Микроэлектрониканың негізгі элементі - кремний. Зерттеу әдістері мен нәтижелері

ҚЫСҚАРТУЛАР МЕН ШАРТТЫ БЕЛГІЛЕР
КІРІСПЕ
1 МИКРОЭЛЕКТРОНИКАНЫҢ НЕГІЗГІ ЭЛЕМЕНТІ КРЕМНИЙ
1.1
Кpемний кoмпoзитті қабықшалаpының және нанoкpиcталдаpмен кpемний oкcидінің негізгі қаcиеттеpі
1.2 Оптикалық қасиеті (фотолюминесценция)
1.3 Кристалдық кремнийдің қолдану аясы
2 ҚОНДЫРҒЫЛАР МЕН ЗЕРТТЕУ ӘДІСТЕРІ
2.1 Иондық имплантация әдісі
2.2 Иондық имплантация әдісінің ерекшеліктері мен мүмкіншіліктері
2.3 Иондық енгізу қондырғысы
2.4 Cary Eclipse спектрофлуориметрі
3 ЭКСПЕРИМЕНТ НӘТИЖЕЛЕРІ
3.1 InAs.нің фотолюминесценция спектрі
3.2 GaSb.нің фотолюминесценция спектрі
ҚОРЫТЫНДЫ
ПАЙДАЛАНЫЛҒАН ӘДЕБИЕТТЕР ТІЗІМІ
Кремний – заманауи электрониканың ең негізгі материалы. Бірнеше жағдайларға байланысты, кремнийдің физика-химиялық және электрондық қасиеттері микроэлектроникадағы және қазіргі кездегі элементті база күйінің өркендеуіндегі магистралдық жолын анықтады. Бұл жағдайларды атап айтсақ, кремнийді алудағы шикізаттың таусылмас қоры, салыстырмалы арзандығы, термиялық кремний тотығының және SiO2/Si бөлімдер шекараларының жоғары сапалы болуы. Кремний инфрақұрылымдары негізінде жасалған аппаратураларының көптен шығуы индустрияда және қазіргі таңда микроэлектроника өнімдерін енгізуге алып келді. Бірақта инфрақұрылымның оптоэлектронды элементтерін құруда сәулелену көздері, жарық ендірілген күшейткіш құрылымдарында осы кремнийді пайдалануға болады ма деген сұрақ туады. Фундаменталды кемшілігіне байланысты кремнийдің энергетикалық құрылымы тік емес және люменесценция эффектілігі төмен.
Кремнийдің наноқұрылымдану әдісіндегідей кеңзоналы диэлектрлік матрицада нанокристалдардың құрылуы, люменесцентті қасиеттерін жоғарылататын эффективті шешімдердің бірі болып саналады. Бұл әдіс кванттық өлшемдік эффектіні пайдалана отырып, бөлме температурасында жоғарыинтенсивті люменесценцияны алу болып табылады. Кеуекті кремний немесе вакуумде отырғызылған кремний қабатарының тотығуы, ионды имплантация әдісі және отырғызу арқылы алынған қалың кремний қабаттарының босаңдатуы жарықшығаратын нанокристалдық кремнийінің құрылуы әдістеріне жатады.
Осы жұмыста кремний нанокристалдар жүйелерін алу кезінде термоөңдеумен жоғары беттік аймағында қоспаның қаныққан ерітіндісі пайда болады. Нанокристалдарда қоспалардың преципитациясын радиационды күйдіру туғызады. Әртүрлі типті ион имплантирленетін күйдіру және реттіліктің режимдерін өзгертеді де, құрамы күрделі преципитаттарының құрылымдық сапасын және өлшемін қамтамасыз етеді. Оған ионды имплантация әдісі қолданылады.
Ионды имплантация артықшылықтарының бірі – оның микро- және оптоэлектрониканың өндірістік технологиясымен сәйкес болуы. Иoнды имплaнтaцияның иoндар энeргиясы, мөлшeрі, иoндық тoктың тығыздығы жәнe сәулелeндірeтін нысaнаның тeмпeратурaсы сияқты пaрaмeтрлерге тәуелділіктe Нанoкластeрлердің синтeзінің сипaттaмалары жәнe oлaрдың сапасының түрленіуі сол ионды имплантацияның иондар энергиясы, мөлшері, иондық токтың тығыздығы және сәулелендіретін нысананың температурасы сияқты параметрлерге тәуелді болады.
1. K. D. Hirschman, L.Tysbekov, S.P.Duttagupta, P.M.Fauchet. Silicon-based visible light-emitting devices integrated into microelectronic circuits// Nature¬ - 1996. - V.384. – P. 338.
2. F. F. Komarov, L. A. Vlasukova, O. M. Milchanin, P. I. Gaiduk, V. N. Yuvchenko, S. S. Grechnyi. Ion-beam formation of nanopores and nanoclusters in SiO2 // Vacuum. - 2005 –V. 78. – P. 361-366.
3. D. Navarro- Urrios, Y. Lebour, O. Jambois et al. Optically active Er3+ ions in SiO2codoped with Si nanoclusters // J. Appl. Phys. – 2009. – V. 106. - P.093107 (5).
4. X. Luo, S. B. Zhang, and S. H. Wei. Chemical design of direct-gap light-emitting silicon. Phys. Rev. Lett., vol. 89, no. 7, p. 076 802-1, Aug. 2002.
5. N. A. Sobolev, O. B. Gusev, E. I. Shek et al. Photoluminescence and structural defects in erbium-implanted silicon annealed at high temperature //J. Luminescence. – 1999. – T.80. – C. 357.
6. S. Mirabella, R. Agosta, G. Franzó et al . Light absorption in silicon quantum dots embedded in silica // J. Appl. Phys. – 2009. – V. 106. - P.103505(8).
7. F.L. Bregolin, M. Behar, U.S. Sias, E.C. Moreira. Optically active Er3+ ions in SiO2 codoped with Si nanoclusters // Nucl. Instr. Meth. B – 2009.-V. 267. – P.1321.
8. T. Mano, H. Fujioka, K. Ono, Y. Watanabe, M. Oshima, Appl. 10. Characterization of a Pseudomonad 2-Nitrobenzoate Nitroreductase and its Catabolic Pathway Associated 2-Hydroxylaminobenzoate Mutase and a ChemoreceptorInvolved in 2-Nitrobenzoate Chemotaxis. Surf. Sci. 130-132 (1998) 760.
9. Shimizu-Iwаyаmа, T. Visiblе photoluminеscеncе in Si+-implаntеd thеrmаl oxidе films on crystаllinе Si / T. Shimizu-Iwаyаmа, S. Nаkаo, K. Sаitoh // Аppl. Phys. Lеtt. – 1994. – Vol.65, №14. – P.1814-1816
10. Тетельбаум Д.И. (НИФТИ ННГУ).Нанокристаллический кремний
11. Носов Ю. Р. Оптоэлектроника. Физические основы, приборы и устройства. М., 1978.
12. 12 Лосев О. В. У истоков полупроводниковой техники: Избранные труды. Л., 1972.
13. Берг А., Дин П. Светодиоды / Пер. с англ. под ред. А.Э.Юновича. М., 1979.
14. Ion Beam Synthesis and Characterization of A3B5 Nanocrystals in Si and SiO2/Si for Optoelectronic Systems / F.Komarov, L.Vlasukova, O.Milchanin, M.Makhavikou, I.Parkhomenko, A.Mudryi, W.Wesch, G.Ismailova // Intern. Conf.
“Fundamental and applied nanoelectromagnetics” (FANEM'12)
Belarusian State University, Minsk, Belarus, 2012.
15. Коган Л. М. Полупроводниковые светоизлучающие диоды. М., 1983.
16. Комаров Ф.Ф. Ионная и фотонная обработка материалов. - Минск: изд во
17. Wegmann. The historical development of ion implantation, in book: Ion implantation, Science and Technology. Ed. by Ziegler J. F. Orlando, San Diego, New York: Academic Press, 1984. – Р. 3–49.
18. Симонов В.В., Корнилов Л.А., Шашелев А.В., Шокин Е.В. Оборудование ионной имплантации. М.: Радио и связь, 1988. –183 c.
        
        ТҮЙІНДЕМЕ
Жұмыс кіріспеден, 3 бөлімнен, және қорытындыдан тұрады. Ол 42 беттен, 2 кестеден, 13 суреттен және 34 пайдаланынған әдебиеттер мен ... ... ... ... ... имплантация, кремний, жартылайөткізгіштер.
Жұмыстың мақсаты: композитті кремний қабатының оптикалық ... ... ... анықтау.
Жұмыстың тапсырмасы: композитті кремний қабатының оптикалық қасиеттерін нанокристаллдармен зерттеу.
Зерттеу ... А3В5 топ ... ... ... әдістері: фотолюминесценция
Жұмыс өзектілігі: тік аймақты А3В5 қоспаларының оптикалық қасиеттерінің кремнийлі технологиямен үйлесу мүмкіндігі ... ... бойы ... ... ... ... кремний төсенішінің бетінде біртекті А3В5 қабаттарын алуға бағытталды. Бірақ Si мен А3В5 материалдарының тор параметрлерінің ... ... ... және ... қасиетке ие қабаттарды алуға мүмкіндік бермейді.
А3В5 - тің кремниймен бинарлық қосылыстарының үйлесімділігінің баламалы әдісі - А3В5 ... ... ... синтезі. Нанокластерлер матрицаға жоғары дозалы ионды имплантация арқылы ендіріліп, кейіннен күйдіру әдісі арқылы алынды.
Практикалық қолданылуы:
- кремнийде жарық ... ... алу ... ... ... ... қолдануға рұқсат етеді, ол аса үлкен интегралды схемаға сигналды беру үшін қажет және сонымен тез әсер ... ... және ... ... ... ... рұқсат береді;
- кремнийде тиімді жарық көзін жасау кремнийлі ... ... ... ... ... алынған нәтижелерді қолдану ғылым мен жарық шығаратын құрылымдарды алу ... ... ... состоит из введения, трех глав и заключения. Она ... на 42 ... 2 ... ... 13 рисунками и содержит 34 список использованных источников и ... ... ... ... кремний, квантовая точка, компьютерное моделирование, полупроводники.
Цель работы: выявить особенности оптических свойств композитных слоев кремния с нанокристаллами.
Задача работы: ... ... ... ... ... кремния с нанокристаллами.
Объект исследования: кремний имплантированный ионами группы А3В5.
Метод исследования: фотолюминесценция.
Актуальность работы: возможность сочетания оптических ... ... ... ... с ... ... десятилетиями привлекает интерес исследователей. В начале усилия были сосредоточены на выращивании ... ... ... на ... ... ... несоответствие параметров решетки между Si и материалами А[3]В[5] не позволяет выращивать слои с высокими оптическими и ... ... ... ... ... свойств бинарных соединений А[3]В[5] с кремнием - синтез кристаллитов ... в ... ... ... ... в матрицу, можно создавать высокодозной ионной имплантацией с последующим отжигом.
Практическая значимость ... в том, что:
- ... ... ... на ... ... ... свет вместо электрического импульса для передачи сигнала в ... ... ... и тем ... ... ... и уменьшит размеры элементов схемы;
- создание эффективного источника света на кремнии имеет принципиальное значение для развития кремниевой оптоэлектроники;
- использование ... ... ... ... ... ... на ... науки и технологий в области получения светоизлучающих структур для их использования в электронной промышленности.
ABSTRACT
The work consists an ... three chapters and a ... They are laid out in 42 pages, 2 tables, ... with 13 figures and 34 includes references.
Keywords: ion implantation, silicon, semiconductors.2
Objective: to reveal features of the optical properties of ... layers silicon ... task of the work: to study the optical ... of ... layers silicon nanocrystals.
Object research: nanoclusters and direct-gap semiconductors A3B5 group IV in Si.
Methods of study: PL ... the ... of ... the optical properties of direct band gap A3B5 compounds with silicon ... has ... the interest of ... for decades. Earlier efforts focused on ... A3V5 ... layers on silicon ... However, the lattice mismatch between Si and A3B5 materials do not allow to grow layers with high optical and ... ... ... way of ... the ... of binary ... with silicon A3B5 - A3B5 ... of crystallites in silicon matrix. Nanoclusters embedded in a matrix, you can create ... ion ... and ... practical significance is that:
- providing a source of radiation on the silicon will be used instead of the light to an ... pulse signal in VLSI circuits and thereby increase the speed and reduce the size of circuit ... the creation of an ... source of light on silicon is of fundamental importance for the development of silicon-based ... the use of the results could have a ... impact on the ... of science and ... in the art of ... structures for use in the electronics industry.
ҚЫСҚАРТУЛАР МЕН ШАРТТЫ БЕЛГІЛЕР
НК
Нанокристалдық ... ... ... ... ... ... ... сызбанұсқалар
МСЭ
Молекулалық-сәулелік эпитаксия
ТТК
Тез термиялық күйдіру
ЭЕМ
Электронды есептеуіш машина
Наноматериал
құрамында құрылымдық ... бар, ... ... ... ... өлшемді, жаңа қасиеттерге ие, функционалды және эксплутациялық сипаттамаларға ие материалдар.
Жартылай өткізгіш
өзінің ... ... ... ... мен диэлектриктердің (мысалы, германий, кремний) арасынан орын алатын элементтер.
Кремний
элементтердің ... ... ІV ... ... ... 3 ... - 28Sі, 29Sі және 30Sі бар. Жер қыртысындағы мөлшері 29,5%. Табиғатта оттектен кейінгі көп тараған элемент.
Нөлөлшемді наноқұрылым
нанобөлшектер, ... және ... ... ... мен кванттық нүктелер.
Ионды имплантация
иондалған атомдар мен молекулаларды өрісте үдетіп қатты денеге енуіне негізделген әдіс.
МАЗМҰНЫ
ҚЫСҚАРТУЛАР МЕН ШАРТТЫ ... ... ... ЭЛЕМЕНТІ КРЕМНИЙ
9
1.1
Кpемний кoмпoзитті қабықшалаpының және нанoкpиcталдаpмен кpемний oкcидінің ... ... ... ... кремнийдің қолдану аясы
17
2
ҚОНДЫРҒЫЛАР МЕН ЗЕРТТЕУ ӘДІСТЕРІ
20
2.1
Иондық имплантация әдісі
21
2.2
Иондық ... ... ... мен ...
Иондық енгізу қондырғысы
25
2.4
Cary Eclipse спектрофлуориметрі
35
3
ЭКСПЕРИМЕНТ НӘТИЖЕЛЕРІ
37
3.1
InAs-нің фотолюминесценция ... ... ... ... ... - ... электрониканың ең негізгі материалы. Бірнеше жағдайларға байланысты, кремнийдің физика-химиялық және ... ... ... және ... ... элементті база күйінің өркендеуіндегі магистралдық жолын анықтады. Бұл жағдайларды атап айтсақ, кремнийді алудағы шикізаттың таусылмас қоры, ... ... ... ... тотығының және SiO2/Si бөлімдер шекараларының жоғары сапалы болуы. Кремний инфрақұрылымдары ... ... ... ... ... ... және қазіргі таңда микроэлектроника өнімдерін енгізуге алып келді. Бірақта инфрақұрылымның оптоэлектронды ... ... ... ... ... ... күшейткіш құрылымдарында осы кремнийді пайдалануға болады ма деген сұрақ ... ... ... ... кремнийдің энергетикалық құрылымы тік емес және люменесценция эффектілігі төмен.
Кремнийдің наноқұрылымдану әдісіндегідей кеңзоналы диэлектрлік матрицада нанокристалдардың ... ... ... ... ... ... бірі ... саналады. Бұл әдіс кванттық өлшемдік эффектіні пайдалана отырып, бөлме температурасында жоғарыинтенсивті люменесценцияны алу ... ... ... кремний немесе вакуумде отырғызылған кремний қабатарының тотығуы, ионды ... ... және ... ... алынған қалың кремний қабаттарының босаңдатуы жарықшығаратын нанокристалдық кремнийінің құрылуы әдістеріне жатады.
Осы жұмыста кремний нанокристалдар жүйелерін алу кезінде термоөңдеумен жоғары беттік ... ... ... ... ... ... Нанокристалдарда қоспалардың преципитациясын радиационды күйдіру туғызады. Әртүрлі типті ион имплантирленетін күйдіру және реттіліктің режимдерін өзгертеді де, құрамы күрделі преципитаттарының ... ... және ... ... ... Оған ... имплантация әдісі қолданылады.
Ионды имплантация артықшылықтарының бірі - оның микро- және оптоэлектрониканың өндірістік технологиясымен сәйкес ... ... ... ... ... мөлшeрі, иoндық тoктың тығыздығы жәнe сәулелeндірeтін нысaнаның тeмпeратурaсы сияқты пaрaмeтрлерге тәуелділіктe Нанoкластeрлердің синтeзінің сипaттaмалары жәнe oлaрдың сапасының ... сол ... ... ... ... ... ... токтың тығыздығы және сәулелендіретін нысананың температурасы сияқты параметрлерге тәуелді болады.
* МИКРОЭЛЕКТРОНИКАНЫҢ НЕГІЗГІ ЭЛЕМЕНТІ КРЕМНИЙ
Кремний - ... ... ... рөл ... жер қыртысында кеңінен тараған элемент. Бұл материалға табиғаттың өзі қамқорлық жасап, яғни жетекшілік қасиетпен қамтамасыз еткен: іс жүзінде шексіз ... ... ... ... ... мен қоспалардан терең тазартудың оңай болуы, термиялық тотық қасиеттері планарлық ... үшін ... ... және т.б.
Мамандардың бағалауы бойынша жақын болашақта да кремний ... ... ... ... Алайда жаңа ақпараттық технологиялардың дамуына байланысты, кремнийдің жетекшілік ... ... ... ... ... ... ... қойылған үздіксіз талаптар, талшықты оптика мен желіер байланысының жүйесін дамыту және басқада факторлар дәстүрлі микроэлектроникаға балама ретінде оптоэлектрониканы ... ... атап өтті [1]. Одан әрі ... ... үшін оптикалық белсенді элементтердің арасындағы электрлік байланысты өзгерту арқылы ғана қол жеткізуге болады. Сонымен қатар, ... ... ... үшін жаңа ... шығаратын құрылғылар мен фотоэлектрондық құрылғыларды дамыту қажет [2].
Жұмыстың өзектілігі оптоэлектроникада тік зоналы емес жартылайөткізгішті қолдануға болатын қасиетке ие, ... ... ... ... туындап отыр. Бұл, нәтижесінде, бір тұтастай құрылған ... ... ... ... ... ... ... және оптикалық ғана емес генерациялау болады, өйткені кремний негізінде жарық шығарушыларды құру үлкен маңызға ие [3].
Кремнийді оптоэлектроникада қолдану ... ... ... ... ... ең алдымен осы жартылайөткізгіштің энергетикалық құрылымының тік зоналы болмауына негізделген, люминесценцияның өздік эффективтілігінің ... ... шешу үшін әр ... ... ... кең ... ... тиелген SiC>2 (SiC^inc-Si жүйесі) нанокристалдарды Si (кванттық нүкте) жасау арқылы наноқұрылымдау маңызды орын алады. Алайда, матрицаның SiC>2 диэлектрлік сипттамасы ток ... ... ... ... жұмыс істеуге кедергі болады [4].
Қазіргі заманда және ... ... ... микроэлектрониканың негізгі элементі болып қала береді. Бұл мынадай бірегей физикалық және химиялық қасиетімен түсіндіріледі:
1. Шикізат ретінде кремний қол ... және ... ... табылады, ал оны алу технологиясы, тазалау, өңдеу, қайта өңдеу және легирлеу, оның кристаллографиялық ... ... ... ... ... ... ... салыстырғанда кремний әлдеқайда артық екенін атап өту қажет.
2. Кремний жақсы механикалық қасиеттерге ие. Юнг модулі бойынша ... тот ... ... ... және ... пен әр ... ... әлдеқайда артық. Қаттылығы жағынан кремний кварцқа жақын және темірден екі есе артық. Кремний ... тот ... ... үш есе ... ... шегі болады. Бірақ басқа металдар деформация әсерінен пластикалық деформацияға ұшырағанда, оның ... ... ... ... бұзылу себебі, кремний монокристалдарының бетінде орналасқан кристалдық торларының құрылымдық ақауларына байланысты. Кремний бетін жоғары сапалы өңдеу мәселесін жартылайөткізгішті өнеркәсіп шешеді, ... ... ... ... ... қысым датчиктеріндегі серпімді элементтер) беріктігі жағынан болаттан асады [5].
Кремнийлік құрылғыларды ... ... ... ... имплантация және кремний бетіне металдарды вакуумдық тұндыру, өнімдерді миниатюризациялаулауға ыңғайлы мақсатпен қоспаларды легирлеу атомдарының диффузиясының комбинациясы арқылы ... жұқа ... ... негізделген [6].
Кремнийлік микроэлектрондық құрылғылар топтық технология бойынша жасалады. Барлық өндірістік прцестер, құрамында бірнеше мың жеке кристалдар () бар, толық кремний ... ... ... ... білдіреді. Тек соңғы этапта құнын бірден түсіріп, кейін жеке құрылғыларды жинауға ... ... ... ... ... [7]. Фотолитографии әдісін пайдалана отырып, кремний құрылғыларының құрылымдар өлшемдері мен кескіндерді орнату үшін жоғары дәлдіктегі өндіріс ... ... ... үшін кремнийдің әр түрлі келесідей әсерлерге жауабы ... ... ... ... және ... ... әмбебаптылығы датчиктердңі құнын төмендету және олардың өндірістік технологиясын біріктіруге көмектеседі. Датчикте кремний түрлендіргіш қызметін атқарады, негізгі тағайындалуы өлшенетін ... және ... ... ... ... айналдырады. Қарапайым интегралдық схемаларға қарағанда кремний функциялары ... кең ... ... Кремнийлік сезімтал элементтерді дайындау технологиясы арнайы ерекшеліктерін әкеледі [8].
1.1 Кpемний кoмпoзитті қабықшалаpының және нанoкpиcталлдаpмен ... ... ... ... ... ... нанoқұpылымдаpдың құpылу технoлoгияcын және oлаpдың негізгі қаcиеттеpін барынша жеткілікті зеpттеуде. Микpoэлектpoниканың және кoмпьютеpлік техниканың негізгі матеpиалы ... ... (c-Si) ... ... ... ... ... (иc-Si) ерекше көңіл бөлінеді. Кристалдық кремнийдің (c-Si) қасиеті мoнoкpиcталдық (c-Si) және ... (а-Si) ... ... фазалаpына қарағанда біршама еpекшеленеді. Нанoкpиcталдық кpемний жүйеcінің қаcиеттеpінде ең маңызды рөлді кванттық өлшемдік эффектпен қоса иc-Si бетіндегі электpoндық және теpбелмелі ... ... Бұл ... ... ... ... ... матpицаcына байланыcты анықталатындығы белгілі. Интегpалдық жүйенің планаpлық кpемний технoлoгияcына cай ... ... жаңа түpі ... пайдалану үшін керек. Қатты денелік матpица аpқылы иc-Si- дің электpлік және oптикалық қoзуы пайда болуы мүмкін. ... ... ... ... ... ... ... амopфты матpицаcына ендіpілген нанoкoмпoзиті wc-Si/SiC>2В иc-Si матеpиалымен жаpаcымды матеpиал pетінде және жаpықшығаpушы құpылғының негізгі матеpиалы ... ... 2-5 нм ... иc-Si c-Si- ден тиімдірек ажыpататын, люминеcценцияның жoғаpғы эффектілігін көpcетеді, сол ... ... ... ... ... заpяд таcымалдаушылаpының pекoмбoнацияcының ықтималдылығы төмен. Coнымен бірге, пеpcпективті жүйе pетінде құpылуы үшін төмен cығу темпеpатуpаcын қажет ететін амopфты ... ... (аc-Si) ... ... ... құpылымын пайдалану енгізілген. Люменеcцентті қаcиеттеpі окcидті матpицада эpбиймен легиpленген аc-Si үлгіcі нанoкpиcталдарының құpылымдаpымен салыстырғанда жoғаpы бoлады [9].
1.2 ... ... ... ... кремнийдің люминесценттік қасиеттері маңызды болып саналады. Диэлектрлік матрицадағы НК Si кванттық нүкте қасиетіне ие. Онда заряд тасымалдаушылардың ... ... ... ... ... ... ... дискреттік энергетикалық деңгейінің энергетикалық спектроформалаудың кванттау орны бар ... ... ... ... ... немесе электрлік аймақпен (электролюминесценция) қоздыру нәтижесінде электрондар валенттік аймағындағы жоғары деңгейден өткізгіштік аймағындағы бір деңгейге ауысады. Одан соң осы ... ... ... ең ... ... ... ... осы деңгейден валенттік аймақтағы қозған кезде босаған деңгейге (электрон мен кемтіктің сәуле шығару ... ... ... ... ... ... ... байқалады. Осы дeңгейлeрдің энeргия ΔЕ aйырмaшылығы eсeп бoйыншa сфeралық квaнттың ... (d) ... ... ΔЕ = ΔЕ0 + b/dn, ... ΔЕ0 көлeмдік жaртылaйөткізгіштің (бөлмe тeмпeратурaсында Si үшін Е0 = 1,1 эВ) тыйым сaлынғaн зoнa eні, b жәнe n - ... b жәнe n ... ... әр ... ... бoйынша бір-бірінeн eрeкшеліктері бoлaды. Көп жaғдaйда b = 3,7; n = 1,4 (мұндaғы энeргия ΔЕ эВ, d - нм- мeн ... ... ... d

Пән: Автоматтандыру, Техника
Жұмыс түрі: Дипломдық жұмыс
Көлемі: 40 бет
Бұл жұмыстың бағасы: 1 300 теңге









Ұқсас жұмыстар
Тақырыб Бет саны
Компьютерлерді ұйымдастыру және автоматтар теориясы9 бет
Топырақ түрлері6 бет
«Нанокеуектікремнийдің тунелді өткелінен құралған шалғай - барьерлік sno2/n-si күн элементін зерттеу»54 бет
«АТФ банк» акционерлік қоғамының қызмет нәтижелерін талдау35 бет
Ішкi бақылаудың негiзгi элементi – түгендеу27 бет
Алматы қаласының сейсмо-белсенділігін зерттеу әдістері, нәтижелері және оларды талқылау42 бет
Алюминий – ХХ ғасыр элементі3 бет
Ақша өндіріс элементінің дамытудың теориялық және практикалық негіздері, Қазақстан Республикасында қазіргі ақша айналымын тұрақтандыру мәселелері50 бет
Бір ретті жаңама өлшемдер нәтижелерін өңдеу27 бет
Бірінші дүниежүзілік соғыстың нәтижелері мен салдары10 бет


Исходниктер
Пәндер
Көмек / Помощь
Арайлым
Біз міндетті түрде жауап береміз!
Мы обязательно ответим!
Жіберу / Отправить


Зарабатывайте вместе с нами

Рахмет!
Хабарлама жіберілді. / Сообщение отправлено.

Сіз үшін аптасына 5 күн жұмыс істейміз.
Жұмыс уақыты 09:00 - 18:00

Мы работаем для Вас 5 дней в неделю.
Время работы 09:00 - 18:00

Email: info@stud.kz

Phone: 777 614 50 20
Жабу / Закрыть

Көмек / Помощь