Эмиттерлі байланысқан логикалық сұлбалар


ИС эмиттерлі-байланысқан логиканы элементтік база ретінде қолдану жоғары өндірістік сандық құрылғыны жасағанда дұрыс және жылдамдығы аз құрылғыларды жобалағанда тиімсіз. Соңғысы ЭСЛ ИС элементтерінің тұтыну қуатының жоғарлығымен түсіндіріледі, бұл олардың баста кемшілігі.
ЭСЛ элементтерінің негізгі қасиеті мыналар: өте жоғары жылдамдық, үлкен жүктемлік қабілет, жұмыс температурасы мен қоректену кернеуі өзгергендегі динамикалық параметрлерінің жоғары тұрақтылығы, төмен онда келісілген желі мен жүктемеде жұмыс істеу қабілеті, салыстырмалы жақсы бөгеуілге тұрақтылық.
Жасалған сандық ЭСЛ ИС-ң ішінде К500 және К1500 сериялы микросұлбалар кең таралады, бұлар МС 10000 мен Ғ100К микросұлбаларының функционалдық аналогы.
К500 сериялы микросұлба істік шығыста пластмасслық және керамикалық қорапта шығарылады, ал К1500 сериялы микросұлба негізінен керамикалық қорапта шығыстары планарлы болып дайындалады. Сурет1 көрсетілген К500 сериялы базалық ЭСЛ элементі үш бөліктен құралады: токтық ауыстырғыш (ТА), шығыс эмиттерлік қайталағыштар (ЭҚ) және тірек кернеуінің көзі тізбегі (ТКК).
Негізінде ЭСЛ элементтерінің екі не үш кірісі бар. Кіріс санын көбейту кіріс паразисттік сиымдылығын өсіреді, бұл жылдамдықты төмендетеді.
ТА - Т0, Т1 және Т2 транзисторларында RЭ, RК1 және RК2 резисторларында тұрғызылған. ТА-ң негізінен кілттік режимде жұмыс істейтін дифференциалдық күшейткіш құрайды, бұл кезде Т0, Т1 и Т2 транзисторлары қанығу режимінде енеді. ТА кіріс сигналдарын күшейтеді, элементтің қажетті бөгеуіл тұрақтылықпен қамтамасыз етеді, парафаздық

Пән: Электротехника
Жұмыс түрі: Реферат
Көлемі: 4 бет
Бұл жұмыстың бағасы: 200 теңге




Эмиттерлі байланысқан логикалық сұлбалар.
ИС эмиттерлі-байланысқан логиканы элементтік база ретінде қолдану
жоғары өндірістік сандық құрылғыны жасағанда дұрыс және жылдамдығы аз
құрылғыларды жобалағанда тиімсіз. Соңғысы ЭСЛ ИС элементтерінің тұтыну
қуатының жоғарлығымен түсіндіріледі, бұл олардың баста кемшілігі.
ЭСЛ элементтерінің негізгі қасиеті мыналар: өте жоғары жылдамдық,
үлкен жүктемлік қабілет, жұмыс температурасы мен қоректену кернеуі
өзгергендегі динамикалық параметрлерінің жоғары тұрақтылығы, төмен онда
келісілген желі мен жүктемеде жұмыс істеу қабілеті, салыстырмалы жақсы
бөгеуілге тұрақтылық.
Жасалған сандық ЭСЛ ИС-ң ішінде К500 және К1500 сериялы микросұлбалар
кең таралады, бұлар МС 10000 мен Ғ100К микросұлбаларының функционалдық
аналогы.
К500 сериялы микросұлба істік шығыста пластмасслық және керамикалық
қорапта шығарылады, ал К1500 сериялы микросұлба негізінен керамикалық
қорапта шығыстары планарлы болып дайындалады. Сурет1 көрсетілген К500
сериялы базалық ЭСЛ элементі үш бөліктен құралады: токтық ауыстырғыш (ТА),
шығыс эмиттерлік қайталағыштар (ЭҚ) және тірек кернеуінің көзі тізбегі
(ТКК).
Негізінде ЭСЛ элементтерінің екі не үш кірісі бар. Кіріс санын
көбейту кіріс паразисттік сиымдылығын өсіреді, бұл жылдамдықты төмендетеді.

ТА - Т0, Т1 және Т2 транзисторларында RЭ, RК1 және RК2
резисторларында тұрғызылған. ТА-ң негізінен кілттік режимде жұмыс істейтін
дифференциалдық күшейткіш құрайды, бұл кезде Т0, Т1 и Т2
транзисторлары қанығу режимінде енеді. ТА кіріс сигналдарын күшейтеді,
элементтің қажетті бөгеуіл тұрақтылықпен қамтамасыз етеді, парафаздық (тура
және теріс) шығыс сигналдарын қалыптастырады және шығыстарда логикалық
функцияны жүзеге асырады.

Сурет 1. К500 сериялы базалық ЭСЛ элменттің сұлбасы

Т4 и Т5 транзисторларында тұрғызылған шығыс эмиттерлік
қайталағыштар шығыс сигналдарын қуат (ток) бойынша күшейтуге және ЭСЛ
элементтерін кіріс және шығыс сигналдарының деңгейімен сәйкестендіру үшін
ТА сигнадарын кернеу бойынша ығыстыруға арналған.
Бұдан басқа аз жұмыс кедергісінің арқасында ЭҚ толқындық кедергісі 50 Ом
байланыс желісіндегі жұмыста қажетті жүктемелік қабілетпен қамтамасыз
етеді. ЭСЛ элементтері үшін типтік мән жеткілікті үлкен және n=10-20
болады.
Т3 транзисторында, R1–R3 резисторларында және термокомпенсирлеуші
D1 и D2 диодтарында орындалған ТКК тізбегі Т0 транзисторының базасына
берілетін Иоп тірек кернеуін қалыптастыру үшін арналған. Негізінде ТКК-ң
бір тізбегі бір кристалдағы ЭСЛ-ң бірнеше (5-10 дейін) элементтерін
қамтамасыз етеді.
ЭСЛ элментінің кірістері кедергісі шамамен 50 кОм RБ1 және RБ2
резисторлары арқылы кернеуі Е1 = –5,2 В ( 5 % қоректену көзіне қосылған.
Мұндай қосылу ЭСЛ ИС-ң қолданылмаған кірістерін бос қоюға мүмкін етеді. Бұл
кезде қолданылмаған кіріс транзисторының базасына берілген теріс потенциал
оның сенімді жабылуын қамтамасыз етеді және осылайша басқа кірістерден ЭСЛ
элементінің қалыпты жұмысына әсер етуін болдырмайды.
ЭСЛ ИС-ң коллекторлық тізбегі жерсінген, бұл қорек тізбегі бойынша
шығыс кернеуінің деңгейінің аз тәуелділігімен қамтамасыз етеді, осылайша
жақсы бөгеуіл тұрақтылық, бұл аз логикалық түсімді сұлбалар үшін маңызды.
ЭСЛ элементінің шығысында монтаждық логиканы ұйымдастыру мүмкіндігін алу
мақсатында ЭҚ-ң жүктемелік регистрлері.
RН1 және RН2 (кедергісі 50,75 және 100 Ом) микросұлба сыртына
шығарылған. Қоректену қуатын азайту үшін RН1 и RН2 резисторлары
қосымша кернеу көзіне Е2 = –2 В қосылған.
Базалық ЭСЛ элментінің (Сурет 1) ретіс логиканы қолданатын жадай
үшін, кернеудің үлкенірек теріс деңгейіне логикалық 1(-1,7В), ал азырақ
теріс принципін қарастырайық.
Сигналдың логикалық төмендеу амплитудасы 0,8В ЭСЛ ИС-тің логикалық 0
мен логикалық 1 кернеуі бойынша бөгуіл тұрақтылығы сәйкесінше 125 және 155
мВ, ал тірек кернеуі Uоп = 0,5 (U1 + U0) = –1,3 В , мұнда U-
сәйкесінше логикалық 0 мен логикалық 1 кернеуі. Келтірілген сандық мәндер
типтік. Практикада олар қалыптың техникалық құжаты бойынша аспау керек
технологилық өңделермен алынады.
ЭСЛ сұлбаның (Сурет 1) барлық кіріспе логикалық 1 сигналдары берілсін
(а=1 және в=1), яғни сигналдар тірек кернеуінен көбірек теріс. Онда
мен транзисторлары табылады, ал транзисторлары ашылады.
Ашық транзисторының эмиттерлік өтуіндегі 0,75В тең кернеу төмендеуің
есептесек, “1” түйінінің потенциалы -2,05В болады. транзисторының
базалық тогы шамасына азайған, оның коллекторлық RК1 жүктемесінде
0,9В тең кернеу түсуін жасайды, осыдан “2” түйінінің потенциалы
RК2“3” түйін потенциалы транзисторының базалық тогынан
резисторында кернеудің түсуі және жабық мен транзисторының
коллекторлық жылулық тогының әсерінен шамамен -0,1В(=-0,1В) құрайды.
ЭП-ң шығыс ... жалғасы
Ұқсас жұмыстар
Программаланатын логикалық интегральды сұлбалар туралы негізгі мағлұматтар
Интегралды-инжекционды логикалық және nМДП-интегралды сұлбалар
Принципиалды-электрлік сұлбалар
Логикалық функциялар
Логикалық элементтер
Параллельді байланысқан тізбектердің индуктивтілігі
Микропроцессорлық техниканың логикалық негіздері
Өзара байланысқан реттеу жүйелері
Логикалық программалау
Логикалық амалдар
Пәндер

Қазақ тілінде жазылған рефераттар, курстық жұмыстар, дипломдық жұмыстар бойынша біздің қор №1 болып табылады.

Байланыс

Qazaqstan
Phone: 777 614 50 20
WhatsApp: 777 614 50 20
Email: info@stud.kz
Көмек / Помощь
Арайлым
Біз міндетті түрде жауап береміз!
Мы обязательно ответим!
Жіберу / Отправить

Рахмет!
Хабарлама жіберілді. / Сообщение отправлено.

Email: info@stud.kz

Phone: 777 614 50 20
Жабу / Закрыть

Көмек / Помощь