Жарық сәуле шығаратын құрылым – ғылыми прогресс. Нанокомпозиттерді алу және зерттеу әдістері

Қазіргі таңда монокристалды кремний микроэлектрониканың негізгі материалы болып табылады, ал болжамалы келешекте бұл материал өлшемді кванттау эффектісін қолдану негізінде құралған жаңа бағыттың дамуына үлкен қызығушылық әкеледі. Бірақ жаңа бағыттың алғашқы қадамдарынан бастап кремний материалының бірқатар физикалық қасиеттері осы бағыттың дамуын шектейтіні айқын болды, мысалы фотоэлектроникада, элементтің сәулеленетін рекомбинация ықтималдығы төмен, себебі тасымалдаушылардың рекомбинация процессі кезінде тура ауысу тыйым салынған. Кейін келе кремний негізінде құрылымдарды жасауға арналған жаңа бағыттар, соның ішінде кванттыөлшемді, бұл қиындықты шеше алатыны және оның қолдану аясын лезде үлкейтетіні анықталды.
Соңғы кезде ғалымдардың еңбектері кванттық нүктелері (КН) бар жүйелерді жасауға негізделген. Бұл жүйелер жартылайөткізгішті матрицадағы наноөлшемді атомды кластерлер массиві түрінде болады. Энергетикалық күйдің дискретті спектрі бұндай кластерлерді атомдардың жасанды аналогтарына жатқызуға рұқсат береді, кластерлерде көп мөлшерде бөлшектердің болғанына қарамай. КН өлшемін, формасын және құрамын әртүрлі бақыланатын технологиялық әдістерді қолдана отырып өзгертсе, көптеген табиғи элементтердің аналогтарын алуға болады.
Наноэлектронды құрылғылар және құрылымдар жасау үшін бүгінгі таңда микроэлектроникалық технология айналасында жеткілікті түрде жақсы дайындалған әдістер қолданылады, оған молекулярлы-сәулелі эпитаксия, газ фазасынан отырғызу және ионды синтез жатады. Соңғы бағыт, болашағы көбірек болып саналады, бірақ технологиялық жетістіктер және теориялық оқылулар қазіргі уақытта жеткіліксіз.
Кванттыөлшемді құрылымдарды зерттеу үшін бірқатар әдістер тізімі қолданылады: сканирлеуші туннельді микроскоп (СТМ), атомды күшті микроскоп (АКМ), жарықтану электронды микроскоп (ЖЭМ), асажоғарывакуумды шағылдыратын электронды микроскоп (АЖВ ШЭМ).
Қазіргі уақытта КН негізінде жарықдиод, медициникалық бояғыштар, маңызды құжаттарды қорғау үшін көрінбейтін қара сия жасау үстінде. Осы күні Sony компаниясы КН базасында теледидар шығару туралы жария салды.
1 Lutskii V.V. //Phys. St.Sol.-1970.-V.1.-P.199-201.
2 Arakawa, Y. Multidimensional quantum well laser and temperature dependence of its threshold current/ Arakawa Y., Sakaki H.// Appl. Phys. Lett. – 1982. – V.40 (11). P.939-943.
3 Герасименко Н., Пархоменько Ю., Мир материалов и нанотехнологий. Кремний-материал наноэлектроники. Техносфера/Москва 2007.
4 Питер Ю., Кардона М. Основы физики полупроводников. – М.: Физматлит, 2002. – 560 с.
5 Tomassini N., d”andrea A., del Sole R.et al. // Phys. Rev. B – Solid State. 1995. V. 51. N 8. P. 5005 – 5012.
6 Debernardi A. // Ibid. 1998. V. 57. N 20. P. 12847 – 12858.
7 Tiong K. K., Amirtharaj P. M., Pollak F. H., Aspnes D. E. // Appl. Phys. Lett. 1984. V. 44. N 1. P. 122 – 124.
8 Asada m., Migamoto Y., Suematsu Y. // IEEE J. Quant. Electron. 1986. V. QE – 22. N 9. P. 1915 – 1921.
9 Weisbuch C., Vinter B. Quantum Semiconductor Structures, Fundamentals and Applications. – San Diego (CA) : Acaemic, 1991. – 252 p.
10 Singh J. In: Physics of Semiconductors and their Heterostructures. – N. Y. : McGraw-Hill, 1993. – P. 864.
11 Dingle R., Wiegmann W., Henry C. H. / / Phys. Rev. Lett. 1974. V. 33. N 14. P. 824 – 830.
12 Meynadier M. H., Delalande C., Bastard G. et al. / / Rhys. Rev B – Solid State. 1985. V. 31. N 8. P. 5539 – 5542.
13 Skolnick M. S., Tapster P. R., Bass S. J. et al. / / Semicond. Sci. Technol. 1986. V 1. N 1. P. 29 – 40.
14 Двуреченский А.В., Якимов А.И.//ФТП.2001.Т 35. Вып. 9. С. 513-522.
15 Алферов Ж.И.//ФТП.1998.Т.32.Вып.1.С.317.
16 Гапоненко С.В.//ФТП.1996.Т.30.Вып.4.С.577.
17 (Toyoda Gosey Corp.,2000).
18 Шуберт Ф.Е. Светодиоды/М.Физматлит,2008.-496с.
19 А.С. Леньшин, В.М. Кашкаров, П.В. Середин, Ю.М. Спивак, В.А. Мошников. Исследование электронного строения и химического состава пористого кремния, полученного на подложках n и p-типа методами XANES и ИК- спектроскопии// Физика и техника полупроводников, 2011, том. 45, вып. 9. с. 1229- 1234.
        
        КІРІСПЕ
Қазіргі таңда монокристалды кремний микроэлектрониканың негізгі материалы болып табылады, ал болжамалы келешекте бұл материал өлшемді ... ... ... ... ... жаңа ... ... үлкен қызығушылық әкеледі. Бірақ жаңа бағыттың алғашқы қадамдарынан бастап кремний материалының бірқатар физикалық қасиеттері осы бағыттың дамуын ... ... ... ... ... ... сәулеленетін рекомбинация ықтималдығы төмен, себебі тасымалдаушылардың рекомбинация процессі кезінде тура ауысу ... ... ... келе ... ... ... жасауға арналған жаңа бағыттар, соның ішінде кванттыөлшемді, бұл қиындықты шеше алатыны және оның қолдану аясын лезде үлкейтетіні анықталды.
Соңғы кезде ғалымдардың ... ... ... (КН) бар ... ... ... Бұл жүйелер жартылайөткізгішті матрицадағы наноөлшемді атомды кластерлер массиві түрінде болады. Энергетикалық күйдің дискретті спектрі бұндай кластерлерді ... ... ... ... ... береді, кластерлерде көп мөлшерде бөлшектердің болғанына қарамай. КН өлшемін, формасын және құрамын әртүрлі бақыланатын технологиялық әдістерді қолдана ... ... ... ... ... ... алуға болады.
Наноэлектронды құрылғылар және құрылымдар жасау үшін бүгінгі ... ... ... ... ... түрде жақсы дайындалған әдістер қолданылады, оған молекулярлы-сәулелі ... газ ... ... және ... синтез жатады. Соңғы бағыт, болашағы көбірек болып ... ... ... ... және ... ... қазіргі уақытта жеткіліксіз.
Кванттыөлшемді құрылымдарды зерттеу үшін бірқатар әдістер тізімі қолданылады: сканирлеуші туннельді микроскоп (СТМ), ... ... ... ... ... электронды микроскоп (ЖЭМ), асажоғарывакуумды шағылдыратын электронды микроскоп (АЖВ ШЭМ).
Қазіргі уақытта КН негізінде жарықдиод, медициникалық ... ... ... ... үшін ... қара сия ... үстінде. Осы күні Sony компаниясы КН базасында теледидар шығару туралы жария салды.
1 ... ... - ... ... ... ... макроскопиялық кремний, бүкіл электронды индустрияның негізін қалайды, бірақ осы жағдайға қарамастан ол жарықты оңдай жақсы абсорбцияламайды және бұдан да ... ... ... ... Осы жағдай жарықтың эмиссиясы қажет жерде кремний элементін таңдауды қиындатады. Егер кристалл өлшемін нанометрге дейін қысқартсақ, көп ... ... Si ... ... ... ... ... өте жарық люминесценция қасиетіне ие, оның түсі осы ... ... ... ... ... Осы ... Si ... квантты нүктелерден жарықдиодтарды және лазер көздерін шығаруда қызығушылық тудырады.
Рекомбинация кезінде ... ... ... ... ... ... Жақсы сәуле шығаратындарға AIIIBV типті тікаймақтық жартылайөткізгіштер (мысалы: GaAs немесе InP) және AIIBVI типті ... ZnSe ... CdTe) ... ... құрамын сараптай отырып, әртүрлі толқынды ультрафиолеттен (GaN) орташа инфрақызыл (PbS) диапазонға ... ... ... болады.
Жарықдиодтар, немесе жарық шығаратын диодтар (ағылшынша LED - light emitting diode) алдыңғы ... 60-шы ... ... болған. Олардың жарық ағыны өте әлсіз болған, тек қана 0,001 лм, ал түсі тек ... бола ... 1976 жылы ... ... - ... ... ... соңшалықты жарық оларды тіпті күн жарығында да көре алуға болатын еді. Бастапқыда олар тек аудио-, видеоаппаратурада және тұрмыс техникасында миниатюрлі ... ... ғана ... тек 1985 жылы ... ... ... 0,1 лм ден 1 - 100 лм үлкейген кезде ғана ... жеке ... ... элементтерін жасауда қолданылған болатын.
1990 жылы жартылайөткізгіштердің жарықберуі 10 лм/Вт жеткен болатын, және осы жағдай оларды қыздыру лампасының орының ... ... ... 1993 жылы Nichia компаниясы әлемдегі бірінші көк жарықдиодтарының индустриалды шығарылымын бастауға жол ... ... 2002 ... көк ... шаруашылығының бір бөлігі шаруашылықтың жалпы көлемінен 60 пайызға өсті. Ал америкалық компания Hewlett - Packard жарықдиодтарын 1 млн. сағат (120 жыл ... ... ... бойы ... ... ... ... жариялады. Сары, жасыл, қызыл - сарғылт түсті жарықдиодтарының жарық беруі 20 лм/Вт асып ... ... бәрі ... ... ... ... көздері ретінде әр түрлі облыстарда қолдануға әкелді: оларды бағдаршамда және активті жол белгілерінде, ... ... ... ... ... ... архитектурлы және декоративті жарықберу құрылғыларында т.б. Ең соңында жарық көзі жарықдиод болатын ... ... ... ... ... ... ... бар жартылайөткізгіштердің негізгі қасиеттері
Егер жартылайөткізгішті кристалдың өлшемін бірнеше ондыққа немесе кристалдағы жүздеген атомаралық арақашықтықа ... онда ... ... ... сипаттамалары өлшемді кванттау эффектісі әсерінен түбегейлі өзгеріске ұшырайды [1]. Кванттық нүкте бұл жартылай ... ... ... ... ... ... кіші ... бір иненің ұшында олар миллионнан кем болмайды. Өлшемді кванттаудың соңғы жағдайы үш өлшемде де заряд ... ... ... ... ... немесе "квантты нүкте" көлемді жартылайөткізгіш жағдайына қарағанда электронды спектрдің көкейтесті модификациясының мүмкіндігін береді. Теориялық есептеу ... ... ... ... ... ... орта ... қолданатын диодты лазерлер қазіргі уақытта кең қолданысқа ие квантты шұңқырдағы лазерлерге қарағанда жақсырақ қасиеттерге ие болуы керек [2]: ... ... ... (material gain), азайтылған табалдырықты ток тығыздығы, тор температурасына зердесіздігі, ... ... ... және ... ... квант энергиясын бақылау мүмкіндігі.
Кванттық нүктенің электронды спектрі тыйым салынған күй ... ... ... ... ... ... ... дегенмен бұл жағдайда реалды КН мыңдаған атомдардан құралғанымен, біртекті атомның электронды спектріне ұқсас болады. Электрон осы ... ... ... ... ... ... ... болады. Құрылғылы көзқарас бойынша, егер деңгейлер арасындағы қашықтық жылу ... ... ... үлкен болғанда, квантты нүктелердегі тасымалдаушылардың атомтектес электронды спектрі заманауи микро- және оптоэлектрониканың негізгі проблемасын шеше алады. Ол жоғарылатылған жұмыс ... ... ... алып келетін энергетикалық терезесіндегі κT тәртібімен заряд тасушылардың спектрінің "жайылуы". Материалды қолдануға қажет негізгі сипаттамалар, мысалы, сәулеленентін рекомбинация уақыты, электрондардың ... ... ... ... ... уақыты, Оже-рекомбинация коэффициенті т.б., квантты нүктенің өлшемі мен геометриялық ... ... ... ... ... КН ... ... шегі КН-де тым болмаса бір электронды деңгей болатын өлшеммен анықталады.
Оптоэлектрониканың құрылғыларында КН қолдану үшін, олар ішінде дислокациялар мен нүктелік ... ... ... Ал КН ... ... ... ... беттік рекомбинацияға ие болуы тиіс. Бұл жағдайлар КН алатын әдістерді артығырақ етеді. Лазерлерде жоғары модальды ... gain) ... үшін КН ... ... (~10 cм) ... ... ... нүктесі бар кристаллдардың аумақтық құрылымы
Кванттық нүктесі бар кристаллдардың ... ... ... [4] ... анық ... ... еркін заряд тасымалдаушысы блох толқыны тілінде суреттеледі, олар осының ішінде тарала алады. Енді ... ... деп ... блох толқынын шағылыстыра алатын, бір-бірінен L арақашықтықта орналысқан екі ... ұзын ... ... бар деп ойлайық. Онда осы толқындардың кеңістікті шектеулі екендігі байқалады. Толқындардың классикалық мысалы ... бір ... екі ... ... ... екі фиксирленген ұшы бар тербелмелі шек (струна) болып ... ... ... ... шектің нормальды тербеліс үлгісі ұзындығы λ шамасындағы төмендегі дискретті ... ... тік ... ... ... ... n= 1,2,3... ... классикалық мысал ретінде интерферометр Фаби-Перо болып табылады. Шеткі айналардағы көптеген ... ... ... түзе ... ... ... интерферометрі арқылы өтетін өткізу спектрінде арнайы толқын ұзындығында максимумдар мен минимумдар пайда болады. Егер резонатордың ішкі ... ... толы ... ... құрылымдық шарты (1.2.1) шамасы бола алады.
Өткізу минимумында ... ... ... деп ...
Эффективті массасы m* бар еркін бөлшек үшін, егер кристаллдағы z бағыты арқылы өтетін қозғалыс ... ... ... ... ... потенциялды энергиясы бар тосқауылдар), блох толқынының толқынды векторының κz рұқсат етілген мәні төмендегідей түрде болады:
κzn = =
(1.2.2)
осындағы n=1,2,3 ..., ал ... ... ... ... күйдің энергиясына қарағанда бір шама өлшемге өседі.
ΔE = = ... ... h - ... ... ... өсуі ... ... өлшемді кванттау энергиясы болып табылады. Өлшемдік кванттау энергиясы квант механикасындағы анықталмағандық принципінің салдары. Егер бөлшек ... L ... ... шектелген болса (біздің жағдайда - Z бағытын ... ), ... ... ... h/L ... дейін өседі. Бөлшектердің кинетикалық энергиясының сәйкестеніп өсуі (1.2.3) шамасымен сипатталады. ... ... ... ... жиі ... ... деп ... Бөлшектің минимальды энергиясының өсуінен басқа квантөлшемді эффект оның қозған күйлерін энергиямен квантталуы жүргізеді. Бірқалыпты шексіз потенциал энергиясының қозу күйі n2ΔΕ ... де ... ... n = ... (1.2.2) ... ... ... тосқауылмен шартталған шектеумен, қоспаларда шашырау нәтижиесінің локализация айырмашылығын білу қажет. Жартылай өткізгіштерде еркін заряд тасушылар орташа шашырау уақытмен (τ) ... ... ... осы ... ... ... ... жүгіруінің орташа ұзындығын анықтауға болады. Осындай шашырау процессі бөлшектердің қалпындағы анықталмағандық шамасында азайтып, керісінше оның импульсындағы анықталмағандық шамасын көбейте ... ... (1.2.3) L2~ ... ... ... ... ... әкеліп соғады. Мұндай эффект көбінесе қатты денеде кездесетін ... мен ... ... ... ... ... ... шектеу эффектісінен өзгеше болады. Екі нәтиженің өзгешелігіне көз жеткізу әдістерінің бірі болып толқынды векторды κz шектеу қойылған бағытты ... ... ... ... ... және КЯ ... бөлшектердің толқын векторы дискретті, себебі ол тік толқынмен теңдесіп белгілі бір шамада белгіленеді (1.2.2). Ақаулардағы ... бар ... ... ... ... ... бұзылуына әсер береді, сондықтан оның амплитудасы еркін жүгірудің орташа ұзындығы маңында экспоненциалды түрде кемиді. Осындай кеміп бара ... ... ... ... ... зерттесе, κz шамасы дискретті болмайды екен, ол ені 1/ шамасына тең ... ... ие. [5] ... ... бойынша ығысатын фонондардың (кристалдық тордағы серпімді толқынға сәйкес квазибөлшек) модельдік бағасы мен оптикалық фонондардың кеңіте түсу ... ... ... үлгі ... ... ... денені қоспалық заттың иондарымен соққылау арқылы оған легирлейтін қоспаларды енгізу) арқылы ... ... ... жол салған.
Көптеген қоздырулардың өмірі қысқа болып келеді, мысалы: оптикалық фонондар басқа фонодармен жанасу процессі ... өшіп ... ... процесс нәтижиесімен) [6] немесе ақаудың әсерінен, Г.Роль еңбектерінде ... ... сөну ... ... ... болатын білінбейтін энергия бөлініп, ол энергетикалық деңгейлердің кеңейе түсуіне әкеліп соғады. Сондықтан өлшемді квант эффекті пайда болу ... ... ... ... ... кем дегенде Г. бірлігіне тең болуы керек. (1.2.3) теңдеуінде ... ... L ... ... ... ... эффектісіне ұқсас басқа да нәтижелердің болуы мүмкін. Басқаша сөзбен айтқанда егер L шамасы тым үлкен болса, тосқауылға жетпей қозу күші ... ... ... ... ... m* ... кері пропорционал болғандықтан, ауыр бөлшектер үшін осындай эффектті бақылау қиынға түседі. Ережеге сай үлгіні ... ... ... ... ...... үшін), ол арнайы кванттаудың аз энергиясын белгілеу үшін керек.
Валенттік деңгейдегі қозған электрондар өткізгіштік деңгейге ауысқанда, валенттік белдемде оң зарядталған ... ... ... Кулондық өзара әсердің нәтижесінде электрон мен кемтік бір-біріне ... Егер ... ... тиым ... ... ... ... болса, онда кристалдағы қозған электрондар мен кемтіктердің ... ... ... олар ... квазибөлшектерге айналады, яғни кристалда фотоөткізгіштік пайда болады. Ал егер Е>ао болса, экситон тосқауылдар арасында толық массасы М ... ... ... тең еркін бөлшек ретінде қозғала алады [7]. Квант өлшемді эффектің максимальды L мәні ... ... ... ... ... ... LЕga) кіші деп қарастырайық. Аймақтардың енінде осындай ерекшелік болғандықтан, рұқсат етілмеген аймақ А пен валентті аймақтарының В ... ... ... ... ... үзілуі болып табылады. Аумақтардың үзілу процессі тасымалдаушылардың тек бір ғана қабатта квантты шектеулігіне жауапты потенциал түзеді, ... ... ... ... ... ... ... өлшемді квантты эффектен жасалынатын аспап-құралдар үшін, әрбір аумақтың үзілу процессінің өлшемін біліп және оған бақылау жасау өте маңызды. Бірақ біздің екі ... ... ... ... ... ... түсінуіміз жеткіліксіз болып келеді.
Тағы да зерттеулерге жүгінсек, A - GaAs және B - GaAlAs ... ... А және В ... бөліп тұратын шекара қалыңдығы бір ғана моноқабатты құрайды. Көптеген эксперименттік зерттеулер мен теориялық есептер салыстыра отырып, аумақтардың жиегінің үзілу процессы ... тез ... ... ... ... тікбұрышты шұңқырды басқа да процесстерге жақындатады. Аумақтың үзілуін Дингл және т.б [11] сипаттау үшін Q ... ... ... зонасының үзілісі мен рұқсат етілмеген аумақтың енінің айырымының (ΔΕg) қатынасына тепе - тең ... ... ... зор технологиялық кванттау шұңқырларында GaAs/GaAlAs және InGaAs/InP Q шамаласы сәйкесінше 0,6 [12] және 0,3 [13] өлшемдеріне ... ... ... ... ... ... [14] көрсетілген. Гетерожүйенің құрылуы кезінде энергетикалық аумақтың гетерошекарадан екі жағына ... ... ... ... ... ... кіретін заттың формасы мен кұрамына байланысты болады [15]. Егер аумақтық диаграмма жартылай өткізгіш жүйеге кіретін екі кірістің ... ... мен ... ... ... ең төменгі күйді қамтамасыз етсе, онда гетероқұрылым 1-ші типке жатады. Ал егер төменгі энергетикалық күй ... үшін тек бір ... ғана ... ... ... ... онда ... жүйе 2-ші типтік болып табылады. Сонымен, екі гетероауысымды 2-ші типті гетероқұрылымда потенциалды шұңқырдың пайда болуы тек бір ... ... үшін ... яғни тек ... немесе тек кемтіктер. Басқа типті тасушылар үшін тосқауыл тұрады. Осындай гетерожүйенің аумақтық диаграммасын көбіне сатылы деп ... ... ... ... пен ... ... ... процессынде бір типті саты пайда болады: әр аумағына гетерошекарасында өршімелі немесе төмендемелі энергия сатысы бөлінеді.
Бір материалдағы ... ... ... ... ... үш бағытта да тасушылардың қозғалу мүмкіндігін тежеледі. Егер кластердың мөлшерін электрон немесе кемтіктің ... ... ... ... ... бор ... ... онда бұндай қосылыстар квантты нүктелер деп аталады [16], ал ... ... ... ... ... ... - КТ гетероқұрылым болады [15]. Гетероқұрылымдағы электрондар мен тесіктердің қасиетін кванттау шұңқырындағы тасымалдаушылардың қасиетімен салыстырғанда, тек бір ғана ... газ ... ... Ең ... локализация күйінің процессын қарастыру. Нанокластердің электрондары мен кемтіктерінің локализация радиусын оның өлшемімен салыстырсақ, көбіне бөлек қоспадағы ... ... ... бор радиусынан артып кетеді. Кванттау нүктесінің энергетикалық дәрежесі тереңдеу болуы мүмкін, өйткені кванттау нүктесі терең деңгейдегі қоспа орталығы ... ... ... ... ... - ... ... тармағы.
Кванттық нүктесіндегі зарядтың локализациясы процессы, қоршаған ортаның потенциалының жүру барысын өзгеруіне әкеліп соғады. Мысал ретінде алатын болсақ, осындай өзгерістерден ... ... ... ... ... ... пайда болуы және осындай шұңқырда байланған күйлердің түзілу мүмкіндігі келеді. 2-ші типті гетероқұрылымдарда ... мен ... ... ... ... ... ... әртүрлі жағында пайда болады. Осы күйде болатын электрондар мен кемтіктер кеңістік бойынша бөлінген, және осы ... ... ... ... ... жүрмейді.
Қазіргі таңда электронды күйлер арасындағы энергетикалық спектрдың параметрлерын бағалау, ауысу процессының ... ... ... ... корреляциялық эффектті шығару саласы - барлығы кванттық нүктенің фундаментальды зерттеліп жатқан жаңа іргетасы.
Кванттық ... бар ... Ge/Si ... ... ... және ... амал-әдістермен зерттеп, салыстыру мұндай құрылымдарды нано және оптоэлектроника саласында пайдаланудың ... ... көз ... ... ... ... кванттық нүктенің параметрлердің бірнешеуіне байланысты (пішіні, өлшемі, матрицаға қатысты торлары), сондықтан осы ... ... ... ... ... физикалық объекттерді модельдеу және есептеу үдерісін жүргізу жұмыстары зерттеу нәтижесін одан сайын ... ...
1.3 ... ... ... қасиеттері
Жарықтандыру үшін қолданылатын жарықдиоды, жобада қолданылатын ток сиякты бірнеше жүздеген мА ден 5 А дейн ток ... ... ... сияқты кернеу жұмсайды. Жарықдиодының жарықтығы оның жарық ағынына, ... ... ... және ... ... ... Қазіргі уақытта қолданыстағы әр түрлі конструкциялы жарықдиоды дене бұрышының 4 тен 140°C дейін сәуле шығарады. Түс - ... ... ... ... және ... толқын ұзындығымен анықталады.
1.3.1 суретінде AlInGaP негізіндегі қызыл жарық сәулелендіретін диодтарының спектрлері, InGaN ... көк және ... ... ... ... ... [17]. ... жарық шығаратын жарықдиод спектрі, көгілдір мен қызыл жарыққа қарағанда едәуір ұзын ... ... Бұл ... жоғарғы құраушысымен InGaN негізіндегі құрылымдар өсіруінің өзекті мәселесімен байланысты болуы мүмкін. InGaN ... ... ... әсіресе индийдің жоғары құрамы болған кезде оның ... ... ... кванттық нүктелер түзілетіні анықталды.
1.3.1 суретінде көрсетілген барлық жарықдиодтарының белсенді аймақтары қатты ... ... ... ... ... ... үлкеюі жарықдиодтарының белсенді аймақтарынан тұратын, байланыстың химиялық құрамының кездейсоқ флуктуациясы есесінен жүреді. Спектралдық сызықтың күшеюі және спектрлердің жылулық кеңеюіне сәйкес 1,8 kT ... ... ... 1.3.1 - ... гетероқұрылым негізіндегі қызыл жарық шығару жарықдиодының сәулелену ... ... ... ... ... жарықдиодтарының әртүрлі сәулелену қуатты түрлері ұсынылған. Идеалды жарықдиодтары үшін мұндай тәуелділік дара көлбеумен сызықты болуы ... яғни ... ... ... ... тиімділігі бірге тең болуы тиіс. Мұндай тәуелділікке штрихты сызық сәйкес келеді. AlInGaP негізіндегі жарықдиодтар идеалды жарықдиодтарына жақынырақ. InGaP негізіндегі жасыл ... ... ... үшін тәуелділік көлбеуі бірден алыс, ол InGaN қабаттарының ... ... ... ... ... концентрацияларында.
1.3.3 суретінде әртүрлі типтегі жарықдиодтарының сәулелену интенсивтілігінің температуралық тәуелділігі көрсетілген. III топтағы нитридтер ... ... AlInGaP ... ... ... ... интенсивтілігі температурамен әлдеқайда әлсіз өзгеретіні көрініп тұр. Ол келесімен түсіндіріледі:
- Біріншіден, III топтағы нитридтер негізіндегі ... ... ... және ... қабаттар арасында АIIIBV жүйесіндегілерге қарағанда потенциалдық бөгеті әлдеқайда биік. Сол себепті, тасушыларға бұл бөгеттерден өту қиын, ол белсенді облыстағы тасушылардың азаю ... ... ... ... ... ... (жартылайөткізгіш тікаймақтық болмай тікаймақтық емеске айналған кезде) AlInGaP үшін 555нм ... ... сай ... ... ... кезінде тікемес ауысулары аймағының тұрақталуы көтеріледі, ол сәулелену тиімділігін төмендетеді.
Сурет 1.3.2 - AlInGaP/GaAs ... ... ... шығаратын жарықдиодтары үшін сәулеленудің шығару қуатының және бөлме температурасындағы InGaN/GaN негізіндегі көк,жасыл жарық шығаратын жарықдиодтарының инжекция тогына тәуелділігі.
Сурет 1.3.3 - ... ... ... ... ... ... негізіндегі көк және жасыл жарық шығаратын жарықдиодтарының сәулелену интенсивтілігінің температураға тәуелділігі.
Жасыл жарық шығаратын жарықдиодтары үшін жоғары концентрациялы индиймен InGaN ... ... ... ... кезінде шығындар көбейеді. Жарықдиодтарына берілетін сыртқы кернеуімен толтырылатын энергия ... ... ... ... ... ... ... қасиеттері
Монокристаллды Si пластинасының бетінде қалыптасақан кеуекті қабат, нанометрлі өлшемді кремний кластерлері мен квантты ... ... ... беті жарым-жартылай тотыққан, бірен-сарандап сутегі атомымен және гидроксильді топтармен ... [19,20]. ... ... (КК) ... ... физика химиялық қасиеттерге ие материал. Ол көптеген кеуектермен тізілген және салыстырмалы ауданы 1 см3 қа 600 м2 келетін жақсы жетілген ... ... ... ... ... ... ... жасалынған көптеген жұмыстар кеуек кремнийді сенсорлы, каталитикалық, фотолюминесцентті қасиеттерін зерттеуге арналған.
Осы ... ... ... ... ... үлгісі мен механизмінің бірнеше ортақ гипотезасы бар. ФЛ - ның ... келе ... және кең ... ие ... бірі - квантөлшемді моделі болып табылады [21,22]. Үлгілердің ... ... бар, ... - Si-H ... ... нәтижесі, бұл байланыс кеуек кремнийдің (нано) столбының бетінде аморфты қабаттың түзілуі мен оның сутектену процессі нәтижиесінде пайда болады [23]. ... ... бір ... бар, ол кеуекті кремнийде Si-SiO2 шекараларының болуымен белгілі. ... ... ФЛ ... ... ... ... Si-SiOx шекарасы жауапты [24-25]. Кеуекті кремнийдің жоғары салыстырмалы беті оған ... ... ... ... ... Бұл КК негізінде әртүрлі сенсорларды дайындауға ыңғайлы [26].
Монокристалдық кремнийде кеуекті қабатты қорытылатын қышқыл негізінде спиртті ерітіндімен электрохимиялық өңдеу әдісімен оңай ... ... Бұл ... ... ... кеуекті қабаттың мөлшерін және тереңдігін бақылауға болады. Ал егер электролиттің құрамын өзгертсе белгілі бір ... ... ... ... ... ... ... Осы жағдайда да кеуек бетінде әлсіз кремний - сутекті байланыстардың болуы КК ... ... ... ... етеді. Кеуекті қабат атмосферада сақталып тұрғанда, Si-H байланысының бұзылып орнына кремний - ... ... ... арқасында оның жаймендеп тотығуы оның фотолюминесценция қасиетін ... ... ... ... ... ... байланысты соңғы кезде кеуекті кремнийдің бетін пассивтеу әдістері белсенді жасалуда. Бұл ... ... ... ... ... ... береді. Басқа бетінен алып қараса КК беттік ... осы ... ... ... ... құрылғылар мен биологиялық объектілерді тіркеуге арналған төсеніштерге қажет белгілі параметрлерін алуға рұқсат береді. КК ауада сақтаған кездегі беттік ... ... үшін ... ... ... ... ... Олар үлгінің оттекті ортада тез тотығуын қосады, бетті жұқа металлоттекті және полимерлі қабықтармен және т.б. қаптау арқылы [28- ... ... ... ... ... ... ... қосылыстарда өңдеуге ұсыныс берілген. Сол кезде авторлар пікірі бойынша кеуек бетінде тікелей бір қабат ... Бұл ... ... бойынша тұрақты Si-C байланысымен қаныққан және материалдың фотолюминесценттік қасиеттерін нашарлатпайды [31]. Ең жақсысы, [33,34] жұмыстарында синтетикалық полимерлер қышықылында ... КК ... ... ұзақ уақыт мезетінде де тұрақты фотолюминесценцияға ие болаты көрсетілген. [24, 36-37] жұмыстарында n-типті кеуекті кремний және ... ... ... нанокомпозиттін интенсивтілігінің ФЛ пикінің орналасуына тәуелділігі зерттелінген. Ол үлгілер кремний төсенішіне фосфорды ... ... ... ... ... ... тәжірбиелі ультражұмсақ рентгендік эмиссионды Si L2,3 спектрін эталонды фаза арқылы және Оже - спекторскопын қолдану арқылы модельдеумен ... ... ... ... ... ... спиртті және сутек тотығын қолданумен n-типті кремний төсенішінің КЭФ электрохимиялық өңдеу арқылы алуға болады. ... ... ... ... 1, 3, 7 , 14 және 40 күн бойы ... ... Үлгілердің атмосферада 1 күннен 40 күнге дейін ... ... ... ескіру процессі арқасында, олардың электронды құрылымы және фотолюминесценциялық қасиеті ультражұмсақ рентгендік эмиссионды спектроския USXES (Ultra Soft X-ray Emission ... ... ... ... 3d-металлдарының гальваникалық тұндыруы сульфаттардың сәйкес тұздарының Fe, Co, Ni сулы ерітіндісінде стандартты ... ... ... ... ... ...
3d - ... нанокомпозитінің фотолюминесценциясы МГУ физикалық факультетінде Hamamatsu (сезімталдылығының спектральды диапазоны 200-1100нм) камерасы бар Solar TIICCD ... ... ... ... ... температурасында жасалды, толқын ұзындығы 250нм болатын газоразрядты лампаның 1 мВт қуатында қоздырылған сәулелену режимі алынды.
Кеуекті кремний құрамы және ... ... ... ... ... ... күрделі көпфазалы жүйе құрайтыны белгілі. Кеуекті қабат, ережеге сай, кристаллдық кремний және SiOx ... ... ... SiO2 ... оксиді және де аморфты кремний мен реттелмеген кремнийдің түрлі формасынан құралуы тиіс. Үлгілердің атмосферада ... ... ... ... ... ... ... байқалады, ал ол болса кристаллдық, аморфты кремний және окидті фазалардың қатынасын соңғы фаза пайдасына қарай өзгертеді [24,36].
Зерттелетін кеуекті кремний ... ... ... 1.4.1а және 1.4.1б ... көрсетілген. Жаңа дайындалған үлгілердің ФЛ интенсивтілігі максимальды, кейін 3 күннен соң айтарлықтай төмендейді және ... ... ... ... ... ... Сол ... де үлгілердің ФЛ пикі уақыт өте жоғары энергия 1.75 эВ ден 2 эВ ... ... ... ... ... Және ... кремнийдің 0.35 ден 0.45эВ ФЛ сызығының мардымсыз ... ... ... 35 ... ... ... ұсталған:
а) қалыпсыз, б) бірлікке нормирленген [18].
Сурет 1.4.1- n-типті кеуекті кремнийдің үлгісінің фотолюминесценция спектрі ... ... мен ФЛ ... ... ... ... ... құрамында дефекті бар оксидті ақау пайда болған кезде үлгінің ФЛ ... ... ... байқалады. Үлгінің фазалық құрамында SiOx максимальды болса ФЛ интенсивтілігі минимальды болады, ал егер жаңа ... ... ... ... ... дефектті оксид болмаса ФЛ интенсивтілігі максимальды болады. Осы жағдайда мынадай болжамға келуге болады, кеуекті кремнийдің беттік қабатындағы SiOх ... ... ... ... болады, ол көрінетін диапазонындағы сәулелену қасиетіне кері әсер береді. Атмосферада ұсталған кремнийдің оксидті фазасының бөлігі уақыт өте келе ... ... 1.75-2 эВ ... ФЛ ... ~ 3 - 4нм өлшемді кластерлер мен кристаллдары бар кеуекті ... ... ... [38]. ФЛ пикі ... ... энергия жағына ығысып өзгеруі, Si L2,3 USXES кеуекті кремнийдің спектрін модельдеу нәтижиесінде, жоғарыда көрсетілген кристаллдық/аморфты фазалардың қатынасының өзгеруімен бірге қатар ... ... ... ... ... толқын ұзындығы 250 нм газоразрядты лампаны қоздыру кезінде тұндырылған por-Si және por-Si ... ФЛ ... ... ... 6 айға ... ұсталынған ). Біздің алдыңғы зерттеулерімізге сай ультражұмсақ рентгендік спектроскопия ... ... ... ... ... көзін, кеуекті кремний негізіндегі 3d-металл нанокомпозиттерінің электронды құрылымын [19,21,27], кеуекті кремнийге ... ... ... Si ... ... ... өсуіне, және кеуекті кремнийдің беттік қабатындағы оксидті фазаның үлесін төмендетуге әкеледі. ... ... ... ... ... ... қабатындағы стехиометриялық SiO2 құрамының ұлғаюы байқалады, бұл ретте кобальт - кремний байланыстарының ... ... ... ... ... беттік қабатында металл оксиді мен кремнийден тұратын пленка түзеді, ал кобальт оксидпен ... ... ... ... кеуектің тереңіне енеді. Никель үшін темірдің сипаттамасына қарағанда кобальттың сипаттамасы ұқсайды.
а) 3d- металлдарымен қондырылған por-Si және por-Si үлгілері ... ... λ = 250 нм, 6 ай ... ... б) бірлікке нормаланған.
Сурет 1.4.2- ФЛ спектрлері
Алынған мағлұматтарға сай (сурет 1.4.2 а), төменде ... ... ... ... фотолюминесценция интенсивтілігі бастапқы үлгіге қарағанда төменірек. Бұны мына жағдаймен ... ... ... ... ... ... фаза мен ... кремний қатынасының өзгерісінен басқа, металлды кеуектерге еңдіру зарядтардың локальды қайта таралуына және экрандау эффектісіне алып ... ... ... пиктерін салыстыру үшін, спектрлерді бірлікке нормалау жасау жұмыстары жүргізілген болатын. Кеуекті ... және Fe, Co мен Ni ... por-Si ... ... 1.4.2 б ... ... Co және Ni ... үлгілердің ФЛ пикі por - Si және por - Si:Fe үлгілеріне қатысты қысқа толқын аумағына қарай 20 нм (~0.1эВ) ығысты. ... ... ... ... ФЛ ... ... байланысты. Жұмыста n-типті кеуекті кремний үлгісінің фазалық құрамынан оның ... мен ... ... ... ... ... ФЛ пикінің орналасуы 1.75 - 2эВ аралығында өзгеретіні анықталды, ол por-Si ... ... ... бір ... ... ... тәуелді. Үлгілерде оксидті дефекттердің мөлшерінің қатысты үлкеюі ФЛ интенсивтілігінің айтарлықтай төмендеуіне алып келеді. ... ... ... ... негізіндегі нанокомпозиттің оптикалық қасиеттерін кеуекті кремний матрицасына белгілі бір өтпелі металлды немесе металл ... қосу ... ... ... көрсетілген. Бұл ақпарат жазу мен метаматериалды жаңа құрылғыларды ... осы ... ... көз ... ... ... кремнийдің морфологиясы мен электронды құрылысын зерттеу жұмыстары жасалынған, ол полиакрилды қышқылды ерітінде өңдегеннен кейін және полиакрилды қышқылды ерітінде өңдегенге ... ... ... ... ... алынған. 1.4.3 суретінде 445нм толқын ұзындықтағы көзбен қоздырылған кездегі полиакрилды қышқылды ерітінде өңдегеннен кейін және дейін алынған n - типті ... ... ... спектрлері көрсетілген. ФЛ спектрлері үлгілерді алғаннан кейін 2 аптадан ... ... ... - ... ... ... ... ФЛ зонасы күрделі формалы болып келеді. Онда бірнеше ерекшеліктер бөлініп шығады, ол ерекшеліктер кеуекті қабаттың ... ... ... ... ... ... ... рекомбинация процесстеріне де сәйкес келе алады [39,40]. Полиакрилды қышқылда өңдегеннен кейін ... ФЛ ... ... мәнін SiOx тен SiO2 дефектті субоксидтің тотығуына дейінгі сәулешығармайтын рекомбинация центрінің мөлшерінің төмендеуімен түсіндіруге болады [39]. ФЛ ... ... ... мен ... кезінде, полиакрилды қышқылда өңдегеннен кейін үлгінің ФЛ интенсивтілігінің максимумы өнделмеген үлгілерге қатысты жоғары ... ... ... ығысады, ол және де беттің өңделуінің беттік қабаттағы люминесценция ... әсер ... ... ... ... бір ай бойы ... 1 ... үлгінің люминесценция спектрлері үшін де, екі апта бойы ұсталған үлгілер үшінде дәл ... ... ... ПАҚ ... ... және ... кеуекті кремний үлгісінің ФЛ спектрінің интенсивтілігінің қатынасы және жолақтың формасы мен ені өзгермейді. Бұл жағдайда, үлгінің ФЛ ... ... ... және ФЛ ... (~ 0,1eV) ... ... ұзындығы аумағына азғантай ығысуы байқалады.
Толқын ұзындығы 370-445нм болатын қуат көзімен қоздырылған кезде ерітіндіге ДМФА қосылу арқылы алынған ... ... ... [39], ... ... айқын ФЛ қөрсетпеген. Үлгілерді ПАҚ өңдегеннен кейін дәл алдындағы қуат көзімен қоздырылғанда 520 нм аумағында үлгінің анық ... ... ... ... (сурет 1.4.4).
1сериялы
полиакрилды қышқыл ерітіндісінде өңдеуге дейін (төменгі)
және өңдеуден кейін (жоғарғы).
Сурет 1.4.3 - Үлгілердің фотолюминесценция спектрі
155448040640
Қоздырылатын сәулелендірудің толқын ұзындығы 445 нм. ... ... ... 1 ... 1.4.4 - ПАҚ ... ... макрокеуекті кремний үлгісінің ФЛ спектрі.
Осы берілгендерді үлгінің құрамының ... ... ... ФЛ ... ... КК ... оксидті кремнийді алып тастаумен және онда нанокристаллдық кремнийдің пайда болуымен байланысты деп айтуға болады.
1.5 Кремний ... ... ... ... ... мұрт ... ... 1-100 нм және ұзындыққа микрондар) бұл кеңістікте квантты өлшемді эффектті және объекттің басты белдігін бойлаған электрондардың еркін ... ... ... ... ... ... ... объект. Ережеге сай наносымдар, еркін тұратын өте ... ... ... құрылымдар болып келеді. Квантты мұрт ұзындықтын диаметрге қатынасы аздау болатын еңдірілген құрылым ... ... [41], ... бір ... ... металлдық катализатордың тамшысымен) немесе бірнеше аралық қабаттардан тұратын апериодтық ... ... ... жасаудың қарапайым әдісі болып, жартылай өткізгішті гетероқұрылымда электростатикалық тосқауыл немесе ... ... ... ... ... ... газдың қозғалғыштығын шектеу атқарады. Бұндай манипуляциялар квантты нүктенің 0D потенциалы немесе квантты наномұрттың 1D ... ... олар ... ... ... ... анықтайды [42]. Осындай құрылымдарды технологиялық реализация жасау спецификалық әлі де толық зерттелмеген квантты эффекттің негіздерін шығарды.
Күшті квантты ... ... ... ... ... ... ... ретінде Холлдың квантты эффектісін, баллистикалық өткізгіштікті және кулондық блокаданы айтуға болады [43]. Өз кезегінде жоғарыда айтылған физикалық құбылыстар ... ... ... ... ... шығуды жоғарылатады, квант өлшемді шектеудің дәрежесі көбейгенде лазерлі ... ... ... табалдырығын және наномұрт негізіндегі күн батареясы, ИҚ детекторлар, ... ... ... жаңа құрылымдарды дайындауда көбірек тиімділігін алып келеді [44].
Ережеге сай ... ... ... технологиясын және катализатор ретінде металлдық кластерлерді қолдану арқылы ... Бұл ... ... ... заттың буының көзі бар металл - жартылайөткізгіш жүйе үшін эвтектика балқуынан жоғары температураға дейін қыздырылады. Процессте жартылайөткізгішті затты будың көзі ... ... ... ... ... Жартылайөткізгішті будың реагентінің металл/жартылайөткізгіш тамшысына тұрақты беріліп отыруы жартылайөткізгішті нанокластердің кристаллизациясына әкеліп соғады. ... ... ... мен ... ... ... ... тамшысы бар нанокристаллдың шекарасының өсуінің түзілуіне алып келеді. CVD процессінде металлдық нанокластерлер жартылайөткізгішті реагенттің газтәрізді көзін ... ... ... ... ... катализатор қызметін атқарады. Мысалға кремний наномұртының өсуі үшін моносилан және кристаллдық кремнийге қондырылған алтынның, темір немесе алюминийдің нонокластері ... ... ... бар моно және ... кремнийдің интерфейс рөлін анықтайтын, ерекше теориялық әдістері осы объекттердің күрделілігінен әлі ... ... ... ... ... ... ... теориялық зерттелгеніне қарамастан екі немесе одан да көп түрлі бөліктерден құралған күрделі реалды нанокұрылымдардың қасиеттері әлі ... ... ... зерттелмеген болып есептеледі. Осылай көрсетілген кремний наномұртының зоналық құрылымы ‹110› әртүрлі еңдікті түзу және түзу емес ... ... ... болатыны байқалған [46].
Голдберг типті кремнийлі квантты нүктенің және олардың негізіндегі конгломератты құрылымдар атомдық құрылысы зерттелген болатын [45]. ... ... ... ... ... ... ... ортақталған қуыс тәрізді, бір немесе бірнеше тетрагональды кремний қабатымен қоршаған. Квантты ... ... мен ... ... ... фрагментттің симметриясымен анықталады. Факт жүзінде берілген нанокластерлер екілік құрылымдарды бейнелейді, ... ... ... ... ... ... одан да көп тетраэдрлік фрагменттерін түзейді.
2 НАНОКОМПОЗИТТЕРДІ АЛУ ЖӘНЕ ЗЕРТТЕУ ӘДІСТЕРІ
Осы ... ... ... ... ең көп ... ... олар: кристалл өсіру процессіне қоспаларды енгізуі (эпитаксия), диффузия және балқыту. Эпитаксия ... ... ... ... бар ... өсіруге, ал диффузиондық әдіс қоспалы атомдардын беттік ... ... ... ... Ең ... ... кезінде, бетке жабысып тұратын жартылайөткізгіш қабатын балқытып, және одан ... ... ... ... процесiнде қоспалы атомдармен молайтады.
Жоғарыда айтылған қоспаларды еңдіру ... ... ... ... ... ол ... ... шегіне, сонымен бiрге имплантация процесiндегі температурадан және кристаллдың бетіндегі қоспа материалының концентрациясына ... ... ... ... ... ... атомдар мен молекулаларды өрісте үдетіп қатты денеге енуіне негізделген әдіс. Соңғы жылдары ионды имплантация қоспаларды жартылайөткізгішті кристалларға ... ең ... ... бірі ... ... ... ... әдісі технологиялық тұрғыдан қарағанда да, проекциялау көзқарасынан қарағанда да және жаңа типті электронды және ... ... ... да, ИС ... схема) жасауда да бірнешеқатар маңызды артықшылықтары бар.
Кванттыөлшемді құрылымдарды зерттеу үшін бірқатар әдістер тізімі қолданылады: сканирлеуші туннельді микроскоп (СТМ), ... ... ... ... ... ... ... (ЖЭМ), асажоғарывакуумды шағылдыратын электронды микроскоп (АЖВ ШЭМ). СТМ әдісінің негізінде ... ... ... ... яғни еңі ... ... болатын вакуумды және диэлектрлік саңылаумен бөлінген екі өткізгіш бет арасындағы потенциалды тосқауылдан электронды жылжыту. АКМ әдісі кантилевр және үлгі бетінің ... ... ... ... ЖЭМ ... ... ... үлгіде электрондардың азбұрышты дифракция суретін алады (~10).
Азбұрышты рентген шашырау әдісі физиканың конденсирленген күйіне, диперсті жүйенің ... ... ... ... биологияда және полимерлі заттарды зерттеу биофизикасында және металлургияда т.б. қолданылады.
2.1 Ионды имплантация ... ... мен ... ... бірнеше килоэлектронвольттан гигаэлектронвольтқа дейін (миллиард электронвольтқа) өзгеруі мүмкін. Иондарды енгізу тереңдігі тек ... ғана ... ... ... ... ... атомдық массасына да байланысты болады. Осылай, 10 кэВ энергиялы фосфор ионының кремнийде орташа жолы ... 14 нм, ал 1 МэВ ... бор ... ... 1756 нм шамалас болады. Ионды бомбардировка қатты дененің барлық дерлік беттік ... ... ... мүмкіндік береді: электрофизикалық, механикалық (төзімділігі, қаттылығы, үйкелу коэффициенті, тозуға шыдамдылығы), коррозиялық, каталитикалық, оптикалық, эмиссиондық.
Жоғарыда айтылған қоспаларды еңдіру ... ... ... ... ... ол ... ерiгiштiк шегіне, сонымен бiрге имплантация процесiндегі температурадан және кристаллдың бетіндегі қоспа материалының концентрациясына тәуелді болмайды.
Еңгiзiлген қоспа атомдарының концентрациясы ... ... ... ... оны ... ... ... Rp проекцияланған жолы және стандартты Rp ауытқуы бар гаусс үлестiруiмен (қалыпты) сипаттауға болады. Ионды имплантация ... ... ... ... да, ... көзқарасынан қарағанда да және жаңа типті электронды және оптоэлектронды құрылғылар жасауда да, ИС (интегралды схема) жасауда да бірнешеқатар ... ... ... ... ... ... ұзақтықтығын 102 - 104 дейін қысқаруы, бет бойынша таралудың бiртектiлiгi және параметрлердi қайта өндiргiштiгі;
2) ендiрiлетiн ... ... ... - ион ... ... ... интегралдау арқылы дәл бақылау, бұл төмен концентрация кезінде аса маңызды (мысалы, МОЖ - транзисторда табалдырық кернеудiң жылжуы);
3) процестiң жоғары ... ... ... ... ... ... бойынша масс - сепаратор арқылы бөлiнедi;
4) процесстің температурасының төмендігі;
5) кристалдың ... ... ... ... ... ... ... нитридті, металлдық немесе фоторезистивтi қабаттарды қолдану арқылы легирлеу ... ... ... жұқа ... ... ... ... мүмкiндiгі (мысалы, SiO2 немесе Si3N4);
7) иондарды ендірудің аз ... ... ... ... ... ... ондаған нанометрлерге дейiн), ол жұқа беттік қабаттарды легирлеуге мүмкіндік береді;
8) көпсатылы имплантация кезінде үдетушi ... ... ... ... кез - ... алдын ала берiлген пiшiнді имплантирленген атомдардың таралу профилін ... ... ... ... ... ... ерекше миниатюрлі құралды (субмикронды технология) жасауға болады.
Әдістің тағы басқа артықшылығы әмбебаптылық, ЭВМ ... ион ... ... оңайшылығы, яғни толық автоматтандыру мүмкіндігі және де тепе - теңсіз ... ... ... ... және ... ... үйлесімдігі болып табылады.
Практикада ион шоғырын қолданғанда флюенс ионының бірлік ауданға тәуелділік диапазоны қатты дененiң ... ... және ... 1011 ден 1018 ... ... аумақты қамтиды. Нысанаға иондық токты тiркеу шоғырдың ... ... ... ... ... туралы ақпарат бередi. Бұл бiрлiктердiң арасындағы байланыс 1мккул/см2 = ион/см2 ара ... ... ... ... ... ... мөлшерін D үшін, шоғырдың қарқындылығын g сәулелену уақытына t көбейту керек.
(2.1.1)
Иондық енгiзудің елеулi кемшiлiгі - жартылай ... ... ... ... ... ... бұзылуы болып табылады, яғни иондардың нысананың атомдарымен алғашқы соқтығысы кезінде немесе матрицаның ... ... ... ... ... араласқан шапшаң атомдардың екінші рет қайта соқтығысы кезінде ақаулардың пайда болуы. Құрылымның бұндай ақаулары жартылай өткiзгiштердiң электрофизикалық қасиеттерін өзгертеді, одан ... ... ... ... ... ... болып келеді сондықтан электрлік белсендi емес. Құралған ақауларды жою үшiн, сонымен ... ... ... ... ... атомдарды электрлік белсендi жағдайға ауыстыру үшін ионды - легирленген үлгілерде тиiстi термоөңдеу жүргiзу керек. Бұл ... ... ... ... ... ... (тез) фотонды, электронды, лазерлі қыздыру (отжиг) бола алады. Имплантирленген кремнийдің қыздырылуы (отжиг) төмен ... ... ... (200-1000°C) температураларда жасалады. 1000°C тан жоғары температураларда қыздырылуымен (отжиг) қатар енгiзiлген атомдарының қарқындылауы жүреді.
МОЖ (металл-оксид-жартылайөткізгіш) құрылымын иондық өңдеуде кремнийдің ... - ... ... ... оң ... құрылады және шапшаң беттік күйлер пайда болады. Фиксирленген оң заряд 150-500°C қыздырылуымен жойылады немесе ультракүлгiн сәулеленумен өңделеді. ... ... ... төсеніштің азот атмосферасында 400-500°C температурасында өңдеуiмен түседі [47].
Ион ендiру әдiсінiң екiншi кемшiлiгiне ... ... ... ... болады. Ол түрлі электронды аспаптарды мысалы, күштік диодтар және транзисторларды жасауда кері әсерін тигізеді. Үдеткіш кернеуді бiрнеше ... ... ... МэВ ... ... ... ... атомдардың ену тереңдiгiн үлкейтуге болады, дегенмен мұндай қондырғылар өте қымбат бағалы: 1МэВ Ақш долдарының 1 миллионына, cәйкесінше 2 МэВ-2 млн ... ... ... ... шектеулігі қатарына осы процесс нәтижесінде пайда болатын ... ... ... ... ... ... және ... атомдардың радиациялық - үдетілген диффузиясын айтуға болады. Бұл эффекттер профильді теориялық болжаудын мүмкiн ... алып ... ... ... ... ион ... әдiсінiң ең маңызды мәселелері болып: радиациялық ақаулардың қыздырылуы, ... ... ... ... жоғарылауы, имплантирленген қоспа атомдарының үлестiрудiң пiшiнiн анықтау болып табылады.
Қазіргі таңда иондық имплантация шалаөткiзгiштi аспап технологиясының және ИС шығаруда ғана ... Аса дәл ... ... ... тек (1016 см2 ... кем ... ... әдетте) жартылай өткiзгiштердi легирлеу ғана емес, қатты дененің химиялық, механикалық және оптикалық қасиеттерін өзгертуге де болады. n = 1018 ... ... ... ... (D - 1016 ... ... беттік қабаттың басқа химиялық қосылысқа айналуы мүмкiн,мысалы көмiртектiң кремнийге имплантация кезінде кремний карбидының түзілуі.
Соңғы жылдардада қатты дененiң радиациялық физикасының жаңа ... ... ... кең ... Бұл ... иондық шоғыр металл және балқымалардың тәжiрибеге маңызды мынадай қасиеттерiн басқару үшiн пайдаланады: механикалық, коррозиялық, асаөткізгішті, каталитикалық, магниттi, электрлік т.б. ... ... ... ... ... жолымен бордан жасалған төсенішке асақатты материал қабаты - кубты бор нитриді ... ... ... ... ... ... бұл ... 100 рет өзгеріп және алмаздың қаттылығына жақын болды. Иондық имплантацияны қолданудың басқа облысы кварц немесе галлий арсенидiне иондар еңдіру ... ... ... ... материалдар негізінде доменді құрылғылар жасау, яғни ақпаратты жазудың магнитті жүйесін жасау және т.б [48].
Иондық имплантациямен өңделген беттік қабаттар ... де ... ... ... ... ... атомдарымен әрекеттескен кезінде соңғылардың ығысуы байқалады, және түйінаралық ... мен бос ... ... болады. Егер ион ағынының қуаты және энергиясы жоғары болса, онда бос орындық кластерлердің ... ... ... яғни ... жиналуы. Сол кезде ақаудың өзінің қалыңдығы бойынша ... ... ... ... ... ... ... профилімен ұқсас болып келеді, яғни ақау максимумы бетке қатысты белгілі бір қашықтықта пайда болады, және ион ... ... ... бұл ... материал тереңдігіне қарай ығысады. Имплантирленген иондардың максимумының орналасуына қарағанда, ақау максимумы ... ... ... ... ... белгілейік.
Беттік қабаттарда ақау тығыздығы жоғары болған жағдайда ақау тығыздығы ... көп ... ... ... ... бұл алыс реттілікті бұзаты. Ақау легирленетін элементтердің атомының жиналуына әкеледі, соның нәтижесінде еңгізу фазасының ... ... ... ақаулы облыстарда ионды өңдеу кезінде сегрегация процессі өтеді, ал ол балқыманың қабаттарының бөлінуіне әкеледі. Металлдық беттерге гелий ... ... ... ... ... блистеринг өтуі мүмкін, ол беттік қабаттарды бұзуға әкеледі.
Беттік қабаттарды аморфизациялау және ... оның ... - ... қасиеттерінің бірегей уйлесімін жүзеге асыруы мүмкін, және жоғары қаттылықты және пластикалық қасиеттерінің бірге жақсаруын қамтамасыз ... ... ... ... ... ... тұрақтылық қасиеті жақсарады. Ионды имплантация әсерінен нысана материалының кристалдық торының елеулі өзгерісі болуы мүмкін, бірнеше ... ... ... қабаттардың полиморфты ауысуы болады.
Ионды имплантация әдісінің ерекшеліктерін талқылаған кезде ионның үш энергетикалық диапазоның ерекшелейді:
- ... ... ... Е ... эВ;
- ... ... ... 104 Е 106 эВ;
- жоғары энергия диапазоны, Е106 эВ.
Орташа энергиялы ионды имплантацины ... ... ... ... ... ... ... қымбат құрылғыларды қажет етеді, және осыдан экономикалық тиімсіз болады. Төмен энергетикалық имплантация көлік құрылысын жасайтын материалдарды жоғары температуралы күйдірумен жүретін ... үшін ... ... ... ... ... ... вакуумда жасайды.
Ионды имплантациядан кейін беттік қабаттарда қысылу кернеуі түзіледі, ол беттік қабатта ... ... ... шығуы мен дамуының тенденциясын төмендетеді және өңделген өнімдердің эксплуатациялық қасиеттерін жоғарылатады.
Беттік қабаттарда азот пен көмірек иондарын имплантация кезінде металл ... мен ... ... олар ... ... мен ... ... Ионды имплантацияны тиімді қолданудың маңыздысы болып антифрикционды керамика алуда қолданылуы болып табылады. Егер ... ... ... ... ... ... имплантациядан кейін ол fтр=0,05...0,1 болады. Шаршауға төзімділікті арттыру үшін келесі ионды имплантация ... ... ... ... ... ... ион энергия Е =100...200 кэВ, беттің температурасы 2000 С.
Ионды имплантацияның ең көп таралуы кескіш құралдар өңдеуде болды. Бұл құралдарды өңдеу ... он ... ... өсуге рұқсат береді. Батыс Еуропада шығарылатын 20...25 % пресс - формалар ионды имплантацияға ұшырайды. Резина кескіш ... ... ара, ... тікұшақ дайындауда азот немес көміртек иондарымен өңдеу олардың ұзақ қызмет ... 10...80 ... ... ... Иондық еңдіру әдісінің физикалық негіздері
Иондық имплантация қондырғысы шағын және орта дозалы, сонымен бiрге иондық ағынының үлкен ... ... ... ... [50-52]. ... және орта ... ... иондық ток ағыны бiрлiк микроамперден 500 - 800 мкА дейiн болады, ал үлкен дозалы қондырғылардікі 1 ден 200 мА мен ... ... Екi ... ... 20 мен 200 кэВ ... энергияда жұмыс iстейдi. Жоғары энергетикалық қондырғыларда максимальды энергия 1 МэВ дейін жетуі мүмкiн.
2.1.2.1 cуретінде иондық имплантация ... ... ... ион ... 1, ... ... 3, ... жүйесінен 6, ағынды сканирлеу 8, қабылдау камерасынан 9 және ... ... ... Олар негізінен жерге қатысты қабылдау камерасының потенциалымен және ... ... ... ... масс - сепаратордан және иондардың көзi арқылы ерекшеленедi.
а) энергиясы 200 кэВ аспайтын , ал ... ... ... ... ... ... шағын және орта дозалы имплантация қондырғысы (2.1.2.1 а сурет). Иондарды магниттi сепарация үдеткенге дейін жасалатындықтан, ... ... ... аз, ол ... ... елеулі ықпал тигізеді. (аз магниттер, электромагниттi сепаратордың және үдеткiш жүйенің азқуатты қоректендiру көздерi);
б) иондарды массаcы бойынша үдетуден ... ... ... ... (2.1.2.1 б ... әдетте зерттеу мақсаты үшiн пайдаланады. Магниттi сепаратор ... ... ... етуі ... және жоғары кернеулі электр энергияның минималды тұтынылуы кезінде, онда иондардың барлық ағыны үдетіледi, жоғарғы ... ... ... ... тогы ... ... бiрге екiншi ретті электронды эмиссия үлкейедi, ол рентген сәулесімен сәулелендіру қауiпін жоғарылатады.
в) Күшті ... ... ... 2.1.2.1 в) ... және ион мен ... ... көзінің қарапайым жүйесі бар, сонымен бірге, жоғары кернеуде жұмыс істейтін бірнеше құрылғы бар. Кемшілігі -- қабылдау камерасына қиын ... ... ... және ... ... күрделілігі -- өңделетін қабаттардың шығарылуы.
г) Жоғары энергетикалық қондырғы (сурет 2.1.2.1 г) қабылдау камерасына жоғары потенциал беру ... ... ... энергиясын алуға мүмкіндік береді (500 кэВ және одан ... Бұл ... ... ... сәулелену жүреді. Көп зарядты иондарды күшейту арқылы ... ... алу оңай (1 - 2 МэВ және одан көп)
д) ... ... ... ... 2.1.2.1 д) ион көздері жоғары кернеуде болады. Толық күшейту түйіннің біріншілік пішіндеу жүйесі болады,ол барлық жұмыс режімдерін толық автоматтауға ... ... ... ... жұмыс заттарының атомдарын энергияға дейін қоздыруға арналған, оның минималды ионизациясынан потенциалы жоғарырақ, нәтижесінде оң зарядталған ион ... ... ... ... ... үшін электрлік разряд қолданылатындықтан, барлық ион көздері бірдей элементтерден тұрады:
1) ... ... ... ... ... жағдайда көздің алып жүретін конструкциясы);
2) разрядты камераның ішінде ... ... ... ... ... электрон көздері (термокатод немесе суық катод), разряд зонасына ... ... ... ... үшін ... ... ... эффективтілігін және иондардың экстракция зонасында плазма тығыздығын жоғарылатуға арналған магнитті жүйе;
5) экстрагирлейтін электрод және ... ... ... ... зонасынан иондарды шығаруға және иондардың түйіндерінің біріншілік күшейтілуіне ... ... ... және ... ... ... жүйесі (анодтың, экстрактордың, катодтың және электромагниттің).
a) аз және орта мөлшері; б) күшейтуден кейінгі иондарды масса бойынша бөлу; в) күшті ... г) ... ... д) ... мөлшер. 1 -- ион көздері, 2 -- түйінді созу және біріншілік пішіндеу жүйесі, 3 -- ... ... 4 -- ... ... ... 5 -- басқарылатын диафрагма, 6 -- күшейту жүйесі, 7 -- фокусталушы ... 8 -- ... ... түйін пластиналары , 9 -- қабылдау камерасы
Сурет 2.1.2.1 - Иондық ... ... ... ... және ... ... термокатодты ион көздері қолданылады (сурет 2.1.2.2 а - в) және аз -- суық катодпен (сурет 2.1.2.2 г). ... ион ... екі ... ... домалақ формалы тесіктен разрядталған камераның ось бойының ион экстракциясымен (сурет 2.1.2.2 а, в) және ... ... ... ... ... ось ... ... (радиальды экстракция) (сурет 2.1.2.2 б). Суық катодты көздердің екі катоды бар 6 және 8 және арасында орналасқан ... ... ... анод 3, оның ішінде плазма локализацияланады 9.
Жұмыс заттары ретінде ионның ... ... ... газдар түседі: сутек, гелий, аргон, азот немесе газтәрізді қосылыстар BF3, PH3 және AsFe3. Бу ... ... 1000°C - тан ... ... заттарды қолданғанда, (қалайы, галлий, сурьма), оларды алдын ала қыздырады және буларды түзеді, олар ... ... ... жылдамдығын басқара отырып, натекатель арқылы ион көздеріне түседі. Бу түзілу температурасы 1000°C-тан аспайтын ... ... ... ... ксенон иондарының түйіндерімен осы газдардың атмосферасында шашыратады,кейін осы газдың плазмасында иондайды.
(а, б) ... және ... ... ... (в) және суық ... ... -- ... беру, 2, 5, 6, 8 -- катодтар, 3 -- анод, 4 -- ... 7 -- ... 9 -- ... 2.1.2.2 - ... ион ... жалпы иондық түйіннен керекті масса мен заряд бөлуге қызмет етеді. ... ... ... ... ... олар ... атомдар мен молекулаларды жояды және күшті дәлдікті түйіннің тасымал зарядын компенсациялайды. Көбіне бұрылу бұрышы 60° және 90° ... ... және ... емес ... өрісін қолданады. Мұндай электромагниттер біртекті өрісі бар электромагниттерге қарағанда масса бойынша жақсы дисперсиямен ерекшеленеді, ... ... екі ... ион ... ... және оның ... аумағын өзгертуге мүмкіндік береді. Масс - сепоратордың секторлық магнитпен жұмыс істеу принципі магниттік өрісте ионның ... ... ... радиусы қатынасына пропорционалдығымен түсіндіріліеді, мұндағы М1 -- ионның массасы, g -- оның заряды. Мысалы, ... ... ... ... ... ... бағыттағы жазықтықтағы зарядталған бөлшектің траектория проекциясы, радиуспен айналған ... ... ... -- ... ... М1 -- ... атомдық бірліктегі ион массасы (м.а.б.), k -- электрон зарядына ион зарядына қысқартылғандығы, U -- масс - ... ... ... ... ... потенциалдар айырымы, В -- магнит өрісінің индукциясы, Тл r -- ион ... ... ... ... иондар басқа радиуспен басқа траекториямен қозғалады. Потенциалдар айырымы өткеннен кейін ион ... , U ... ... ... ... анықталады
(2.1.2.2)
Мысалы, нысананың біртекті иондалған атомының жылдамдығы (100 ... (кB) ... ... ... күшейтілген As біртекті иондалған атомы үшін U = 10 кВ, магниттік өрісте 0,5 Вб/м2 (5000 гаусс), траектория радиусы: r = 0,25 м тең. ... ... ... ... және магнит ағынының тығыздығы массаның зарядқа қатынасындағы шаршы түбіріне траектория радиусы тура пропорционал.
Ион массасынан тәуелсіз ... ... ... ... ... ... ... Жылдамдату жүйесі және түйінді пішіндеу жылдамдатылған трубканы береді, ол біріктірілген, жабыстырылған немесе ... ... ... ... немесе қыш изолятордан және металдық электродтардан тұрады. Бұл жүйе бір немесе екі саңылаулы үдетуді дайындау үшін екі ... ... ... түрінде жасалады. Екіэлектродты линзаларға оның кернеуін жылдамдататын және шығарылатын ион түйіндерін қосады, ал үшэлектродтыларға фокусталушы аралықты және соңғы кернеуде ... ... ... кернеу үшінші электродқа түседі.
Ион түйіндерін сканирлеу жүйесі ... ... ... ... ... тең ... шағылуды қамтамасыз етеді. Сканирлеу электростатикалық, электромагниттік, механикалық немесе ... ... ... ... ... жоғарылату үшін имплантация уақытына тәуелді сканирлеудің оптималды жүйесін таңдау керек.
Иондармен шағылыстыру уақытын азайту үшін ... ... ... ... ... ... ... және тасымалдау зарядына әсер етуімен шектеледі. Ток 500 ... көп ... ... тасымалдау зарядының әсер етуімен, электростатикалық өрістің әсеріне тәуелсіз болғанда түйін кеңейеді. Сканирлеудің ... ... ... 2.1.2.3) ион түйіндерінің қиылысуының үлкеюі сканирлеу пластиналарына берілетін кернеулердің үлкенін қажет етеді. Электростатикалық сканирлеуді қабаттарды жеке өңдейтін әлсіз ... ... ... ... ... x және y ... ... жиіліктері 100-ден 500 және 1000-нан 4000 Гц-те араласады, ол бірдей өлшемді легирлеуді ... ... ... ... ... -- ... ... үлкен пластиналарды біртекті легирлеу үшін қондырғының жалпы ұзындығын ... ...
1 -- ... ... ... 2 -- y осі бойынша сканирленуші пластиналары; 3 -- х осі бойынша ... және ... ... 4 -- ... ... ; 5 -- ... 2.1.2.3- ... электростатикалық жүйесі
2.1.2.4 суретте қабаттарды топпен легирлеуге негізделген қондырғыларда қолданылатын механикалық және комбинирленген сканирлеудің әр түрлі жүйелері көрсетілген. 2.1.2.4 а-суретте ... ... ... ... ... ... ... дөңгелекті береді,ол v жылдамдықпен қайтымды-түсуді жасайды немесе 1 ион түйіндерімен салыстырмалы түрде бұрыштық жылдамдықты қозғалыспен айналады. Осындай ... ... ... ... ... Мұндай жүйе дөңгелектің араласуы айтарлықтай қиын.
2.1.2.4 б - суретте көрсетілген сканирлеудің механикалық ... ... 4 ... 1 ион ... ... ... ... және вертикаль (жоғары-төмен) жазықтықтарда овальды траекториямен қозғалатын 2 қабаттарын араластырады. Бұл жүйе ... ... ... және ... қозғалу жылдамдығын қамтамасыз етеді. Оның кемшілігі -- вертикаль бойынша сканирлеу жылдамдығы төмен, конструкцияның күрделілігі және вакуумдық ... ... ... ... ... ... ол вакуумды нашарлатады.
1 -- иондардың түйіні, 2 -- ... ... 3 -- ... 4 -- конвейер, 5 -- негіз, 6 -- лента, 7 -- ... 2.1.2.4- ... (а - г) және ... (д, е) ... жүйесі
2.1.2.4 в - суретте көрсетілген механикалық жүйе жартылайөткізгішті қабатпен бекітілген ... ... 5 және ... - түсу ... ... - төмен және оңға-солға қозғалады,ол қабаттардың араласуының керекті жылдамдығын қамтамасыз ете алмайды және ... ... ... ... ... қондырғыларда қолданылатын сканирлеудің механикалық жүйесі (сурет 2.1.2.4 г), периферия ... тез ... ... бір уақытта аздаған жылдамдықпен бір сызықты араласатын, радиус бойынша қабаттар орналасқан. Легирлеудің біртектілігін түйіннің ... ... ... ... жиілігін сақтай отырып сызықтық араласу жылдамдығын өзгерту арқылы ... ... ... 2.1.2.4 д, е) x ... ... электромагниттік сканирлеу және y жазықтығы бағытымен механикалық сканирлеу бар және бірөлшемді легирлеудің жағдайын жақсартады.
Қабылдаушы ... ... 2.1.2.5) ... ... легирлеуге, беруге және ауыстыру үшін қолданылады. Аз мөлшерді қондырғыларында қабаттар жеке-жеке өңделеді. Оларды қолмен камераға салады немесе партиясына 25 ... ... шлюз ... ... ... кассетада немесе дискте,жеке импланттайды.
Кассеталарды автоматты беретін қондырғыларда имплантация уақыты 5 - 10 с-пен сағатына 200-300 қабықтарды алады. ... - 2.1.2.5. ... ... қабылдау камерасының жүйесі
Қабаттарды топтық өңдеу аз және орта мөлшерді қондырғыларды,сонымен бірге,күшті дәлдікті қондырғыларды қолданады (мысалы, барабанды жүйе). Қабылдаушы қондырғының ... Balzers ... Scanibal ... және 200 - 1000 Varian ... жүктеу-шығару үрдісі толығымен автоматталған. Вакуумдық шлюз арқылы ... ... ... ... ... (жалпақ кассеталар). Контейнердің айналу қозғалысын қамтамасыз ететін жетек ... ... ... және ... ... әр пластина ұстағышқа жүктеу - шығару позициясын анықтауға мүмкіндік береді. Жүктеу-шығару қондырғысы ұстағыш жинағы бар ... ... ... олар ... кезекпен шлюзге итеріледі және кері қайтады. Екі ... ... ... ... басқа) Scanibal қондырғысында пластинаның легирленетін бетінің бір ... ... ... ... ал 200 - 1000 ... -- ... Күшті дәлдікті қондырғыларда нысанадан жылуды шығару мәселесі пайда болады, себебі 90 - 120°C ... ... үшін ... ... ... Жылуды шығару мәселесін жылуөткізгіштігі жоғары қабат ұстағыш немесе жылуөткізетін паста қолданумен ... ... ... ... ... ... ... және қондырғының жұмысы кезінде қабат бетінде иондардың біркелкі таралуын анықтайды. Электростатикалық сканирлеу қондырғыларында Фарадей цилиндрін ... ... ... ол ... орналасқан 5 беті изолирленген қабат ұстағыштың 4 ион мөлшерін өлшеуге негізделген. Бұл жағдайда,мөлшер ... ... мен ... ... ... жалпы токпен анықталады.
1, 2 -- жерге тартылыс және берілу диафрагмалары, 3 -- цилиндрдің корпусы, 4 -- ... ... 5 -- ... 2.1.2.6- ... ... дозиметрия жүйелерінде ион түйіндерінен түзілетін, растрдың әр ... ... 4 ... ... ... ... Өлшенген мөлшерлер интегралданады және орташамен салыстырылады. Егер ауытқу мүмкін мәннен көп болса, легирлеу үрдісі тоқтатылады.
Аз мөлшерлі қондырғының ... ... 10-5 Па кем емес ... ал күшті дәлдіктіде 10-4 Па қамтамасыз ету керек. Ионның жол ұзындығы 1м ... ... ... ... ... шашырау үрдісі және олардың қондырғыдағы қалған газдардың атомдарының қайта зарядталуы. Диффузиялық насосы бар вакуумдық агрегаттар кең ... ... ... -- ... қосылыс қабығының өңделетін қабат тұну мүмкіндігі. Кейбір қондырғыларда шығарудың майлы емес заттарын: криогенді немесе магниторазрядты насостар, сонымен бірге, турбомолекулярлы насостар,шығарылмайтын ... ... ... ... ... қолданады, олар диффузиялық насосы бар және сұйық азотты ловушкалы агрегаттан тұрады, ол ион көзін шығаруға және қабылдаушы камераның майлы емес ... ... үшін ... ТМД ... кең ... ... ... қондырғыларына "Везувий", "Везувий-3 және 3М", "Везувий-5", "Везувий-7М", "Везувий-8 және 8М", ... және 9М", ... ... және "Лада-30"жүйе типтері кіреді.
2.1.2.7 - суретте көп зарядты иондарда жоғары энергетикалық иондық имплантация [53] ... ... ... ... 4 ... ... ... 2 МэВ, кернеуі 500 кВ болатын иондық түйіндерді алуға болады.
1 -- ион көзі ; 2 -- ... ... 3 -- ... 4 -- ... 5 -- магниттік масс-сепаратор; 6, 12 -- қайтарушы жүйе; 7 -- ... ... 8, 14 -- ... ... 9, 18 -- ... 10, 17 -- күшейткіш трубка; 11, 16 -- ... ... 13, 22 -- ... ... 15 -- ... ... ... ; 20 -- иондық түйіннің юстировка датчигі; 21 -- басым электрод; 23 -- қабылдаушы камераның корпусы; 26 -- ... 28 -- ... ... ... ;
29 -- жартылайөткізгішті
Сурет 2.1.2.7- "Везувий-9" қондырғысының сызбасы
2.1.2.8 - суретте Nova-10-160 ... ... үшін ... ... ... ... ток 10 мА және жылдамдатқыш кернеу 160 кВ дейін).
Соңғы жылдары иондық имплантацияның күшті ... ... ... ... Eaton Corp., США, Varian Corp., США; Nissin ... Япония және т.б.), электрониканың арнайы мақсаттары үшін шығарылған : изолятордағы кремнийдің құрылысының түзілуі, Si/SiC гетероөткелі, ... ... ... үшін және т.б. ... ... блогының [51,52] суытылуның специализирленген жүйесі қажет болғанда ионндық ток мұндай жүйеде 200 мА дейін жетуі ... ... үшін ... мен ... ... ... әрекеттің аса дәлдікті имплантерлар мен импульсті имплатационды жүйелерді, көбіне иондар ... ... ... ... 2.1.2.8- ток күші 10 мА және ион ... 160 кэВ ка дейін болатын Nove-10-160 коммерциялық иондық имплантердың ... ... ... ... технологиясының қосымшасы үшін төменэнергетикалық иондық имплантацияға (0,2 - 5 кэВ) ... ... ... ... [50, 52, 55 - 57]. ... жылдары ұсақкөлбеулі легирленген қабықшалар шығару үшін жартылайөткізгіштерде ... ... ... implantation) иондық имплантация әдісін қолданады [58 - 63]. ... ... кең ... көздері плазмалық иммерсионды иондық имплантерлар -- универсалды және диаметрі 200 - 300 мм, ... 98 - 99% ... ... ... ... үшін ... ... арналған. Олар үлкен токка (мысалы, 1 мА/см2), дозалар жинағының жоғары жылдамдығына және ... ... (100 эВ - 100 кэВ) кең ... ... ... ... ... шоғырларды сонымен қатар материалдардың жұқа қабықшаларын (ion beam deposition) алу, қабықшаларды ионды - ассистентті отырғызу, IBAD, ионды - ... ... (ion beam mixing) үшін ... ... әдісі. Имплантация модельдеуі (бағдарламалық комплекс TRIM/SRIM)
Қазіргі уақытта ... ... ... ... кеңірек сипаттайтын екі теориялық әдістеме бар:
а) Монте-Карло сынауының статикалық әдісі;
б) Больцман тасымалының теңдік ... ... ... ... әдіс көмегімен ЭВМге модельденеді: бірнеше мың немесе ондаған мың иондардың траекториялары, беріліс атомдары, радиационды бұзылудың түзілісі, иондық бомбардировка кезіндегі ... ... ... ... су жуып ... және т.б. ... артықшылығы таралудың элементарлы процестердің әртүрлі модельдерін және электронды тежеуді пайдалана алатынында жатыр. Алайда статистика заңын бұзбау ... ... ... ... ... есеп ... ... Атап өткендей көліктік уақыттың үлкен шығынына алып келетін мыңдаған немесе ондаған мың болуы мүмкін. Транспорттық есепті модельдеуге арналған ең танымал ... -- ... ... -- TRIM ... of Ions in Mater.) ... ... ... каскадты модельдегі соқтығысу мүмкіндігіндегі балансты зерттеуге негізделген енгізілген және кристалл түйінінен шығарылған атомдар зерттеледі. Балансты ... ... ... ауысуын, серпімді және серпімді емес соқтығысулардағы (яғни ядролық және электронды тежеудің радиациондық ақауы және т.б.) белгіленген энергияның беріліс атомдарын ... ... ... ... және тағы ... ... ... оптоэлектронды приболар дайындауда қолданылатын маңызды технологиялық операциялардың бірі жартылайөткізгіш немесе диэлектрик материалдардағы жоғары ... ... кэВ) ... ... ... ... иондық имплантация болып табылады. Ендірілген қоспаның кеңістіктік таралу профилін ... ... үшін ... ... ... ... Таралу функциясын алғашқы төрт централды моментін (кері кинетикалық теңдік шешімі) анықтау ... ... ... ... немесе жиырма жылдан бері металдар, жартылайөткізгіштер, диэлектриктерді физикалық тозаңдату және ... ... ... ... пайдаланатын Монте - Карло (МК) әдісін қолданып алуға болады. Сонымен қатар соңғы кездері оның негізгі кемшілігіне ... яғни ... ... ... ... ПЭВМ өндірісінде ол өте кеңінен тарап отыр. Монте-Карло әдісімен ... ... ... кез келген физикалық процесті тікелей шеше алады. Мысалы, локальді локальді емес серпімсіз энергия шығыны, әр түрлі атомдар ... ... ... ... ... және т.б. ... қатар қиын геометрияның көпкомпонетті және көпқабықшалы нысананың ... ... ... ... - ... ... модельдеу нысанадағы иондардың үлкен санын анықтайды. Әрбір ионның траекториясы оның ... ... ... және ... ... басталады. Кейіннен нысанадағы атомдар иондармен соқтығысады; соқтығысулар арасында ионның бос аралығы ... ... ... ... бос аралық жолында бөлшектер энергиясы электронды энергия жоғалу өлшеміне кішірейеді, соқтығысқаннан кейін серпімді жоғалу энергиясына, яғни соқтығысқанда нысанадағы атомға ... ... ... Егер ... атом ... ала ... өлшемнен жоғары энергия (мысалы, U0 беткі атомдардың байланыс энергиясы) алса, онда оны бастапқы беріліс атомы деп ... және оның ... ... ... ... ... ... Бұл соқтығысудан түзілетін кез келген беріліс атомдарына, тіпті генерация дәрежесі жоғары (екіншілік, үшіншілік және т.б.) ... ... тән. Егер ... ала берілген өлшемнен энергия төмендесе (әдетте U0 тең ) немесе бөлшек ... ... ... ... ... асып ... ... атомның немесе ионның траекториясы үзіледі.
Бастапқы, МК әдісінің мықты бағдарламалық реализациясы TRIM 85 (Transport and Ranges of Ion in Matter, Fortran 77) ... ... ... Оны ... және оның әріптестері жазған [64] де сипатталған нұсқада нысана үш қабықшадан тұрады, ал оның ... ... жеті ... тұруы мүмкін. TRIM85 2D - кейінгі каскадты болжамдардың негізі болып табылатын бағдарламаның каскадсыз ... ... ... TRIM88, TRSP2C, TRSPV1C, TRIM91, TRIM95, ... 2003 ... and Ranges of Ion in Matter), SRIM 2006, SRIM 2008, SRIM 2010. Бұл атап ... бағдарламалардың барлығы және тағы басқа Монте - Карло әдісімен шығарылатын бағдарламалар басында тынышталған нысанадағы атомдармен ... ... ... ... ... ... базаланады. Соңғы жылдары TRIM бағдарламасының көмегімен модельдеуге негізгі физикалық жақындау айтарлықтай дамыды. SRIM (TRIM) бағдарламасының ең ... ... СЦМ дағы ... ... ... ... формуланы пайдалану болып табылады.
TRIM (SRIM) алгоритмінің кеңінен қолданылуы есептерде қатты денедегі жылдамдатылған иондардың қозғалысын модельдеу қарапайымдығына және ... ... ... ... ... ... ... процесінің дәлдігіне негізделген. МК әдісі шегіндегі серпімді таралу процесін қадағалайтын негізгі мәселе СЦМ ға ұшқан бөлшектердің таралу бұрышын бірнеше рет ... ... ... Осылайша (103...104) беріліс атомдарының учет режимін 104 ионды траекторияны модельдеуде 1010 ға ... ... ... ... ... ... бағдарламаларда бұл мәселе ауыр иондар мен төмен энергиядағы сияқты ... ... ... ... ... ... арқылы шешіледі. Бұл кемшіліктер МК әдісінің бастапқы реализациялау бағдарлама нұсқаларына PIBER (Program for Ion Beam Exposure of Resist) және MARLOWE тән. TRIM (SRIM) ... ... ... ... есептеу үшін "сиқырлы" формула деп аталатын қарапайым аналитикалық есепті қолдану болып табылады.
Неғұрлым жақындаудың арақашықтығы ... ... ... ... ... ... арқылы 0,1% дейінгі дәлдікпен r0 ды тез ақ табуға болады. СЦМ дағы ... ... fc ... ... шығады.
Er ді Z1Z2e2/a өлшемдерде және ұзындықты а бірлігінде көрсеткен ... ... ... ... түсінігі енгізіледі:
(2.1.3.2)
мұндағы, а экрандау ұзындығы.
Нәтижесінде формуласы былайша жазылады :
(2.1.3.3)
мұндағы B = p/a; Rc = /a; R0 = r0/a; = /a ... ... ... ... ... ... атомдық соқтығысулар экрандалмаған Кулон потенциялымен, яғни резерфордтық таралумен сипатталуы мүмкін. ... ға ... ... ... энергияның өсуімен резерфордтық нәтижеге асимптотикалық жақындау керек.
С1...С5 өлшемдері ион-атомдық әсерлесу потенциялымен анықталатын асыққан ... TRIM-85 [64] ... ... ион -атомдық әсерлесу потенциялын таңдау мүмкіндігі бар екенін атап өткен жөн. Басқа нұсқаларында авторлар тек универсалды потенциалды қолданады.
TRIM (SRIM) ... ... ... ... ... ... бағдарламалары сияқты қатты денедегі бөлшектердің үлкен ансамблін анықтайды. Нысана хаосты орналасқан атомдарымен аморфты болуы мүмкін. Бұл ... ... ... ... кез ... ... көз жұма ... болатынын білдіреді.
TRIM бағдарламасында нысанадағы атомдарды таңдау кездейсоқ сандардың көмегімен іске ... ... ... әрбір түрдің атоммен соқтығысуы оның стехиометриялық коэффициентіне пропорционал ... ... бар ... дағы ... көмірқышқылмен соқтығысуы, кремниймен соқтығысқанға қарағанда екі есе көп). Бұл орналасу тура емес: егер жеңіл атом ... ... ... ... ағысы аз болса, онда стехиометриялық қатынасқа тәуелсіз ауыр ... ... ... ... емес ... Бұл байланыстан нақты қатынасты пайдалану арқылы жеңіл ... ... PMAX қа аз мән ... ал ауыр ... үлкен мән бере аламыз. TRIM - алгоритмінің авторлары универсалды ион - атомдық потенциалды қолданса, бұл мәселе өздігінен шешіледі деп санайды. ... 2.1.3.1 - ... ... ... таралу геометриясы
Серпімді емес энергия шығынын сипаттау үшін локалды және локалды емес энергия шығынын ескеруіміз ... ... ... ... ... ... оларды көрнекірек көрсетілуі мүмкін. Газтәрізді нысаналарда энергия электрондық жүйелердегі тек соқтығысу барысында соқтыққан бөлшектерге берілуі мүмкін және ... ... ... ... бос ... ... ... болуы мүмкін емес. TRIM программасында бұл энергия шығындарын соқтығысудан кейін бөліп алады, және ол энергияның локалды шығыны деп ... ... ... ... газ тор түйінаралық кеңістігін толтырады және қозғалыстағы ... ... яғни ... ... соқтығысулар арасындағы бос жүріс бойында үздіксіз жүріп отырады және ол келесі соқтығысу болғанша ... ... ... ... ... ... емес ... деп аталады. TRIM программасында осы көрсетілген энергия шығынын тіркеудің немесе олардың үйлесуінің кез - келген әдісін қолдануға болады. ... ... ... ... ... және ... емес ... эквиваленттік қатынасын (50%) таңдайды. Бұл бүрку бойынша тәжірибелік мағлұматтармен қанағаттандырарлық келісім алуға мүмкіндік ... ... ... төмен энергия кезінде эквиваленттік заңдылықтың қолданылуы үшін басқа ешқандай физикалық негіз жоқ.
Локалды емес энергия шығынының моделінде, яки, соқтығысу параметрі мен ... ке ... ... электрондық шығынды жай әдіспен:
(2.1.3.4)
мұндағы -- соқтығысулар арасындағы бос жүріс, ал -- электрондық тормоздық қабілеттілік. ... ... ... ... ... көбейткішке кіретін жақындасудың ең көп арақашықтығына тәуелді ,
(2.1.3.5)
деп ... ... ... ... ... бірақ күрделі жартылайэмпирикалық тежегіш қабілеттілігін пайдалану үшін (RSTOP) подпрограммасын қолданады. Ион энергиясы үшін тежегіш қабілеттіліктің 1000 мағынасын ... ноль мен ... ... ... эквидистантты таралған. Каскадты күнтізбеде жұмыс істеу кезінде беру атомдары үшін сәйкес массивтерді қосымша есептеуге тура келеді. Нысананың құрамы ... ... ... ... массивтерді салу қажет. Атап өтілген программалардың ерекшелігі МК әдісінің сандық процедурасының реализациясы барлық ... бір ... ... есептейді. Атомдардың тереңдігі бойынша таралуының өлшемі - [ат./]. Осы шаманы сәулелендіру шамасына көбейте отырып біз енген бөлшектердің концентрациясының ... ... Ион ... жоғары дозасы кезінде нысананың құрамы өзгереді, яғни оның тығыздығы өзгереді. Көрсетілген алгоритмдерде дозалық эффекттер есккерілмейді.
2.1.4 ... ... ... таңда өлшемі бойынша кішкентай құрылым жасалып жатқан ... ... ... ... ... аз облыстарда тұтқындалып, ерекше қасиеттері байқалуына байланысты нанокристаллдар және кристаллдық нүктелерге мамандардың қызығушылығы артып отыр. Жартылайөткізгіштерде ... ... Бор ... ... аБ, атқарады, мұнда ε - статикалық диэлектрлік өтімділік, -Планк ... μ- ... - ... 1/μ = 1/me + 1/mh (me және mh - масса сәйкесінше электрон кемтіктік эффективтік масса) және е - ... ... Бор ... ... ... экситонның байланыс энергиясы және тыйым салынған зонаның кіші ені (Т = 300 К) ... ... үшін 1 ... ... ... үшін синтез әдістерінің арасында бірнеше артықшылығы бар және ең тартымдысы ... ... ... ... ... бақылауға мүмкіншілік, терең профиль мен концентрациясы үшін жоғары тазалық, жаңғырту және көп ... ... ... ... ... қабілеті. Жоғары матрицаның беткі облысындағы аса қанық қоспа концентрациясы, яғни имплантациясы құрылады. Қоспаның тереңдігі бойынша таралуы имплантация тәртібімен және суарумен ... ... ... үлгі ... ... ... ... және термоөңдеудің тәртібі нанокристалл өлшемімен басқарылады. Постимплантациялық суару матрицалық материалға бекітілген нанокристаллдардың формалануына әкеледі.
Кесте 1 - ... ... үшін ... (D-тікзоналы жартылайөткізгіш, I-тікзоналы емес жартылайөткізгіш)
Түрі
Тыйым салынған зонаның ені Eg, ... ... ... Eg-ға ... ... экситоны радиусы, нм
Экситон ның байланыс энергиясы, мэВ
ε, ε*
CdS
2,58; D
0,48
2,8
29
-
CdSe
1,89; D
0,67
4,9
16
ε|| = 10,16 ε = ... ... = ... = ... I
0,55
10 - 6,5
13 - 20
11,11
InP
1,35; D
0,92
11,3
5,1
12,56
GaAs
1,42; D
0,87
12,5
5
13,18
AlAs
2,16; I
0,57
4,2
17
10,06
Si
1,17; I
1,15
4,3
15
11,9
Ge
0,66; I
1,88
25
3,6
16,2
Si1-xGex
1,15 - 0,874x + ... - 1,42x + ... - 0,54x + ... - 22x + ... ... ... ε|| - ... тордағы с осімен параллель, ε - с-осіне перпендикуляр
20 жыл бұрын Арнольд пен Бордерс басқа технологиялармен алынбайтын Аg коллоидтарының концентрациялық ... ... ... имплантация әдісімен құрылатынын көрсетті. Коллоидтар өлшемі постимплантациялық ... ... Сол ... бастап әртүрлі металлдар мен жартылайөткізгіштер ионымен имплантирленген, жартылайөткізгіштердегі және ... ... және ... емес ... (Ag, As, Au, Cu, Sn, Si, Ge, Fe, Au-Cu, Ag-In, Ga-Sb, In-As, In-Sb, Ag-Sb, As-Si, Cd-Ag, Cu-Ni және т.б.) ... көп ... ... Металлдық нанокристаллдарды , Au және Cu сияқты материалдарды бақытылған кварцта иондық ... ... ... ... Бұл ... ... ... өзгерістерге және оптикалық интенсивтілікке тәуелді сыну коэффициентінің жоғарылауына әкеледі, осылайша, бұл материалды сызықтық емес оптикалық материалдар классының ... ... ... ... Бұл әдіс ... ... және ... SiO2, Si3N4, SiNxOy моноатомды нанокристаллдық жартылайөткізгіштер синтезі үшін (Si, Ge, Sn) ... ... ... ... ИК - ... жақын күшті фотолюминесценсияға негізделген, алайда осы сәулеленуге жауапты механизмдер қазіргі таңға дейін дискуссиондық болып қала береді. 2.1.4.1 ... ... ... ... ал 2.1.4.2 - сурет Si ионы балқытылған кварцтағы сәулелену дозасының интенсивтілікке, және фотолюменесценсияның ... ... ... ... ... ... ... ~ 2,5 нм төмен флюенсі сәулелену кезінде және ... ... үшін ~ 4,5 нм. ... ... центрімен ФЛ ~ 650 нм иондық имплантация кезінде SiO2- ға енгізілетін ақауларға негізделген. Si концентрациясының өзгеруі, сол ... ... ... ... ФЛ спектрінің қозғалысын тудырады. Бұл жағдайда қатты кванттардың сәулеленуі ... ... ... аз ... ... алқабына энергетикалық квант ( - қозғалыс) облысында кванттық - ... ... ... ... ... ... Осы екі ... Si-нанокристаллдарының өлшемін өзгертеді. Жалпы нанобөлшектің матрицадағы түрі жаңа оптикалық ... ... ... ұзындығына тәуелді шағылысу коэффициентінен бастап, поляризация, люминесценсия, жұтылу, оптикалық толқын ағыны қуатты лазердің қысқа импульстердегі сызықтық емес ... ... ... ... ... емес дыбыс беру сияқты көптеген сипаттамалар нанокристаллдардың өлшеміне тәуелді. Өлшемдер және нанокристаллдардың өлшем бойынша ... тез ... ... ... ... ... эффективті түрде жаңартуға болады. Металлдық нанобөлшектер шыныдағы оптикалық бейсызықтың толқын ұзындық қатысуымен пайда ... ... ... өте ... ... ... негізделген (плазмондық эффект). Сызықтық емес қасиеттер оптикалық құрылғыларды кеңінен жасауға көмектеседі (лазерлер, модуляторлар, оптикалық ... ... ... 2.1.4.1 - ... ... имплантирленген кремнийдін фотолюменисценсия (ФЛ) спектрі (Е = 400 кэВ, D = 6 x 1017 см-2, ... ... 2- Т = ... ... ... 1 ... ... барысында
Сурет 2.1.4.2 - Балқытылған кварцтан Si+ (Е = 400 кэВ) әр түрлі дозалы иондармен имплантирленген және Т = ... 1 ... ... ... ... спектрі.
Нанокластерлердің оптикалық қасиеттері олардың өлшемі есебінен немесе көлемдік фракциясы ғана емес, кластерлердің құрамының өзгеруі есебінен де ... ... ... ... ... имплантация жолымен (Ag-Cu, Ag-In, Ag-Sb, As-S, Cd-Ag, Cu-Ni, GaN, GaAs, CdS, CdSe, GaSb, GaP, InAs, InP, InSb) ... ... - ... ... ... жасалған 2 типті SiO2, α -Al2O3 иондардың имплантациясы және ... Si ... ... ... бойынша күрделі екенін көрсетеді. Аморфта нанокристаллдар SiO2 ретсіз орналасады, бірақ кристаллдық матрицада үшөлшемді бейімделген және ... ... ... көрсетеді. Өлшем мен өлшем бойынша таралу флюенске, суару шарттарына және ион ... ... ... ... ... жағдайындай, бинарлы жартылайөткізгішті нанокристаллдар, оқшауланған материалға ендірілген тартымды сызықты емес оптикалық қасиеттерге ие. Мысалы, кремний кристаллдарына In + As, Ga +Sb және In + Sb ... ... және ... термоөңдеуде өлшемі бойынша үлкен дисперсиясымен бинарлы қосылыстарға сәйкес нанокристаллдар түзіледі. Бұндай құрылымдарға ~ 1,3 мкм максималды интенсивтілікпен ... ... ... сәйкес келеді. Бұндай жиілікпен белдеу мөлдірлігі зерттеуге оптоталшықты байланыс сызығы ... ... 2 - ... ... ... ... ... + белгісі қосылыс берілген матрицада түзілгенін көрсетеді
Жіңішке белдеулерге фото - және электролюминесценсиялар ... ... ... гистограммалар - өлшем бойынша нанокристаллдар (кванттық нүктелер) таралуы лайық. Осындай құрылымдардан ... ... ... үшін ... ... ... тығыздығы және матрицаның когерентті (кристаллдық матрицада ақаулардың болмауы) болуы шарт. Иондардың жоғары флюенсі кезінде матрицаның когеренттігі термоөңдеудің кез келген ... ... ... ... ... ... тәуелділігін қатты кванттық шектегі оңай қатынаспен бағалауға болады:
Е1s1s = Eg + PI 22/2μ a2 - ... - ... ... радиусы, Е1s1s кванттық нүкте үшін электрон кемтікті қосақтың ... ... ... ... ... сияқты, иондық араластыру SiO2 -дегі металл нанокластерлерінің жасалуының, сол сияқты кванттық шұңқырлары бар құрылымды жасаған кезде бинарлық, ... ... А3В3 ... ... ... ... құрылғысы.
2.2 Рентген дифракция әдісі
Рентген құрылымды анализ - түрлі материалдарды зерттеуге арналған аналитикалық әдістің бұзбайтын ... ... Бұл әдіс ... дене физикасы мен химиясында, физикалық химиясында, биохимияда кеңінен қолданылады. Рентген құрылымды анализ - түрлі материалдарды зерттеуге арналған аналитикалық ... ... ... бірі. Бұл әдіс қатты дене физикасы мен химиясында, физикалық химиясында, биохимияда кеңінен қолданылады.
Құрылымдық анализ когерентті шашыраған сәулеленудің интерференциялық кескініне анализ ... ... ... ... үш өлшемді периодты құрылым ретінде келеді, ал рентген сәулелерінің толқын ұзындығы кристаллдағы периодты қайталануға сәйкес келеді, сондықтан рентген сәулесінің кристалл ... өтуі ... ... кескінді біз көре аламыз. Басқаша сөзбен айтқанда, кристалл рентген сәулесі үшін үш өлшемді дифракциялық тор ... ... ... ... ... ... кезде пайда болған дифракциялық кескінді интерпретациялау үшін, М. Лауэ жеке тұрған атомдардағы рентген сәулесі шашырауының моделін қолданған. ... бір ... ... ... қарастырайық, ондағы атомдар бір бірінен бірдей қашықтықта орналасқан (2.2.1 сурет). Торға толқын ұзындығы λ монохроматикалық сәулелену ... φ ­ ... ... ... рентген сәулесінің бұрышы, χ ­ шашырау бұрышы. Көршілес жатқан атомдармен шашыралған MON және M`O`N` ... ... ... айырмашылығы (OB ­ OA), а(cosχ ­ cosφ) шамасына тең болады, бұл жердегі а ­ қайталану периоды. Шашыралған толқындардағы ... ... өтуі үшін бір ... шашыралған сәулелер қадамының айырмашылығы толқын ұзындықтың толық ... тең ... ... ... тор кристалда 3 бағытта болғандықтан, онда үш өлшемді торда дифракционды сәуленің пайда болуы үшін Лауэнің келесі шарттары орындалуы ... - cosχ1) = ... - cosχ2) = ... (cosφ3 - cosχ3) = ... 2.2.1 ­ ... ... ... жекеше атомдардағы сәулелердің шашырауы деп қарастыру.
a, в, с ­ кристаллографиялық ... осі ... ... ... p, q, r ­ ... сәуленің индекстері, толық сандар; φ1, φ2, φ3 ­ кристаллографиялық координат осіне қатысты ... ... ... ... ... χ1, χ2, χ3 ­ дәл ... бірақ шашыралған сәулелер үшін.
Сурет 2.2.2 ­ Лауэ шартына иллюстрация
Бір бұрыштан шашыралған сәулелер конус түзеді, оның осі түйінді қатар болып ... ал бір ... ... ... p, q және r индекстармен шағылу коаксальды конустар жиынтығын ... Осы ... ... ... ... ... бұрыштар тәуелсіз болмайды, ортогональды координат жүйесінде мынадай қатынас орын ... cos2χ1 + cos2χ2 + cos2χ3 = 1 (дәл осы φ1, φ2, φ3 ... да ... ... дифракция шашыралған сәуленің бағытын сипаттайтын конустар бір сызықтан ... ... ... және сол ... ... бағытын анықтайды (2.2.2 сурет).
Монохроматикалық сәуле поликристалға түскенде пайда болатын дифракциялық сурет, коаксиалды конус түрінде келеді. ... осі ... ... ... ... ... Әр ... ретсіз орналасқан кристалликтердің бір жазықтынынан шағылған сәулелерге сәйкес келеді.
Белгілі бір кристалдық дәннен тұратын поликристалды материалдың немесе ұнтақтың қасиеті ондағы ... ... және ... ... ... кернеуге байланысты. Материалдың екі сипаттамасы да материалды алған кездегі шарттар әсеріне байланысты. Кристаллик өлшемін бағалау және кернеуді ... үшін ... ... ... ... ... ... өлшемін анықтайтын рентген әдісінің бірнеше түрі болады, әрқайсысы өлшемнің белгілі бір интервалында қолданылады. Олардың негізгілері ... Егер ... ... 10­2 см ден 10­3 см аралығында жатса, дифракциялық сақинадағы дифракциялық дақтардың саның есептеу әдісі қолданылады, ол дақтар жазық ... ... ... ... ... Егер кристаллик өлшемі 100 ден 1500 Å интервал аралығында жатса, дифракциялық жолақтардың кеңеюін бағалау әдісі ... ... ... ... әдіс ... сәулелерінің дифракциясына негізделген, яғни біздің жағдайда когерентті шашарау аумақтарының (КША) өлшемі туралы айтқан ыңғайлы.
Механикалық және жылулық әсерлерден кристалликтерде туындаған кернеуді үш ... ... ... 1­ші текті кернеу немесе макрокернеу. Бұлар берілген үлгіде барлық кристалликтерге бірдей, және дифракционды жолақтардың деформацияланбаған ... ... ... ... ... алып ... 2­ші текті микрокернеу. Бұл кернеулер кристалликтен ... ... ... және ... ... кеңеюіне алып келеді.
* 100 ден 1500Å интервал аралығында жататын когерентті шашырау аумақтарының (КША) өлшемі және 2­ші текті микрокернеу дифракционды ... ... ... тигізеді: дифракциялық жолақтарды кеңейтеді. Дифракциялық суретті өңдейтін әдістер бар, олар КША­ның аз өлшемі және 2­ші текті ... ... ... ... ... береді. Бөлудің ең дәл әдісі болып гармоникалық талдау болып табылады. Бірақ бұл әдіс ... көп ... ... Ең қарапайым әдіс аппроксимация болып табылады.
2­ші текті микрокернеу, яғни тепе­теңді жазықтық аралық қашықтықтың әртүрлі өзгеруіне және КША­ның майдалануына ... ... ... ... кернеу дифрактограмма жолағында бірдей әсер береді және оның еңін үлкейтеді. Осы факторлардан бөлек дифракциялық жолақ еңіне геометриялық факторлар әсер ... ... ... алғашқы шоғырының таралуы, олардың үлгіде жұтылуы, диафрагма өлшемі, Кα­дублетінің жартылай бөлшектенуі және ... ДРОН ­ 7 ... ... ... ­ 7 рентген дифрактометрі ­ кристалл объектісімен шашыраған ... ... ... ... мен ... ... ... құрылғы. Қолдану аумағы өңдірісте, ғылыми ­ зерттеу және ғылымның әртүрлі салаларындағы лабараторияларда. Дифрактометрдің әсер ету принципі зерттелетін үлгінің кристалдық ... ... ... ... ... дифракциясына негізделген. λ толқын ұзындығы бар рентген сәулесінің шоғыры кристалға түсіп hkl ... ... ... ... ... ... ... істеу принципі зерттелетін заттың кристалдық торының атомдық жазықтықтан рентгендік сәуленің дифракциясына негізделген.
ДРОН-7 дифрактометрінде фокустаушы ... ... ... Рентгендік түтікше фокусы Ғ және детектордың D саңылауы гониометр радиусы Rг айналасында центрі жалпақ Р орналасқан.
Рентгенодифракционды спектрді тіркеу гониметр О осі ... үлгі мен ... ... ... ... болады, фокустау шарттарын қамтамасыз ету үшін детектордың бұрыштық жылдамдығы үлгінің айналу жылдамдығынан екі есе үлкен болуы керек. Рентген ... ... ... (hkl) ... параллель Р үлгі жазықтығынан шағылады және D детекторының саңылауына фокусталады.
Фокустау бір-біріне енгізілген бұрыштардың теңдігіне негізделген. Түтікшенің Ғ фокусы, үлгі ... Р және ... ... D r=Rг/2sinS айнымалы фокустаудың айналасында орналасады. Сондықтан үлгінің жазық беттік қабатының фокустау айналасынан ауытқуының алдын ... онда ... ... ... шағылған сәулелер детектордың қабылдаушы саңылауына түседі.
Рентген түтікшесінің 2θ=0° фокусы проекциясы Ғ кезінде (немесе кристалл-монохраматор ... ... ... ... ... сәйкес келетін гониометр осі О және детектордың қабылдағыш осінің центрі N гониометрдің нөлдік сызығында бір ... ... ... Бұл ... мақсаты болып табылады және рентгендік түтікше мен саңылаулы құрылғы жазықтығында ауысуымен қол жеткізуге ... ... ... Екі ... ... ... тіреуіш
* рентгендік сәулелену индикаторы
* жоғары вольтті қуат көзі
* мәлімет жинағы мен ... ... ... басқару блогы.
Сурет 2.2.1 - Жалпы тағайындалуға арналған дифрактометр ДРОН-7
Рентгендік сәуленің шоғыры X толқын ұзындығымен, кристалл түсіп, hkl ... ... ... жүйесінен шағылады, Вульф - Брегг дифракция - теңдеу шартын қанағаттандырады,
пλ = 2dsinθ
(2.2.2.1)
мұндағы d - ... ... ... θ - ... ... бұрышы, n - шағылу реті. ... 2.2.2 - ДРОН - 7 ... ... ... ... ... (1), ол ... терезесінің өлшемін тігінен шектейді. Кіретін тік диафрагма (2), детектор терезесінің көлденең апертурасын анықтайды. Шоғырдың шашырауын тігінен ... ... ... (3). ... ­ ... фильтр (β ­ фильтрі) (4). Шашыратқыштыққа қарсы тік диафрагма (5). Жазық үлгі (6). ... ... ... көлбей шектейтін көлденең диафрагма (7).Бірінші шоғырдың өлшемін тікелей шектейтін тік ... (8). ... ... ... (9).
3 ... ... МЕН ОНЫ ТАЛДАУ
3.1 Кремний төсеніші мен SiO2/Si құрылымдарына иондардың жоғары дозалы имплантация ... ... жүйе ... III және V ... иондардың жоғарғы мөлшерлі имплантациясы SRIM-2010 жиынтығының негізімен қоспа профильдерінің компьютерлік модельдеуі бойынша жасалды. Еңгізілген қоспаны ... ... бір ... ... үшін импланттирленген иондардың энергиясы олардың жүгіруі бір біріне жақын болатындай таңдалды. Имплантация ... ... ... (4-6 ат.%) ... ... ... келесі кластерлеу процессін атқару үшін арнайы таңдалынады
Төмендегі 3.1.1 және 3.1.2 суреттерінде проект мақсаты бойынша үйлесімдірілген, ... ... ... жүйесі бойынша есептелген, кремнийге импланттирленген иондар пішіні көрсетілген. 3.1.3 және 3.1.4 суреттерінде SiO2/Si құрылымындағы ... ... ... 3.2.1 - In (350 кэВ, ... см[-2]) және Sb (350 кэВ, 3,510[16] см[2]) мен имплантирленген Si тереңдігімен таралған қоспаның модельденген профилі (SRIM-2010)
Сурет 3.2.1 - Ga (250 кэВ, ... ... және Sb (350 кэВ, ... см[2]) мен ... Si ... ... қоспаның модельденген профилі (SRIM 2008)
Сурет 3.2.3 - As (170 кэВ, ... ... және In (250 кэВ, ... см[-2]) мен имплантирленген SiO2 (40 нм) тереңдігімен таралған қоспаның модельденген ... 3.2.4 - As (170 кэВ, 3,21016 см-2) және In (250 кэВ, 2,81016 см2) мен ... ... ... қоспаның модельденген профилі(SRIM-2010)
Сурет 3.2.5 - Sn (200 кэВ, 5 1016 см-2) және Sn (200 кэВ, 11017 см-2) мен ... ... ... ... ... профилі(SRIM-2010)
Пішіндерді (профильді) модельдеу процессі кезінде жоғары мөлшерлі имплантациядағы ... және SiO2 ... ... ... ... ол ... қабаттың алынып тасталуына ықпал етіп, профильдің орналасу тереңдігін өзгертеді.
In және Sb иондары үшін кремнийдің ... ... ... Y1=3.77 және Y2= ... ... ... ... 27 нм.
Ga және Sb иондары үшін кремнийдің сәйкесінше тозаңдату коэффициенті Y1= 2,4 және Y2= 3.93. ... ... ... ... 22 ... және As иондары үшін диоксид кремнийдің тозаңдату коэффициенты - Y1=3,28 және - Y2=2,38, ... ... ... ... 12 ... ... D = 5 1016 см-2 ... имплантация кезінде, алынып тасталған қабаттың қалыңдығы 22,6 нм, ал мөлшері D=11017 см-2 болса алынып тасталған қабаттың қалыңдығы 45 нм.
Компьютерлік ... ... ... имплантациясы жүргізілді және құрамында кластетүзуші атомы бар кремний мен SiO2/Si құрылымды экспериментальді үлгілер жасалды. 3 ... ... ... түзілу режимдері көрсетілген.
Кесте 3 - Эксперименнтегі үлгінің түзілу режимі
Матрица, температура
Ион
Энергия
Мөлшер
Si(100) КЭФ 4,5
500°C
Sb
350 кэВ
3,5x10[16]см[-2]
In
350 кэВ
3,5x10[16]cм[-2]
Si(100) КЭФ ... ... ... ... ... кэВ
2,8x1016см-2
SiO2(600 нм)/Si
As
170 кэВ
3,2x1016см-2
In
250 кэВ
2,8x1016см-2
SiO2(600 нм)/Si
20-50 °C
Sn
200 кэВ
5x10 16 ... ... ... ... [17] ... ... ... кэВ
2x10 16 см-2
SiO2(600 нм)/Si
20-50 °C
Si
150 кэВ
5x10 16 см-2
SiO2(600 нм)/Si
20-50 °C
Si
150 кэВ
1x10 [1]7см-2
Имплантация иондардың сызықтық үдеткішінде жасалды, ол иондарды 50 - 400 кэВ ... ... ... етеді. Si және SiO2/Si жүйесі сәулеленген кезде иондық тоқтың тығыздығы 1 мкА/см2 -ден ... ... ... ... ... жасалған төсеніш температурасы бөлмелік немесе жоғары (әдейі қыздырғыш әсерінен) 500 °С дейін болды. Бірінші жағдайда ... ... ... ... ... ... ... аморфты күйге ауысады, ал жоғары температурада (500 °С) кремний үлгісі кристалдық болып қалады.
3.2 Эксперимент нәтижелері
Рентген құрылымды талдау нәтижелері бойынша ... тек ... 69,150 пикі ... ... ... спектрі көрінбеді. Бұл имплантирленген иондардың атомдық концентрациясы 5% - тан кемдігімен түсіндіріледі, яғни компьютерлік модельдеудің дұрыс жасалғандығы дәлелденеді
Сурет 3.2.1 - ... 7 ... ... In иондары имплантирленген кремнийдің дифрактограммасы
а) In иондары имплантирленген кремнийге бір жақ беті;
б) эталон үлгі;
в) In иондары имплантирленген кремнийге екінші жақ ... 3.2.2 - ДРОН 7 ... ... ... эксперименттің мақсаты - шашыраудың интенсивтілігін I(s) шашырау векторы модулінің s=4PI(sinθ)/λ аз шамасында өлшеу. 10-1000 Å ... ... ... ... қандайда бір біртексіздікті өлшеу үшін шашыраған сәуленің өлшемін s шамасының 10-4тен 10-1 Å-1 дейін интервал аралығында өлшеу мүмкіндігіне ие. Сондықтан ... ... ... өте аз ... ... ... керек.
Кішібұрышты шашырау спектрі арқылы біз корреляционды функция қисығын алдық (3.2.4 сурет). Корреляционды функция бөлшектің құрылысы туралы қорытынды жасауға рұқсат береді, яғни одан ... ... мен ... ... ... ... болады. Корреляционды функция қисығында рефлекстер байқалады, ол ... ... ... ... жауап береді және олар шамамен сфералық пішінге ие. Бөлшектердің өлшемі бойынша ... ... (3.2.5 ... ... көп бөлігі 75 нм ге жуық өлшемді болып келетінін көрсетті ол ПЭМ әдісінен алынған нәтижелермен (3.2.3 сурет) сәйкес келеді.
нм
Сурет 3.2.3 - Ga+(250 ... см-2) және Sb+(350 кэВ, 5x1016 см-2) ... ... Si үлгісінің өлшемімен таралу функциясы, 11000С 60 мин бойы ... ... 3.2.4 - Ga+(250 ... см-2) және Sb+(350 кэВ, 3,5x1016 см-2) ... имплантирленген монокристалды Si үлгісінің корреляционды функциясы
Сурет 3.2.5 - Ga+(250 кэВ,3,5x1016 см-2) және Sb+(350 кэВ, 3,5x1016 см-2) иондарымен имплантирленген Si ... ... ... ... ... ... ... және ионды имплантациямен алынған Si , және композиттерінің құрылымы зерттелді. Периодтық жүйенің бесінші (As немесе Sb) және ... (In или Ga) топ ... ... Si (100) 5000С ... ... ... мен ... (SRIM) модельдеуімен таңдалды. Ол III және V топ (5-6) ат.% қоспаларының концентрациясы 120-150 нм ... ... ... үшін ... ... ... ... нәтижелері бойынша дифрактограммада 69,150 пикі шықты, ол кремнийдің пикіне сәйкес, имплантирленген иондар спектрі тіркелмеді. Бұл ... ... ... ... 5% - тан ... түсіндіріледі, яғни компьютерлік модельдеудің дұрыс жасалғандығы дәлелденеді.
3. ... ... ... нәтижесі бойынша нанокластерлердің пішіні сфералық және бөлшектердің көп бөлігі 75 - 80 нм ге жуық ... ... ... ... ол ПЭМ ... ... ... сәйкес келеді.
ҚОЛДАНЫЛҒАН ӘДЕБИЕТТЕР ТІЗІМІ:
1 Lutskii V.V. //Phys. St.Sol.-1970.-V.1.-P.199-201.
2 Arakawa, Y. Multidimensional quantum well laser and temperature dependence of its ... current/ Arakawa Y., Sakaki H.// Appl. Phys. Lett. - 1982. - V.40 (11). ... ... Н., ... Ю., Мир ... и ... ... наноэлектроники. Техносфера/Москва 2007.
4 Питер Ю., Кардона М. Основы физики полупроводников. - М.: Физматлит, 2002. - 560 ... ... N., d"andrea A., del Sole R.et al. // Phys. Rev. B - Solid State. 1995. V. 51. N 8. P. 5005 - ... ... A. // Ibid. 1998. V. 57. N 20. P. 12847 - ... Tiong K. K., ... P. M., Pollak F. H., Aspnes D. E. // Appl. Phys. Lett. 1984. V. 44. N 1. P. 122 - 124.
8 Asada m., Migamoto Y., Suematsu Y. // IEEE J. Quant. ... 1986. V. QE - 22. N 9. P. 1915 - 1921.
9 Weisbuch C., Vinter B. Quantum ... ... Fundamentals and Applications. - San Diego (CA) : Acaemic, 1991. - 252 ... Singh J. In: Physics of ... and their ... - N. Y. : ... 1993. - P. ... Dingle R., Wiegmann W., Henry C. H. / / Phys. Rev. Lett. 1974. V. 33. N 14. P. 824 - ... ... M. H., ... C., Bastard G. et al. / / Rhys. Rev B - Solid State. 1985. V. 31. N 8. P. 5539 - 5542.
13 Skolnick M. S., Tapster P. R., Bass S. J. et al. / / ... Sci. Technol. 1986. V 1. N 1. P. 29 - 40.
14 ... А.В., ... ... 35. Вып. 9. С. 513-522.
15 Алферов Ж.И.//ФТП.1998.Т.32.Вып.1.С.317.
16 Гапоненко С.В.//ФТП.1996.Т.30.Вып.4.С.577.
17 (Toyoda Gosey Corp.,2000).
18 Шуберт Ф.Е. ... А.С. ... В.М. ... П.В. ... Ю.М. ... В.А. Мошников. Исследование электронного строения и химического состава ... ... ... на ... n и ... ... XANES и ИК- ... Физика и техника полупроводников, 2011, том. 45, вып. 9. с. 1229- 1234.
20 А. С. ... В. М. ... Д. Л. ... П. В. ... К. А. ... Е. В. ... С. А. ... Ю. А. Юраков, Э. П. Домашевская. Состав и реакционная способность нанопорошков пористого кремния. Неорганические материалы, 2012, том 48, № 10, с. 1 - ... Canham L.T. Appl. Phys. Lett. V.57, №10. P. 1046 - 1048. ... ... Н.Е. и др.// ... и техника полупроводников, т. 44, вып. 1. С. 82-86. (2010).
23 Salonen J. et al. Applied Surface Science, V.120. P. 191 - 198. ... Bao X. et al. Solid State ... V.109. P. 169 - 172. ... S.Yu. Turishchev, A.S. Lenshin, E.P. Domashevskaya, V.M. Kashkarov, V.A. Terekhov, K.N. Pankov, and D.A. Khoviv Evolution of nanoporous silicon phase ... and electron energy ... under natural ageing // Phys. Status Solidi C - 2009.- 6, No. 7 - 1651 - ... ... А.С., ... В.М., Турищев С.Ю., Смирнов М.С., Домашевская Э.П. Влияние естественного ... на ... ... ... // ... технической физики, 2012, том 82, вып 2, с. 150-152.
27 Vyatcheslav A. Moshnikov, Irina Gracheva, Aleksandr S. Lenshin, Yulia M. Spivak, Maxim G. Anchkov, Vladimir V. ... Jan M. ... Porous silicon with embedded metal oxides for gas sensing ... of ... Solids. Volume 358, Issue 3, 1 February 2012, Pages 590 - ... В.М. Кашкаров, А.С. Леньшин, А.Е. Попов. Состав и строение слоев нанопористого ... с ... ... Fe и Co // ... РАН. Серия физическая. - 2008. - Т.72, №4. - С. 484 - ... V.M. ... A.S. Lenshin, B.L. Agapov, S.Yu. ... E.P. ... Electron structure of iron and cobalt nanocomposites on the basis of porous silicon // Phys. Status Solidi C. - 2009.- 6, No. 7, - P. 1656 - ... Н. В. ... С. В. ... О. В. Долгих, В. М. Кашкаров, А. С. Леньшин, Е. А. ... ... ... ... ... ... // ... МАТЕРИАЛЫ, 2010, том 46, № 11, с. 1316 - 1322.
31 Э.П. Домашевская, С.В. Рябцев, В.А. Терехов, А.С. ... Ф.М. ... А.Т. ... А.В. Сидашов XPS исследования особенностей окисления наноразмерных пленок Ni/Si (100)// Журнал структурной химии. Приложение. 2011. Том 52, с. 119-125.
32 ... А.М., ... А.А., ... А.В. // ... материалы, 2001, т. 37, № 5, с. 519-526.
33 Z. F. Li and E. Ruckenstein.// Nano Letters, 2004, 4 (8), p. 1463 - ... Qi Wang, Hongjun Ni, Annette ... Franz Hennies, Yongping Bao, Yimin Chao.// J. Nanopart Res. 2010. V. 13, N 1, p. 405-413.
35 В.М. ... А.С. ... П.В. ... Б.Л. ... В.Н. Ципенюк. Химическая модификация поверхности пористого и профилированного кремния в растворе акриловой кислоты. ... ... ... и ... исследования, 2012, № 9, с.1 - 7.
36 E. P. ... A. S. Lenshin, V. M. ... I. N. ... and N. A. Terebova. Investigations of Porous Silicon with Deposited 3D-Metals by Auger- and ... X-Ray Emission ... Journal of ... and ... Vol. 12, 1 - 5, ... ... А.С., Кашкаров В.М., Турищев С.Ю., Смирнов М.С., Домашевская Э.П. Влияние естественного старения на фотолюминесценцию пористого кремния. // Журнал ... ... 2012, том 82, вып 2, с. ... Э. П. ... А. С. ... В. М. ... И. Н. ... Н. С. Теребова. Исследование поверхностных слоев пористого кремния с внедренными металлами Fe, Co и Ni ... ... и ... ... ... ... ... синхротронные и нейтронные исследования, 2012, № 2, с.1 - 6.
39 А.С. Леньшин, В.М. Кашкаров, П.В. Середин, Д.А. ... Б.Л. ... М.А. ... В.А. ... Э.П. ... ... ... особенностей роста и оптических характеристик многослойных образцов пористого кремния, выращенных на подложках n-типа с эпитаксиально ... ... ... и ... ... 2012, том 46, вып. 8, с. ... H.Foll, M. ... J. Karstensen, G. Hasse.// Materials Science and Engineering R. 2002, 280, p.1-49.
41 Avramov et al. , 2008.
42 Fedorov D.G., Avramov P.V., Analytic gradient for the adaptive frozen orbital bond ... in the fragment ... orbital ... Phys.et 2009
43 Brunner K., Si/Ge ... Phys. 2002. V. 65. ... Zunger, Wang, 1996.
45 Avramov et al., 2007; 2008; 2009
46 Sorokin P.B., Avramov P.V., Density functional study of - oriented thin silicon ... Phys. Rev. B.2008. V.77. P. ... ... Ф.Ф. ... и ... ... ... - Минск: баспасы ВУЗ-ЮНИТИ, 1988. - 209 c.
48 ... Ф.Ф., ... В.В., ... В.С. ... ... 1987. - Т. 31, N 3 - С. 219 - ... Wegmann. The ... development of ion implantation, in book: Ion implantation, Science and Technology. Ed. by Ziegler J. F. Orlando, San Diego, New York: Academic Press, 1984. - Р. 3 - ... ... В.В., ... Л.А., ... А.В., Шокин Е.В. Оборудование ионной имплантации. М.: Радиоисвязь, 1988. - 183 c.
51 White N.R. Ion beam ... for ... ... ... doping, in book: Ion ... and ion beam ... Ed. by Karpuzov D.S., Katardjiev I.V., Todorov S.S. Singapure.-New Jersey, London, 1991. - P. 244 - ... ... J, Langner J., ... et al. Nucl. Instr. Meth., 1993. - Vol. B80/81. - P. 344 - ... ... A.D., Bakharev O.G., Martynenko V.A. et al. Nucl. Instr. Meth., 1994 - Vol. B94. - P. 81 - ... Felch S.B., Powell R.A. Nucl. Instr. Meth., 1987. - Vol. B21 - P. - 486 - ... Hong S.M., Ruggles G.A., Paulos J.J. et al. Appl. Phys. Lett. - 1988. - Vol.53.- P. 1740 - ... Qian XY., Cheung N.W., Lieberman M.A. et al. Nucl. Instr. Meth., 1991. - Vol. B55. - P. 821 - ... Cheung N.W. Nucl. Instr. Meth., 1991. - Vol. B55. - P. 811 - ... Kenny M.J., ... L.S., Tendys J., Collins G.A. Nucl. Instr. Meth., 1993. - Vol. B80/81. - P. 262 - ... Qin S., Jin Z., Chan C. J. Appl. Phys., 1995. - Vol. 78, N1. - P. 55 - ... Jones E.C., Linder B.P., Cheung N.W. Jpn. J. Appl. Phys, 1996. - Vol. 35, Part I, N2B. P. 1027 - ... Chu P.K., Qin S., Chan C. et al. Mater. Sci. Eng., ... - R17. - N6-7. P. 207 - 277.
60 Орликовский А.А. Микроэлектроника, 1999. - Т. 28, N6. - С. 415 - ... J. ... M. Scharff, H.E. Schiott. "Range Concepts and Heavy Ion Ranges", Kgl. Dan. Vid. Selsk. ... ... - N14. ... ... Д., СтьюартА. Теорияраспределений. М.: Наука, 1965. - 587 ... D.G. ... R. Oven and B. Mundin, J. Phys. D,1990. - Vol. 23. - 870 ... Ziegler J.F., Biersack J.P., Littmark U. The Stopping and Range of Ions in Solids, Pergamon Press, New York, 1985. - 365р.

Пән: Автоматтандыру, Техника
Жұмыс түрі: Дипломдық жұмыс
Көлемі: 57 бет
Бұл жұмыстың бағасы: 1 300 теңге









Ұқсас жұмыстар
Тақырыб Бет саны
Педагогикалық әдіснама бойынша теориялық және практикалық материалдармен жұмыс.Библиографиялық көрсеткіш7 бет
«Радиотехника және антенна негіздері» пәні бойынша емтихан сұрақтары14 бет
Атмосфера құрамы және ластану проблемалары11 бет
Бизнестің туризмдегі алатын орны7 бет
Дербес компьютер құрылғылары10 бет
Дизайн және дизайнер ұғымдарына түсінік10 бет
Дыбыс4 бет
Еркек жыныс мүшесінің құрылысы13 бет
Көлік геграфиясы15 бет
Машина жасау7 бет


Исходниктер
Пәндер
Көмек / Помощь
Арайлым
Біз міндетті түрде жауап береміз!
Мы обязательно ответим!
Жіберу / Отправить


Зарабатывайте вместе с нами

Рахмет!
Хабарлама жіберілді. / Сообщение отправлено.

Сіз үшін аптасына 5 күн жұмыс істейміз.
Жұмыс уақыты 09:00 - 18:00

Мы работаем для Вас 5 дней в неделю.
Время работы 09:00 - 18:00

Email: info@stud.kz

Phone: 777 614 50 20
Жабу / Закрыть

Көмек / Помощь