ... ...
Ешқандай күмәнсіз, алуан түрлі аз өлшемді құрылысты пайдалануға негізделген элементтік база жаңа буынның электронды техникасының анағұрлым ... ... ... ... ... масштабті жүйелерге ауысу кезінде қатты денедегі квазибөлшектердің квантомеханикалық табиғаты анық байқала бастайды. Нәтижесінде принципиалды жаңа жағдай пайда болады. Бұл ... ... ... ... канттық, конфайнмент, туннелдеу, электрондық күйдің интерференциясы) физикалық процестерде осындай объектілер мен осы негізге құралдарды функцияландыруда кілт рөл ... ... ... ... ... ... үшін ... мен өңдеу жетістіктері технологияның даму деңгейімен анықтайды. Бұл атомдық дәлдікпен қажет кофигурациясы мен ... бьар ... ... сол сияқты дайындау процесін бақылау (in situ) мен оның негізіндегі технологиялық процестерді қамтитын ... ... ... ... ... ... болжамдарға сәйкес нанотехнологияның дамуы ХХІ ғасырдың бейнесін анықтауға, атом энергиясының ашылуы, лазер мен ... ашу ХХ ... ... ұқсас дамыды.
Менің жұмысымның мақсаты - ... ... ... ... ...
* ... ... зерттеуде және оның жұмыстағы негізгі мәнін ашудағы ғылыми ұйымдастырушылықтың салымын көрсету.
* ... ... ... ... ... мәселелерін анықтау.
* Жартылайөткізгіштердің қолдану аумағы мен оның ... ... ... - ... пен ... ... орталық өткізгіш. Оған көптеген химиялық элементтер (германий, кремний, селен, теллур, мышьяк және т.б.), балқымалардың көп ... мен ... ... кіреді. Бізді қоршаған барлық бейорганикалық заттар жартылайөткізгіш заттар болып табылады. Табиғатта ең көп таралған жартылайөткізгіш элемент жер ... ... 30 % - ын ... ... болып саналады. Жартылайөткізгіштердің басты ерекшелігі олардың физикалық қасиеттерінің сыртқы әсерден температураның өзгеруі мен қоспаның аз мөлшеріне тәуелді болады.
Жартылайөткізгіштің температурасын ... ... ... ... ... оны легирлеп (қоспаны қоса отырып) оның физикалық қасиеттері, жиірек, электрөткізгіштік қасиетін басқаруға болады.
Метал, жартылайөткізгіш және ... үшін ... ... ... Ең ... ... етілген аймақты бөлетін рұқсат етілмеген аймаққа мән беру керек (рұқсат етілмеген энергия аймағы). Диэлектриктердің ... ... ... ені ... ... көп, ал ... ... етілген аумағы араласқан, сондықтан оның рұқсат етілмеген аумағы жоқ. Рұқсат етілмеген энергетикалық аралықты анықтайтын рұқсат етілген ... ені ... ... ... ... табылады. Жартылайөткізгіш электроникасында жиі қолданылатын германий, кремний және галий арсениді - ... ... ... ені сәйкесінше 0,7; 1,1 және 1,4 эВ.
Жоғарғы рұқсат етілген аумақ өткізу ... деп ... Бұл ... ... ... ... ... ие болады және жартылайөткізгіш көлемінде араласып электрлік өріс әсерінен оны өзгерте алады. Жартылайөткізгіштің электрөткізгішті осы электрондармен анықталады. Төменші ... ... ... ... ... деп ... Бұл ... энергетикалық деңгейлері әдетте атомның сыртқы электрон қабатымен - ... ... ... ... электрондармен) толтырылуы мүмкін. Валентті аумақтағы бос деңгейлердің болуында электрондар өз энергиясын электрлік өріс әсерінен өзгертуі мүмкін. Егер бұл ... ... ... ... онда ... ... жартылайөткізгіштің электрөткізгіштігінің пайда болуына қатыса алмайды.
2. Жартылайөткізгіш электрониканың пайда болу тарихы
Заттардың электрді әр түрлі өткізуі адамдарға 190 жыл ... ... ... 1821 жылы ... ... ... Дэвиметалдардың электрөткізгіштігі температура өскен сайын азаятынын анықтаған.
Келесі тәжірибелерді өткізе отырып, оның ... 1833 жылы ... ... күкіртті күмістің электрөткізгіштігі температура өскен сайын төмендемей, керісінше жоғарылайтынын байқаған. Кейін ол ... ... ... ... ... ... ... ашты. Сол уақытта, дегенмен, ғылым әлемін қызықтыра қоймады. 1873 жылы селеннің қарсыласуы жарықтандыру кезінде ... ... ... фото ... ... оптикалық құралдарда қолданыла бастады. Бірінші жартылайөткізгіш болып әдеттегі ... ... ... ... ... табылды. Мұндағы электрлік қарсыласу жарықта қарағанда қарағаңғыда төмен.
Жартылайөткізгіз электрониканың қарқынды дамуы бірінші нүктелік (1948 жыл) және ... ... (1951 ... ... - кез ... заманауи микросхеманың негізі.
3. Нанотехнологиялардың жартылайөткізгіштердегі жетістіктері
Нанотехнологиялардың жетістіктерінің үлкен бөлігі осы ... ... ... ... ... металдарда назарға алатын бөлшектердің саны көп, бір бөлшекке кететін ... ... да ... ... ортасында күй қасиетін өзгерту керек.
Жартылайөткізгіш материалдарда бірнеше маңызды қасиеттер бар:
* Бөлшек мөлшерін кең шектерде біршама оңай өзгертуге ... және ... ... ... Жартылайөткізгіштер нақты толқын ұзындығын сіңіріп және электромагниттік сәуле шығарады, бұл оптоэлектронды қасиеттерін басқаруға мүмкіндік береді;
* Жартылайөткізгіштерде электрлік және оптикалық қасиеттерін ... ... ... әр ... әр түрлі қасиетке ие құрылысты технологиялық жағынан біршама оңай ... ... ... ... мен ... ... ... материалдар мен нанотехнолгияларды пайдалануға байланысты. Оларды наноэлектроникада қолдану наноқұрылымды микропроцессорларды ... ... ... ... ... ұлғаюына, роботталған жүйелердің жаңа буынының пайда болуын әкеледі. Жаңа мүмкіндіктер наноқұрылымды сенсоры және т.б. бар наноэлектроника қондырғыларын біріктіру ... ... ... Наноэлектрониканың дамуы физика квантөлшемді жүйелердің жетістіктерінде қолдану мен қажет химиялық құрамы мен конфигурациясы бар жартылайөткізгіш ... ... ... ... ие болатын нанотехнологияларды пайдалануды құрайды. Сол сияқты наноқұрылымдарды кешенді диагностика әдістерін құрайды, соның ішінде дайындау процесі кезіндегі бақылау мен осы ... ... ... ... ... ... келесі міндеттерді шешуі керек:
* Есептеу жүйелері өнімділігінің ... ... ... ... өткізу қабілетінің бірден ұлғаюы;
* Ақпараттық сыйымдылық пен энергия шығымының төмендеуімен ақпаратты бейнелеу жүйесінің сапасының бірден ұлғаюы;
* Сенсорлы қондырғылардың ... ... ... және ... шама ... елеулі кеңейтілуі, бұл көбіне экология мәселелері үшін маңызды келеді;
* Жоғары экономикалық қатты денелі жарықтандырғыш құралдарды жасау;
* Медициналық, биологиялық, химиялық, машина ... және т.б. ... ... және ... ... қолдануда меншікті салмағының елеулі ұлғаюы.
4.1 Молекулалық - сәулелік эпитаксия (МСЭ) - жартылайөткізгінштердің заманауи физикасы мен ... ... ... ... ... МСЭ технология жұмысы Ресей академиясының Сібір бөлімінде жартылайөткізгіштер физикасы Институтындла басталды. Соңғы жылдары МСЭ дамыту бағыттары бойынша инфрақызыл ... ... ... үшін фотосезімтал элементтерді жасау үшін негізгі материал ретінде КСТ (кадмий - сынап - ... ... ... ... ... жасау болып табылды.
КСТ қабаттарын жетілдіру үшін қондырғысының ... ... ... ... ... КСТ ... ... жасайды. Қондырғының ерекшелігі КСТ (ГЭС КСТ МСЭ) гетероэпитаксиалды құрылымдарын алуда МСЭ процесінде институтта лазерлік эллипсометрия әдісін жоғары әрекеттелігімен және рекордты ... ... (0.2-0.3 нм) және ... ... (0.05 ... ... алу. КСТ жоғары дамыған фотосезімтал қабаттарын қолдана отырып, үлкен форматты матрицалар мен фотоқабылдағын қондырғының сызғышын келесі ИҚ - ... үшін алу. ... ... анағұрлым тәжірибелерде кеңінен қолдану - ИҚ - ... ... ... ... ... ... заряд тасымалдағыштарының қабаттардан өлшемді квантталумен (кванттық шұңқырмен) қоздыру арқылы алу болып табылады. Кванттық шұңқырлардың көпқабатты құрылысы негізінде лабораторияда МСЭ әдісімен ... 128x128 және 320x256 ... ... ... жасалды. Кванттық нүктелер немесе нөлөлшемді жүйелер - жартылайөткізгіш матрицада атомдық кластер массиві немесе ... ... ... ... ... ... ... күйі. Бұл МСЭ әдісімен эпитаксиалды гетерқұрылымды жүйелердің өзіндік ұйымдастырылуы жүреді. Мұндай ... ... ... дискретті спектрлері жеке атомдардың энергетикалық спектріне ұқсас. Бұл ... ... көп ... ... жайлы айтуымызға болады. Дегенмен, кластерлер нақты формалы және соңғы өлшемдері бірлік немесе ондық нанометр болады. Мұндай типті ... үшін (КН) ... ... Әдіс ... КН мен ... - кремний эпитаксиалды құрылымдарын дайындау негізінде жоғары ... ... ... микроскопия (СТМ) әдісімен кремнийдің атомдық - таза бетіне германийді тұнбаға түсірудің ... ... ... ... ... ... спектрін германий кластерінде кванттау заряд тасымалдағышы, вольт - фарадты ... және КН ... жылу ... ерекшеліктерін құрастырады.
КН массивміне субмикронды өріс транзисторында кремний - ... ... ... кезде канал нанотранзисторлардың ысырма қуатқа тәуелді тесіктің энергетикалық спектірінң квантталуына шартталған гелийден 150 К температураға дейін өткізгіштіктің ... ... ... маңызды нәтиже кремнийдің эпитаксиалды құрылысы негізінде германийдің кваниттық нүктелері массивімен фотоқабылдағыштарды өңдеу конструкциясы мен оны ... ... ... ... ұзындығы 8-12 мкм диапазонында алынған жылудидарлық көрініс.
ИҚ - қызыл материалдары мен элементтерін жасау ... ... ... етілген және алдыңғы келешекте (техникалық) кеңейтілген көзқарас жүйесін жасау негізінде биологиялық көзқараспен салыстырғанда ультракүлгіннің спектралды диапазонында және ... ... ... ... (айта кетуіміз керек, адамдардың биологиялық көзқарасы миллион жылдар уақытында қалыптасқан).
Техникалық көзқарас жүйесі мен үлкен ақпарат массивтерін ... және ... ... ... фотондық компоненттер принципалды жаңа телекоммуникациялық қондырғылардың экологиялық жүйелер мен космостық мониторг, жылудидарлық, терроризммен ... ... ... ... ... ... және т.б. ... болып табылады.
Жартылайөткізгішті наноқұрылымдарды пайдалану бақылау қондырғылар габаририті мен тіркеуін ... ... ... ... құн ... ... және ... микро- наноэлектроникада жалпы өндіріс айрықша қолдануға мүмкіндік береді.
Бір фотонды жылу таратушы
МСЭ әдісінің ... ... сол ... ... ... ... ... ерекшеленетін жартылайөткізгіш пластина лазерлік резонатордың брэг айналарының ... ... ... ... ... бар ... ... жасауға мүмкіндік береді. Қазіргі уақытта ВРЛ тек жартылайөткізгіш жылу таратушы ғана емес, сол сияқты барлық лазерлік техникада мүмкіндіктерін көрсетеді: ВРЛ ... ... аз ... ... ... ... жиілігімен - он гигагерцтен және өте кішкене болуымен сипатталады. Айта кететініміз, МСЭ әдісі жоғары ... ... ... жүз ... ... бар және резонатор айнасын түзетін, айна аумағында заряд тасымалдағыштарының инжекциясы мен кванттық шұңқырлы белсенді қабаты бар лазерлік құрылымдарды ... ... ... ... негізгі салымы ретінде жылдам электрондардың in situ дифракциясы әдісі пайдаланылады. Ол ... ... ... ... ... екі ... кластерінің өсуі мен араласуы, өсудің периодты процестерін тіркеу есебінен өсірілетін гетероқұрылыстың әрбір ... ... ... ... ... ... береді. ИФП СО РАН мен Берлин Техникалық университетінің қатты заттары физикасы Институтымен бірге В. Гайслермен өткізілген бірлескен ... ... ... ... InAs ... ... пайдаланып жартылайөткізгіш бірфотонды жылу таратушыны жасау жолында маңызды қадам жасалды. Бір квант нүктесінің токтық қозудағы сәулелендіруі байқалды. Сәулелендіру спектрінде бір ... ... ... ... ... ... тек бір түзу бар. Алынған нәтижелерді болашақта кванттық есептеулер мен кванттық ... ... ... үшін ...
Эпитаксиалды наногетероқұрылымдарды тәжірибелік пайдалану үшін гигагерцтік диапазондағы СВЧ техника күшті элементетерін алу үшін МСЭ технологияларын өңдеу мәселесі тұр. ... ... бұл РАН А. ... ... ... - ... ... бірге кәсіпорын салалары үшін жоғары сапалы эпитаксиалды құрылымдарды өңдейтін және тасымалдайтын ... ... ... саналады.
МСЭ технологиясы жартылайөткізгіш нанотүтіктерді алуда жаңа әдістер негізінде жатыр. Ол қуатталған жартылайөткізгіш қабықшаның ... ... ... ... ... ... гетеқұрылымдағы құрбан қабат деп аталады. Бұл әдіс В. ... ... ... (әдебиеттерде Принц технологиясы деп те аталады) күрделі формалы жеке наноқұрылымдарды жасауда және олардың массивтерін жоғары ... ... ... ... ... тең ... дейін) перспективтілігін ашады. Бұл технология бойынша цилиндрлік беттіктегі екі ... ... ... ... зерттеу үшін жартылайөткізгіш материалды нанотүтіктер дайындалды. Микротермоанемометр үшін микрон диаметрлі түтіктер мен жасушалық биология мен медицинада микро- наношприц ... ... ... қалыңдығы бар қабырғалы түтік негізіндегі микротермоанемометрлер турбулентті шекара ағындарында жылдамдықтарды тамыр соғуын өлшеу кезінде жоғары сезімталдыққа ие болады және екі ... ... ... ... ... газ ... ... қатысты сезімтал келеді. Ұсынылған технологияны дамыту осы технология бойынша дайындалған ... мен ... ... басқа да маңызды салалардағы басқа да нанообъектілерді қолдануын кеңейтумен жүзеге асады.
4.2 Изолятордағы Кремний
ИК құрылымдағы транзисторлар
Кремнийдегі нанотранзисторлар келешекте ... ... ... элементі болып табылады. Нанометрлік транзистор өлшемдеріне шартталған және басқа да элементтердің интегралдық схемаларында мәселенің туындауы көлемдік ... ... да ... ... және ... ... ... бойынша жаңа ізденісті талап етеді. Көлемдік кремнийге жалғыз альтернатив қазіргі таңда субмикронды және ... ... ... ... ... құрылысы болып табылады. ИФП СО РАН В. Попов жетекшілігімен ыдыратудың түпнұсқа технологиясы мен кремнийдің қабатын ... ... ... ... ... орын алмастыруы өңделді. Оның біріншісі алдын - ала ... ... ... ал басқасы термиялық тотықтырылды.
ИК кесілген қабаты 900-1000 ... ... көп есе ... ... ... және кесілген ИК минималды қабаты 3 нм дейін құрауы керек. ИК жабын ретінде қолданудың ерекшелігі латералды ысырмасы бар ... ... ... ... мен ... ... сол ... жасалады, ал оның формасы эектронды литография жағдайында эектронды сәуле ... ... ... ... ... көлемдік кремний жағдайында жүзеге аспайды. ИК құрылымдардағы транзисторлардың маңызды ерекшелігі олардың жоғары температурасы мен ... ... Осы ... мемлекеттік сұранысқа және кәсіпорын салаларына қажет болады.
Наножартылайөткізгіштер ... жаңа ... - та ... ... жаңа технологиясы жасалды (ақпан 28. 2013.)
АҚШ ғалымдары жартылайөткізгіш өндірісінің жаңа әдісін ойлап тапты. ... ... ... ... жаңа ... синтезі сатылап филтрлеу (SIS) анағұрлым жоғары сапалы жартылайөткізгіштерді ... ... ... ... ... материалына қалың қабат қолданылады. Осы уақытқа дейін жартылайөткізгіштерді фотолитография көмегімен дайындап келді. Бірақ бұл әдістің дайындайтын компоненттері бойынша өлшемдері жағынан ... бар. ... ... ... ... ... ... бүктеле бастайды, сондыұтан компонент жарамсыз болып қалады.
2010 жылдан ... ... Сет ... және оның ... ... ... ... әдісін ұсынды (sequential infiltration synthesis немесе жай ғана SIS). Бұл ... ... ... газ ... іші ... ... қабықшасы бар қатты бейорганикалық материалдан алынады. Мұндай технология фоторезис бетпердесінен қашуға мүмкіндік ... ... ... ... ... бұл ... артықшылығын жартылайөткізгіш өндіретін басқарушы компаниялар да мойындаған болатын. Маңыздысы аумақтың әкелетін коллапсын ... және сол ... ... ... ... аз енді жарытлайөткізгіштерді жасау болып саналады.
Юта университетінің зерттеушілері нанокристалдық жартылай өткізгіштерді алу үшін ескі ... ... ... ... ... ... олар ... пештегі біртекті кристалжартылайөткізгішті жасау үшін кеткен оптималды уақыт 18 минут екенін анықтады. Бұдан басқа, дәстүрлі фотоэлекрлік жартылайөткізгіштерден ерекшелігі жоғары уытты ... мен ... ... ... ... таза ... негізінде құралған. Ғалымдар бұл әдісті күн батареялары мен жарық диодтары эффективтілігін жоғарылату үшін, биологиялық датчиктер мен жүйелерді ... ... жылу ... үшін ... деп үміттенуде.
ҚОРЫТЫНДЫ
Нобель лауреаты Ж. Алферов, ХХ ғасырда үш ашылу болғанын айтып өтті: уранды жасандық бөліп алу, ... ... ... ... ... үшін ... ... жартылайөткізгіштердегі транзисторлардың пайда болуы және осымен бірге микро- және оптоэлектрониканың ... мен ... - ... ... ... мен ... ... болып саналады.
Жартылайөткізгіштердің физикасы XIX - XX ғасырларда дами түсті. Жартылайөткізгіш диодтар вакуумдық лампаның орнына келді, ... ... ... фотоэлементтер, интегралды микросхемалар, ал кейінірек ЭВМ пен ДК дамуына әкелді.
Қорытындылай келе, жартылайөткізгіш электроника нанотехнологияларының ... ... - ... ... және ИК ... ... ... заманауи электронды - сәулелік литографиямен, зондтық ... және ... ... ... ... ... ... сканирлейтін туннелді микроскопия және атомдық - күш микроскопиясы кремний элементтері мен ... ... ... жаңа ... ... мүмкіндік береді. Тек танымал қондырғылардың негізгі параметрлерін жақсартып қана қоймай, сол сияқты кванттық эффектілерді пайдалынып жаңа ... ... ... ... табылады.
ПАЙДАЛАНЫЛҒАН ӘДЕБИЕТТЕР
1. В.И. Фистуль. Введение в физику полупроводников. М. Высшая школа, 1984.
2. Сонин А.С. Введение в сегнетоэлектричество. - М.: ... ... ... Ю.В. . Изд. 2-е, доп. М., , 1972 г. - 536 ... ... М. , 2006 г.;
5. ... Е.А. . - М., Фонд , 2007;
6. ... - ... о нанотехнологиях;
7. Асеев А.Л. , 2006 г

Пән: Химия
Жұмыс түрі: Реферат
Көлемі: 11 бет
Бұл жұмыстың бағасы: 700 теңге









Ұқсас жұмыстар
Тақырыб Бет саны
«Нанокеуектікремнийдің тунелді өткелінен құралған шалғай - барьерлік sno2/n-si күн элементін зерттеу»54 бет
Бензол мен гександы пиролиздеу арқылы көміртекті нанотүтіктер алу26 бет
Вольфрам наноұнтағының рентген-құрылымдық талдауы19 бет
Жарық сәуле шығаратын құрылым – ғылыми прогресс. Нанокомпозиттерді алу және зерттеу әдістері57 бет
Кванттық химияның даму тарихы. кванттық химиядағы есептеу әдістері. нанотехнология7 бет
Металл нанобөлшектерін жалында алу және оларды жарылғыш зат құрамында қолдану26 бет
Металл нанобөлшектерінің құрылымдық ерекшеліктері мен электрлік қасиеттерін зерттеу41 бет
Нанокөміртекті сорбент көмегімен алынған биореттегіштің цитоуыттылық белсенділігін анықтау45 бет
Наноматериалдар өндірісінде қауіпсіздікті қамтамасыздандыру және бақылау46 бет
Нанотехнология9 бет


+ тегін презентациялар
Пәндер
Көмек / Помощь
Арайлым
Біз міндетті түрде жауап береміз!
Мы обязательно ответим!
Жіберу / Отправить


Зарабатывайте вместе с нами

Рахмет!
Хабарлама жіберілді. / Сообщение отправлено.

Сіз үшін аптасына 5 күн жұмыс істейміз.
Жұмыс уақыты 09:00 - 18:00

Мы работаем для Вас 5 дней в неделю.
Время работы 09:00 - 18:00

Email: info@stud.kz

Phone: 777 614 50 20
Жабу / Закрыть

Көмек / Помощь