Биполярлы транзисторлар туралы ақпарат


Екі p-n өтпеден тұртын, яғни p-n-р немесе n-p-n құрылымды үш шықпасы бар шала өткізгішті аспапты транзистор деп атайды. Транзисторлар электронианың ең кең тараған элементі. Олар кернеу, ток немесе қуат күшейткіштерінде, логикалық т.б. құрылғыларда қолданылады. Транзисторларды электронды немесе кемтікті электр өткізгіштікті германий мен силицийден жасайды. Электр өткізгіштігі электронды және кемтікті заряд тасымалдаушылармен түзілетіндіктен мұндай транзисторларды биполярлы деп атаған. Әдетте транзисторларды жұмыс жасай алатын жиіліктері аралығына және қуатына қарай әртүрлі топтарға бөледі: төменгі және жоғарғы жиілікті, әлсіз немесе қуатты т.с.с деп.
Транзисторда екі p-n өтпенің біреуіне кернеу тура бағытта, ал екіншісіне кері бағытта беріледі (1-сурет). Ортаңғы қабат (ортаңғы шала өткізгіш) база деп аталады. Өткізгіштігі берілген кернеудің полярлығымен сәйкес келетін (р-түрлі шала өткізгіш кернеу көзінің полюсімен, ал n-түрлі шала өткізгіш минусымен қосылған) сыртқы қабат эмиттер деп, ал өткізгіштігі кернеу көзінің полярлығына сәйкес келмейтін (n-қабат плюспен, ал p-қабат минуспен қосылған) сыртқы қабат коллектор деп аталады.

Пән: Электротехника
Жұмыс түрі: Материал
Көлемі: 5 бет
Бұл жұмыстың бағасы: 300 теңге




КАЗАКСТАН РЕСПУБЛИКАСЫ БІЛІМ ЖӘНЕ ҒЫЛЫМ МИНИСТРЛІГІ

ҚАНЫШ СӘТБАЕВ АТЫНДАҒЫ ҚАЗАҚ ҰЛТТЫҚ ТЕХНИКАЛЫҚ УНИВЕРСИТЕТ

Есептеу техникасы кафедрасы

Реферат
Тақырыбы: Биполярлы Транзисторлар

Орындаган:
Тобы:

Кабылдаган:

Алматы 2007
Биполярлы транзисторлар

Екі p-n өтпеден тұртын, яғни p-n-р немесе n-p-n құрылымды үш шықпасы
бар шала өткізгішті аспапты транзистор деп атайды. Транзисторлар
электронианың ең кең тараған элементі. Олар кернеу, ток немесе қуат
күшейткіштерінде, логикалық т.б. құрылғыларда қолданылады. Транзисторларды
электронды немесе кемтікті электр өткізгіштікті германий мен силицийден
жасайды. Электр өткізгіштігі электронды және кемтікті заряд
тасымалдаушылармен түзілетіндіктен мұндай транзисторларды биполярлы деп
атаған. Әдетте транзисторларды жұмыс жасай алатын жиіліктері аралығына және
қуатына қарай әртүрлі топтарға бөледі: төменгі және жоғарғы жиілікті, әлсіз
немесе қуатты т.с.с деп.
Транзисторда екі p-n өтпенің біреуіне кернеу тура бағытта, ал
екіншісіне кері бағытта беріледі (1-сурет). Ортаңғы қабат (ортаңғы шала
өткізгіш) база деп аталады. Өткізгіштігі берілген кернеудің полярлығымен
сәйкес келетін (р-түрлі шала өткізгіш кернеу көзінің полюсімен, ал n-түрлі
шала өткізгіш минусымен қосылған) сыртқы қабат эмиттер деп, ал өткізгіштігі
кернеу көзінің полярлығына сәйкес келмейтін (n-қабат плюспен, ал p-қабат
минуспен қосылған) сыртқы қабат коллектор деп аталады.
1-сурет. Транзисторлардың сұлбалық құрылысы және графикалық шартты
белгілері: а) p-n-p; б) n-p-n

Осы себепті эмиттер-база өтпесі әр уақытта да ашық, яғни кедергісі өте
аз болады, ал коллектор-база өтпесі жабық, яғни кедергісі өте үлкен болады.
Сондықтан эмиттер-база өтпесінің кернеуі аз да, ал коллектор-база өтпесінің
кернеуі үлкен болады.
Транзистордың екі өтпесіне екі кернеу берілгендіктен және ол көбіне
әлсіз сигналдарды күшейту үшін қолданылатындықтан оның кірмелік және
шықпалық қысқыштары болуы керек. Транзистордың үш шықпасының бірі әдетте
кірмелік және шықпалық тізбектері үшін ортақ болады. Осы себепті
транзистордың үш түрлі жалғану сұлбасы болады (1-сурет): базасы ортақ,
эмиттері ортақ және коллкторы ортақ.
Транзистордың жалғану сұлбасының түрі оның атқаратын қызметіне және
параметрлеріне байланысты анықталады. Транзистордың кірмелік және шықпалық
кедергілері, кернеуді, токты және қуатты күшейту коэффициенттері оның
негізгі параметрлері болып есептелінеді. Транзистордың әр түрлі сұлбадағы
параметрлері 1-кестеде келтірілген.

1-сурет. p-n-p құрылымды транзистордың жалғану сұлбасы:
а – базасы ортақ; б – эмиттері ортақ; в – коллекторы ортақ.

1-кесте
Әртүрлі жалғанған транзистордың парметрлері
Параметрі Транзистордың жалғану сұлбасы
Базасы ортақ Эмиттері ортақ Коллекторы ортақ
Кірмелік кедергісі, 50 ... 100 200 ... 200 104 ... 5*105
Ом
Шықпалық кедергісі, 105 ... 5*105 3*104 ... 7*104 50 ... 100
Ом
Кернеуді күшейту 30 ... 400 30 ... 1000 ≈1
коэффициенті
Токты күшейту ≈1 10 ... 200 10 ... 200
коэффициенті
Қуатты күшейту 30 ... 400 3000 ... 3*104 10 ... 200
коэффициенті

Кестеден көрініп тұрғандай, эмиттері ортақ жалғанған транзистордың
параметрлері басқа жалғану сұлбаларындағы параметрлеріне қарағанда
жақсырақ. Сондықтан транзистордың эмиттері ортақ жалғану сұлбасы көбірек
қолданылады.

Базаның тогының эмиттер-база өтпесінің кернеуінен тәуелділігі, яғни
кірмелік немесе базалық сипаттама деп аталады. Бірақ базаның тогы
коллектордың кернеуіне де байланысты өзгеретіндіктен кірмелік сипаттаманы
түсіргенде коллектордың кернеуі тұрақты болып қалуы керек (Uк=const).
Коллектордың кернеуі тұрақты болғанда базаның кернеуінің өсуі эмиттер-
база өтпесінің кедергісін азайтады да базаға келетін электрондар мен
олардың кемтіктерімен рекомбинациясын көбейтеді, яғни базаның тогын
арттырады.коллектордың кернеуінің көбеюі коллектор-база өтпесіне керісінше
әсер етеді: өтпенің кедергісін көбейтеді және рекомбинация санын азайтады.

Коллектордың тогының коллектор-эмиттер өтпесінің кернеуінен
тәуелділігі, яғни шықпалық немесе коллекторлық сипаттама деп аталады.
Бірақ коллектордың тогы базаның тогына да байланысты өзгеретіндіктен
шықпалық сипаттаманы түсіргенде базаның тогы тұрақты болып қалуы керек
(Iб=const).
Коллектордың кернеуі өскен сайын оның электр өрісінің әсерінен оған
келіп жететін электрондардың да саны көбейеді, яғни коллектордың тогы да
өседі. Ал базаның тогының көбеюі рекомбинацияланатын электрондардың санын
көбейтеді, сондықтан эмиттер мен коллектордың тогы да көбейеді.
Коллектордың кернеуі одан әрі өскенде коллекторға келіп жететін электрондар
түгелдей дерлік әкетіліп отырады, бірақ эмиттерде пайда болатын электрондар
саны одан әрі көбеймейді. Сондықтан коллектордың кернеуі әжептәуір өссе де
коллектордың тогы өте аз өседі, яғни қанығу үрдісі басталады.
Транзисторда эмиттер-база және коллектор-база өтпелерінің сыйымдылығы
болатындықтан жоғары жиіліктерде электрондар эмиттерден коллекторға өтіп
үлгере алмайды. Ендеше жиіліктің өуі коллектордың тогының азаюына әкеліп
соғады. Ал температура өскен кезде негізгі емес заряд тасымалдаушылардың
саны көбейеді де коллектордың бастапқы тогы артады. Сондықтан
транзисторларды олардың құжатында көрсетілген жиілік пен температураның
мәндерінде ғана пайдалану ... жалғасы
Ұқсас жұмыстар
Биполярлы транзисторлар
Биполярлы транзисторлар. Транзисторлардың қосылу схемалары
Биполярлы транзисторлар түрлері
Транзисторлар
Биполяр транзисторлар
Транзисторлар тарихы
ӨРІСТІК ТРАНЗИСТОРЛАР
Биполярлы транзистор
Транзисторлар. Іске қосу сұлбалары
Ақпарат туралы
Пәндер

Қазақ тілінде жазылған рефераттар, курстық жұмыстар, дипломдық жұмыстар бойынша біздің қор №1 болып табылады.

Байланыс

Qazaqstan
Phone: 777 614 50 20
WhatsApp: 777 614 50 20
Email: info@stud.kz
Көмек / Помощь
Арайлым
Біз міндетті түрде жауап береміз!
Мы обязательно ответим!
Жіберу / Отправить

Рахмет!
Хабарлама жіберілді. / Сообщение отправлено.

Email: info@stud.kz

Phone: 777 614 50 20
Жабу / Закрыть

Көмек / Помощь