Физикалық материалтануға кіріспе


Пән: Физика
Жұмыс түрі:  Дипломдық жұмыс
Тегін:  Антиплагиат
Көлемі: 138 бет
Таңдаулыға:   

ӘЛЬ-ФАРАБИ атындағы ҚАЗАҚ ҰЛТТЫҚ УНИВЕРСИТЕТІ

Исмайлова Г. А., Приходько О. Ю., Ташкеева Г. Қ.

ФИЗИКАЛЫҚ

МАТЕРИАЛТАНУҒА КІРІСПЕ

(шығарылуымен)

Оқу құралы

Алматы

«Қазақ университеті»

2014

Баспаға әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті физика техникалық факультетінің Ғылыми кеңесі және Редакциялық -баспа кеңесі шешімімен ұсынылған

Пікір жазғандар:

физика -математика ғылымдарының докторы, проф. Г. Ш. Яр-Мухамедова

физика -математика ғылымдарының докторы, проф. С. Е. Кумеков

физика -математика ғылымдарының канд., м. а. доцент Ф. Б. Белисарова

кіріспе: оқу құралы/ Исмайлова Г. А., Приходько О. Ю., Ташкеева Г. Қ.

-Алматы: Қазақ университеті, 2014. -

Исмайлова Г. А., Приходько О. Ю., Ташкеева Г. Қ.

«Физикалық материалтануға кіріспе» Бұл оқулық тепе-тең және тепе-тең емес жағдайлардағы материалдар фазаларының заңдылықтары мен пайда болуын, берілген қасиеттері бар материалдар жасау жолдарына олардың қасиеттерінің тәуелділіктерін оқытуға арналған. Сондай-ақ бұл кітапта металдардың, жартылай өткізгіштердің және диэлектритердің негізгі физикалық қасиеттері, материалдардың химиялық байланыстарының ерекшеліктері қарастырылған.

Мазмұны
Мазмұны: Алғы сөз . . ………. …… . . . 4
Мазмұны: КІРІСПЕ «ФИЗИКАЛЫҚ МАТЕРИАЛТАНУҒА КІРІСПЕ» КУРСЫНЫҢ МІНДЕТТЕРІ . . . 5
Мазмұны: 1 - ТАРАУ. ЖАРТЫЛАЙ ӨТКІЗГІШТЕРЛІҢ, ДИЭЛЕКТРИКТЕРДІҢ ЖӘНЕ МЕТАЛДАРДЫҢ НЕГІЗГІ ФИЗИКАЛЫҚ ҚАСИЕТТЕРІ …. . . . 7
Мазмұны: § 1. Жалпы жағдайы . … . . . 7
Мазмұны: § 2. Электрлік қасиеттері . . … . . . 9
Мазмұны: § 3. Оптикалық қасиеттері . . . 28
Мазмұны: § 4. Акустикалық қасиеттері . . . 31
Мазмұны: § 5. Магниттік қасиеттері . . . 35
Мазмұны: § 6. Жылулық қасиеттері . . . 43
Мазмұны: § 7. Механикалық қасиеттері . . 48
Мазмұны: 2 - ТАРАУ. ХИМИЯЛЫҚ БАЙЛАНЫСТАР . . . 53
Мазмұны: § 1. Атомдардың құрылымы және химиялық байланыс . . . 53
Мазмұны: § 2. Химиялық байланыстардың түрлері . . . 57
Мазмұны: § 3. Химиялық байланыс пен атомдық және иондық радиустар . . . 64
Мазмұны: § 4. Металдар мен жартылай өткізгіштердегі химиялық байланыстардың ерекшеліктері . . . ………. 66
Мазмұны: 3 - ТАРАУ. Жартылай өткізгіш, диэлектриктік және металдық жүйелердегі фазалық тепе-теңдік . . . 79
Мазмұны: § 1. Фазалық тепе-теңдік термодинамикасының негізгі мәселелері . . . 79
Мазмұны: § 2. Фазалық тепе-теңдік. Фазалар ережесі. Гиббс заңы . . . . 84
Мазмұны: § 3. Фазалық тепе-теңдік диаграммасын тұрғызу әдістері . . . … . . . 87
Мазмұны: § 4. Компоненттерінің еруі шектелмеген қос жүйенің Т - Х фазалық тепе-теңдік диаграммалары . . . . . …… . . . 92
Мазмұны: § 5. Термодинамикалық потенциалдың өзгеруі туралы мәліметтері бойынша шексіз еритін диаграмма тұрғызу және анализі. Таралу коэффициенті . . . . . . 98
Мазмұны: § 6. Компонеттерінің еруі шектелген қос жүйенің Т - Х фазалық тепе-теңдіқ диаграммалары . . . . . . 109
Мазмұны: § 7. Қос жартылай өткізгіштік және диэлектриктік фазалар . . . ……… . . . 122
Мазмұны: § 8. Тепе-теңдік күйден ауытқу. Кристаллизация және термиялық өңдеу шарттарын таңдауда фазалық тепе-теңдік диаграммасының рөлі …. . . . 126
Мазмұны: § 9. Р - Т және Р - Т - Х фазалық тепе-теңдік диаграммалары . . . 132
Мазмұны: БАҚЫЛАУ СҰРАҚТАРЫ МЕН ТАПСЫРМАЛАРЫ . . . . . . 139
Мазмұны: ӘДЕБИЕТТЕР . . 142
Мазмұны: ҚОСЫМШАЛАР. КЕЙБІР ЖАРТЫЛАЙ ӨТКІЗГІШ ЖҮЙЕЛЕРДІҢ ФАЗАЛЫҚ ДИАГРАММАЛАРЫ . . . 143

АЛҒЫ СӨЗ

Адамзат өркениетінің үрдісі әртүрлі материалдарды жасап шығару, алу және оларды қолдану прогрестерімен байланысты. Жаңа материалдар еңбектің тиімділігін арттырады. Бүгінгі күні ой еңбегінің тиімділігін арттыратын, есептеуіш техникада ақпараттарды сақтау және беру, өндірісті автоматтандыру прогрестерін қамтамасыз ететін, пайдалы әсер коэффициенті жоғары энергиялардың әр түрге айналдыратын тиімді материалдар мен құрылғылар ерекше мәнге ие.

Физикалық материалтану - тепе-тең және тепе-тең емес жағдайларда материалдардың фазаларының (металдардың, жартылай өткізгіштердің және диэлектриктердің және т. б. ) заңдылықтары мен пайда болуының атомдық механизмдерін, бұл материалдардың көлемдік және бетттік қасиеттерінің химиялық байланыс сипаттамаларына, химиялық және фазалық құрамға тәуелділігін, құрылымдық жетіспеушілік, берілген қасиеттері бар материалдар жасау жолдарын және химиялық құрамды соңғы жолдармен басқаруды, материалдардың фазалық және құрылымдық күйлерін оқытатын ғылыми пән.

Курстың мақсаты тепе-тең және тепе-тең емес жағдайларда материалдардың (металдардың, жартылай өткізгіштердің және диэлектриктердің және т. б. ) фазаларының заңдылықтары мен пайда болу механизмдерін, олардың қасиеттерінің химиялық байланыс сипаттамаларына, химиялық және фазалық құрамдарға тәуелділігін және берілген қасиеттері бар материалдарды жасау жолдарын оқыту болып табылады.

Тепе-тең және оған жақын жағдайлардағы қоспаның фазалық құрамы туралы, фазалық ауысудың бастапқы және соңғы нүктелері туралы маңызды ақпараттарды күй диаграммасынан алуға болады.

Екі және үш жүйелердің құрам-қасиет диаграммасымен сәйкестіктегі күй диаграммалары белгілі қасиеттері бар қоспаларды легирлеу және жасап шығару теорияларының негізі болып табылады.

Материалтану және жаңа материалдар технология аумағында жұмыс жасайтын мамандар үшін күй диаграммалары - бұл жаңа материалдарды іздеу және бар материалдарды жақсарту болып табылады. Металлургтер үшін күй диаграммалары өңдеу және металдарды алу және біріктіру және оларды қоспалардан тазартудың металлургиялық процестерін жетілдірудегі база болып табылады.

КІРІСПЕ. «ФИЗИКАЛЫҚ МАТЕРИАЛТАНУҒА КІРІСПЕ» КУРСЫНЫҢ МІНДЕТТЕРІ

Берілген қасиеттері бар материалдарды жасап шығаруда оның қасиеттері қандай факторларға және қалай, қандай шамада тәуелді, қалай және қандай шамада басқаруға болатыны туралы толық түсініктер қажет.

Материалдардың қасиеттері көптеген қасиеттерге тәуелді және көбінесе химиялық байланыстар сипаттамалары, материалдардың фазалық күйлері, түрлері, қоспаның концентрациясы мен сипатталарымен анықталынады. Материалдардың қасиеттеріне өте күшті әсер ететін атомдық құрылымның ақаулары, олардың өзара және қоспа арсындағы байланыстар.

Қатты денелердегі, әсіресе металдардағы құбылыстар мен қасиеттерді түсіндірудің екі жолы бар:

  • макроскопиялық немесе феноменологиялық;
  • микроскопиялық немесе аномистикалық.

Макроскопиялық түсіндіруде қатты дене оның ішкі құрылысының детализациялануынсыз біртегіс орта ретінде қарастырып, түсіндіреді. Материалдардың кедергісімен және басқа ғылымдармен жақындауға негізделінген.

Микроскопиялық жақындауда қатты денелердің қасиетін баяндау және суреттеу оны құрайтын бөлшектердің, яғни атомдық деңгейіндегі, өзара әсерлесулерінің заңдылықтарына негізделінген. Бұл жақындауда құрылым-қасиет тізбегі жүзеге асырылады. Микроскопиялық жақындау бүгінде қатты денелердегі құбылыстар мен қасиеттерді бақылаудың интерпретациясындағы жалғыз салмақты ғылыми жақындау болып табылады.

Жалпы жағдайда, белгіленген қасиеттері бойынша материалдарды жасап шығаруда келесі логикалық жүйелілікті (реттілікті) орындауды қамтамасыз ету керек:

Технология → атомдық құрылым → (энергетикалық спектр) → физика-химиялық қасиеттер → технология.

Материалтанудағы зерттеу объектісі табиғатта кездеспейтін, яғни монокристалдары жоғары дәрежеде тазаланған жартылай өткізгіштердің, яғни өңделген материалдар болып табылады.

Физикалық материалтанудың теоритикалық негіздеріне мыналар қатысты:

  • Менделеевтің периодтық заңдылығы;
  • Термодинамика заңдары;
  • Химиялық байланыстар теориясы;
  • Қатты денелердің аумақтық теориялары;

- Атомдардың орналасуындағы жартылай өткізгіштер мен диэлектриктердің құрылымданудағы жақын реттіліктің орналасу рөлі (ең алғаш А. Ф. Иоффемен құрылымдалған) .

Материалтану ХІХ ғасырдың ортасында пайда болды. Материалтанудың негізін қалаған, жетекші ғалымдар бұл - Аносов (1797-1831жж) және Чернов (1839-1921жж) . Жартылай өткізгіштер материалтануы академик А. Ф. Иоффенің басқаруымен ХХ ғасырдың 30-40 жылдары құрылымданды.

20 жылдары АҚШ-та сигнетик тұздардың сегнетоэлектрлік қасиеттері ашылған болатын.

1944 жылы КСРО академигі Вул барий титанатының (BaTi) сегнетоэлектрлік қасиеттерін ашты.

1948-49 жж. АҚШ-та Бардин, Шокли және Брайтейн - алғашқы транзисторды жасап шығарды.

40 жж. . басында АҚШ-та алғашқы атомдық реактор шығарылған.

1950 ж - Тилл және Литл приборлық тазалықта алғашқы монокристалл алған болатын.

1958 ж. - АҚШ және КСРО дислокациясыз кремнийдің алуын мерекелеген болатын.

1958-60 жж. . - жаңа матриалдардың құрылымдануын талап еткен космостық техниканың дамуы.

1960 жж. . - КСРО-да - Галлий арсениді (GaAs) негізіндегі алғашқы қатты денелі лазерлік генератор жасалды(Басов, Наследов, Рывкин) .

1950 жж. . - КСРО-да - халькогенидті шынытәріздес жартылай өткізгіштердің ашылуы ХШЖ (Коломиец, Горюнова) .

1975 жж. . - АҚШ-та алғаш рет аморфты кремниймен (а-Si) және кейінірек аморфты гидрогенизирленген кремний (а-Si:Н) қабыршақтары алынды (Спир, Ле Комбер) .

1960-1970 жж. . - гетероқұрылымды технологиялы және теориялар құрылды (Ж. И. Алферов) .

1970 жж. . - АЖИМ -аса жоғары интегралдық микрожүйелер жасалынуы.

1980 жж. . - жоғары торлардың ашылуы (суперрешетка) .

1990 жж. . - кванттық нүктелер мен кванттық шұңқырлардың лазерлердің құрылуына бастапқыда қызмет еткен, қатты денелердегі квантты-өлшемді эффектілердің ашылуы.

Қазіргі уақытта жаңа материалдарды зерттеу интенсивті түрде жүргізілуде және жаңа технологиялар мен кұралдар өңделіп жасалуда: композиттер, полимерлер, аморфты металдар; ұнтақты металллургия, радиациялы технология, жоғары температуралы асқын өткізгіштік; конструкциялы материалдар; фуллерендер, нанотүтікшелер, наноөткізгіштер; наноматериалдардағы құрылғыларды қайта жасау.

1. 1-суретте ғылымдағы материалтанудың жалпы құрылымдық жағдайы көрсетілген.

1. 1-сурет. - Ғылымдағы материалтанудың жалпы құрылымдық жағдайы

«Физикалық материалтануға кіріспе» курсында негізгі мәселе болып материалдардың қасиеттері және құрылымы, құрамы арасындағы тәуелділіктерді қарастыру, материалдардың әртүрлілігі және олардың қолдану аймағын, қасиеттерді құрылымдау тұрғысынан білімді жетілдіру, термиялық, химиялық-термиялық және басқа да біріктіру әдістері мен өңдеуді оқып үйрету.

1-ТАРАУ. ЖАРТЫЛАЙ ӨТКІЗГІШТЕРДІҢ, ДИЭЛЕКТРИКТЕРДІҢ ЖӘНЕ МЕТАЛдардың НЕГІЗГІ ФИЗИКАЛЫҚ ҚАСИЕТТЕРІ

§ 1. Жалпы жағдайы

Металл, диэлектрик және жартылай өткізгіштердің негізгі физикалық қасиеттері материалдардың қасиеттерінен құрам мен алу технологиясының әсер ету заңдылықтарын жеңілдетіп түсіндіру үшін мақсатты түрде қарастырылады.

Практикалық қызығушылығы көп материалдардың қасиеті, сондықтан жартылай өткізгішті электротехникада қолданылатын неғұрлым маңызды материалдар үшін қасиеттерді қарастырамыз. Бұл қасиеттер тобын келесі үлгілермен классификациялауға болады.

1. 1-кесте. - Жартылай өткізгіштердің, диэлектриктердің және металдардың негізгі физикалық қасиеттері

Қасиеттер класы
Аталған қасиет класындағы негізгі құбылыстар мен процестер
Қасиеттер класы: 1. Электрлік қасиеттер
Аталған қасиет класындағы негізгі құбылыстар мен процестер: Заряд тасымалдаушылар қозғалысы мен олардың өзара және ортамен әсерлесуі
Қасиеттер класы: 2. Электрооптикалық қасиеттер
Аталған қасиет класындағы негізгі құбылыстар мен процестер: Оптикалық сәулелердің генерациясы мен тіркеуі (қармалуы), орта мен түрлі өрістермен өзара әсерлері, электрлік және оптикалық дабылдарды өзара түрлендіруі
Қасиеттер класы: 3. Электроакустикалық қасиеттер
Аталған қасиет класындағы негізгі құбылыстар мен процестер: Акустикалық тербелістердің генерациясы мен тіркелуі (қармалуы), электромагнитті энергияның серпімді толқынға түрленуі
Қасиеттер класы: 4. Магниттік қасиеттер
Аталған қасиет класындағы негізгі құбылыстар мен процестер: Магнетизм түрлерінің пайда болуы. Магнитті моменттердің электрондармен, қозғалатын электрлік зарядтармен және ортамен өзара әсерлесулері.
Қасиеттер класы: 5. Жылулық қасиеттер
Аталған қасиет класындағы негізгі құбылыстар мен процестер: Атомдар тербілісі (фонондар қозғалысы), олардың бір-бірімен және ортамен әсерлесулері
Қасиеттер класы: 6. Механикалық қасиеттер
Аталған қасиет класындағы негізгі құбылыстар мен процестер: Серпімді және пластикалық деформация

Жалпы жағдайда материалдар қасиеттері 3 сипаттамаға тәуелді:

1. Химиялық байланыстар табиғатына;

2. Химиялық құрам және фазалық күйге;

3. Атомдық құрылымдардың туынды дәрежесіне.

Құрылымдық ақаулардың қасиеттеріне эффективті әсері бойынша қасиеттерін былай топтауға болады:

а) құрылымдық - сезімтал емес қасиет - табиғатымен және химиялық байланыс беріктігімен анықталынатын құрылымдық дефектілерге практикалық түрде тәуелсіз немесе аз мөлшерде тәуелді;

б) құрылымдық сезімтал қасиет - құрылымдық ақаулардың әсерінен, олардың түрлері және концентрациясы әсерінен айтарлықтай өзгеріске ұшырайды. Бұл қасиеттер бөлшектер немесе квазибөлшектердің - атомдар, электрондар, фонондар, дәннің шегі, магнитті және электрлік домендер және т. б. орын ауыстыруымен күшті өзгеріп отырады.

§ 2. Электрлік қасиеттер

Барлық дерлік материалдар белгілі бір дәрежеде электр тогын өткізеді, яғни электрөткізгіштікке ие. Осы тұрғысынан материалдар өткізгіштер, жартылай өткізгіштер және диэлектриктер болып бөлінеді.

Физикада металдар немесе бейметалдар болып бөлінуі материалдардың электрлік кедергісінің тәртібімен анықталынады: металдарда ол электрондық бұлттардың құрылымдалуымен және Т → 0 К, ρ → 0 кезінде анықталынады. Ол бейметалдарда, яғни жартылай өткізгіштер мен диэлектриктерде Т → 0 К, ρ → ∞ кезінде анықталынады.

Электрфизикалық қасиеттері бойынша (меншікті электрлік кедергісі ρ )

негізгі үлкен 3 топқа бөлінуі мүмкін:

металдар: ρ = (10 -6 - 10 -4 ) ом*см,

жартылай өткізгіштер: ρ = (10 -4 - 10 10 ) ом*см,

диэлектриктер: ρ > 10 10 ом*см.

Бұл интервалдар шартты, әртүрлі факторлардың әсер ету салдарынан ρ мәнінің шекті мәні жабылып қалуы мүмкін. Жартылай өткізгіштердің меншікті электрөткізгіштігі металдар мен диэлектриктердің σ арасындағы аралық болып табылады.

Материалдардың электр тогын өткізу қабілеттілігі мен мүмкіндігі негізгі жағдайда: химиялық байланыс түрімен, тыйым салынған аумақтң енімен, еркін заряд тасымалдаушылардың түрлерінен, концентрациясы және қозғалғыштығымен қамсыздандырылған.

Электрлік қасиеттерін сипаттайтын негізгі параметрлер болып мыналар табылады: меншікті электр өткізгіштік γ (Ом -1 -1 ) ; меншікті электр кедергісі ρ (Ом*м) ; меншікті электр кедергісінің температуралық коэффициенті α ρ -1 ) .

Меншікті электр өткізгіштігі γ ток тығыздығы ј (А/м 2 ) осы токты тудыратын электрлік өрістің кернеулігін Е (В/м) байланыстырады, ол мына тәуелділікпен беріледі:

ј = γЕ (1. 1)

(Ом заңының дифференциалдық формасы) .

Меншікті электр кедергі- меншікті электрлік өткізгіштікке кері шама болып табылады:

(1. 2)

мұндағы γ-меншікті электр өткізгіштігі, [ γ ] = [См/м], (См - Сименс) .

Ток тығыздығы ј токты тасымалдаушы зарядқа е, оның санына n және өрістің кернеулігіне мына қатынаспен байланысты:

j = еnμЕ (1. 3)

мұндағы μ-заряд тасымалдаушылардың қозғалғыштығы, өріс бойымен бағытталған зарядталған бөлшектердің 1В/см кезіндегі дрейфтік жылдамдығына сандық тұрғыдан тең болады, [Е] = [1 В/см] ), [μ] - [см 2 / (В*с) ] . Заряд тасымалдаушылардың қозғалғыштығы химиялық байланыстардың түрінен тәуелді және әртүрлі заттар үшін мына шектерде құбылып отырады: 10-нан 10 5 [см 2 / (В*с) ] .

Электр өткізгіштің құрылымдық сезімталдылығы заряд тасымалдаушылар қозғалғыштығына құрылымдық шексіз мүмкіндіктің әсерінен туындайды. Материалдардағы заряд тасымалдаушылардың әртүлі тектерінің бар болуынан (электрон, кемтік, ион) электр өткізгіштік мына формуламен анықталынады:

γ = Σ en i µ i (1. 4)

бұдан шығатыны, берілген материал түрінің заряд тасымалдаушылардың электр өткізгіштігі олардың концентрацияларының электр өткізгіштігі олардың концентрациясы мен қозғалғыштығына тәуелді болып табылады.

Заряд тасымалдаушылардың қозғалғыштығы мынаған тең:

µ= = (1. 5)

мұндағы m * - тасымалдаушылардың эффективті массасы; l - еркін жүру жолының ұзындығы; v - заряд тасымалдаушылардың қозғалғыштығының жылулық жылдамдығы; τ - еркін жүру жолының немесе релаксация уақыты.

Онда (1. 6)

яғни электр өткізгіштік заряд тасымалдаушылар концентрациясына, олардың қозғалғыштығына, еркін жүру жолына тура пропорционал болса, эффективті массасына кері пропорционал болады. Электронның еркін жүру жолының ұзындығы 10 -6 < l см < 10 -5 және одан аз аймақтар шегінде табылады, атомдардың жылулық тербелуінің немесе атомдардың бей-берекет қозғалуларының әсерінен туындаған, матрицалықтан ерекшеленген (статикалық бұрмаланумен) атомдық радиуспен басқа текті атомдардың араласуынан туындаған кристалдық, иондық сүйеуіштері өрісінің периодтық потенциалдары барынша күшті.

Бөлме температурасында азғындалмаған жартылай өткізгіштердегі электрондардың жылулық температурасы 10см/с-тең, ал металдарда, яғни электрондық газ азғындалған заттарда, жылдамдық шамамен ретке жоғары болады. Бұл жерден еркін электрондардың толқын ұзындығы де Бройль тәуелділігінен шығады:

(1. 7)

Жартылай өткізгіштерде шамамен алғанда 7*10 -7 см, ал металдарда бір ретке аз болып, 5*10 -8 см құрайды, яғни атомаралық қашықтықтағы сияқты реттіліктің мәні болып табылады. Бұдан шығатыны, электрондардың нүктелік дефекттер шашырауы металдарда, ұзартылған ақауларда (дислокацияда, аралық шегара мен дәндердің шегінде) - жартылай өткізгіштердегі өте күшті бейнеленген болуы керек.

Физикалық табиғатына сәйкес заряд тасымалдаушыларды электр өткізгіштік түріне қарай негізгі екі түрге ажыратады: электрондық және иондық.

Электрондардың электр өткізгіштігі таза электронды (металдарда), таза кемтікті және аралас, яғни электр өткізгіштік электрондар сияқты рөл атқарғанда, сондай-ақ кемтікті (жартылай өткізгіштер) иондық өткізгіштік катионды, анионды және аралас болуы мүмкін.

Электронды электр өткізгіштігі қасиетке металдар, жартылай өткізгіштер және диэлектриктер ие болады.

Диэлектриктерде электронды электр өткізгіштік тек өте жоғары кернеуліктер (ойылуға жақын) кезінде ғана байқалады.

Ионды электр өткізгішті сұйық электролиттер және ионды кристалдардан (сілтілі-галоидты және т. б. ) байқауға болады. Иондық электр өткізгіштің айтарлықтай маңызды ерекшелігі оның заттардың тасымалдануы арқылы өтуінен болып табылады.

Электр өткізгіштік температурадан, қысымнан, сәулелендіруден, қоспа қосудан тәуелді болып келеді. Жартылай өткізгіштердің әртүрлі әсер етулердің түрінен ұшқыр тәуелділігі оларда датчик сапасында кең көлемде қолданылуында жатыр.

Жартылай өткізгіштерде температураның жоғарлауымен және басқа да әсер ету түрлерінің әсерінен заряд тасымалдаушылардың қозғалғыштығына металдардікіне әсер еткендей әсер етеді, бірақ сонымен қатар осы кезде тасымалдаушылар концентрациялары артады, тыйым салынған аумақтың ені және басқа да сипаттамалары өзгеруі мүмкін. Бұл өзгерістер жартылай өткізгіштердің меншікті кедергісін заряд тасымалдаушылардың қозғалғыштығының өзгерісіне қарағанда күштірек әсер етеді. Сондықтан жартылай өткізгіштердегі меншікті кедергінің температураға тәуелділігі айтарлықтай күрделі сипатқа ие.

Меншікті кедергіге ρ деформацияның әсері материал табиғатына, деформация түріне - серпімді немесе пластикалық, тәуелді. Пластикалық деформация кезінде ρ меншікті кедергіге түр, концентрация және құрылымдық ерекшеліктердің таралу сипаттамасы әсер етеді. Серпімді деформация әсер еткендегі жартылай өткізгіштердің ρ өзгерісі - механикалық кернеуліктер датчиктерде қолданатын тензорезистивті эффектіні қамтамасыз етеді. Пластикалық деформация және сәулелендіру заряд тасымалдаушылардың концентрациясын ұлғайтып, сонымен қатар қозғалғыштықты төмендетеді, көбінде бірінші эффектке болады да, ρ төмендейді.

Тұрақты көлденең қимасы S, кедергіге R және ұзындыққа l ие заттар үшін ρ төмендегі формула бойынша анықталынады:

(1. 8)

Электр өткізгіштік теориясымен келісе отырып, γ келесі фомуламен өрнектелген болар еді:

(1. 9)

мұндағы q және m - сәйкесінше заряд тасымалдаушылардың заряды мен массасы (өткізгіштердегі электронның, жартылай өткізгіштердегі электрондар мен кемтіктердің, диэлектриктердегі иондардың) ; және λ - заряд тасымалдаушылардың еркін жүру жолының жылдамдғы мен ұзындығы; n - заряд концентрациясы, яғни көлем бірлігіндегі оның мөлшері.

Меншікті электр өткізгіштіктің өзгерісі, сәйкесінше, меншікті электр кедергісінің өзгерісі реалды материалдарда концентрация мен заряд тасымалдаушылардың еркін жүру жолдарының өзгерісімен байланысты.

Электр өрсінің әсеріне заряд тасымалдаушылар үдеуге ие болады, ал олардың жылдамдығы өріс кернеулігіне пропорционал болады:

(1. 11)

осыдан

γ =qnu (1. 12)

Электр өткізгіштіктің өлшемі кристалдық тордың мүлтіксіздігі - құрылымдық ақаулармен фонондардағы тасымалдаушылардың шашырауына күшті тәуелді. Шашыраудың нәтижесінде заряд тасымалдаушылардың қозғалғыштығы, жылдамдығы, еркін жүру ұзындығы азаяды. Оңашаланған атомның электрондары қатаң анықталынған энергияның дискретті мәндеріне ие болады. Қатты денелердегі атомдардың жақындауы әсерлесуінен атом деңгейлерінің энергетикалық аумақтардағы олардың бірігуі өтеді (1. 2-сурет) .

Е Өткізгіштік аумағы Е с

Тыйым салынған

аумақ

Валенттік аумақ

1. 2-сурет. - Қатты денелердегі энергетикалық аумақтар

Заряд тасымалдаушылар қатысуы мүмкін болатын энергетикалық аумақтар рұқсат етілген аумақ деп аталынады. Заряд тасымалдаушылар қатыса алмайтын энергия бойынша деңгейлер - тыйым салынған аумақ деп аталынады. n атомдардан тұратын қатты дененің құрылуы кезінде атомдардың дискретті деңгейлері рұқсат етілген энергия аумақтарына тармақталады және олар өзара аумақтар аралық тыйым салынған энергия аумақтарына бөлінеді.

Атомның дискретті дейгелеріндегі электрондардың максимальді мәні мынаған тең:

Деңгейлер
s
p
d
f
Деңгейлер: Электрондар саны
s: 2
p: 6
d: 10
f: 14

Металдарда энергия бойынша ең жоғары аумағында энергетикалық күйі бойынша рұқсат етілген, толықтырылмаған бөлігінен ажыратып тұрады.

Валентттік электрондар деңгейінің тармақталуы n бойынша түзілетін энергетикалық аумақ валенттік аумақ деп аталынады. Осыдан кейінгі энергия бойынша рұқсат етілген аумақ - өткізгіштік аумақ Е с деп аталынады. Осы екі аумақтың арасында тыйым салынған аумағы Е g орналасқан. Егер электрон тыйым салынған аумақ енінен үлкен энергияға ие болса, ол валентті аумақтан өткізгіштік аумағына өтеді және электр өткізгіштікке қатыса алады. Қатты дененің аумақтық теория бойынша металдардың бейметалдардан айырмашылығы жоғары (ең соңғы) энергетикалық аумақтың толтырылуымен сипатталады. Металдардың ең маңызды ерекшелігі олардағы электрондардан құралған ең жоғарғы энергетикалық аумақ (өткізгіштік аумағы) бос деңгейлерге ие болу болып табылады. Диэлектриктер мен жартылай өткізгіштерде төменгі температуралар кезінде (0К-ге жақын) толығымен электрондармен толтырылған жоғары энергетикалық аумақ (валенттік аумақ) келесі - бос рұқсат етілген аумақпен (өткізгіштік аумақ) тыйым салынған аймақ Е g тыйым салынған аумақпен бөлінеді (ажыратылады), мұнда электрондардың энергетикалық деңгейлері болмайды. Аумақтық теория көзқарасынан жартылай өткізгіштер мен диэлектриктер арасында айырмашылық шартты: диэлектриктер мен жартылай өткізгіштердегі валенттік аумақ пен өткізгіштік аумақты бөліп тұратын Е g мәні мынаған тең:

Е g (п/п) = ≤ 2 эВ,

(1. 13)

Е g (диэл. ) = ≥ 2 эВ

Сондай-ақ саңылаусыз жартылай өткізгіштер де бар, оларда Е g =0, мысалы HgTe және HgSe.

... жалғасы

Сіз бұл жұмысты біздің қосымшамыз арқылы толығымен тегін көре аласыз.
Ұқсас жұмыстар
Жұмыстың және жұмысшы мамандардың бірыңғай тарифті-біліктілік анықтамалығы
Нанотехнология дегеніміз не?
Мырыш(іі) және кадмий(іі) унитиолатты комплексінің термиялық ыдырау процесінің кинетикалық және термодинамикалық заңдылықтарын зерттеу
ӨДТ құралдары - дене шынықтырудың қарапайым құралдары
Физикалық зертханалық жұмыстардың міндеттері
Мектеп жасына дейінгі балалар үшін гимнастиканың маңызы
Мектеп жасына дейінгі балалар үшін таңертеңгілік гимнастиканың маңызы
Зертханалық жұмыстарды ұйымдастыру
Физикалық практикумның мақсаты
Физикалық шама бірліктері жүйесі
Пәндер



Реферат Курстық жұмыс Диплом Материал Диссертация Практика Презентация Сабақ жоспары Мақал-мәтелдер 1‑10 бет 11‑20 бет 21‑30 бет 31‑60 бет 61+ бет Негізгі Бет саны Қосымша Іздеу Ештеңе табылмады :( Соңғы қаралған жұмыстар Қаралған жұмыстар табылмады Тапсырыс Антиплагиат Қаралған жұмыстар kz