Биполярлы транзисторлар

Биполярлы транзистор – екi өзара әрекеттесушi түзеткiш электрлiк ауысулары және екi шықпалары бар шалаөткiзгiштi аспап, оның күшейту қабiлетi негiзгi емес зарядтардың инжекциясы және эстракциясы құбылыстармен анықталады. Биполярлы транзисторда бiр уақытта заряд тасымалдағыштарының екi типi – электрондар және кемтiктер қолданылады (Биполярлы деген атау осыдан шыққан). Транзисторлардың p-n-p және n-p-n түрлерi болады. n-p-n транзисторлары кеңiнен қолданылады. Шартты графиктiк белгiленуi төмендегiдей





n-p-n типті транзистор p-n-p типті транзистор

Биполярлы транзистордың жұмысы екi p-n ауысуының өзара әрекеттесуiне негiзделген, бұл транзистор базасы аймағындағы қалындық осы аймақтағы заряд тасымалдағыштардың α-диффузиялық ұзындығынан кем етiп алу нәтижесiнде iске асады.
Транзистор жұмысының ұстанымын n-p-n- типтi транзистор мысалында қарастырайық, мұнда n (эмиттерлi ) Nn – аймақтағы негiзгi тасымалдағыштар концентрациясы р (базалық) Pp- аймаққа қарағанда айтарлықтай көп, яғни Nn>>Pp.
Шалаөткiзгiш (эмиттерлi-, коллекторлы-, базалық) – аймақтарға дәнекерленiп жабыстырылған металдық шықпалар аймақтарға сәйкес Эмиттерлi, Коллекторлы, Базалық шықпалар деп аталады.
Эмиттерлi ауысуға база – эмиттер (Uбэ) тура кернеуiн, ал Коллекторлы ауысуға коллектор – база (Uкб) керi кернеуiн берейiк. Нәтижесiнде Эмиттерлi ауысу арқылы база (Б) аймағына электрондар инжекцияланады да (база аймағынан Эмиттерлi аймаққа кемтiктердiң инжекциялануын ескермеймiз), транзистордың Iэ эмититерлi тоғын қалыптастырады.
База аймағына инжекцияланған электрондардың бiр бөлiгi осы аймақ үшiн негiзгi тасымал болып табылады – кемтiктермен рекомбинациялана отырып Iб – тоғын қалыптастырады. Коллекторлы ауысуға жеткен инжекцияланған электрондарды тағы бiр бөлiгi коллектор – база Uкб кернеуi тудырған электрлiк өрiс көмегiмен транзистордың коллекторлы аймағына экстракцияланады да, Iк – коллектолы тоғын қалыптастырады.