Металл нанобөлшектерін жалында алу және оларды жарылғыш зат құрамында қолдану

Мазмұны
Кіріспе 3
1. Графен синтездеу әдістері 5
1.1 Графиттің микромеханикалық ыдырауы 5
1.2 Графиттің сұйықфазалы ыдырауы 5
1.3 Графеннің тотығуы 5
1.4 Буды химиялық тұндыру арқылы графенді синтездеу. 6
1.5 Графенді электр доғасында алу 6
1.6 Кремний карбидінің термиялық ыдырауы 6
2. Тәжірибелік бөлім 8
3. Нәтижелер мен талқылаулар 11
Қорытынды 25
Әдебиеттер тізімі 26
Графен беті бір-бірімен 0,142 нм қашықтықта орналасқан көміртектен құралған алтыбұрыштан тұратын бір қабатты екі өлшемді құрылым. Қазіргі уақытта оның жоғары электро және жылуөткізгіштік ерекше және потенциалды пайдалы қасиеттеріне байланысты үлкен көңіл аударылуда. Бұл қасиеттері оны жоғары механикалық, электрикалық және теплофизикалық сипатты жаңа наноматериалдардың негізі ретінде пайдалануға және наноэлектрондық құрылғылардың элементі ретінде пайдалануға мүмкіндік береді. Бірақ графенді пайдалану тек оның сипаттамаларын, сонымен қатар сондай құрылымды арзан жолмен алу мүмкіндігі нақтылап анықтағаннан кейін ғана мүмкін болады.
Графит қабаттарын механикалық ыдырату арқылы графенді бөліп алудың алғашқы әдісі ашылғаннан кейін біраз жылдар бойы көптеген зертханалық зерттеу жұмыстары жаңа тиімдірек әдістерді дамытуға арналды. Графитті сұйықфазалы ыдырату, графитті тотықтандыру, буды химиялық тұндыру арқылы графен алу, металл бетінде графенді эпитаксиалды өсіру, карбидтің термиялық ыдырауы, электор доғасында алу әдістері графен алу үшін қолданылады. Бірақ, бұл әдістер өте күрделі, көп уақытты талап етеді және графен шығымы аз. Сондықтан да графен синтездеудің жеңіл әрі мол өнімді әдістерін табу маңызды мәселе.
Сондай әдістердің бірі графен қабаттарын жалында алу бола алады. Наноқұрылымдардың жалында түзілуі 10-5 тен 10-3 секунд арасында қатты фаза түзілетін тез жүретін реакция болып табылады. Жалынды әдіс үздіксіз, қарапайым, арзан және графеннің жаппай өндірісіне пайдалануға мүмкіндік береді. Графенді жалында синтездеу әдісін өңдеу және оны жаппай өндіріске тарату графеннің фундаментальді зерттеуіне және практикалық қолданылуына үлкен үлес қосады. Зерттеулер жұмысы графенді жалында алу әдісі улкен ауданда алуға мүмкіндік берген буды химиялық тұндыру әдісімен (CVD) бәсекелес бола алатынын көрсетті. Графенді синтездеудің әдістерін зерттеу арқылы өнімнің максимал шығымына кедергі келтіретін проблемаларды шешуге мүмкіндік береді.
1. Novoselov K.S., Geim A.K., Morozov S.V., et al. Two-dimensional gas of massless Dirac fermions in graphene // Nature. – 2005. - V. 438. – Р. 197–200.
2. Geim A.K., Novoselov K.S. The rise of graphene // Nat. Mater. – 2007. - V 6. – Р. 183–91.
3. Елецкий А.В., Искандарова И.М., Книжник А.А. Графены: методы получения и теплофизические свойства // УФН. - 2011. - Т. 181, № 3. - С. 233-268.
4. Li Z., Zhu H., Xie D. et al. Flame synthesis of few-layered graphene/graphite films // Chem. Commun. – 2011. - V. 47. – Р. 3520-3522.
5. Memon N.K., Tse S.D., Al-Sharab J.Fet. al. Flame synthesis of graphene films in open environments // Carbon. – 2011. - V. 49. – Р. 5064-5070.
6. Bockhorn H. (ed). Soot Formation in Combustion. Springer, Berlin/Heidelberg. 1994. – 596 р.
        
        ҚАЗАҚСТАН РЕСПУБЛИКАСЫ БІЛІМ ЖӘНЕ ҒЫЛЫМ МИНИСТРЛІГІ
ӘЛ-ФАРАБИ АТЫНДАҒЫ ҚАЗАҚ ҰЛТТЫҚ УНИВЕРСИТЕТІ
Химия факультеті
Химиялық-физика және ... ... ... ... ЖАЛЫНДА АЛУ ЖӘНЕ ОЛАРДЫ ЖАРЫЛҒЫШ ЗАТ ҚҰРАМЫНДА ҚОЛДАНУ
Орындаған 1-курс
магистранты ... ... ... ... ... З.А.
Алматы, 2013 жыл
Мазмұны
Кіріспе 3
* Графен синтездеу әдістері 5
+ ... ... ... 5
+ ... ... ыдырауы 5
+ ... ... 5
+ Буды ... ... ... ... ... 6
+ ... ... ... алу 6
+ ... ... ... ... 6
* ... ... 8
* ... мен ... ... ... тізімі ... беті ... 0,142 нм ... ... ... ... алтыбұрыштан тұратын бір қабатты екі өлшемді құрылым. Қазіргі уақытта оның жоғары электро және жылуөткізгіштік ерекше және потенциалды ... ... ... ... ... ... Бұл қасиеттері оны жоғары механикалық, электрикалық және теплофизикалық сипатты жаңа наноматериалдардың негізі ретінде пайдалануға және ... ... ... ... ... ... береді. Бірақ графенді пайдалану тек оның сипаттамаларын, сонымен қатар сондай құрылымды арзан ... алу ... ... ... кейін ғана мүмкін болады.
Графит қабаттарын механикалық ыдырату арқылы ... ... ... ... ... ашылғаннан кейін біраз жылдар бойы көптеген зертханалық зерттеу жұмыстары жаңа тиімдірек әдістерді дамытуға арналды. Графитті сұйықфазалы ыдырату, графитті ... буды ... ... ... ... алу, ... бетінде графенді эпитаксиалды өсіру, карбидтің термиялық ыдырауы, электор доғасында алу әдістері графен алу үшін қолданылады. Бірақ, бұл ... өте ... көп ... ... етеді және графен шығымы аз. Сондықтан да графен синтездеудің жеңіл әрі мол өнімді әдістерін табу маңызды ... ... ... бірі ... қабаттарын жалында алу бола алады. Наноқұрылымдардың жалында түзілуі 10-5 тен 10-3 секунд арасында қатты фаза түзілетін тез жүретін ... ... ... Жалынды әдіс үздіксіз, қарапайым, арзан және графеннің жаппай өндірісіне пайдалануға мүмкіндік ... ... ... ... ... ... және оны ... өндіріске тарату графеннің фундаментальді зерттеуіне және практикалық қолданылуына үлкен үлес қосады. Зерттеулер жұмысы графенді жалында алу әдісі ... ... ... ... берген буды химиялық тұндыру әдісімен (CVD) бәсекелес бола алатынын көрсетті. Графенді синтездеудің әдістерін зерттеу арқылы өнімнің ... ... ... ... ... шешуге мүмкіндік береді.
Бұл жұмыстың мақсаты ең аз қабатты және реттелген құрылымды графен қабаттарын алу үшін жалын параметрлерін ... ... ... ... ... ... кең көлемді синтезі және олардың алдағы практикалық қолданысы болып табылады.
* Графен синтездеу әдістері
Қазіргі уақытта графенді синтездеудің бірнеше ... ... ... сол ... ... ... ... көрсетілген.
+ Графиттің микромеханикалық ыдырауы
Графеннің ең алғашқы ... ... ... ... ... ... алынған. Осы әдіске сәйкес, графен қабаттары кристалдық графиттердің бір бірімен үйкелуінің әсерінен немесе қышқылда ... ... жеке ... қабаттары алынатын жабысқыш лентаның көмегімен бөліп алынады. Зерттеу нәтижелері көрсеткендей, бұл әдіс нәтижесінде ені 10 мкм және ұзындығы 100 мкм ... ... ... ие бір ... ... алуға мүмкіндік береді [1].
1.2 Графиттің сұйықфазалы ыдырауы
Графитті жеке графен қабаттарына ыдыратудың ең қарапайым ... бірі ... ... ... сұйықтықтарды қолдануға негізделген. Бұл тәсіл кристалды графиттің қабаттар арасындағы кеңістікке әр-түрлі табиғатты атомдар мен молекулалардың кіріп кету ... ... ... ... ... Бұл өз ... ... арасындағы кеңістіктің үлкейуіне алып келеді және соған сәйкес аралық энергияның төмендеуі болады. Нәтижесінде механикалық әсер ету ... ... ... бөлу ... ... Бұл әдіс тығыз байланысқан жгут ретінде түзілетін көміртекті нанотүтікшелерді бөлу кезіндегі проблемаларды шешуде өзін жақсы көрсеткенін айта ... Ол ... ... ... зат ... (БАЗ) ... ... әрекеттесудің жоғарғы энергиясымен сипатталатын N-полиметил- пирролидон (NMP) пайдаланылған
1.3 Графиттің тотығуы
Графит қабаттарын ажырату проблемаларын шешудің тиімді жолы химиялық ... ... ... Осы тәсілге сәйкес графитті газтәрізді күшті тотықтырғыштармен әсер еткенде графиттің ішкі қабаттарының тотығуы жүреді. Соның ... ... ... ... ... ... байланыс төмендейді. Нәтижесінде сұйық фазада графит қабаттарын ажырату оңайланап, өлшемі жүздеген микрометр ... ... ... ... ... ... береді [2]
1.4 Буды химиялық тұндыру арқылы графенді синтездеу.
Буды химиялық тұндыру (CVD) әдісі көміртекті наноқұрылымдарды ... кең ... 1970 ... бастап бұл әдіс композитті материалдардың негізі болатын көміртекті талшықтарды алуда тиімді қолданылып келген. CVD әдісі КНТ ді ... ... ... кең ... ... ... Бұл әдістің негізі газтәрізді көмурсутектердің кейбір металдардың бетінде әр түрлі нанокөміртекті құрылымдар түзіп термокаталитикалық ыдырау мүмкіндігі болып тұр.
1.5 ... ... ... ... газ ... ... графитті электродты доғалық разряд кристалдық графитті беттік көміртекті құрылымдарға айналдырудың тиімді әдістерінің бірі екені белгілі. Ондай әдістің негізінде ... мен КНТ ді ... ... алу ... ... ... арқасында ондай құрылымдар зерттеушілердің кең ауқымына қол жетімді болды. Осыдан электрдоғалық әдісті графенді алуға да ... ...
1.6 ... ... ... ыдырауы
Графен синтездеуде тағы бір тиімді әдіс нәтижесіде SiC кристалының бетінде графен қабатының өсуіне алып келетін кремний карбидінің ... ... ... ... ... артықшылығы, бастапқы SiC кристалының жақсы сапасы кезінде синтезделетін үлгінің өлшемі кристалл өлшемімен сәйкес бола алады. Сонымен қатар ... ... ... ... үшін оны диэлектрлі табақшаға қою керек, сондықтан да бұл әдісте SiC диэлектрлік қасиеттерінің арқасында үлгіні металл ... ... ... ... ... қиындықтар туындамайды [3].
* Тәжірибелік бөлім
Бірінші кезеңде қабатты ... ... ... ... ... ... түзілу процессі зерттелінді. Тәжірибе шарттары мынадай: атмосфералық қысымда, қатынасы С/О=0,86 ға тең болатындай пропан шығыны - 219,1 ... ... ... - 381 ... Зерттеуді пропан-оттекті қоспаға аргонды 300-650 см3/мин мөлшерде қосып та, қоспай да ... ... ... ... ... ортасына салынған мыстан және никельден жасалған пластинкалар қолданылды, 1 ... 1. ... ... орнатылған алдын-ала араластырылған пропан-оттек-аргон қоспасының жалынының суреті.
Табаншаның жалында болу уақыты өзгеріп ... 5, 10, 20, 30, 40, 60 ... 5 және 10 ... ... ... ... салыстырғандағы табаншаның орналасу бұрышы өзгеріп отырды: α = 0, 30, 45, 60, 85о. ... ... ... ... 900-950 оС аралығында болды. Жалынның орталық бөлігінің температурасын хромель-алюмель термопарасы қолданып, бастапқы нүкте ретінде тұрақтандырғышты алып әр 5 мм сайын ... ... ... ... ... ... ... биіктігі бойынша өлшенген температурасының нәтижелері 1-кестеде көрсетілген.
Кесте 1. Пропан-оттек-аргонды жалынның орталық бөлігінің биіктігі бойынша өлшенген ... ... ... ... ... ... ... сол нүктедегі аргонның мөлшеріне байланысты болады. Сондықтан да жалынның биіктігіне байланысты температура ... ... ... ... алдын ала араластырылған пропан-оттек және бутан-оттекті қоспаның С/О ... ... ... ... атмосфералық қысымда қабатты графен пленкаларының жалында түзілуіне қатысты зерттеулер жүргізілді. Аргон 150, 250, 350, 450 и 500 см3/мин көлемде берілді. ... ... болу ... 5 мин ... ... ... берілетін аргон мен С/О қатынасына тәуелді болғандықтан, ал ... ... ... пластина мен ұстағыштардың жылуды алып кетуіне байланысты жалын температурасы 30-50 оС-қа төмендейтін болғасын, оның бастапқы температурасын 950-970 оС-қа келтіріп ... ... ... ... ... температурасы 900-920 оС аралығында болды.
Қабатты графен пленкаларының түзілуін зерттеуді пропан немесе бутанның тұрақты жылдамдығында, 219,3 ... ... С/О ... ... ... алу үшін ... ... өзгертіп отырдық. Оның мәндері 2-кестеде көрсетілген.
Кесте 2. ... ... ... С/О ... ... ... алу үшін ... оттек шығымы
С/О мәні
0,75
0,85
0,95
1,05
С3Н8 ге кеткен О2 шығыны, см3/мин
438,2
386,6
345,9
313,0
С4Н10ге кеткен О2 шығыны, см3/мин
584,3
515,5
461,3
417,3
Алдын-ала араластырылған пропан немесе бутан-оттекті қоспаны жағу арқылы ... ... С/О ... ... тәжірибелік зерттеу кезінде аргон шығымы тұрақты 250 см3/мин болды.
Табақшаларда алынған күйелі құрылымды үлгілер λ=473 нм толқын ұзындығында NTEGRA Spectra ... ...
* ... мен ... ... сараптамасы көрсеткендей, қабатты графен пленкаларының түзілуіне никель табаншасын пйдаланған тиімді. Мыс ... ... ... ... ... ... ие бола отырып, анық өрнектелген графиттелген құрылымды бермейді. Және де жалында түзіліп, салқындатқанда бөлінетін беттік оттекті ... ... ... ...
Графен қабаттары табаншаны жалынға 1-суреттегідей етіп вертикаль орналастырғанда түзілетіндігі тәжірибе арқылы белгілі болды. Ол ... ... ... табаншаның екі бетінде де жүретін болды, 2-сурет (графеннің түзілу ... ... ... ... ... - табаншаның беткі жағы, б - табаншаның теріс жағы
Сурет 2. - ... ... ... ... көрсетілген никель табаншасының суреті.
Табаншаны салыстырмалы вертикаль осьтен бірнеше градусқа еңкейтіп қойсақ, тұрақтандырғышқа жақын орналасқан бетінде ... ... ... ... көрініп тұрғандай (сұр аудан) графен қабаттарының түзілу зонасы күйе түзілу зонасының шекарасында орналасқан. Табаншаны салыстырмалы вертикаль осьтен ... ... ... ... ... ... ... бетінде графеннің түзілуі жоғарылайды (2, б сурет).
Графеннің әдеттегі спектрінде үш шыңы бар екені ... ... шың D 1351 см-1 ... ... шың G 1580 см-1 ... және үшінші шың 2D 2700 см-1 кезінде. [4, 5]. G (IG) шыңы мен 2D (I2D) ... ... ... ... ... [5]. Бір қабатты графен үшін ол бірден төмен.
Табаншаның жалында орналасу уақыты графен түзілуіне қалай әсер ететінін ... ... ... ... табаншаның жалында орналасу уақытының 5 тен 60 секунд аралығында өсуіне байланысты графиттелген құрылымның ретсіздік дәрежесінің ... ... ... ... тенденциясы байқалатынын көрсетті. Ол 2700 см-1 кезінде 2D шыңы пайда болып 1351 см-1 кезінде D шыңының ... ... ... 3-сурет.
32378651636670048196514351000
179006530035500 а б
в
а - ... ... 5 ... б - 30 ... в - 60 секунд
Сурет 3. - Әр-түрлі экспозиция уақытындағы никель табаншасындағы графиттелген күйелік ... ... ... ... ... ... уақытының 5 минутқа дейінгі өсуінде ретсіздік дәрежесі төмендеп ... ... ... ... ... Бес минуттан ұзақ экспозиция табаншада ... ... ... ... ...
Келесі зерттеулер никель табаншасында 5 минут экспозиция уақытында жүргізілді. Табаншаның салыстырмалы вертикаль оське қарағандағы еңкею бұрышының графен ... ... ... ... ... ... түзілуі 90о тан төмен бұрышта байқалатыны анықталды. Табаншаны 90о қа (жалын осіне перпендикуляр) ... ... ... құрылым түзіледі. Жалынның вертикаль осіне қатысты табаншаның орналасу бұрышына ... ... ... ... ... IG/I2D қатынасының нәтижесі 3-кестеде көрсетілген.
Кесте 3. Жалынның вертикаль осіне қатысты табаншаның орналасу ... ... IG/I2D ... мәні ... қисаю бұрышы, градус
Минималды мәні IG/I2D
Максималды мәні IG/I2D ... ... ... саны ... ... IG/I2D = 1,1-1,3) 0о тан 30о аралығында болатыны белгілі болды. Ол 4-суретте көрсетілген.
311086516891000-7683516764000
а ... - үш ... (α = 0о, IG/I2D = 1,3), б - екі ... (α = 30о, IG/I2D = 1,1), в - бес ... (α = 45о, IG/I2D = 1,7)
Сурет 4. Никель табаншасында алынған графен қабаттарының Раман-спектрі (С/О = 0,86, t = 917 [о]С, τ = 5 мин) ... ... ... ... 30о ... ... орналастыру графеннің екі қабатын алуға мүмкіндік берді (IG/I2D = 1,1). Оның Раман-спектрі 4, б суретте ... ... ... вертикаль осіне қойылған бұрышын одан әрі үлкейюі (30о тан жоғары) түзілетін графен қабатының минимальді санының 5 тен 10 ға (IG/I2D = 1,7-2,4) ... ... алып ... ... 4в). ... пен ... ... табаншасында, 5 минут экспозиция уақытында аргон қоспасынсыз пропан-оттекті жалында графеннің 5-10 (IG/I2D = 1,6-2,5) ... ... ... Оның ... ... көрсетілген.
10915653683000
а
105346524701500
б
а - бес қабат (IG/I2D = 1,6), б - он ... (IG/I2D = ... 5. ... ... ... никель табаншасында түзілген графен қабатының Раман-спектрі (С/О = 0,86, t = 917 оС, τ = 5 мин).
Графен ... ... ... күйе ... ... бастапқы шегінде екендігі анықталды. Осы деректі дәлелдеу мақсатында никель табаншасын жалыныға күйе ... ... ... және оған жететін биіктікте орналастырылған бірнеші тәжірибе жүргізілді. Бес минут ... ... ... ... ... ... күйе ... аймағына кірген, жазылған цилиндр никель пластинасында синтезделген көміртекті ... ... ... - ... ... табаншасының ішкі беті, б - ... ... ... ... ... 6. Синтезделген көміртекті құрылымды никель табаншасының суреті.
Күйе құрылымының алдында 6-суретте бағдарлармен көрсетілген графен қабатының ... ... Бұл тек күйе ... түзілуі графен қабатының формалануына әсерін тигізетінін дәлелдеді. 7-суретте күйе қабатына жақын аймақта алынған құрылымның Раман-спектрі көрсетілген. ... ... - екі ... (IG/I2D = 1,2); б - үш ... (IG/I2D = 1,3); в - бес ... (IG/I2D = 1,5)
Сурет 7. Никель табаншасында түзілген графиттелген күйелі құрылымның Раман-спектрі
Бұрын, Бокхорном Х. (Bockhorn H.) [6], ... өнім ... ... ... ... ... болатын алдын ала араласқан гомогенді қоспадан күйе түзілу реакциясының жалпы ... ... ... ПЦАК-ды күйе бөлшектерінің түзілуінің бастамасы, жалында графен түзілуінің негізі ... ... ... ... графен түзілу сатысымен толықтырылған, күйе түзілу схемасы көрсетілген.
152336514224000
Сурет 8. Графен түзілу сатысымен толықтырылған, күйе ... ... ... табаншасында түзілген графен қабаттарын Раман-спектометрінде зерттеу вертикаль және горизонталь бағыттарда формаланатын графен қабатының ... ... ... ... Графен қабатының үздіксіз түзілуінің максимумына вертикаль бағытта жететіні белгілі ... Осы ... ... ... ... ... ... максимальді өлшемі екі мм, ал горизонталь бағытта бір-бес мкм аралығында, 6-сурет.
С/О - ның әр ... ... ... ала ... пропан және бутан-оттекті қоспа жанып, графен қабаттарының ... ... ... нәтижелері төменде келтірілген. Барлық тәжірибелерде аргон шығыны ... 250 ... ... ... ... және С/О қатынасына тәуелді табаншадағы графен қабаттарының санын сипаттайтын IG/I2D минимальді қатынасының алынған нәтижелері 4-кестеде көрсетілген.
Кесте 4. С/О ... және отын ... ... IG/I2D ... қатынасының мәні
С/О қатынасы
0,75
0,85
0,95
1,05
Пропан, IG/I2D
2,2
1,8
1,5
1,9
Бутан, IG/I2D
1,5
2,0
1,3
1,6
Осы шарттарда пропанның және бутанның жалынында ... 5-10 ... ... ... Күйелі үлгінің Раман-спектрометрінде зерттеулерінің нәтижелері 9 және 10-суреттерде көрсетілген.
9645653746500
а
10788653175000
б
312356516446500-3873517716500
а
в ... - 0,75 (IG/I2D = 2,2); б - 0,85 (IG/I2D = 1,8); в - 0,95 (IG/I2D = 1,5); г - 1,05 (IG/I2D = ... 9. ... ... С/О ... ... мәнінде, никель табаншасында түзілген грфиттелген күйелі құрылымның Раман-спектрі
3123565254000-38735254000
а б ... ... - 0,75 (IG/I2D = 1,5); б - 0,85 (IG/I2D = 2,0); в - 0,95 (IG/I2D = 1,3); г - 1,05 (IG/I2D = ... 10. Бутан-оттек-аргон жалынында, С/О қатынасының әр-түрлі мәнінде, никель табаншасында түзілген грфиттелген күйелі құрылымның Раман-спектрі
Графен қабаттары графиттің G шыңы анық ... С/О ... ... ... отын түріне тәуелсіз қалыптасатындығы анықталған. Сонымен қатар С/О қатынасының өсуімен графен қабаттарының ретсіздік дәрежесінің де ... ... ... ... үшін ретсіздік дәрежесі бітан-оттекті қоспаға қарағанда С/О-ның үлкен қатынасында байқалады. Ал С/О = 0,95 қатынасы кезінде бутан-оттекті қоспадан минимальді ... ... ... (үш ... IG/I2D = 1,3)
Пропан немесе бутан-оттек-аргонды жалынға аогонның берілу жылдамдығының графен синтезіне әсерін зерттеу ... ... С/О = 0,75 ... ... ... жалында аргон шығынын 150 см3/мин тан 500 см3/мин-қа дейін артыуы графен қабатының түзілуін жақсартпайды, керісінше аморфты ... ... ... алып ... Ол ... нәтижелерінің Раман-спектрі 11-суретте көрсетілген.
659765-5969000
а
6616705397500
б
65976526987500
в
а - 150 см3/мин (IG/I2D = 2,2); б - 350 ... (IG/I2D = 2,4); в - 500 ... (IG/I2D = 2,2) ... 11. Аргонның әр-түрлі жылдамдығында, С/О = 0,75 қатынасында, пропан-оттек-аргонды жалында ... ... ... ... ... құрылым үлгілерінің Раман-спектрі.
Пропан-оттекті жалын үшін үқсас жағдай С/О ның ... ... да ... ... әр-түрлі шығынында С/О = 1,05 кезіндегі графен қабатының Раман-спектрі 12-суретте көрсетілген.
48337816319500
а
48196511175900
б
а - 150 ... (IG/I2D = 1,3); б - 250 ... (IG/I2D = ... 12. ... ... ... пропан-оттек-аргон жалынында С/О = 1,05 кезіндегі, никель табаншасында алынған графен қабатының Раман-спектрі
Пропан-оттекті жалында, С/О = 1,05 ... 150 ... ... ... ... никель табаншада минимальді графен қабатының түзілуі байқалды. (12-сурет, а: үш қабат, IG/I2D = 1,3). ... = 0,75 ... ... ... үшін берілетін аргонның жылдамдығын артуы, пропан-оттекті жалындағыдай аморфты күйелі құрылымның түзілуіне алып келмейді, (11-сурет). Алынған ... ... ... ... көрсетілген.
106616518253500
а
106616512827000
б
а - 250 см3/мин (IG/I2D = 1,5); б - 500 ... (IG/I2D = ... 13. ... ... ... бутан-оттек-аргон жалынында С/О = 1,05 кезіндегі, никель табаншасында алынған графен қабатының Раман-спектрі
С/О = 0,75 болғандағы бутан-оттекті жалындағы аргон шығынының ... ... ... минимальді қабаттарының түзілуі байқалады. (13-сурет, б: үш қабат, IG/I2D = 1,3). ... ... үшін ... ... ... ... ... артуы пропан-оттекті жалындағыдай түзілген графен қабаттарының үлкен ретсіздігіне алып келеді. Алынған күйелік құрылымның Раман-спектрі 14-суретте көрсетілген.
6724654423600
а
67246524637900
б
а - 250 ... (IG/I2D = 1,9); б - 500 ... (IG/I2D = ... 14. ... ... жылдамдығы кезіндегі С/О = 0,95 қатынасындағы бутан-оттекті жалында никель табаншасында түзілген графиттелген күйелік құрылымды үлгілердің Раман-спектрі
Қорытынды
Жалында ... ... ... ... ... ... сараптамасының нәтижесінде келесідей қорытынды жасауға болады:
- 5 минут экспозиция ... ... ... пропан-оттек-аргонды қоспа жалынында екі-үш қабатты графеннің синтезделу мүмкіндігі көрсетілген;
- графеннің ... ... саны ... ... IG/I2D = 1,1-1,3) ... ... 0о ден 30о аралығында болатындығы анықталды;
- Жалынның салыстырмалы вертикаль осіне қатысты қисаю бұрышын одан ары (30о тан ... ... ... ... ... ... ... санын 5 тен 10 ға дейін үлкейтеді (IG/I2D ...
- ... ... ... ... 5-10 ... (IG/I2D = 1,6-2,5) ... белгілі болды;
- табаншадағы графен қабатының түзілуі жалын биіктігімен вертикаль бағытта, күйе түзілу ... ... ... ...
- ... ... түзілуі пропан-оттекті және бутан-оттекті жалындарда С/О-ның мынадай қатынастарында жүретіндігі анықталды: 0,75; 0,85; 0,95; 1,05; ... ... ... K.S., Geim A.K., Morozov S.V., et al. ... gas of massless Dirac fermions in graphene // Nature. - 2005. - V. 438. - Р. 197 - ... Geim A.K., Novoselov K.S. The rise of graphene // Nat. Mater. - 2007. - V 6. - Р. 183 - ... ... А.В., ... И.М., Книжник А.А. Графены: методы получения и теплофизические свойства // УФН. - 2011. - Т. 181, № 3. - С. 233-268.
4. Li Z., Zhu H., Xie D. et al. Flame ... of ... ... films // Chem. Commun. - 2011. - V. 47. - Р. ... Memon N.K., Tse S.D., Al-Sharab J.Fet. al. Flame synthesis of graphene films in open ... // Carbon. - 2011. - V. 49. - Р. ... Bockhorn H. (ed). Soot ... in ... ... Berlin/Heidelberg. 1994. - 596 р.

Пән: Химия
Жұмыс түрі: Материал
Көлемі: 26 бет
Бұл жұмыстың бағасы: 300 теңге









Ұқсас жұмыстар
Тақырыб Бет саны
Металл нанобөлшектерінің құрылымдық ерекшеліктері мен электрлік қасиеттерін зерттеу41 бет
Гумин қышқылы55 бет
Наноматериалдар өндірісінде қауіпсіздікті қамтамасыздандыру және бақылау46 бет
Органо–минералды композицияларды алу және сорбциялық қасиетін бағалау81 бет
Атомдық-эмиссиялық спектрлік анализ(АЭСА)16 бет
Қой, ешкі және жылқы қондылық дәрежесі3 бет
Алюминий металлургиясы31 бет
Ароматты қатары бар нитроқосылысты жарылғыш заттың (ЖЗ) көмір кенішіндегі метанға қауіпті аудандарының өртке қауіптілігін төмендету37 бет
Ауаның құрамындағы көмір қышқыл газының мөлшерін анықтау11 бет
Ауыл-село мұғалімдерінің өсу жолдары, олардың құрамындағы сандық және сапалық өзгерістер13 бет


+ тегін презентациялар
Пәндер
Көмек / Помощь
Арайлым
Біз міндетті түрде жауап береміз!
Мы обязательно ответим!
Жіберу / Отправить


Зарабатывайте вместе с нами

Рахмет!
Хабарлама жіберілді. / Сообщение отправлено.

Сіз үшін аптасына 5 күн жұмыс істейміз.
Жұмыс уақыты 09:00 - 18:00

Мы работаем для Вас 5 дней в неделю.
Время работы 09:00 - 18:00

Email: info@stud.kz

Phone: 777 614 50 20
Жабу / Закрыть

Көмек / Помощь