Стабилитрон. Тунельдік диод

КІРІСПЕ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..3

I. Стабилитрон. Тунельдік диод
1.1. Стабилитрон ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .6
1.2.Стабилитронның жұмыс істеу принципі ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..7
1.3. Стабилитронның негізгі параметрлері ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...8
1.4. Жартылай өткізгіш стабилитрондардың параметрлерінің белгіленуі ... ... ... ... ... .9
1.5. Тунельді диод ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 9
1.6. Тунельдік жартылай өткізгішті диодтардың қолданылуы ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 10
1.7. Тунельдік диодтардың өлшемдік құрылымы ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..11

II. Жасанды дем беру
2.1. Ауыздан ауызға дем беру ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .13
2.2. Ауыздан мұрынға жасанды дем беру ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...14

IV. ГРАФИКАЛЫҚ БӨЛІМ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .15


ҚОРЫТЫНДЫ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .19
ПАЙДАЛАНЫЛҒАН ӘДЕБИЕТТЕР ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...21
Жартылай өткізгіштердің электрөткізгіштігі бірнеше факторларға байланысты: температураға, жиілікке, жарыққа және құрамындағы қоспаларға. Температура өскен сайын жартылай өткізгіштердің кедергісі азаяды.
Жартылай өткізгішті құралдарды құру үшін германий, кремний, арсений, галий кристалдары және селена жиі қолданылады.
Жартылай өткізгіштерде екі түрлі заряд тасымалдаушылары бар: теріс зарядталған электрондар және оң зарядталған саңылаулар.
Әрбір төрт валентті атом электрондары көрші атомдармен жалпы электрондық жұп құрады (коваленттік байланыс). 0◦ К температурасында жартылай өткізгіштің барлық валентті электрон кристалдары ковалентті байланысқан, сондықтан бос электрондар болмайды, яғни жартылай өткізгіш диэлектрик болып табылады.
Температураны жоғарылатқанда кейбір электрондар ковалентті байланысты бұзатын кинетикалық энергияға ие болады. Мұндай электрондар өз атомдарын тастап, бос болады.
Кристалдағы бос электрондар өткізгіш электрондары болып табылады, егер жартылай өткізгіште өріс әрекет етсе, онда бос электрондар жартылай өткізгіште токты туғыза отырып, бағыт бойынша жылжиды. Жартылай өткізгіштің электр өткізгіштігі электронды өткізгіш немесе n түрдегі өткізгіш деп аталатын бос электрондардың бағыт бойынша жылжуына негізделген.
Электрондардың теріс полюстан оң полюсқа қарай қозғалатынын біз бұдан бұрын айтқанбыз. Яғни, электрон бос ойыққа келіп орналасатын болғандықтан, ойықтар керісінше оң полюстан теріс полюсқа қарай қозғалады деп ойлауға болады.
Жартылай өткізгіште, сыртқы электр күштері жоқ уақытта және температура абсолюттік нөльден жоғары болғанда еркін электрондар үздіксіз пайда болып, артынан жоғалып отырады. Яғни, электрон өз орнын тастап шыққанда еркін электронға айналып, енді бос орынға – ойыққа келіп орналасқанда оны (еркін электронды) жоғалды деп айта аламыз. Таза жартылай өткізгіште кез-келген уақыт ішінде босаған электрондар мен ойықтардың саны бірдей болады. Олардың жалпы саны (жартылай өткізгіштің өзінің температурасының бөлме температурасындай болған уақытында) аса көп емес болғандықтан, оның электр өткізгіштігі өте аз. Сондықтан, ол электр тогына өте үлкен кедергі келтіреді. Сондықтан да оны мұндай жағдайда диэлектрик ретінде түсінуге болады. Жартылай өткізгіш тараған сайын оның меншікті кедергісі де жоғарылай береді. Температурасы 300К болған германийдің меншікті кедергісі p = 46 Oм*см.
Ал егер осы жартылай өткізгіште басқа элементтің атомдарының тіпті аз мөлшерін қоссақ, оның электр өткізгіштігі бірден артады. Қосқан атомдарымыздың құрамына қарай, жартылай өткізгіштің электр өткізгіштігі электрондық және ойықтық болып бөлінеді.
Жартылай өткізгіштердің түрлері мен түр пішіндерінің таңбалануы мен белгіленуі және де негізгі сипаты мен параметрлері үшін жүйелер мен классификация әдістері қолданылады, осы жағдай кейбір кездерде жартылай өткізгіштерді дұрыс қолдануды қиындатады . Егер электрлі схемада отандық немесе шетелдік өндірістен шыққан таңбаланудың түрлі принциптері бар электрлі радио элементтердің қолданылуы жағдайды қиындатады. Сонымен біргет жаңа технология көмегімен өндірілген және белгіленуі де жаңа болып келетін нарықта жиі пайда болып жатқанын есте сақтаған жөн. Электррадио элементтер жиынтығының үлкен классын құрайтын барлық диод пен стабилитрондардың белгіленуі мен таңбалануы қарастырылады. Аспап түрінің көпшілігі функционалдық тағайындалуы, шектік қуат мәні және басқа белгілері бойынша классификацияланатын диод пен транзисторларға жатады. Жартылай өткізгіштердің белгілену жүйесі мен таңбалану классификацилық белгілері бойынша пайдаланатын кодтарды алып келуге бағытталған өзгертулер енгізіліп тұрады.
1.КитаевВ.Е. «Электроника және өнеркәсіптік электроника негіздері» Алматы «Білім» 1991 ж
2.Әлімжан Берікұлы «Техникалық электроника» Алматы «Қазақстан» 1995 ж
3. Мухити И.М. Электротехника, Алматы , 2005 ж
4.Г.А. Иванов. Жартылай өткізгіштер; Алматы, Мектеп, 1989
5.М.И. Мұхити; Электротехника; Алматы, 2005 ж
6.К. Исмаилов; Жартылай өткізгіштер; Тараз, 2008 ж
7.А.С Енохович; Справочник по полупроводниковым материалам, Москва, Высшая школа, 1976
8.Савелев И.В. Жалпы физика курсы 2-том, 1977
9.Калашников; Электричество; Москва, Просвещение,1980
10.Электротехнический справочник / Под. ред В.Г. Герасимова
11.Құсайнов А.Қ, Энергетика, Высшая школа, 2003
12.Общая электротехника/ Под ред. В. С. Пантюшина. М. Высшая школа, 1970.567 С.
13.Электротехника /Под ред. В. Г. Герасимова. М.:Высшая школа. 1985.480 С.
14. Борисов Ю.М., Липатов Д. Н. Общая электротехника.М.: Высшая школа 1974.519С
15. Касаткин А.С.,Немцов М. В. Электротехника.М:Энергоатомиздат. 1983.440С
16. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники – М: Лаборатория базовых знаний 2000.
17. Першин В.Т. Основы радиоэлектроники и схемотехники. – Р.Д.:Высшее образование, Феникс ,2006.
18. Травкин Г.А. Основы схемотехники, (часть2) Н:СибГУТиИ, 2006.
        
        МАЗМҰНЫ
КІРІСПЕ.....................................................................
.........................................................3
I. Стабилитрон. Тунельдік диод
1.1.
Стабилитрон.……………………………………..................................................
........6
1.2.Стабилитронның ... ... ... ... Жартылай ... ... ... ... ... ... өткізгішті ... ... ... ... ... Жасанды дем беру
2.1. Ауыздан ... дем ... ... ... ... ... ... ... ... ... факторларға байланысты:
температураға, жиілікке, жарыққа және ... ... ... ... ... ... ... азаяды.
Жартылай өткізгішті құралдарды құру үшін германий, кремний, арсений, галий
кристалдары және селена жиі қолданылады.
Жартылай өткізгіштерде екі ... ... ... бар: ... ... және оң ... ... төрт валентті атом электрондары көрші атомдармен жалпы электрондық
жұп құрады (коваленттік байланыс). 0◦ К ... ... ... ... ... кристалдары ковалентті байланысқан,
сондықтан бос электрондар болмайды, яғни жартылай өткізгіш диэлектрик болып
табылады.
Температураны жоғарылатқанда ... ... ... ... ... ... ие ... Мұндай электрондар өз атомдарын
тастап, бос ... бос ... ... ... ... ... ... өткізгіште өріс әрекет етсе, онда бос электрондар жартылай
өткізгіште токты ... ... ... бойынша жылжиды. Жартылай өткізгіштің
электр өткізгіштігі электронды ... ... n ... ... ... бос ... бағыт бойынша жылжуына негізделген.
Электрондардың теріс полюстан оң полюсқа қарай қозғалатынын біз ... ... ... электрон бос ойыққа келіп орналасатын болғандықтан,
ойықтар ... оң ... ... полюсқа қарай қозғалады деп ойлауға
болады.
Жартылай өткізгіште, ... ... ... жоқ ... және ... ... ... болғанда еркін электрондар үздіксіз пайда болып,
артынан жоғалып отырады. Яғни, электрон өз орнын тастап ... ... ... енді бос ...... ... орналасқанда оны (еркін
электронды) жоғалды деп айта аламыз. Таза ... ... ... ... ... ... мен ... саны бірдей болады. Олардың
жалпы саны (жартылай ... ... ... ... ... ... аса көп емес болғандықтан, оның электр
өткізгіштігі өте аз. Сондықтан, ол ... ... өте ... ... Сондықтан да оны мұндай жағдайда диэлектрик ретінде түсінуге
болады. Жартылай ... ... ... оның ... кедергісі де
жоғарылай береді. Температурасы 300К ... ... ... ... = 46 ... егер осы ... ... басқа элементтің атомдарының тіпті аз
мөлшерін қоссақ, оның электр ... ... ... ... ... қарай, жартылай өткізгіштің электр өткізгіштігі
электрондық және ойықтық болып бөлінеді.
Жартылай ... ... мен түр ... таңбалануы мен
белгіленуі және де ... ... мен ... үшін ... ... ... қолданылады, осы жағдай кейбір кездерде жартылай
өткізгіштерді ... ... ... . Егер ... схемада отандық
немесе шетелдік өндірістен шыққан таңбаланудың түрлі ... ... ... ... ... ... қиындатады. Сонымен біргет
жаңа технология көмегімен өндірілген және белгіленуі де жаңа болып ... жиі ... ... ... есте ... жөн. ... элементтер
жиынтығының үлкен классын құрайтын барлық диод пен ... мен ... ... ... ... ... тағайындалуы, шектік қуат мәні және басқа белгілері бойынша
классификацияланатын диод пен ... ... ... ... жүйесі мен таңбалану классификацилық белгілері
бойынша пайдаланатын кодтарды алып келуге бағытталған өзгертулер енгізіліп
тұрады.
Жартылай өткізгіштердің ... ... ... ... 4 ... ... қарастырады:
1-ші элемент - әріп немесе сан негізгі материалды белгілейді.
2-ші элемент - ... ... ... ...... – варикаптар;
С- стабилитрондар.
3-ші элемент – қалыптасқан классификацияға сәйкес аспаптың электрлік
параметрлерін немесе тағайындалуын ... ... ... жартылай өткізгіштердің ішіндегі тунельдік диодтың ... ... ... ... ... ... ... берілу және
тиімділік коэффиценттерін есептеу. Бірден жұмысты орындауға кіріспес бұрын,
жалпы диоддеген не, олардың қандай түрлері, осы ... ... ... ... ... ... қатты денелік және кванттық болып ... ... ... ... ... жартылай өткізгіштер, ... мен ... ... ілім болып табылады, сондай-ақ жартылай
өткізгішті приборларға ... ... ... ... ... ... интегралдық схемаларды пайдалану әдістері
енеді.
19 ... ... ... ... ... әр түрлі агрегаттық күйдегі
қасиеттерін зерттеу зор қарқынмен жүргізіле ... ... ... өз ... ... денелер- кристалдық қатты денелер өз алдына
бөлініп шықты.
Зоналық ... ... ... ... ... салынған зонасы 0-2
эВ болатын заттар жатады. Мұндай заттар тым көп . ... ... ... ... фосфор, селен, теллур, иод жатады.
Көптеген жартылай өткіш приборлардың әрекеті p-n ... ... ... Бұл ... әр ... ... ... фотогальваникалық элементтер, жартылай өткізгішті лазерлер
т.б ... p-n ... ... ... ... сезімталдықты
арттыруға, сөйтіп фотодиодтар, фототранзистор, магнитодиодтар,
тензодиодтар, ... ... т.б ... ... ... ... ... кейбірінің құрылысы мен жұмысын
төменде қарастыратын боламыз.
Ең көп тараған диодтар түзеткіш диод, ... ... ... ... ... ... ... токты тұрақты токка түрлендіру үшін
қолданылады. Түзеткіш диодтарды германийден және ... ... ... төмен және жоғарғы жиілікті, импульсті, әлсіз және қуатты
токтарды түзету үшін ... ... ... үшін ... мүмкін
параметрлерді токтың максимал мәнін, диодта таралатын қуаттың шекті мүмкін
мәнін, сондай-ақ шекті мүмкін кернеуді ... ... ... ... ... ... диодтың активті кедергісі
сыйымдылық кедергімен шунтталады. Егер ... ... ... кері кедергісі мен салыстырмалы ... онда ... ... ... деп ... Кері ток пен тура кернеу ... ... ... ... ... ... ... әсер коэффиценті германий және кремний түзеткіштерде
жоғары 99 пайызды. Шағын қуатты және ... ... ... ... ... әр ... ... монтаждау үшін пайдалануға
болады.
Жоғары жиілік тогын, модуляцияны түзету, жиілікті ... ... ... ... үшін ... ... қолданылады. Нүктелік диодтардың
p-n ауысуы төмендегіше қалыптасады, ... ... ... қола ине ... ... кейін, контакт арқылы
шамасы ине үшін жартылай өткізгішпен бірге ... ... ... жіберіледі. Балқу кезінде берилий ... ... Ал ... атомдары-акцептор болғандықтан, ине төңірегінде
р-п ауысу түзіледі. Бұл ауысуды ауданы шағын жартылай ... ... ... Сондықтан р-п ауысудың сиымдыдылығы аз. Осы ... аз ... ... өткізгіш материал іріктелініп алынады.
Тогы өзгергенмен кернеуі ... ... ... шала ... ... деп ... ... әртүрлі құрылғыларда кернеуді
тұрақтандыру үшін, яғни кернеуді өзгертпей ұстап тұру үшін ... тогы р-п ... ... ... ... ... жартылай
өткізгішті диодты фотодиод деп атайды.Фотодиодтар екі ... ... ... ... ... көзінсіз фотогенератор ретінде және сыртқы
қорек көзімен фототүрленгіш ретінде.
Фотодиод, қарапайым диод секілді бір р-п ... ... ... ... ... ... ... әлдеқайда үлкен болады, өйткені сәуле осы
ауданға перпендикуляр түсуі ... р-п ... ... ... ... ... электрондар өткізгіштік ... ... ... екі ... ... де ... ... қос бөлшектің саны
көбееді.Түйістік потенциалдар айырымының әсерінен ... ... ... емес ... ... ... р-типті жартылай
өткізгішке өтеді де, ал ... ... емес ... ... ... ... өткізгішке өтеді. Сөйтіп, n-типті ... ... ... ал ... ... ... артық
кемтіктер пайда болады. Бұл фотодиодтың қысқыштарында ... яғни ... ЭҚК –ті ... ... ЭҚК –тің мәні
көптеген фотодиодтарда 0,5...0,9 В ... ... және ... ... ... ... ағыны белгілі бір шамаға
жеткенде p-n өтпесі заряд тасмалдаушыларға қанығады да, фотоэлектрлік ЭҚК
одан ары өспейді.
Фотодиодтар фотоматерияда және ... беру ... ... ... p-n ... жарық шығатын жартылай өткізгішті диод жарық
диоды деп аталады. Жарық диоды негізінен цифрлық
индекаторларда қолданылады.
p-n өтпесіне тура ... ... ... заряд тасмалдаушыныңпайда
болуымен қатар,олардың рекомбинациясы да жүріп жатады. Рекомбинация бөліп
шығатын ... ... ... ... ... тең ... сәулелер көзге көрінетін болады. Егер жартылай өткізгіште тыйым саған
аймақтың ені 107 эВ-тен артық болса, онда электрондар ... ... ... ... оралғанда шығаратын фотондары көзге ... ... ... ... ... мен ... және силицийкарбидтерінен
жасалады.
Жарық диодының негізгі параметрлері: жұмысы кернеуінің төменгі және жоғарғы
шеткі аралығы мен инерциялылығы. Жарық ... ... оның ... ... кернеуімен анықталса, ал жоғары шекті мәні шашырата
алатын ең үлкен қуатымен ... ... ... ... ... максимал мәнінің 0,1 және 0,9 бөлігіне тең болған кездегі жану
және сөну ... ... ... аты ... ... ... ток ... де кернеулі
бірқалыпты мөлшерде өзгертпей ... тұра ... ... ... ... жағынан тура сол диод. Тек қана схемаға ... ... бар. ... ... ... ... ... Анод минусқа қосылса, катод плюсқа жалғанады. Тек қана ... оң ... ... ... істесе, стабилитрон сол жағындағы
жағдайда ... ... ... тоқ ... Кері ... ... көтере бастағанда кері
тоқ аз ғана көтеріледі. Кері ... тағы да ... ... р-n ... тоқ ... ... ... одан ары көп
көтермесе стабилитронның бұл тесілуінен ол бүлінбейді. Сонда ол ... ... ... ... ... ... ... Iк тоқ
өтіп тұр дейік. Ол тоқ кернеуі әркезде өзгеріп ...... ... тұр деп ... Осы кернеудің әсерінен стабилитрон арқылы өтіп
тұрған Iк тоғымыз да өзгеріп ... ... ... ... ... ... график арқылы көруге болады. Жартылай өткізгіш диодтың
материалына қосылатын қоспаны көбейтсе тесілу кернеуі азаяды да, ... ... кері ... жоғарылайды. Стабилитронның тесілгенге дейінгі
кері кедергісі бірнеше мегаом болады. Ал тесілу ... ... ... он ... ... азаяды. Кернеу көтерілгенде стабилитронның
тоғының жоғарылуы-осы стабилитронмен бірге тізбектей қосылған резистордағы
кернеудің төмендеуін ... ... ... ... ... ... Ал осы жағдайды
Стабилитрон – (лат. stabilis – орнықты, тұрақты) - өзі арқылы ... ... ... ... ... оған түсетін кернеу іс жүзінде тұрақты
болып қалатын екі ... ... ... шалаөткізгіш аспап.
Газоразрядты стабилитронның іс-әрекеті қалыпты солғын немесе тәжді разрядты
пайдалануға негізделген. Газдық разрядтың осы түрлерінің ... ... ... ... ... ... ... бөлігінің болуында.
Газоразрядты стабилитрон тұрақтандыратын кернеулердің мәндері 70-160 В;
токтардың жұмыс ауқымы бірнеше ... ... ... ... ... да ... ... жұмыстық ауқымы электронды-
кемтіктік өткелдің электрлік ойып-тесілуіне сәйкес келетін енсіз кері
кернеулер ... ... ... ... ... стабилитрондар 3-тен
180 В-қа дейінгі номинал кернеуге арналып ... ... ... ... – 50 ... ... – екі электродты газ разрядты лампа, ол ... ... ... тұру үшін ... ... ... деп те ... Ол шамалы қысымда неон, аргон
және гелий газдарының ... ... шыны ... 1 ... ... ... ... болаттан цилиндр түрінде дайындалған катод
2 орналастырылады.
Стабилитронның аноды 3 ... ... ... ... ... ... ішкі ... актив қабатпен қаптайды. Бұл катодқа
оң иондар келіп түскенде ... ... ... ... ... туғызу үшін қажет. Электродтар лампының ... мен ... ... ... ... оң ... ... оның ішінде
солғын разряд пайда болады. Стабилитронды кернеудің стабилизаторы ретінде
пайдалану үшін, оны схемада (1, в-сурет) ... етіп ... ... ... кедергі және электр энергиясының көзі тізбектеліп
жалғанады. ... ... ... ... ... параллель қосылады. Стабилизаторға ... ... ... тәртіппен бөлінеді.: оның бір бөлігі шектеуші кедергіде ro
жұтылады, ал қалған бөлігі стабилизаторға ... ... ... электр энергиясы көзінің кернеуі стабилитрон ... ... ... артық болуы керек және оны жандыруға
қажетті кернеуден аз болмауы қажет.
Электр энергиясы көзінің ... ... ... ... да, ... ... ... тек тұрақты кернеуде жұмыс істей алады
делік.
Кернеуді стабилизациялау процесі ... ... ... ... ... ... ... стабилизатор мен шектеуші
кедергінің тізбегіндегі ток ... ... ішкі ... ток күшінің артуына пропорционал кемитін болғандықтан, оның
қысқыщтарындағы кернеу тұрақты болып қалады, ал тұрақты шектеуші ... ... U = Iro ... ... ... энергиясы көзінің кернеуі ... ток күші ... ... ... ... ... ... оның қысқыштарындағы кернеу тағы да тұрақты ... ... ал ... ... ... ... жұмысының қалыпты режимінде тоқ күшін өзгерту арқылы
оның қысқыштарына жалғанған жүктегі ... ... ... ... ұсталып
тұрады. Стабилитрон, сондай-ақ жүктің шамасы, яғни ондағы ток ... де сол ... ... стабилизациялайды. Стабилитронды таңдап
алудың негізгі көрсеткіштері: стабилизация кернеуі, жандыру кернеуі, токтың
барынша көп және ... аз ... ... ... ... ... ... шамалы аз (бірлік ... ... ... дейін).
Мысалы СГ4С типті стабилитрон, ... 150 в ... Оның ... аз тогы 5 ма, барынша көп тогы 30 ма.
1.2. Стабилитронның жұмыс істеу принципі
Қарапайым диодтарда р-n ауысуы керексіз болып ... яғни ол ... ... кері ... ... ... ... көлемінің тесілуін
жоғарлату үшін аса жоғары омды материал қолдануға тура келеді. Дегенмен p-n
ауысуының ... ... кері ... болып келмейді. Приборлардың
арнайы түрлерінде ол қажетті эффект ретінде ... ... ... ... ... оны басқала тәреу диод деп атайды, ол өзімен тесілу
кернеуіне дейін кері ... ... ... ... ... ... дейін диодта өте жоғарғы кедергісі болады, ал тесілуден кейін -
өте аз динамикалық ... ... ... ... ... ... ... болад, және стабилитрондардың вольт-
амперлік сипаттамаларында электрлік тесілу ... ... ... яғни ... ... қалыпты режимі болып табылады.
Стабилитронды жасау кезінде қолданылатын ... ... ... кремний қолданылады, сондықтан кремнийлік диодтар ауысуында аз ток
болады, p-n ... ... ... ... ... Жұмыс
облысындағы вольт-амперлік сипаттамасында едәуір құламалығы ... ... ... үшін қолданбайды,өйткені германийлік
диодтарда кері ток көлемі өте үлкен, кремнийлікке қарағанда және жылулық
тесілу ... өте ... ... ... осы ... ... ... сипаттайды. Бізге мәлімдей, диод ... ... ... ... ... ... әртүрлі көлемдегі кернеу стабилитрондары диод базасындағы
концентрация қоспаларының өзгеру жолымен алынады. Стабилитрондардың әртүрлі
типтерінде 3-400 В ... ... ... ... ... және ... вольтты түрлері бар. Төменгі
вольтты деп аталатын стабилитрондар кремнийдің қоспасынан ... ... p-n ... ені аз және туннельдік ... ... ... ...... ... ... бар
стабилитрондар жатады.
1.3.Стабилитрондардың негізгі параметрлері
Стабилитрондардың негізгі параметрлері болып: дифференциалды кедергі
(жұмыс нүктесінде); ... ... ... нүктесінде); стабилизация
кернеуі басталатын минималды ток: сапа ... 6˂ctU ... ТКН ... ... температуралық коэффициенті.
Стабилитронның дифференциалды кедергісі IURдиф оның сапасын сипаттайды –
жұмыстық режимде өтетін токтың өзгеруі кезіндегі ... ... ... ... ... ... кіші өзгерулері сәйкес
келуі керек, ... ... ... ... ... көлемі азаяды.
Стабилитронның әртүрлі типтері үшін мағынасы ондаған ұзындықтан жүздеген Ом-
ға дейін.
Статикалық кедергісі ... ... ... стабилитрондардағы
жоғалтуларды сипаттайды. Оның көлемі ... ... және ... байланысқан.
Сапа коэффициенті дифRR/= диод арқылы токтың қатысты өзгеруін
стабилизация ... ... ... қатынасы ретінде қарастыруға
болады. Токтың максималды ... ... ... ... ... ... және ... мүмкіндігінше аз болуы керек. Стабилитронның
әртүрлі типтері үшін көлемі 0,1-ден 0,5 дейін өзгереді.
Стабилизация ... ... ... ТКН ... ... коэффициенті стабилитрон температурасының 1К ... ... ... ... ... өзгергенін көрсетеді.
Ол стабилитронның температуралық қасиетін сипаттайды. Төмен вольтты
стабилитрондардың белгісі ... ... ... – оңды. Бұл туннелдік және
көшкінді тесілу кезіндегі ... ... ... ... түсіндіріледі. Туннельдік механизм тесілу кезінде кернеудің
тесілуі температура өсуімен төмендейді, яғни температураның өсуі ... ... ... ... ... ені ... және
тасымалдаушылардың туннелдік ықтималдығы жоғарылайды. Көшкінді тесілудің
кернеуі температураның жоғарлауымен өседі. Бұл ... ... ... ... ... қозғалыстарының өсуі себебінен
болады. Сондықтан, олардың жеткілікті энергияны иемденуі үшін кернеуді беру
керек. ТКН стабилитрондардың ... ... ... суретте
келтірілген. ТКН белгісінің өзгеруі стабилизация кернеуіне сәйкестенеді,
яғни осындай стабилизация ... ... ... ... Стабилитрондардың бірізділігін теріс және оң температуралық
коэффициенттік кернеуін ... ... және аз ТКН бар ... ... үшін ... ... ... балқытпалық,
диффузиялы-балқытпалық әдістермен жасалынады. Стабилитрондарда балқытпалық
p-n ауысуы ... ... ... ... ... ... кең қолданысқа ие.
Стабилитронның негізгі параметрлеріне мыналар жатады: тұрақтандыру кернеуі
Ucт, тұрақтандыру тогы Iст, тұрақтандыру ... ... мәні Iст ... Ucт – ... ... ... ... арасында пайда
болатын кернеу.
Біздің өнеркәсіп тұрақтандыру кернеуі бірнеше вольттан 180 В-ға ... ... ... ... Тұрақтандыру тогының минимал
мәні Iст min, бұл ... ... аз ток ... ... режимінде тұрақты
жұмыс басталады, бұл ток одан да ... ... ... ... Рұқсат берілген тұрақтандыру тогының максимал мәні Iст
max, бұл прибор арқылы көп ток өту ... оның p-n ... ... Iст max ... ... p-n ... тепловой
пробойына алып келеді және құрылғы істен шығады.
Uст – тұрақтандыру кернеуі;
Iст – тұрақтандырудың минималды жіберілетін тогы;
I ст max – ... ... ... ... - ... ... кедергісі (тесіп өту аймағында)
rст = du/di.
aauст – тұрақтандыру кернеуінің температуралық коэффициенті.
Uст, I ст min, I ст max ... оң деп ... кері ток ... ... ... I ст min аз ... пайдалану
ұсынылмайды, себебі кернеуді тұрақтандыру бұл қанағатсыз болады. Ал, егер
кері ток модуль бойынша I ст max ... ... ... ... ... өту ... ... істен шығады. Неғұрлым tm шамасы аз
болған сайын, кернеу тұрақтылығы үлкен ...... ... ... орта ... абсолюттік қатынасына байланысты.
1.4. Жартылай өткізгіш стабилитрондардың параметрлерінің белгіленуі
Стабилитрон бұл ... ... диод ... ... өту ... ... етіп ... Бұл режимде стабилитрондағы ток
шамасының өзгерісі кернеу шамасын аз ... ... ... тұрақтандыру үшін пайдаланылады. Негізгі анықтамалық параметірлері
Iтұраmin – ... ... ойық ... ... ток ... – берілген құралдың шашыратқыш қуатының шегімен анықталалы.
U- тура номиналдың ток шамасындағы диодтағы ... ... ... ... ... туннельді, көшпелі және аралас
тесіп өтулер орын алады. Төмендегі омды ... ... ... ... дейін) туннельді тесіп өту, ал жоғарғы омды ... ... ... ... өту ... ... стабилитрон көшпелі тесіп өту тура бағытта жұмыс істейтін диодқа
тізбектей қосылады. Диодта сәйкес келетін температура ... ... ол ... оң ... компенсациялайды.
Д814Д стабилитроны үшін I ст min – 3мА, I ст max – 24 мА.
Егер uкір кернеуі үлкен болса, онда ... ... өту ... ... осы ... ... іс ... uшығ кернеу өзгеруін тудырмайды (uкір
кернеу өзгеруінде, тек ток ... ur ... өту ... ... тасымалдаушылардың инжекциясы болмайды,
сондықтан артық зарядтардың жиналуы жоқ. Сол ... ... ... болып табылады және импульсті схемада жұмыс істейді. (2-
сурет ВАХ)
3-суретте VD1 стабилитронның ... ... ... ток ... ... VD1 стабилитрон кері бағытта қосылған, оның ... ... ... ал ... оң ... қосылған.
Uст (Uz) – стабилитрон кернеуі;
Iст (Iz) – стабилитрон тогы;
Шетелдік технологиялық әдебиетте – стабилитронды Зенера(Zenerdiode) диоды
деп атағандықтан ... ... ... ... диод 1958 жылы Лео ... ... ... және де 1973 жылы
физика бойынша ... ... ... ... ... Нобель сыйлығын алды. Ең үлкен тарату тәжірибелерін Ge, ... ... ... ... ... GaSb. Бұл ... генератор және
жоғары жиілікті қосқыштарда кең қолданыста. Олар 30…100ГГц жиілік бойынша
жұмыс істейді.
1958-1959жж. Жапон физигі ... ... ... ... ... ... ... сиақты сигналды (дабылды) күшейте алады. Бұл
оның вольт-амперлік сипаттамасындағы теріс шамалы ... ... ... ... жартылай өткізгіштер қатарына кіреді бірақта ВАХ-ның ... ... ... ... ... ... процесі өтеді.
Характеристикасында осындай үлкен ойықтың участкның болуына байланысты бұл
шала өткізгіштер тунельдік эффектісі бар диод деп ... ... – бұл тек қана ... ... ... ... механикаға қарсы келеді.
Токтың вольтамперлік сипаттамасы (4-суретте) кескінделген, онда туннельдік
диод-оның параметрлері: Jnuk- шырқау ток, J8- құралдау ... ... ... ... ... .
Туннельдік диодтың негізгі қасиетіне шырқау кернеуі арасында пайда болатын
теріс дефференциялдық кедергінің болуы жатады.Германий үшін ... ... ... ... ... R=140/ Jnuk Ом, диод
күшейткіш, генератор және айырып қосу аз уақытта ... ... ... ... ... ... Тунельдік жартылай өткізгішті диодтардың қолданылуы.
Тунельдік диодтардың көмегімен әр түрлі жартылай ... ... ... ... ... ... ... қарастырайық.
Жартылай өткізгішті түзеткіштердің ішінде селенді және ... кең ... ... ... ... ... ... болады. Ал күшейткіштің
негізгі бөлігі селеннің жұқа қабаты жағылған жартылай өткізгішті тунельдік
диодтан тұрады. Осы ... екі ... бойы 218 ... ... ... Осы ... ішінде селен кристалданып, оның бетіне ... ... 24 ... ... 23 пайыз силициум құрамды катодтық қорытпа
жасатылады. Селенмен шекарада камдий селенийді-электронды ... ... ал ... ... ... ... ... Селенді түзеткіш
ұзақ уақыт бітеме бағытта ток ... ... ... ... 20-30 В ... ... кезінде біртегіс әрі
қалыңдығы жеткілікті р-п ауысу пайда ... ... ... ... Селенді түзеткіштер сақтау кезінде қалпы бұзылады, сол себепті қайта
қалыптастыруды қажет етеді.
2. Өткізубағытында тұрақты ток ... ... ... Ылғалдық бұзылуға ықпал етіп, түзеткішті істен шығаруы мүмкін, сондықтан
шайбаларға лак жағылады.
4. Ұзақ уақыт сақтағанда түзеткіш тозып, тура ... ... ... ... және 36 В-қа ... ... ... сыйымдылығы 0,01 мкФ/ см, номинал деректер 850 Гц көп ... ... ... ... 10000 ... ... өткізгішті тунельдік диодты күшейткіштер бір жағы купрум
мен оттегінің ... ... ... ... Бұл ... бір текті
жартылай өткізгіш бола алмайды. Мыс жағынан бұл жартылай өткізгіш п-типті,
ал тотық жағынан р- ... ... ... диод ... Бұл ... үшін өте таза мыс ... ... Дайындау процесі мына
кезеңдерді қамтиды:
1. Мысты 3-15 минут ... ... ... температурада пеште
тотықтырады. Мыс ауадағы оттегімен 0,1 мм ... ... ... ... үшін 600 градуста жұмсартып, содан кейін суда суытады.
2. Химиялық өңдеумен қабатты мыс оксидінің қарадағынан ... ... ... ... сондай-ақ бетіне электрод жалатуға
дайындайды. Химиялық өңдеу азот және тұз ... ... ... ... ... ... немесе күміс қабатын вакуумда
тозаңдандыру арқылы ... не ... ... ... қалпына келтіре
отырып, одан кейін электр химиялық жолмен никель ... ... ... ... ... ... тұрақтандыру. Купроксту
түзеткіштердің сипаттамалары: кері жұмыстық ... 9 В, ... ... 50-60 ... ... сыйымдылығы 60 пф/см
Купроксты түзеткіштердің формалары бұзылмайды және олар түзетуді бірнеше
милливольттан жүргізе ... Бұл ... ... ... атап ... ... электрлік жүйе гальванометрмен бірге
айнымалы токты өлшеуге пайдаланылады. Түзеткіштер 60-55 градус температура
аралығында жұмыс істейді.
1.7. ... ... ... құрылымы
Электр сигналдарын тунельдік диодтар көмегімен реттеу мүмкіндігін 1922-26
жылдары совет ғалымы Лосе анықтаған. Ол бірқатар ... ... ... ... болатынын білді. Түсу вольт-амперлік
сипаттамасы бар диодтарды Лосев ... ... ... ... сигналдарды күшейтуге пайдаланылды. Сонымен қатар ... ... ... ... ... ретінде пайдалануға
болатынын көрсетті. Осылайша дүние жүзінде ... ... ... ... тудыруға пайдаланылды. Детекторлар сияқты жартылай
өткізгіштердің металмен контактісі радиотехниканың алғашқы дамуы кезінде
радиотехникалық ... ... ... ... ... тунельдік диодтар іс жүзінде қолданысқа ене ... ... ... ... жылдарында локациялық техниканың дамуына орай жоғары
жиілікте жұмыс ... ... ... ... ... ... ... көмегімен өте жоғары сапалы детектрлер алынды. Одан ... сол ... ... зерттеуге негізделді.
Германий мен кремний детекторлардың жұмысын түсіндіруге талпыныс беттік
күйді зерттеуге әкелді. Оның бар ... 1933 жылы Е.И. Тамм ... Ол ... ... ... ... ... жәрдемімен бақылау
жүргізе отырып тунельдік диод негізінде жұмыс атқаратын транзисторларды
ойлап тапты. 1949 жылы ... р-п ... ... ... ... тунельдік диодтардың құрылымын көрсетті.
5-суретте тунельдік диодтардың тиристорлардың құрылысындағы алатын орны
көрсетілген.
Барлық үш ... ... не ... бір монокристалына әртүрлі
технологиялық әдіспен жасалды. Қорытпалы тунельдік триодтар оңай жасалады.
Олар былай ... ... ... п- ... ... платиналарына екі жағынан бірден немесе біртіндеп индий
кесегі балқытылып ... ... ... ... ... ... р-п ауысуды жасау үшін акцепторлық қоспаның қажетті тереңдігін
алу жатады.
Осы р-п ... ... база ... база ... ... кіші ... олар негізгі емес тасушылар болады. Тунельдік
диодтың жиіліктіе шегі қалыңдығына тәуелді болатындықтан, жұқа ... ... ... ... ... электролиттік залалсыздандыру жолымен
усыздандырылады. ... ... ... жұқа қабаты жағылады.
Осылайша қалыңдығы 5 мкм-ге дейін жететін базалық облыс алынады. р-п ... ... ... ... ... ... ... тунельдік диодтың кәдімгі құрылысы көрсетілген.
Енді тунельдік диодтардың энергетикалық схемасын ... ... жоқ ... ... ... Ферми деңгейі бір биіктікте жатады. п-р
ауысудың ... ... ... ... мен ... ... п- облысқа өтуін бөгеттейтін ... ... ... ... ... ... ... жасалады.
Тосқауылдар аймағында база жағынан иондалған донорлардың ... оң ... және ... және ... р- ... ... ... теріс зарядтары жинақталады. Тунельдік диодтар кез-
келген полюсті электр сигналдарын р-п ... ... ... бағытта кішігірім ығысуға ұшырайды. Сонда диод кірісіне кез- ... ... ... сигналдарды бере отырап, сол формадағы қуаты мен
кернеуі күшейтілген ... ... ... ... ... ... ... сапалы монокристалдардан дайындалатындықтан, ал базалық
облысы сол ... ... емес ... диффузиялық ұзындығынан
айтарлықтай кіші қалыңдықта жасалатындықтан, эмиттер ... ... ... ... ... жете алады. (6 а суретте)
германий негізінде жасалған диодтың құрылысы көрсетілген.
II. ЖАСАНДЫ ДЕМ ... ... ... ... ... ... қамтамасыз ету болып табылады.
Шығаратын ауада басқа адам онымен дем алу үшін ... ... ... ... оттегімен көптеген өмірлер құтқарылады. Өкпенің табиғи
вентиляциясын бірден бастаңыз және ауа тиісті жерге – ... ... ... көз ... ... ... ... қалыпты толтыруына
бақылау жасау қажет. Егер, сіз ... ... ... дем ... және сіз тоқтаған кезде түссе, онда мақсатқа жеткен жоқсыз; онда
тыныс жолдарына бөтен заттарының ... ... ... ... тәсілді орындаған кезде мұқият болыңыз. Тыныс жолдарын жауып тұрған
бөтен денелерді жасанды ... ... ... ... ... ... жағдайлар да бар.
Өкпенің табиғи вентиляциясын қалай жасау қажет:
- Тамыр соғуын бақылаңыз.
- Жүрек соғуын болмаған кезде жүрекке тура емес ... ... Зиян ... ... ... бір қолыңызбен жоғары көтеріңіз және оның басын
артқа шалқайтыңыз.
- Зиян ... ... ... ... ... дем ... ... кең ашыңыз және зиян шеккен адамның аузын
толығымен алыңыз.
- Ауыз ... ... дем ... сол ... зиян ... адамның кеудесі
қалай көтерілетіндігін байқаңыз.
- Кеуде толғаннан кейін өз басыңызды бұрыңыз да, ... ... ... дем ... ... ... төрт дем ... тез жүргізіңіз.
Одан соң зиян шеккен адамның тамыр соғысын тектеріңіз.
- Зиян ... адам дем ... ... бұл ... 5-9 рет ... ... ... тыныс алудың баламасы ретінде, егер оны жүргізу кез-келген
себеппен ... ... онда ... ... дем алу ... ... зиян ... адамның ауызын жабыңыз және сіздің қолыңызға тығыз
орналасуын қадағалай отырып, ауаны оның мұрнына шығарыңыз.
- Егер ... ... ... ... ... мұрның қатты қысылғандығын.
- Ауыз немесе мұрын толық алынатындыған.
- Ауаны жеткілікті ... тез ... ... ... ... дем беру
Ауыздан ауызға дем беру үшін ауызды ашып ... ... ... ... қайығына салып жағаға жеткізгенше, жасанды дем беруді жалғастыру
керек, ол үшін ауа ... ... ... демалғыш және Рубенс қабығын
қолдану керек. Ұйқы тамыры соқпаса тез арада жүрек сылауына ... ... суды ... ... ... ... ой қате (орындалмайтын іс).
Зардап шеккенді етбетінен жатқызып, аяқтарын иіп, кеудені қырына қысып ... ... ... ... ... ... шеккенді арқасына аударады. Егер
тістерін аша алмаса, ауызын ... ... ... санитарлық сөмкедегі
жабдықтарды немесе қолда бар ... ... ... және т.б ) қолдану
керек.
Адамның аузын саусаққа мата орап алып ... Ашу ... ... басу ... ... ... ... тазалау үшін арнаулы сорғыш
қолданылады. Өкпе ісігін күшейтпеу үшін көбігін шығарғанша ... ... ... ... ... ... ... шараларды жалғастыра
беру керек. Аса бір қателік – жасанды дем беруді тоқтату. ... ... дем ... оның толық қалпына келуі емес, сондықтан ессіз болса ... ... ... да ... дем ... ... керек. Жасанды дем
беруді желісін, демалуы 1 ... 40 рет ... ... ... бастаса да
жасау керек.
Ауызға немесе мұрынға орамал , мата ... дем беру ауа ... ... дем ... ... ... немесе «ауыздан мұрынға» жасалатын
қарапайым шарты – зардап шеккенге ең ыңғайлы әдіс.
2.2. Ауыздан мұрынға жасанды дем ... ... ... ... зардап шеккенді арқасына жатқызып,
жауырын арқасына білік қойып, басын шалқайтады.
Ауа шығарғыш (арнаулы) бір шетімен зардап ... ... ... Ауа
шығарғышты тіс арасынан жоғарғы иілетін жағымен төмен, содан ... ... ... ... керек.
Ауа шығарғыш дұрыс орнатылса, тіл ауыздың түбіне қысқартылу керек, тілдің
тыныс ... ... ... ... ... шеккеннің
мұрнына екі жағына саусақпен қысу керек.
Терең дем алып, ауа шығарғыштың шетін ауызға алып, зардап шеккенге дем ... ... ... ... ауа ... ... ... керек.
Құтқарушы жалғыз адам болса, жасанды дем берумен жүрек уқалауы 1:4, ... 1 ... 4-6 ... ... ... да 2:15 көлемінде, тек 1
миутта 16-18 дем және 70-72 сылау қозғалысы болуы керек.
III. ГРАФИКАЛЫҚ ... ... ... а – ... б – ... ... ... в –
жалғастырудың схемасы.
4. Толық вольт-амперлік сипаттама.
5-сурет.
6-сурет. Тунельдік диодтың өлшемдік құрылымы.
6а-сурет. Германийлі тунельдік диодтың конструкциясы.
ҚОРЫТЫНДЫ
Жартылай өткізгіш диодтар ... ... ... ... ... мен ... және өндірістік электроника жөнінде
көптеген ... мен ... ... ... ... жиіліктегі диодтар – бұлар, әмбебап міндеттегі шала
өткізгіш аспап ретінде қарастырылды.Түзеткіш ... ... ... тек аз ... ... ... детекторларда,
жиілікті түрлендіргіштерде, басқа да электрлік сигналдардың сызықты емес
түрлендіргіштерінде ... ... ... ... ... ... диодтар жұмыс қызметі,
физикалық қасиеті,негізгі электрлік параметрі және ... ... ... бойынша жіктелуі қарастырылды.
Жалпы айтқанда тунельдік диодтар ғылыми прогрестің дамуына, соның
ішінде ... мен ... ... ... ... ... лайықты орын алуда. Біздің техникалық құралдардың барлығы
дерлік жартылай өткізгіштерден жасалғаны бізге мәлім. ... ... ... ... ... еш бір ... кездеспейді.
Жартылай өткізгіштер негізінде көптеген құрылғылар жасалған, оларға:
транзисторлардың ... ... ... ... ... мен амперметрлер жатады. ... ... ... ... мен ... компьютероердің өзі қазіргі
таңда жартылай өткізгіштерден жасалған
Осы жұмыс барысында негізінен жартылай ... ... ... ... ... бір түрі ... табылатын тунельдік диодтарға
сипаттама беріліп, олардың жалғану схемасы көрсетіліп, ... ... ... формулалары қорытылынып шығарылынды.
Сонымен әр алуан жартылай өткізгішті құрылғылардың әрекеті р-п ауысудың
қасиеттерін ... ... ... Бұл ... әр ... ... ... жататыны жоғарыда айтылды.
Жалпы диодтар түзеткіш , импульсты, жоғары жиілікті, тунельдік ... ... ... ... Диодтардың көмегімен жиілігі әрі қуаты ... ... ... тұрақты токка айналдыруға болады. Осы ... ... диод ... ... Бұл ... ... ... атқарып, микроэлектроника әлеміне өз үлесін қосып
отыр.
Есептеу ... ... ... ... біз осы ... коэффиценті бірден аз болған сайын, ... ... ... және ... коэффиценті жоғары болатыны анықталды. Егер тунельдік
диодтың берілу ... ... ... кіші сан, яғни ... ... болса, онда токтардың шамасы және тиімділік коэффиценті де ... ... ие ... ... ... жұмыс істеу қабылетін жояды немесе
бұл құрылғының пайдалы әсер коэффиценті өте ... ... ... болып
қалады. Сондықтан тунельдік диодтарды әртүрлі құрылғыларға пайдаланбас
бұрын олардың ... ... ... ... мән ... сәйкес токпен қамтамасыз ету қжет. ... ... ... негізгі
тарауының соңғы бөлімінде осы диодтардың әр ... ... ... ... ... ... ... құрамындағы тунельдік
диодтардың алатын орны аталып көрсетілді.
Қазіргі кезде планарлы микротехнология мен ... ... ... ... ... етіп ... таяу
арада функциналдық микроэлектроникатехниканың көп саласын қамтитын олады.
Қазіргі кезде бионикаға жанасатын, яғни ... ... ... құру үшін ... ... жеке
молекулалардың қасиетін пайдалану бағытында ... ... ... түзу ... ... ... ... ауқымды байланыс
түрлерін пайдаланды, ал бұл жәйт әлі де ... ... ... ... ... ... жартылай өткізгішті зерттеу барысында ол
ашылып сырын аша түсті.
Пайдаланылған әдебиеттер
1.КитаевВ.Е. «Электроника және ... ... ... ... 1991 ж
2.Әлімжан Берікұлы «Техникалық электроника» Алматы «Қазақстан» 1995 ж
3. Мухити И.М. Электротехника, Алматы , 2005 ж
4.Г.А. Иванов. Жартылай ... ... ... ... ... ... ... 2005 ж
6.К. Исмаилов; Жартылай өткізгіштер; Тараз, 2008 ж
7.А.С Енохович; ... по ... ... ... ... 1976
8.Савелев И.В. Жалпы физика курсы 2-том, 1977
9.Калашников; Электричество; Москва, Просвещение,1980
10.Электротехнический справочник / Под. ред В.Г. ... А.Қ, ... ... ... ... ... Под ред. В. С. ... М. Высшая школа,
1970.567 С.
13.Электротехника /Под ред. В. Г. ... ... ... 1985.480 ... ... Ю.М., ... Д. Н. ... электротехника.М.: Высшая школа
1974.519С
15. Касаткин А.С.,Немцов М. В. Электротехника.М:Энергоатомиздат. 1983.440С
16. Степаненко И.П. ... ... – М: ... базовых знаний
2000.
17. Першин В.Т. Основы радиоэлектроники и ...... ... ,2006.
18. Травкин Г.А. Основы схемотехники, (часть2) Н:СибГУТиИ, 2006.

Пән: Электротехника
Жұмыс түрі: Реферат
Көлемі: 22 бет
Бұл жұмыстың бағасы: 500 теңге









Ұқсас жұмыстар
Тақырыб Бет саны
Тунельдік диодтар22 бет
Жартылай өткізгішті диод5 бет
Жартылай өткізгішті диодтар28 бет
Әмбебап әуесқой-көкөнісші терморегуляторы11 бет
Жартылай өткізігішті диод3 бет
Жартылай өткізгіш диодтар29 бет
Шала өткізгішті диод және транзистор. Микроэлектроника туралы түсінік5 бет
Айнымалы токты тұрақты токқа түрлендіру. Түзеткіштер12 бет
Байланыс жүйесі32 бет
Газ ионды приборлар15 бет


+ тегін презентациялар
Пәндер
Көмек / Помощь
Арайлым
Біз міндетті түрде жауап береміз!
Мы обязательно ответим!
Жіберу / Отправить


Зарабатывайте вместе с нами

Рахмет!
Хабарлама жіберілді. / Сообщение отправлено.

Сіз үшін аптасына 5 күн жұмыс істейміз.
Жұмыс уақыты 09:00 - 18:00

Мы работаем для Вас 5 дней в неделю.
Время работы 09:00 - 18:00

Email: info@stud.kz

Phone: 777 614 50 20
Жабу / Закрыть

Көмек / Помощь