Биполярлы транзисторлар

Биполярлы транзистор – екi өзара әрекеттесушi түзеткiш электрлiк ауысулары және екi шықпалары бар шалаөткiзгiштi аспап, оның күшейту қабiлетi негiзгi емес зарядтардың инжекциясы және эстракциясы құбылыстармен анықталады. Биполярлы транзисторда бiр уақытта заряд тасымалдағыштарының екi типi – электрондар және кемтiктер қолданылады (Биполярлы деген атау осыдан шыққан). Транзисторлардың p-n-p және n-p-n түрлерi болады. n-p-n транзисторлары кеңiнен қолданылады. Шартты графиктiк белгiленуi төмендегiдей





n-p-n типті транзистор p-n-p типті транзистор

Биполярлы транзистордың жұмысы екi p-n ауысуының өзара әрекеттесуiне негiзделген, бұл транзистор базасы аймағындағы қалындық осы аймақтағы заряд тасымалдағыштардың α-диффузиялық ұзындығынан кем етiп алу нәтижесiнде iске асады.
Транзистор жұмысының ұстанымын n-p-n- типтi транзистор мысалында қарастырайық, мұнда n (эмиттерлi ) Nn – аймақтағы негiзгi тасымалдағыштар концентрациясы р (базалық) Pp- аймаққа қарағанда айтарлықтай көп, яғни Nn>>Pp.
Шалаөткiзгiш (эмиттерлi-, коллекторлы-, базалық) – аймақтарға дәнекерленiп жабыстырылған металдық шықпалар аймақтарға сәйкес Эмиттерлi, Коллекторлы, Базалық шықпалар деп аталады.
Эмиттерлi ауысуға база – эмиттер (Uбэ) тура кернеуiн, ал Коллекторлы ауысуға коллектор – база (Uкб) керi кернеуiн берейiк. Нәтижесiнде Эмиттерлi ауысу арқылы база (Б) аймағына электрондар инжекцияланады да (база аймағынан Эмиттерлi аймаққа кемтiктердiң инжекциялануын ескермеймiз), транзистордың Iэ эмититерлi тоғын қалыптастырады.
База аймағына инжекцияланған электрондардың бiр бөлiгi осы аймақ үшiн негiзгi тасымал болып табылады – кемтiктермен рекомбинациялана отырып Iб – тоғын қалыптастырады. Коллекторлы ауысуға жеткен инжекцияланған электрондарды тағы бiр бөлiгi коллектор – база Uкб кернеуi тудырған электрлiк өрiс көмегiмен транзистордың коллекторлы аймағына экстракцияланады да, Iк – коллектолы тоғын қалыптастырады.
        
        Биполярлы транзисторлар
Биполярлы транзистор – екi өзара әрекеттесушi түзеткiш электрлiк
ауысулары және екi ... бар ... ... оның ... негiзгi емес зарядтардың инжекциясы және эстракциясы құбылыстармен
анықталады. Биполярлы транзисторда бiр уақытта заряд тасымалдағыштарының
екi типi – ... және ... ... ... ... ... шыққан). Транзисторлардың p-n-p және n-p-n түрлерi болады. ... ... ... ... ... белгiленуi
төмендегiдей
| n-p-n типті транзистор |p-n-p типті транзистор ... ... ... екi p-n ... ... әрекеттесуiне
негiзделген, бұл транзистор базасы аймағындағы қалындық осы аймақтағы заряд
тасымалдағыштардың ... ... кем етiп алу ... ... жұмысының ұстанымын n-p-n- типтi ... ... ... n ... ) Nn – ... ... ... р (базалық) Pp- аймаққа қарағанда айтарлықтай көп, ... ... ... ... – аймақтарға
дәнекерленiп жабыстырылған металдық шықпалар аймақтарға сәйкес Эмиттерлi,
Коллекторлы, Базалық шықпалар деп аталады.
Эмиттерлi ауысуға база – ... (Uбэ) тура ... ал ... ... – база (Uкб) керi ... берейiк. Нәтижесiнде Эмиттерлi
ауысу арқылы база (Б) аймағына электрондар инжекцияланады да ... ... ... ... ... ...... тоғын қалыптастырады.
База аймағына инжекцияланған электрондардың бiр бөлiгi осы аймақ үшiн
негiзгi тасымал болып табылады – ... ... ...... ... ... ауысуға жеткен инжекцияланған
электрондарды тағы бiр ... ... – база Uкб ... ... өрiс ... ... ... аймағына
экстракцияланады да, Iк – коллектолы тоғын қалыптастырады. Эмиттерлi ... ... ... ... ... ... ... арқылы өтетiн
электрондар ағымының (сондай-ақ, Iк – коллекторлы тоқтың) азаюын келесi
қатынаспен ... ... Iк =α*Iэ ... ...... тоғын
өткiзу коэффициентi.
Күшейткіш элементтердің (тразисторларды) қосылу сұлбалары.
Төменде транзистордың ортақ эмиттерлі (ОЭ), ... ... ... ортақ базалы (ОБ) қосылу сұлбалары көрсетілген. Биполярлы транзисторды
күшейткіш ... ... ... өрістілік (четырехполюсник) бейнелеуге
болды. Транзистордың үш шықпаларының қайсысы төрт өрістіліктің кіріс ... ... ... ... ОБ, ОЭ, ОК ... ... болды.
Қосылу сұлбаларының ішінде ОЭ қосылу сұлбалары кеңінен қолданылады.
Сурет 1
Қосылатын ... ... ... ... ... байланысты
тоғы, шығыс тоғы ретінде қосқан жағдайда кіріс тоғы ретінде база сұлбасы
(1,в) ... ... тоғы – ... ... ... тоғы – коллектор тоғы
болады.
Транзистордың қосылу сұлбаларының ... ... орын ... ... ... (1,б). Бұл жағдайда жүктеме эмиттелерлі ... бұл ... ... қайталағыш сұлбасы деп атайды.
Транзисторды белсенді сызықтың емес ширекөрістілік ретінде сипатайтын
негізгі параметрлер (кез ... ... ... ... ... ... бойынш: ;
кернеу бойынша: ;
қуат бойынша: ;
сонымен қатар,
кіріс ... ... ... ... транзистордың әрбір қосылу ... ... ... ... ... ... сұлбасы үшін:
;
мұнда Rкір Б – бірнеше Ом құрайтын эмиттерлі ... ашық ... ... өйткені Rн >>Rкір Б
Сонымен, ОБ қосылу сұлбасы аз ... ... ток, ... ... кернеу және қуат бойынша ... ... ... ... В-база тогын өткізудің статистикалық коэффициенті (-база ... ... ... түрлі қосылу сұлбаларындағы есептеулер нәтижелерін
салыстыру үшін ВВ деп аламыз, сонда.
;
мұнда Киэ>>1, ...... ... ОЭ ... ОБ сұлбасына қарағанда кіріс кедергісі көбірек
болды. Тоқ, кернеу және қуат бойынша күшейту жоғарырақ болды.
ОК ... ... ОК ... ... ... ОК ... ... сұлбасы) кез-келген басқа
сұлбаларға қарағанда кіріс кедергісінің мәні жоғары, тоқ және қуат ... ОК ... ... ... ... ... жоғару болу
себебінен кеңінен қолданысқа ие.
ОЭ ... ... ... (И), тоқ (І), және қуат (Р) ... қамтамасыз етеді. Шығыс кернеуі Uшығ кіріс ... ... ... С және Д ... ... ... транзистордың жұмыс істеу
режимдері).
А күшейту класы Uкір өзгеруі күшейткіш элементтің, сызықты бөлімінде
орындалады. Сондай-ақ, шығыстағы сигнал ... ... ... ... дәп қайталайды дескете болды, яғни А ... ... ... ... және өтесу көлемде болды.
Кемшілігі күшейту каскадының п.э.к 30-40%, өйткені тоқтап тұру
(покой) тоғының мәні жоғары, нәтижесінде ... ... ... ... ... А күшейту класы аз қуатты күшейткіштерде ғана (дыбыстың алдын-
ала күшейту каскадтарында) және сигналдардың ... ғана ... ... өлшеу құралдарында қолданылды.
В күшейту класы. Энергия шығынын азайту үшін пайдалы сигналдық ... ... ... І0 ... ... ... Осы ... В
режимінде бастапқы жұмыс нүктесі сипаттаманың осы мен абциссасы ... ... ... (Т) ... ... ... ток ... бір
бөлігі ішінде өтеді қиылу ... және =300, ... ... период бөлігі, және ол импульс ... ... тең. ... 1-ші ... ... І0 мәні ... 1,6 ... өнейдейді ал
п.э.к. - шамамен 60-70% өседі.
Периодтың қандай да бір ... ... ... ... болатын
режимдердегі жұмыс тоқты қиып жұмыс істеу д.а. ... емес ... ... ... ... ... жарты периодтқа тең синусоидалы формадағы
импульсте тоқ, жоғарғы гармоникалар болмайды. В режимінде дыбыстың сигнал
қуатын ... ... ... ... ... ... ... (сызықтың емес ауытқұлар аз).
АВ күшейту класы. Бастапқы нүктеде сигнал жоқ кезде күшейткіш элемент
арқылы аздаған тоқ ... ... ... мәні 10-15%). ... ... ... ... емес ауытқұлар аз, бірақ -п.э.к. 50%
дейін азаяды.
С күшейту класы. Бастапқы жұмыс нүктесі ... ось пен ... сол ... төмен орналасқан

Пән: Физика
Жұмыс түрі: Материал
Көлемі: 4 бет
Бұл жұмыстың бағасы: 300 теңге









Ұқсас жұмыстар
Тақырыб Бет саны
Биполяр транзисторлар20 бет
Биполярлы жүйенің аяқталуы және Европадағы интеграциялық және дезинтеграциялық үрдістердің күшеюі128 бет
Биполярлы транзистор4 бет
Биполярлы транзисторлар туралы ақпарат5 бет
Транзисторлар35 бет
Транзисторлар. Іске қосу сұлбалары39 бет
Биполяр транзистор22 бет
Интегралды-инжекционды логикалық және nМДП-интегралды сұлбалар7 бет
Транзистор5 бет
Халықаралық ұғым заңдылықтары. халықаралық сараптаудың теориялық негіздері. халықаралық жүйелер. халықаралық қатынастар12 бет


+ тегін презентациялар
Пәндер
Көмек / Помощь
Арайлым
Біз міндетті түрде жауап береміз!
Мы обязательно ответим!
Жіберу / Отправить


Зарабатывайте вместе с нами

Рахмет!
Хабарлама жіберілді. / Сообщение отправлено.

Сіз үшін аптасына 5 күн жұмыс істейміз.
Жұмыс уақыты 09:00 - 18:00

Мы работаем для Вас 5 дней в неделю.
Время работы 09:00 - 18:00

Email: info@stud.kz

Phone: 777 614 50 20
Жабу / Закрыть

Көмек / Помощь