Кристалл торы

Пән: Физика
Жұмыс түрі: Дипломдық жұмыс
Тегін: Антиплагиат
Көлемі: 63 бет
Таңдаулыға:

Мазмұны

Кіріспе . . . 3

1. 1Кристалл торы . . . 5

1. 2Қатты денелердегі анизотропия. Моно - және поликристалды қатты денелер . . . 7

1. 3Химиялық элементтердің кристалдық құрылымдары . . . 10

1. 4Полиморфизм құбылысы . . . 14

1. 5Кристалдардағы құрылым жетіспеушілігі (құрылым кемшілігі) және ақаулар . . . 16

1. 6Серпінді және пластикалық деформация . . . 21

1. 7Кристалдардың пластиктивті ағуының негізгі

зандылықтары . . . 22

1. 8 Механикалық екілену . . . 26

1. 9Кристалдар ығысуының практикалық және теориялық беріктілігі . . . 27

1. 10Дислокация жөнінде жалпы түсінік . . . 29

1. 11Дислокацияны қозғалтуға қажет болған күштер . . . 32

1. 12Дислокация көздері. Кристалдың беріктелінуі . . . 34

1. 13 Қатты денелердің жылулық қасиеттері . . . 38

Ағу кернеулігінің температурадағы тәуелділігінің теориясы

2. 1Чернов-Людерс жолағы және ағу шегі . . . 46

2. 2Ағу кернеулігі төменгі шегінің дәнөлшеміне тәуелділігі . . . 51

2. 3Қирау және қирау кернеулігі . . . 52

2. 4Қирау кернеулігінің дәнөлшеміне тәуелділігі . . . 57

2. 5Баушингер эффекті . . . 58

2. 6Механикалық екілену қосарлану . . . 60

2. 7Шаршау . . . 62 Қорытынды . . . 69 Пайдаланылған әдебиеттер . . . 70

Кіріспе

Техниканың өсуіне физиканың ролі күннен күнге өсу барысында десек артық айтқанымыз болмас, әсіресе қатты денелер физикасы. Жартылай өткізгіштер техникасының, кванттық электрониканың қажетті механикалық, электр, магниттік, оптикалық жэне басқа қасиеттерге ие жаңа материалдарды алу жолдарындағы жетістіктер қатты денелер физикасының даму нәтижелерімен үздіксіз байланыста. Барлық өндірістердегі болатын келешектегі техникалық прогресті әр түрлі приборлардағы және қондырғылардағы технологиялық процестер анықтайды, ал бұл технологиялық процестер қатты денелердегі өтетін құбылыстарға негізделген. Бұл бағытта көпетеген мысалдар келтіруге болады.

Сондықтан қатты денелер физикасын оқып - білу тек физиктерге ғана емес, өндіріске тікелей қатысы бар инженер - инженер - технологтарғада өте қажет.

Коттрел мен Стокс, суб құбылыс өзгеруімен байланысты емес кездегі кернеуліктің температураға тәуледілігін анықтаған, Зегер ғалымы ағу кернеулігінің температураға тәуелділігін «орман» дислокацияның үлесін талдау арқылы түсіндіреді. Зегер ғалымы бірінші рет «орман» дислокациясын кесіпөту үшін энергияны есептеді. Ағу кернеуінің дән өлшеміне тәуелділігінің екі негізгі себебі бар:Бірінші, ағу кернеулігінің жоғарғы шегі, оның пайда болу себебі диффузия құбылысына байланысты қоспа атомдардың дислокация ядросына араласып, дислокация жылжуына қатты кедергі жасауыменен байланыстырады. Мысалы, белгілі бір температурада «демалса» ол үлгінің ағу кернеулігінің жоғарғы шегінің шамасы өсетіндігі Екінші, ағу кернеулігінің төменгі шегі пайда болу себебі, дислокация сызығының қоспа атомдар бұлтынан босап шығуымен түсіндіруге болады. Соныменен қоспа атомдар «бұлты» ағу кернеулігін шамасын өсіреді. Яғни ағу кернеулігінің жоғарғы шегін көтереді. LiF - дің кернеу деформация қисығын зерттеген ғалымдар Джонстон және Гильман ағу кернеулігінің жоғарғы және төменгі шектерінің балығын анықтаған. Жинақталған эксперименттік мәліметтерге сүйене отырып ағу кернеулігінің жоғарғы және төменгі шегінің негіз тудыратынын қарастырып, осы бағыттағы проблемаларды талдау, температураға тәуелділігін арықарай дамуын және басқа проблемаларды қарастыру негізгі мақсатымыз болып табылады. Металдардың қирауын күрделі құбылысқа жатқызамыз. Егер әсер етуші күш, атомдар арасындағы байланыс күпшен аз шамада болса да дене қирайды не болмаса қайтымсыз (пластиктивті) деформацияланады.

Көп уақытқа дейін қатты денелердің беріктілік физикасының табиғатын олардың критикалық қирау түсінігімен қарастырып келді. Осы көзқараспен ақауы жоқ идеал дененің морт қирауын карастырайық. Бұл денеге жүктелген жүк сол дененің теориялық беріктілігіне жеткенде ол дене бірденнен атомдарға шашылып кеткен болар еді. Реал жағдайда денелер бірнеше бөлікке ғана бөлінетіндігін және жүктелген жүк шамасы теориялық беріктілікке жетпей қирайтыны белгілі. (Гриффите теориясы) .

Бұл теорияның рас екендігін Л. Ф. Иоффе, өзінің экспериментінде дәлелдеген (NaCl кристалын су ерітінді ортасындағы беріктілігі теориялық беріктілікке жақын болған байқалған) . Бірақ Гриффитс пен Иоффенің теориясы реал беріктілігінің шамасы теориялық беріктілік шамасынан төмен екені және денелер қирау барысында 2-3 бөлікке ғана бөлінетінін түсіндіргенмен жүктелген жүктің әсер етуші уақыт мерзімі сол жүктелген дененің беріктілік шамасына әсерін тигізуін түсіндіре алмайды. Мысалы, егер үлгі аз уақыт арасында жүктеліп беріктілік шегі сол денеден жасалған үлгіні көп уақыт аралығында жүктелгендегі беріктілік шегіне қарағанда әлдеқайда жоғары екендігі байқалған. Бұл материалдың статикалық шаршауы деп атады. Денелердің статикалық шаршау көптеген зерттеушілер силикат шыныларда, полимерлерде, металдарда ионды кристалдарда тағы басқа материалдарда байқаған. Ағу кернеулігінің жоғары, төмен шегі болуын және олардың температураға байланысын ғалымдар екі жолмен түсіндіреді, атап айтқанда температураның езгеруінен үлгінің құрылымы өзгеруінен деп түсіндіре екінші топ ғалымдар ағу кернеулігі шектерінің өзгеруі олардың температураға тәуелділігінен деп түсіндіреді. Осы мәселені нақталау осы диплом жұмысының негізгі мақсаты болып табылады.

1. 1 Кристалл торы

Қатты денелердің ішкі құрылымын сипаттау үшін кеңістік немесе кристалл торы деген түсінікті енгізу ыңғайлы.

Кристалл торы кеңістік торын құрайды, тордың түйінінде бөлшектер (атом, молекула) орналасқан болады, сонымен атты денені құрайды

1. 1. -сурет

Қалың сызықпен ең кіші параллелепипед көрсетілген, бұл параллелепипедтің өзінің үш осі бойынша орын ауыстыруымен барлық кристалды құруға болады. Бұл параллелепипедті элементар немесе негізгі тор ұяшығы деп атайды. Бұл тор ұяшығын сипаттау үшін 6 шаманы беру керек: үш қырын (а, в, с) және осьтер арасындағы бұрыштарын (α, β, γ) . Бұл шамаларды тор параметрлері деп атайды. Қарапайым тор түріне куб торы жатады, мұнда а = в = с және α = β = γ= 90°. Кейбір жағдайда тордың симметриясын нақты айқындау мақсатында элементар тор шыңдарында ғана орналаспай, тағы тор ұяшығының басқа нүктелерінде де орналасқан болады. Мысалы, көлем центрленген торда кеңістік диагональдардың қиылысқан нүктесінде косымша бір бөлшек орналасқан болады (1. 2. б-сурет), жақ центрленген торларда жақ диагональдарының қиылысқан нүктелерінде қосымша бөлшектер орналасқан болады (1. 2. в -сурет), т. б. Енді түйіндерді, бағыттарды және тордың жазықтықтарын белгілеуді қарастырайық. Бұл белгілеулерді Миллер индекстері деп атайды.

1. 2. - сурет

Top индекстері координата басынан алынған кез-келген тор түйінінің орнын оның х, у, z координатасымен анықтайды. (1. 3. -сурет)

1. 3. -сурет 1. 4. -сурет

х = ma, у = nb, z = рс

(1. 1)

мұндағы a, b, с - тор параметрлері, m, n, р - бүтін сандар.

Ось бойымен өлшенетін бірлікті метр деп есептемей, бірлік ретінде тордың а, b, с параметрлерін алсақ, онда тор координаталары m, n, р бүтін сандар болады. Бұл сандарды түйін индекстері деп атайды және былай жазылады: [[mnр] ] . Теріс индекс болса, теріс таңба индекс төбесіне қойылады: [[mnр] ]

Бағыт индекстері. Кристалдағы бағытты сипаттау үшін координата басынан тура сызық алынады. Ол сызықтың орналасуын бірінші түйіннің тор индексі анықтайды, сызық сол бірінші түйіннен өтеді (1. 3. -сурет) . Сондықтан түйіннің тор индекстері бағыт индексі де болады. Бағыт индексін [mnр] - мен белгілейді. Бағыт индексінің анықтамасы бойынша, оны үш ең кіші бүтін сан анықтайды. Мысалы, координата басынан және [[345] ] түйіннен өтетін бағыт индексі [345] болады.

Мысал ретінде куб торының негізгі бағыттарын көрсетуге болады (1. 4. -сурет) . Top осьтерінің индекстері: ОХ осінің индексі [100], ОУ осінің - [010], OZ осінің - [001] . Жақ диагональдарының индексі: вс жағы диагоналының иңдексі [011], ас жағы диагоналының - [101], ав жағы диагоналының - [110], кеңістік диагоналының индексі - [111] .

Кристалл жақтарының индекстері. Кристалл жақтарының орнын кристалл торының осьтерін қиып өтетін А, В, С кескіндер анықтайды. Мұндай жазық тендеуінің түрі мынадай болады:

\[\frac{O}{\dot{A}}+\frac{Y}{\dot{A}}+\frac{Z}{\ddot{N}}=1\]

(1. 2)

Мұндағы X, Ү, Z - осы жазықта жататын нүктенің координаталары. Егер кристалл жазығы (жағы) тор түйінінен өтетін болса (тек сондай жақтар қарастырылады), онда жазықта жататын кез-келген түйіннің координаталары түйін индекстеріне тең:

х = т, у = п, z =р.

Сондықтан жазық тендеуін мынадай түрде жазамыз:

(1. 3)

m, n, p бүтін сан болғандықтан, (1. 3) теңдеу 1/А, 1/В, 1/С қатынастар рационалды сандар болуы керек, олардың қатынастарын h, k, l үш бүтін сан қатынастарымен ауыстыруға болады:

\[\frac{1}{A}*\frac{1}{B}*\frac{1}{\widetilde{N}}=h*k*l\]

(1. 4)

Осы h, k, l сандар кристалл жазықтарының индекстерін береді, олар былай белгіленеді: ( hkl ) . Жазық индекстерін былай анықтайды: тор осьтеріндегі жазықты қиып өтетін ось бірлігімен алынған А, В, С кескіндерді сол кескіндердің кері мәндеріне сәйкес, яғни 1/А, 1/В, 1/С етіп жазады. Алынған 1/А, 1/В, 1/С бөлшектерге ортақ бөлім табады. Ортақ бөлім Д болсын дейік, онда бірінші бөлшекке Д/А, екіншіге Д/В, үшіншіге Д/С болады. Д/А, Д/В, Д/С бүтін сандар кристалл жазығының h, k, l индекстері болады, яғни

\[h={\frac{\ddot{A}}{\dot{A}}},k={\frac{\ddot{A}}{\dot{A}}},l={\frac{\ddot{A}}{\tilde{N}}}\]

(1, 5)

Мысалы: 1. Top осьтерін қиып өтетін А=1, В=2 және С=3 кескіндерге сәйкес кристалл жазықтығының иңдексін анықтайық.

Шешім: - рационал сандар, онда жалпы бөлгіш 6 болады.

Олайболса, = 6, = 3, = 2, яғни h=6, k=3, l=2, жазық индексі (632) боладыекен.

2. Topосьтерін қиып өтетін А=1/2, В=2 және С=1/3 кескіндерге сәйкес кристалл жазығының индексін анықтайық.

Шешім:

\[{\frac{1}{\lambda}}\colon{\frac{1}{\tilde{A}}}:{\frac{1}{\tilde{N}}}={\frac{1}{2}}\colon{\frac{1}{2}}:{\frac{1}{\frac{1}{3}}}\]

- рационалды сандар. Ортақ бөлім 2 болады, онда

\[h=\frac{2}{1}=4,k=\frac{2}{2}=1,l=\frac{2}{3}=3\]

жазық индексі (416) .

(1. 5) қатынастан тор осінен өтетін кескінді сол жазықтың индексімен анықтауға болатыны көрініп тұр, яғни

(1, 6)

Сондықтан жазық индексі (hkl) арқылы тор осбтерін қиып өтетін кескіндерді анықтау үшін индекстердің кері мәнін жазып, яғни

\[{\frac{1}{h}},{\frac{1}{\mathbf{k}}},{\frac{1}{l}},\]

олардың ортақ бөлімін (Д) анықтайды. Онда (1. 6) теңдеулер арқылы кескіндер анықталады:

3. тор осіндегі (123) жазықты қиып өтетін кескіндерді анықтайық.

Шешім: Жазық индексінің кері мәнін жазамыз. 1/1, ½, 1/3. Онда кескінде

\[\dot{A}=\frac{6}{1}=6;\dot{A}=\frac{6}{2}=3;\ddot{N}=\frac{6}{3}=2\]

тең. Коодинет осьтеріне параллелб жазыққа сәйкес

индекс нольге тең. Мысалы (110) жазық OZ осбке параллель (011) жазық параллель OX осіне т. б.

А 2 тең. Координат осьтеріне параллель жазыққа сәйкес

индекс нольге тең. Мысалы (110) жазық OZ оське параллель (011) жазық параллель ОХ осіне, т. б.

1. 6. -сурет

Мысал ретінде куб торларының негізгі жақтарының индекстерін анықтайық (1. 5. -сурет) . Куб жақтарының индекстері: «с» жақтың индексі -(001), «а» жақтың индексі - (100), «в» жақтың индексі - (010) . Жақтың диагоналынан өтетін жақтың индексі (ромбалық додекаэдр жағының индекстері: (110), (101), (011), т. б. осьтерді бірлік қимамен қиып өтетін жазықтардың (октаэдр жазықтарының) индекстері: (111), (11), (1), (11), т. б. гексагональды кристалдардың жазықтарын белгілеу үшін 4 негізгі координата жүйесі қолданылады (1. 6. -сурет) : үш (а ₁ , а ₂ , а ₃ ) бір-біріне 120° жасаған ось, бұл осьтер алты жақты призманың бетінде жатады (базис жазықтығы), ал төртінші ось (с) базис жазықтығына перпендикуляр. Әрбір жазық 4 индекспен белгіленеді: hkil . Қосымша индекс і үшінші орынға қойылады, бұл индекстің мәні h және k индекстер арқылы есептеледі: і=-(h+k) . а ₁ , а ₂ , а ₃ осьтеріне параллель базис жазығының индексі (0001) болады. Призма бүйірінің жағына параллель жазықтың индексі мынадай типті болады: ( 1010 ) . Мұндай бір-біріне параллель емес беттер (жазықтар) үшеу; оларды бірінші типтегі жазықтар деп атайды. [1]

1. 2 Қатты денелердегі анизотропия

Моно- және поликристалды қатты денелер

Қатты денелердің бөлшектері кристал торында біртекті қатар-қатар орналасқан деп есептейік (Кристалдардағы ақауларды ескермейміз) .

1. 7. -сурет

О нүктесінен OA, OB, ОС, т. б. бағытта сызық өткізейік. Әрбір бағытта бірлік арақашықтықта кездесетін бөлшектер саны әртүрлі жиі кездесетін бөлшектер OA бағытта, ал сирек кездесетін бөлшектер ОС бағытта. Әрбір бағыттағы қатты денелердің қасиеттерін бөлшектердің сол бағытта қаншалықты тығыз орналасуы анықтайтын болғандықтан, алынған бағыт бойынша қатты денелердің қасиеттері әр түрлі болуы керек. Дене қасиетінің бағытқа тәуелділігін (қасиеттің бағыттылығын) анизотропия деп атайды.

Арнайы жағдайда қатты денелерді бір кристалл түрінде өсіруге болады, яғни монокристалл түрінде. Бірақ көп жағдайда ерітінділерде (балқыған денелерде) бір мезгілде көптеген кристаллизацияланатын орталықтар пайда болып, көптеген өзінше бөлек кристалдар болуына алып келеді. Бұл кристалдардың өсуінің арқасында олар бір-біріне жақындай түседі. Сонымен көптеген бөлшектер пайда болады, яғни поликристалл. Өскен кристаллиттер (дәндер) әр түрлі формада болады, сыртқы көрінісі ішкі ретті құрамына сәйкес келмейді. Себебі олардың (дәндердің) орналасуы суытылған ерітіндіде (сұйық күйдегі затта) кристаллизация орталығы кездейсоқ орналасқан болады, өскен дәндердің өзара орналасуы да кездейсоқ болады. Сондықтан поликристалдарда олардың қасиеттері кристалл бағытына елеулі тәуелді болуы байқалмайды, яғни олар изотропты болады.

Сонымен қатар өскен дәндердің әр түрлі бағытта болғандағы дәндер (кристаллиттер) шекарасында кристаллиттер шекарасы деп аталатын әр түрлі қалыңдыққа ие қабаттар пайда болады. Бұл дән шекаралары поликристалл агрегатының механикалық қасиетінің қалыптасуына елеулі әсер етеді. Өте таза, қоспа атомдардың болуы жақтың қасы болғанда да дәнаралық қабатындағы тор дән торына қарағанда елеулі ауытқыған болады. Бұл тор ауытқуы бір атом аралығымен шектелмейді, бірнеше атом аралықтарына дейін орын алады. Бұл торлары ауытқыған атомдармен дән шекарасындағы атомдар бір-бірімен әсерлеседі. Дән шекарасындағы ретсіздік дәрежесі үлкен (жоғары) болған сайын, ретсіздік көлемі (ретсіздік қабыршақтың қалыңдығы - ені) үлкен болады және олардың тор ауытқулары ұлғаяды, яғни тор ауытқу дәрежесі өседі. Кристаллит тор жолағыңдағы ауытқулар, бұл жолақта артық

еркін энергияның шоғырлануына (локализация) алып келеді. Еркін энергияның шоғырлануы бірнеше тәжірибелерде дәлелденген. Мысалы, Галмерс өте таза қалайының дән шекаралары дәннің балқу температурасынан төмен температурада балқығанын анықтаған. Дән шекарасы бойынша өтетін диффузия жылдамдығы, көлем бойынша өтетін диффузия жылдамдығынан жоғары. Рекристаллизация кезіңдегі жаңа дән өсуі ескі дән шекарасында басталады немесе интенсивті пластикалық деформация өткен жерде басталады, ал рекристаллизация ескі кристалл торларын өзгертеді. Егер металда қоспа атомдар болса, онда кристаллизация кезінде қоспа атомдар дән шекараларына орналасады, соның арқасында кристаллиттер аралығында құрамдары да, қасиеттері де дәндерге қарағанда өзгеше жолақтар пайда болады. [2]

1. 3 Химиялық элементтердің кристалдық құрылымдары

Қатты күйдегі химиялық элементтер ішкі ретті кұрылымды кристалдық денелерді құрайды. Кристалл құрылымының түрін негізінен құрылым бөлшектердің (атомдар, иондар, молекулалар) арасындағы байланыс күштің түрі анықтайды. Бұл бөлшектер арасында 4 негізгі байланыс болғандықтан 4 типті кристалл торын құрайды: ионды немесе координационды тор, бұл торда атомдар арасындағы негізгі байланыс ионды болады; поляризационды немесе молекулярлы тор; мұңдағы молекулалар арасындагы байланыс Ван-дер-Вальс күштері арқылы болады; валентті байланысты атомдық тор және металды байланысты металл торлары болады. Таза бір күш түрімен байланысқан, яғни өзара әсерлесетін атомдарды сирек кездестіретін секілді, құрылым түрлерінде де таза бір типті тордың кездесуі де өте сирек. Көп жағдайда тор өткінші (переходной) болып келеді, яғни тордың өткінші болуы атомдар арасындағы байланыстың түрі екі немесе бірнеше болудың арқасында химиялық элементтердің кристалдық құрылымын жобамен 4 классқа бөлуге болады (1. 1. -кесте)

1. 1. -кесте

Бұл құрылымдарды талдауды IV класстан бастаған ыңғайлы. Бұл классқа инерт газдардың құрылымы жатады. Инерт газдардың сұйық күйге және кристалға айналғанда электрондары симметриялы сфералық қабыршақтары бар атомдар арасыңдағы байланыс әлсіз Ван-дер-Вальс күштің пайда болуынан болады. Бұл күштің әсерінен симметриялық атомдар тығыз орналасқан жақ центрленген куб торын құрайды (1. 2. -сурет) .

Тордағы әрбір атомды оған жақын орналасқан 12 атом қоршайды. Атомға жақын орналасқан атомдардың санын тордың координациялық саны деп атайды.

ІІІ класс. Бұл классқа қысқа периодтан кремний және көміртегі IVB топтан германий және қалайы және VB, VІB және VIIB топтардағы барлық элементтер жатады. Бұл класстағы барлық элементтер 8-N ережесіне сәйкес кристаллизацияланады, яғни тордағы әрбір атом 8-N жақын атомдармен қоршалған, мұндағы N - сол элемент орналасқан топтың нөмірін білдіреді. Мысалы, алмаз, кремний, германий және сұр қалайы N топтың элементтеріне жатады. Сондықтан олар торының координациялық саны 8-4=4 болады. Шынында да, бұл элементтердің барлығы тэтраэдралық торға ие, мұнда әрбір атом 4 жақын атомдармен қоршалған (1. 8. а-сурет) .

1. 8. -сурет

Мышьяк, фосфор, сурьма және висмут периодтық жүйенің V тобында орналасқан, торларының координациялық саны 8-5=3 тең. Бұларда әрбір атом бір жазықта 3 жақын атомдармен қоршалған (1. 8. б-сурет) .

Торлары жұқа қабыршақтардан тұрады. Атом қабыршақтары бір-бірімен Ван-дер-Вальс күші арқылы байланысқан. Селен және теллур VI топта орналасқан, торларының координациялық саны 2-ге тең. Олардың атомдары ұзын спираль тізбектерден тұрады. Тізбектегі әрбір атомды жақын екі атом қоршайды (1. 8. в-сурет) .

Тізбектер өзара Ван-дер-Вальс күштерімен байланысқан. Ал иод VII топқа жатады. Иодтың координациялық саны бірге тең. Иодтың торыңда қос-қос атомдар орналасады (1. 8. г-сурет) .

Бұл қосақталған атомдар бір-бірімен Ван-дер-Вальс күштерімен байланысқан болады. Сондықтан да иодтың тез буланып ұшып кетуіне алып келеді.

8-N ережесі арқылы химиялық элементтердің кристаллизациялануын оңай түсінуге болады. Мысалы IV топтағы элемент атомының сыртқы қабыршағында 4 электрон орналасқан. Тұрақты 8 электронды үшін тағы 4 электрон жетіспейді. Бұл кемшілікті толтыру үшін жақын орналасқан 4 атомдардың электрондарымен өзара алмасады (1. 8. а-сурет) . Сондықтан да кристалл торындағы әрбір атом 4 жақын атомдармен қоршалған. Осы сиякты 8 электронға дейін сыртқы атом қабыршақтары

Менделеевтің периодтық кестесіндегі V, VI, VII топтардағы элементтердің атомдары толтырылады.

I класс. Бұл классқа көп элементтер жатады, олар - металдар. Металл торларында атомдар емес, олардың иондары орналасқан. Олар инертті газдар секілді сфералық симметрияға ие. Сондықтан металдар кристаллизация кезінде инертті газдар секілді тығыз орналасқан торға ие депкүтуге болады. Шынында да, металдар 3 түрлі кристалл торларына ие. Координациялық саны 12 тең жақ центрленген куб (1. 2. в-сурет), координациялықсаны 12 тең гексагональды тығыз орналасқан тор (1. 6. -сурет) және 8 координациялық санға тең көлем центрленген куб (1. 2. б-сурет) . Бұл ең ұлпа торлы металл (кеңістікті атомдармен толтыру мағынасында) . Идеал гексагональды торда

\[{\frac{\bar{n}}{a}}=1,633\]

тең

II класс. Бұл класстағы химиялық элементтер металл мен III класстағы 8-N ережемен кристалл изацияланатын элементтер арасындағы аралық кристалдарға жатады. ІІ В топтағы Zn, Cd, Hg металдар, олай болса олар жоғары координациялық санға ие металл торларының біріне жатуы керек. Ал шындығында Zn және Cd ерекше гексагональды компакты құрылымға ие болады. с/а=1, 633 болмай, бұл қатынас 1, 9 тең болады. Бұл кристалдардың координациялық саны 12-ге тең болмай, 6-ға тең, яғни 8-Nережеге сәйкес келеді. Бұл атомдар базис жазықтығында орналасқан болады. Ал сынапқа (Hg) 8-N ереже толығымен орындалады, ол қарапайым ромбоэдрикалық құрылымға ие, мұнда әрбір атом 6 жақын орналасқан атомдармен қоршалған, яғни координациялық сан 6-ға тең. Бор ІІІВ топқа жатады, оның торы деформацияланған, әрбір атомы 5 жақын атомдармен қоршалған тормен сипатталады, яғни тордағы атомдардың орналасуы 8-N ережеге сәйкес келеді.

... жалғасы

Сіз бұл жұмысты біздің қосымшамыз арқылы толығымен тегін көре аласыз.