Транзисторлар. Іске қосу сұлбалары

КІРІСПЕ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 3
1.ТАРАУ. ТРАНЗИСТОРЛАР
1.1 Транзисторлардың түрлері ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...5
1.2 Өрістік транзисторлар ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..11
1.3 Биполярлы транзисторлар ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 14
2.ТАРАУ. ТРАНЗИСТОРЛАРДЫ ІСКЕ ҚОСУ СҰЛБАЛАРЫ
2.1 Транзисторларды іске қосу ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..18
ҚОРЫТЫНДЫ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .28
ПАЙДАЛАНҒАН ӘДЕБИЕТТЕР ТІЗІМІ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..29
ЗЕРТХАНАЛЫҚ ЖҰМЫС ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 30
Алғашқы жұмыс істейтін транзистордың көшірмесі, Bell Labs. патент алып, нарыққа шығады. Бірақ Bell Labs. барлық қиындықтарды жеңе алмай, 1952 жылы транзисторға патентті сатып жібереді. Сол уақыттан бері транзисторлар барлық жерде таралды.
Транзистор өрістік (униполярлы) және биполярлы деп бөлінеді.
Өрістік (арналық) транзистор – жұмыстық токтың өзгеруі кіріс сигналы тудыратын, оған перпендикуляр бағытталған электр өрісі әрекетінен болатын транзистор. Өрістік транзисторларда кристалл арқылы өтетін токты тек бір таңбалы заряд тасушы –электрон немесе кемтік тудырады. Заряд тасушыларды басқаруға негізделетін физикалық эффектілерге қарай өрістік транзисторлар шартты түрде 2 топқа: басқаратын р-п электрон-кемтіктік ауысуы бар немесе металл-шалаөткізгіш түйіспелі, оқшауланған, жапқылы металл-диэлектрик-шалаөткізгіш (МДШ) транзисторлар деп бөлінеді.
Өрістік транзисторлар әдетте кремний немесе галий арсениді негізінде жасалады. Олардың тұрақты ток бойынша кірістік және шығыстық кедергілері жоғары, инерциялығы төмен, жиіліктік шегі жоғары болып келеді. Өрістік транзисторлар байланыс, есептеуіш техникаларында, теледидарда шусыз, қуатты және ауыстырып-қосқыш (кілттік) ретінде қолданылады. Металл-диэлектрик-шалаөткізгіш (МДШ) құрылымды өрістік транзисторлар интегралдық сұлбаларда кеңінен қолданылады. Өрістік транзистор күшейту қасиеті өткізуші арна арқылы өтетін негізгі тасымалдағыштар ағымымен және басқарушы электрлік өріспен анықталынатын шала өткізгішті аспап. Өрістік транзистор униполерлы транзистор да, өйткені оның жұмысы тек негізгі тасымалдағыштарды қолдануға ғана негізделген. Сондықтан өрістік транзисторда негізгі емес зарядтардың жиналып қалған үлкен көлемін сору сияқты үрдістер болмайды.
Құрастыру және технологиялық дайындау жолдары бойынша өрістік транзисторды екі топқа бөлуге болды: басқарушы р-п ауысуы бар өрістік транзистор және оқшауланған затворы бар транзистор.
Басқарушы p-n ауысуы бар өрістік транзторлар сызықтық сұлбалар, сызықтық күшейткіштер, аналогты кілттер және т.б жасауда қолданылады. Бекітпесі оқшауланған МОП- транзисторлар екіге бөлінеді: орнатылған арналы (біріккен тип) және индуцияланған арналы (қанықан тип). Соңғысы цифрлық интегралдық сұлбаларда кеңінен қолданылады.
1. А. К. Криштафович, В. В. Трифонюк. Основы промышленной электроники. — 2-е изд. — М.: "Высшая школа", 1985. — 287 с.
2. Н. И Овсянников Кремниевые биполярные транзисторы: Справ. пособие. — Мн.: "Высшая школа", 1989. — 302 с.
3. Жданов Л.С., Маранджян В.А. Курс физики для средних
учебных заведений. Ч. 2. Электричество. Оптика. Атомная физика. –Наука.
4. Блудов М.И. Физика жайлы әңгімелер. 2 бөлім. –
9. Цидильковский И.М. Электроны и дырки в полупроводниках. –Наука, 1972.
5. Тамм И.Е. Основы теории электричества. – М.:
6. Зеегер К. Физика полупроводников. – М.: Мир,
7. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников.
8. Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов. – 1978.
9. Смит Р. Поупроводники. – М.: Мир, 1982.
        
        МАЗМҰНЫ
КІРІСПЕ................................................................................................................3
1-ТАРАУ. ТРАНЗИСТОРЛАР
1.1 Транзисторлардың түрлері...........................................................................5
1.2 Өрістік транзисторлар..................................................................................11
1.3 Биполярлы ... ... ІСКЕ ҚОСУ ... ... іске ... ... ... ТІЗІМІ......................................................29
ЗЕРТХАНАЛЫҚ ЖҰМЫС....................................................................................30
КІРІСПЕ
Алғашқы жұмыс істейтін транзистордың көшірмесі, Bell Labs. патент алып, нарыққа шығады. Бірақ Bell Labs. барлық қиындықтарды жеңе ... 1952 жылы ... ... ... жібереді. Сол уақыттан бері транзисторлар барлық жерде таралды.
Транзистор өрістік (униполярлы) және биполярлы деп бөлінеді.Өрістік (арналық) транзистор - жұмыстық ... ... ... ... ... оған перпендикуляр бағытталған электр өрісі әрекетінен болатын транзистор. Өрістік транзисторларда кристалл ... ... ... тек бір ... заряд тасушы - электрон немесе кемтік тудырады. Заряд тасушыларды басқаруға негізделетін физикалық эффектілерге қарай өрістік транзисторлар ... ... 2 ... басқаратын р-п электрон-кемтіктік ауысуы бар немесе металл-шалаөткізгіш ... ... ... ... (МДШ) ... деп бөлінеді.
Өрістік транзисторлар әдетте кремний немесе галий арсениді негізінде жасалады. ... ... ток ... ... және ... ... ... инерциялығы төмен, жиіліктік шегі жоғары болып келеді. Өрістік транзисторлар байланыс, есептеуіш техникаларында, теледидарда шусыз, ... және ... ... ... ... ... (МДШ) ... өрістік транзисторлар интегралдық сұлбаларда кеңінен қолданылады. Өрістік транзистор ... ... ... арна ... өтетін негізгі тасымалдағыштар ағымымен және басқарушы электрлік өріспен анықталынатын шала өткізгішті ... ... ... ... транзистор да, өйткені оның жұмысы тек негізгі тасымалдағыштарды қолдануға ғана негізделген. Сондықтан өрістік ... ... емес ... ... қалған үлкен көлемін сору сияқты үрдістер болмайды.
Құрастыру және технологиялық дайындау жолдары бойынша өрістік транзисторды екі топқа ... ... ... р-п ауысуы бар өрістік транзистор және оқшауланған затворы бар транзистор. Басқарушы p-n ауысуы бар өрістік транзторлар сызықтық сұлбалар, сызықтық күшейткіштер, ... ... және т.б ... ... ... ... МОП- ... екіге бөлінеді: орнатылған арналы (біріккен тип) және индуцияланған арналы (қанықан тип). Соңғысы цифрлық интегралдық сұлбаларда кеңінен қолданылады.
Артықшылығы: ... ... (p) ... аздығы, Rкір= 1012-1014 Ом кіріс кернеуінің жоғарылығына байланысты кіріс Uбекітпе бастау кернеуі мен алынатын (p) қуаттың аздығы. Кіріс және ... ... ... тең: Uкір= Uшығ. ... ... кезінде бекітпе тоғының аздығы. Логикалық сұлбалары каскады арасында тікелей байланыс орнатуға мүмкіндік береді. Интегралды сұлбаларда қолданылады, бағасы ... ... ... ... ... электрлік қуаттыкүшейтуге қабілетті, үш және одан да көп шықпалары, бір немесе одан көп p-n өткелдері бар шала ... ... Олар ... ... ... ... және ... арналған. Тасушылардың бір немесе екі типінің де ток түзуге қатысуына байланысты, бір ... және екі ... ... болып бөлінеді.
Транзисторлардың топталуы:
5.1Сурет
а) құрылымы және жұмыс істеу принципі бойынша (5.1- сурет);
б) коллектордан таралатын ең үлкен қауіпсіз қуат ... аз ... - 0,3 ... ... ... ... - 0,3...3 ... үлкен қуатты - 3 Вт-тан жоғары;
в) қуат бойынша көрсетілген топтардың әрқайсысындағы шектік жиілік бойынша:
- төменгі ... - 3 ... ... ... ... - 3...30 ... жоғары жиілікті - 30...300 МГц;
- аса жоғары ... - 300 ... ... конструкциясы және жасалу технологиясы бойынша:
- балқытып ... ... ... ... базасы бар жазық транзисторлар ;
- мезатранзисторлар;
- планарлық;
- эпитаксиалды-планарлық және т.с.с;
д) жасалу материалы бойынша:
- ... ... ... арсенидінен жасалған;
е) өткізгіштік облыстарының өзара орналасуы бойынша - транзисторлар
n-p-n және p-n-p болып бөлінеді.
Арнаға заряд тасымалдағыштарын кіргізетін электрод - ... ... ... ... ... ... құйма д.а; арнаның көлденең қимасын реттеуге арналған электрод - бекітпе деп аталынады. Бастауға ( n арналған ... ... ал ... оң ... ... ... арнада бастаудан кұймаға қарай бет алған электрондарын, яғни ... ... ... ... ... ... қалыптасқан электр тоғы пайда болды. Заряд тасымалдағыштарының электронды кемтіктік ауысу арқылы қозғалысы өрістік транзистордың тағы бір ерекшелігі болып табылады. Бекітпе және арка ... ... ... ... өріс ... ... тасымалдағыштарының тығыздығыны, яғни ағып өтетін тоқ шамасын өзгертеді. Басқару кері ығысқан р-п ауысуы арқылы орындалатындықтан басқарушы ... пен арна ... ... ... ... да, ал ... тізбгінде сигнал көзінен тұтынатын қуат өте аз болады. Сондықтан өрістік транзистор электромагниттік ... қуат ... тоқ ... ... ... ... ... алады. Үлкен көлемді арнасы бар. Өрістік транзисторда ... ... ... кері қосылған р-п ауысуының біріктен қабаттарының ауданының өзгеру есебінен өзгеріп тұрады ... ... ... р-п ... ... басталулы сұлба бойынша қосылған өрістік транзистордың құрылымы көрсетілген р-п ауысуына (Бекітпе-бастау) Uбб кері ... ... Uбб ... ... ... ... ... зарядаймағы) тереңдігі өседі, ал арнадағы тоқ өткізу қабаты жіңішкереді. Бұл жағдайда арна, кедергісі жоғарылап, ... Іқ ... тоғы ... Uбб тоғы р-п ... кері ... ... Ібекітпе тоғы айтарлықтай аз және басқарушы кернеден тәуелді емес. Өрістік транзистор үшін кіріс сипаттамасы (Ібекітпе тоғының Uқұйма-бастау кернеудің ... мәні ... U ... - ... ... тәуелділігі) қолданылмайды, және есептеулер кезінде тек беріліс сипаттамалары мен ... ... ... қолданылады. Оқшауланған бекітпесі бар өрістік транзистор - бекітпесі электрлік тұрғыда арнадан диэлектрик қабаты арқылы бөлінген. Оқшауланған бекітпесі бар ... ... ... ... меншікті кедергісі бар шалаөткізгіш пластинадан тұрады, мұнда қарама-қарсы бағытта ... ... ... екі аймақ қалыптасқан. Бұл аймаққа металлдық электродтар еңгізілген - бастау және ... ... мен ... ... ... үсті жұқа ... ... (әдетте, оксид кремний қабатымен) жабылған. Диэлектрик қабатына металлдық электрод ... - ... ... ... ... және ... тұратын құрылым пайда болады. Сондықтан оқшауланған бекітпесі бар МДП- трпнзисторлар немесе МОП ... ... ... (полупроводник)) д.а. Индуцирленген арнасы бар МДП транзистрлардың қатты біріккен бастау мен құйма арасындағы өткізгіш арна, яғни тоқ нақты 1 ... ... ... ... ... бекітпедегі кернеудің нақты мәнінде (p-арнада теріс, n арнада оң болатын) ... ... Бұл ... ... бастау таб) табылдырықтық кернеу деп аталады. Индуцирленген арнадағы өткізгіш ... ... ... және өсуі ... ... ... ... байланысты.
Орнатылған арнасы бар МДП тразистордағы өткізгіш арна бекітпедегі кернеу 0-ге тең ... ... ... ... Құймадағы тоқты бекітпедегі кернеу мәнін және бекітпе мен бастау кернеулерінің өрісін өзгерте отырып басқаруға болады. p ... ... ... - ... оң ... кезінде немесе n арналы теріс кернеу кезінде құйма тізбегіндегі тоқ ... Бұл ... ... ... депт ... Орнатылған арнасы бар МДП транзисторлары қанығу режимінде де, қанықпаған режимде де жұмыс істей ... ... ... ... ... ... қабілеті бекіте - бастау бөлімінің өткізу қабілеті мен анықталады: Yбекітпе бастау = Y11+ Y12; шығыс ... ... ... - ... ... ... ... анықталады: Yкима бастау = Y22+ Y21; тасымалдау функциясы вольт-амперлі сипаттама ... ... S=Y21+ Y12; кері ... ... - өтпелі өткізу қабілетімен Y ... ... = Y11 ... Бұл ... ... ретінде қолданылатын өрістік транзисторлардың бастапқы параметрлері деп қабылдайды. Ширекөрістіліктің ортақ бастаулы сұлбасы үшін бастапқы параметрлері анықталған ... ... ... басқа кез-келген сұлбалары үшін бастапқы параметрлерін есептеп алуға болады: ... ... тoғы ... Б - ... және ... ... ... 0-ге тең және құймадағы тоқ қанығу кернеуіне тең және одан асатын кездегі құйма тоғы.
Құйманың қалдық тоғы Iқұйма - ... және ... ... ... қиылысу (жабу) кернеуінен жоғары кездегі құйма тоғы. Бекітпе - құйма ауысуының кері тоғы I бекітіс құйма к - ... және ... ... ... кері кернеу кезіндегі және де басқа шықпалар ... ... ... құйма тізбегінде ағатын тоқ.
Бекітпе-бастау ауысуының кері тоғы I бекітпе-бастау к - ... мен ... ... ... кері ... ... және де басқа шықпалар жабық кезіндегі бекітпе бастау тізбегінде ағатын тоқ. ... ... -- үш рет ... ... ... (п) ... кемтіктік (р) типті откізгішті шалаөткізгіш облыстары, екі р-п өткелі бар, яғни п-р-п не р-п-р ... ... үш ... ... электр сигналдарын күшейтуге, түрлендіруге арналған шалаөткізгіш аспап. Биполярлық транзистордың жұмысы база деп аталатын ортаңғы облысы арқылы ағып ... ... емес ... тасымалдаушылардың ағынын басқаруга негізделген, әдетте, тікелей бағытта ... және ... ... емес заряд тасымалдаушылардың инжекциясын қамтамасыз ететін электронды-кемтіктік өткел эмиттерлік деп аталады, ал осы ... ... ... сол ... ... ... эмиттер деп аталады. Кері бағытта ығысқан және эмиттерден инжекция жасап, база арқылы өзіне тақаған ... емес ... ... ... қамтамасыз ететін өткел коллекторлық деп аталады. Осы өткелмен базадан бөлінетін және транзисторлық құрылымның он жақ шетінде ... ... ... ... деп ... Биполярлық транзистор - қуатты күшейтуге ... ... ... ... үш ... құрылған электр түрлендіргіш аспап. Биполярлық транзисторда ток екі түрлі заряд тасушылардың ... ... ... үш ... ... ... құрылымының көмегімен әр түрлі электр өткізгіштері бар жартылай өткізгіштерін екі р-п өткелдер құрылады. Екі үш ... ... ... ... кемтікті-электронды-кемтікті және электронды-кемтікті-электронды. Әр түрлі электр өткізгіштері бар участіктері алмасуға сәйкесті барлық биполярлық ... екі ... ... p-n-p жіне n-p-n. Әр ... тоқ ... ... (электродтар) шығарылып, олар эмиттер(Э), коллетор(К) және база(Б)деп аталады.Латын ... ... emitto- ... ,ол ... ... тасымалдаушылармен қамтамасыз ететін электрод бол.таб. collector- колектор эмиттердан ... ... ... қабылдайды.ал заряд тасушылардын эмттердан коллеторға қарай қозғалысын реттейтін - база.Ол реттеуші, ... ... ... ... n-p-n және p-n-n-p тр-ның жұмыс істеу принциптері бірдей, ... тоқ ... ... ... ... ... екіншісінде кемтіктер. Б.Т. - әр жақты тағайындауы бар жартылай өткізгіштік күшейткіш аспатар, ал сол себептен әртүрлі ... ... ... және ... құрылғыларда кең қолданылады.Құрылғы және жұмыс істеу принципі.
Биполярлы npn транзистордың ... ... ... ... ... ... Казіргі кезде оларды кремнийден және арсенад галлийдан жасайды.Соңғы жасалынып жатқан транзисторлар көбіне жоғары жиілікті ... ... ... ... жиі ... ... ... кезектесе орналасқан үш p және n аймақтарынан тұрады.Осы аймақтардың өзара орналасуына байланысты олар n-p-n ... p-n-p ... ... ... өздеріне тән шартты белгілермен кескінделеді.
Биполярлық транзисторлардың жұмыс істеуінің физикалық негізі. ... ... ... ... алатын, үш немесе төрт шықпа-лары бар, p-n-p немесе p-n-p құрылымды шала өткiзгiш аспап. Транзисторлар электр тербелiстерiн ... және ... ... ... ... ажыратып қосуға қолданылады. Биполярлық транзисторларды, қуаты (кiшi,орташа,жоғары) және т.б. ... ... ... 3.1 ... ... ... құрылымдық сұлбасы, 3.2-суретте p-n-p және n-р-n - ... ... ... белгiлерi көрсетiлген. Суретте сол жақтағы р-типтi облысы эмиттер (э), ортадағы ... ... база (э), оң ... ... ... ... ... (к) деп аталады. Эмиттер мен база аралығындағы р-n-өткелi эмиттерлiк деп, ал коллектор мен база ... ... ... деп ... ... ... және транзистордағы токтар. Сигналдарды күшейту үшiн транзистордың эмиттерлiк ... ... ... ал ... ... ... керi ... Бұл жағдайда эмиттерлiк өткелдiң потенциалдық тосқауылы төмендеп, заряд тасымалдаушылар ... ... ... ... базаға инжекция жасайды, ал базадағы электрондар эмиттерге қарай инжекция жасайды, ... ... тогы ... ... ... электрондар эмиттердегi электрондардан әлдеқайда артық болғандықтан (рnnn ) IэIэр. Осы эмиттердiң кемтiктiк тогы эмиттер тогының ... ... ... ... үшiн ... ... (эффективтiгi деген коэффициент енгiзедi): Iэр/Iэ.
База қалыңдығы (енi) кiшкентай болғандықтан (бiрнеше мкм) эмиттерден шыққан кемтiктердiң көбi ... ... өтiп ... ... ... ... керi үлкен кернеу есебiнен коллектор облысына өтiп кетедi. Бұл процесс экстракция деп аталады. Ал кемтiктердiң кiшкентай бiр бөлiгi ... ... ... ... ... ... ... коллекторға кемтiктердiң қанша бөлiгi өткенiн бiлу үшiн база ... ... ... ... ... ... ... тiзбегiнде айтарлықтай ток жүредi, яғни Ik=nIэ+IкБо, ... n ... ... ... ... ... IкБо - коллектордың негiзгi емес заряд тасымалдаушылардан тұратын керi тогы. ... ... . ... ... режимдерi. Эмиттерлiк және коллекторлық өткелдерге сыртқы кернеулердi қосу түрiне қарай келесi жұмыс режимдерi болады:1)активтi ... Uэ O , ... тиып ... ... Uэ O , ... режимi: Uэ O , UкO;
4)инверстiк режим: Uэ O , UкO;
1.2 Өрістік ... ... ... - жұмыстық токтың өзгеруі кіріс сигналы тудыратын, оған ... ... ... ... ... ... ... Өрістік транзисторларда кристалл арқылы өтетін токты тек бір ... ... ... - ... ... ... тудырады. Заряд тасушыларды басқаруға негізделетін физикалық эффектілерге қарай ... ... ... ... 2 ... ... р-п электрон-кемтіктік ауысуы бар немесе металл-шалаөткізгіш түйіспелі, оқшауланған, жапқылы металл-диэлектрик-шалаөткізгіш (МДШ) ... деп ... ... ... ... ... галий арсениді негізінде жасалады. Олардың тұрақты ток бойынша кірістік және ... ... ... ... ... жиіліктік шегі жоғары болып келеді. Өрістік транзисторлар байланыс, есептеуіш техникаларында, теледидарда шусыз, қуатты және ауыстырып-қосқыш ... ... ... ... (МДШ) құрылымды өрістік транзисторлар интегралдық сұлбаларда кеңінен қолданылады. Өрістік транзистор күшейту қасиеті өткізуші арна арқылы өтетін негізгі тасымалдағыштар ағымымен және ... ... ... ... шала ... ... Өрістік транзистор униполерлы транзистор да, өйткені оның ... тек ... ... ... ғана ... ... ... транзисторда негізгі емес зарядтардың жиналып қалған үлкен көлемін сору сияқты үрдістер болмайды.
Құрастыру және технологиялық дайындау жолдары бойынша ... ... екі ... ... ... басқарушы р-п ауысуы бар өрістік транзистор және оқшауланған ... бар ... ... p-n ... бар ... ... сызықтық сұлбалар, сызықтық күшейткіштер, аналогты кілттер және т.б жасауда қолданылады. Бекітпесі оқшауланған МОП- транзисторлар ... ... ... ... (біріккен тип) және индуцияланған арналы (қанықан тип). Соңғысы цифрлық интегралдық сұлбаларда кеңінен қолданылады.
Артықшылығы: Статикада қолданылатын (p) қуатының ... Rкір= ... Ом ... ... жоғарылығына байланысты кіріс Uбекітпе бастау кернеуі мен алынатын (p) қуаттың ... ... және ... ... ... тең: Uкір= Uшығ. Жоғары температура кезінде бекітпе тоғының аздығы. Логикалық сұлбалары каскады арасында тікелей байланыс орнатуға мүмкіндік береді. Интегралды ... ... ... ... n МОП ... шартты графикалық белгіленулері көрсетілген.
Басқарушы p-n ауысуы және n-арнасы бар ... ... ... бар ... ... бар ... транзисторлардың кіріс Rкір кедергісі басқарушы Uбекітпе бастау кернеуінің шамасы мен өрістілігіне тәуелсіз.
Басқарушы р-п ауысуы бар ... ... - ... ... ... р-п ... мен ... жекеленген, кері бағытта ауытқыған өрістік транзистор.
Арнаға заряд тасымалдағыштарын ... ... - ... ... ... тасымалдарын шығаратын электрод құйма д.а; арнаның көлденең қимасын реттеуге арналған ... - ... деп ... ... ( n ... үшін) теріс, ал құймаға оң кернеу берген кезде арнада бастаудан кұймаға қарай бет алған электрондарын, яғни негізгі ... ... ... қозғалысы нәтижесінде қалыптасқан электр тоғы пайда болды. ... ... ... ... ... ... ... өрістік транзистордың тағы бір ерекшелігі болып табылады. Бекітпе және арка арасында пайда болған ... өріс ... ... тасымалдағыштарының тығыздығыны, яғни ағып өтетін тоқ шамасын ... ... кері ... р-п ... арқылы орындалатындықтан басқарушы электрод пен арна арасындағы ... ... ... да, ал ... ... ... көзінен тұтынатын қуат өте аз болады. Сондықтан өрістік транзистор электромагниттік ... қуат ... тоқ ... ... ... ... ... алады.
Үлкен көлемді арнасы бар. Өрістік транзисторда арнаның көлденең кесіндісі кері қосылған р-п ауысуының біріктен қабаттарының ауданының өзгеру ... ... ... төмендегі суретте басқарушы р-п ауысуы ортақ басталулы сұлба бойынша қосылған өрістік транзистордың құрылымы ... р-п ... ... Uбб кері кернеуі беріледі. Uбб кернеуін төмендеткенде біріккен қабат (көлемдік зарядаймағы) ... ... ал ... тоқ ... ... ... Бұл жағдайда арна, кедергісі жоғарылап, транзистордың Іқ шығыс тоғы азаяды. Uбб тоғы р-п ... кері ... ... ... тоғы айтарлықтай аз және басқарушы кернеден тәуелді емес. Өрістік транзистор үшін кіріс сипаттамасы (Ібекітпе тоғының ... ... ... мәні кезіндегі U бекітпе - бастау кернеуінен тәуелділігі) қолданылмайды, және ... ... тек ... сипаттамалары мен вольт-амперлік шығыс сипаттамалары қолданылады.
Оқшауланған бекітпесі бар ... ... - ... ... тұрғыда арнадан диэлектрик қабаты арқылы бөлінген. Оқшауланған бекітпесі бар өрістік транзисторлар айтарлықтай жоғары меншікті кедергісі бар шалаөткізгіш ... ... ... қарама-қарсы бағытта электр тоғын өткізетін екі аймақ қалыптасқан. Бұл аймаққа металлдық электродтар еңгізілген - бастау және құйма. Бастау мен ... ... ... үсті жұқа ... ... ... оксид кремний қабатымен) жабылған. Диэлектрик қабатына металлдық электрод еңгізілген - бекітпе. ... ... ... және ... ... ... ... болады. Сондықтан оқшауланған бекітпесі бар МДП- трпнзисторлар ... МОП ... ... ... (полупроводник)) д.а.
Индуцирленген арнасы бар МДП транзистрлардың қатты біріккен бастау мен құйма арасындағы өткізгіш арна, яғни тоқ ... 1 ... ... ... ... ... бекітпедегі кернеудің нақты мәнінде (p-арнада теріс, n арнада оң болатын) пайда болады. Бұл кернеу (Uбекітпе ... таб) ... ... деп аталады. Индуцирленген арнадағы өткізгіш қабілетінің пайда болуы және өсуі негізгі заряд тасымалдағыштарының ... ... ... бар МДП ... өткізгіш арна бекітпедегі кернеу 0-ге тең кезінде технологиялық жолмен қалыптасады. Құймадағы тоқты бекітпедегі ... ... және ... мен ... кернеулерінің өрісін өзгерте отырып басқаруға болады. p арналы транзисторларының бекітпе - ... оң ... ... ... n ... ... кернеу кезінде құйма тізбегіндегі тоқ жойылады. Бұл кернеу қиылу(жабу) кернеу депт аталады. Орнатылған арнасы бар МДП ... ... ... де, ... режимде де жұмыс істей алады.
1.3 Биполярлы транзисторлар
Биполярлы транзисторлар өткізгіштігі әр ... үш ... ... қабаттардан тұрады. Транзисторлар қабаттардың орналасу ретіне байланысты p-n-p және n-p-n ... ... ... Күштік транзисторлардың арасында кең қолданысқа ие болғаны n-p-n типті транзистор.
Күштік транзисторлардың қауіпсіз жұмыспен қамтамасыз ету.
Күштік транзисторлардың сенімді жұмысының ... ... ... ... ... ... вольтамперлік сипаттаманың статикалық және динамикалық түрде ОБР-мен сәйкес келуі.
Күштік транзистордың ОБР-мен анықталатын шектеулер:
Коллектор тогының макмимал мәні(сток),
Транзистормен азайтылатын қуаттың мүмкін ... ... ... ... ... мәні ... транзисторлардың импульсті режимінде ОБР шекаралары кеңейеді. Бұл жылулық процесстердің инерциялығымен сипатталады, транзистордың жартылай өткізгішті құрылымы тез қызиды.
Транзистордың динамикалық ВАС ... ... ... ... ... ... - ... жүктеменің сөндірілуі кілттік элементтегі ток күшінің көбеюіне алып келеді. Бұл ток күшінің көбеюі токтың нольге ... ... ... ... ... ... ... болатын өздік индукцияның ЭДС анықталады Um=Ldi/dt.
Aктивті - ... ... ... ток күші ... ... мен шек салуларында ауыстырудың қажетті траекториясын құруға мүмкіндік беретін түрлі ауыстырудың ... құру ... ... ... ... ... ... немесе RS-тізбегін шунттайтын, МОП транзисторының бастауы мен ағынына параллель қосылатын диод болуы ... - ... ... ... ... p-n ... процесстер арқылы электр зарядына айналдыратын оптикалық сәулелену құрылғысы.
Жұмысы фотовольттік эффектке негізделген фотодиод күндік элемент деп аталады. p-n фотодоидтарынан ... p-і-n ... да бар, p және n ... ... ... жартылай өткізгіш і қабаты орналасқан. p-n және p-і-n ... ... тек ... зарядына айналдырады, бірақ оны күшейтпейді, ал көшкіндік фотодиод пен фототранзисторларының жұмыс істеу принципі:
Базада кванттық сәулеленудің әсерінен еркін тасымалдағыштардың генерациясы орын ... Олар p-n ... ... ... Базаның ені кемтіктер p-өткеліне өтіп үлгермейтіндей етіп жасалынады. Фотодиод тогы негізгі емес тасымалдаушылар тогымен - ... ... ... Фотодиодтың тез әрекет етуі p-n өткелінің тасымалдаушыларының бөліну жылдамдығымен және p-n өткелдің сыйымдылығымен С p-n анықталады.
Фотодидо екі ... ... ... ... - ... ... - ... кері кернеулі
Ерекшеліктері:
Құрастыру технологиясы мен құрылымы қарапайым;
Жоғары фотосезімталдығы мен тез әрекеттігінің сәйкестендірілуі;
Базаның аз ... ... ... ... ... кең ... Олар ... ғылыми, өндірістік және үй-тұрмысындағы аппаратуралардың электрлік тізбектерінде электрондық шамдарды алмастырады. Осындай құралдарды пайдаланатын, портативті радиоқабылдағыштарды күнделікті өмірде транзисторлар деп ... ... ... ... ... ... артықшылықтары, ең алдымен көп энергия қабылдайтын және оның қызуы үшін уақыттың қажет ... ... ... катодтың болмауы. Мұнан басқа бұл құралдар өлшемдері және ... ... ... ... қарағанда ондаған және жүздеген есе кіші. Олар төменірек температурада жұмыс істейді.
Транзистордың кемшілігі, жартылай өткізгіштік ... ... ... Олар ... ... ... ... жүкке және күшті көктеп өтуші сәулеленуге өте ... n-p-n - ... ... ... ... ... бойынша түсіндірейік. 29 - суретте күшейту тізбегіне жалғасқан осындай ... ... ... - база ... тура ... ... ... - сур.
кернеу Uэ ... ал база - ... ... кері ... ... ... ... Uк беріледі. Айнымалы күшейтілетін кернеу Uкір аз шамадағы кіріс кедергісіне Rкір ... Осы ... ... ығыстырушы кернеулердің таңбасында, эмиттер - база ауысуының кедергісі улкен емес, ал керісінше, база - коллектор ... ... өте ... Бұл Rшығ ... өте ... етіп алуға мүмкіндік береді.
30 - суретте, ығыстырушы кернеулер және кіріс сигналы жоқ жағдайдағы, ... ... ... және ... ... ... потенциалдық энергияларының жолы көрсетілген. Тура кернеуді Uэ қосу, бірінші ауысудағы потенциалдық бөгетті төмендетеді, ал кері кернеуді қосу ... ... ... ... ... ... өсіреді (30-сур.,б). Эмиттер тізбегіндегі токтың жүруі электрондардың база ... қоса ... ... еніп ... электрондар коллектор бағытына қарай еріксіз диффузияланады. Егер базаның қалыңдығы үлкен болмаса, барлық
30 - ... ... ... ... ... ... база - ... шекарасында тұрған потенциалдық төбешіктен түседі де, коллектор тізбегіне келеді.
Эмиттер тізбегіндегі кіріс кернеуге ... Іэ ... ... ... енетін электрондар санының өзгеруіне алып келеді, демек, коллектор тізбегіндегі Ік ... дәл ... ... ұшыратады. Айталық,
Ік ≈ Іэ болсын. Бұл токтарды сәйкес кернеулер және кедергілер арқылы өрнектеп, мына ... ... Uкір / Rкір ≈ Uшығ / Rшығ. ... >> Rкір ... Uшығ кернеуді кіріс кернеуден Uкір едәуір артық болады. Сонымен, транзистор кернеу мен қуатты ... ... ... ... ... ... ... жалғасқан ток көзінің есебінен болады.
2-ТАРАУ. ТРАНЗИСТОРЛАРДЫ ІСКЕ ҚОСУ СҰЛБАЛАРЫ
2.1 Транзисторларды іске қосу
Транзистор шықпаларының қайсысы кірістегі сигнал көзі мен ... ... ... ... ... болып табылатынына байланысты, транзисторды электр тізбегіне қосудың үш негізгі сұлбасы бар: ортақ базалы (ОБ, сурет 5.5,а), ортақ эмиттерлі (ОЭ, сурет 5.5,б), ... ... (ОК, ... ... Ортақ базалы сұлба бойынша транзистордың негізгі параметрлері (сурет 5.5,а):
а) ток бойынша күшейту еселігі
Ток күшейтілмейді, Iшығ < I кір, бұл ... ... ... ... ... бойынша күшейту еселігі
Әр уақытта болатындай етіп таңдап алуға болатындықтан, >>1, кернеу бойынша күшейту ... ... ... мүмкін;
в) қуат бойынша күшейту еселігі - ондаған - ... ... ... ... және ... ом, ... кедергінің аздығы сұлбаның кемшілігі болып табылады, өйткені ол сигнал көзін ... яғни ... ... ток ... ... ... ... жүздеген килоомнан бірнеше мегаомға дейін;
е) шығыс кернеудің фазалық ығысуы нөлге тең.
5.7.2 Ортақ базалы транзистордың ... ... ... ... ... кіріс және шығыс сипаттамалары болып табылады. ВАС тогы ... ... ... және ол ... ... мен ... ... көрсетеді. Сипаттамалар әдетте бірнеше тұрақты IЭ және UКБ мәндерінде алынады. Бұл кезде статикалық сипаттамалар тобы пайда болады:
а) ортақ ... ... үшін ... ... ...... кіріс UЭБ кернеуінен тұрақты шығыс кернеу UКБ кезіндегі ... ... ... IЭ = ... UКБ=const болғанда (5.6 -сурет). Бұл сипаттама Uкб=0болғандағы тура бағытта ығысқан шала өткізгіш диодтың вольт-амперлік сипаттамасына ұқсас. Оң таңбалы коллектор ... Uкб>0 ... ... ... ... ... Бұл жағдай транзисторда бірқатар себептердің әсерінен пайда болатын ішкі кері байланыстың бар екендігін көрсетеді. Мысалы, коллекторлық кернеудің көбеюі база енінің ... ... ... ... ... тасушылардың градиенті көбейіп, эмиттер тогы өседі және кіріс сипаттамалардың солға қарай ... ... ...... кезде сипаттама түзуге қарай жақындайды;
б) ОБ сұлба ... ... ... ... ...... ... шығыс Uкб кернеуінен кіріс Iэ тогы тұрақты ... ... ... ... табылады: Iк =f(U кб)|Iэ =const (5.7-сурет).
Iэ =0 болғанда, сипаттама диодтың кері тармағымен сәйкес келеді, коллекторлық ... ... тогы Iк0 ... ... ... Uкб=0 және Iэ > 0 болған кезде коллектор тогы Iк != 0, ... ... ... ... ... негізгі тасушылары коллекторлық p-n-өткел арқылы коллектор облысына ығады. Коллектор тогы Iк (қосалқы тасушылар тогы), электрондардың базадан коллекторға қарай ығу ... ... ... ... ... ... ағынымен (қос инжекция режимі) толықтырылған кездегі, кері полюсті кернеудің белгілі бір мәнінде (коллекторлық ... тура ... ғана ... ... сипаттамалардың өте аз көлбеулігі коллекторлық өткелдің жабық күйде омдық кедергісінің жоғары екендігін көрсетеді, оның шамасы ондаған және жүздеген ... ... тура ... ... ... шығыс Iк тогының эмиттердің кіріс IЭ тогына шығыс кернеуі ... ... ... тәуелділігі болып табылады: Uкб IК = f(Iэ)|Uкб (5.8-сурет).
α < 1 ... онда ... ... өсіне көлбеулік бұрышы -тен кіші болады. Uкб > 0 болғанда сипаттама ... ... ... өйткені база модуляциясының нәтижесінде эмиттер тогы Iэтұрақты болғанда база енінің азаюына байланысты коллектор тогы Iк ... ... ... ... ... ток ... күшейту жоқ (α < 1);
б) кіріс кедергісі Rкір аз;
в) кіріс және шығыс кедергілердің арасында үлкен айырмашылық бар, соның әсерінен ОБ-мен ... ... құру ... ... ... және қуат бойынша күшейту еселіктері жоғары;
б) жұмыстық жиіліктері жоғары, жиіліктік бұрмаланулар аз;
в) температуралық тұрақсыздығы аз;
г) сипаттамалардың ... ... ... ток ... және ... жиілігі аса жоғары сұлбаларда қолданылады.
5.7.3 Ортақ эмиттерлі сұлба бойынша транзистордың негізгі параметрлері
Іс жүзінде транзисторды ортақ эмиттермен жалғау сұлбасы жиі ... ... ... кезінде база кіріс электрод болып табылады, эмиттер жерге жалғанады (ортақ электрод), ал коллектор шығыс электрод ... ... ... ... ... ... ток бойынша күшейту еселігі |Uкэ=const ондаған және жүздеген ... ... ... тогының беріліс еселігімен келесі қатынас арқылы байланысады
; ;
б) кернеу бойынша күшейту еселігі, ... ... β>>1, онда Ku>>1 ... қуат ... ... ... - ... мыңдықтар;
г) кіріс кедергісі - жүздеген Ом және ... кОм. ... ... ... ... кедергісі ортақ базалы сұлбаның кіріс кедергісінен үлкен;
д) шығыс кедергісі ... ... R шығ оэ < R шығ об, R кір оэ > Rкір ... ... ... ... ығысуы φ =PI.
5.7.4 Ортақ эмиттерлі транзистордың статикалық сипаттамалары
ОЭ транзистордың кіріс және шығыс ... ОБ ... ... ... ОЭ ... ... ... транзистордың кіріс сипаттамасы, берілген Uкэ кернеуінде кіріс Iб тогының Uбэкернеуінен тәуелділігі болып табылады: Iб =f(Uбэ). Мұндай тәуелділіктердің ... ... ... сипаттамаларының тобы деп аталады (5.9,а-сурет). Uкэ =0 болған кезде коллектор тізбегінде жылулық ток Iк0 ... және IБ ... ... тура ... ... р-n - өткелдің ВАС-на сәйкес. Uкэ>0 болғанда коллектор тізбегінде Iб тогына қарсы бағытталған -Iк0 тогы пайда болады.
База тогындағы бұл ... ... ... үшін ... Uбэ ... ... Iб= Iк0 токты алу қажет. Бұл кіріс сипаттаманың оңға және төмен ығысуына әкеледі.
Ортақ эмиттерлі сұлба бойынша транзистордың шығыс сипаттамасы дегеніміз ...... Iк = f(Uкэ) ... (5.9,б- ... Егер Iб=0 ... онда ... ... тек жылулық ток қана ағады, өйткені бұл жағдайда кемтіктердің эмиттерден базаға енуі ... ... ... ... ... базаға енуі (n-p-n - транзистор үшін) болмайды. Uкэ =0 болғанда коллектор тізбегінен ток өтпейді, бұл Uбэ және Uкэ ... ... ... ... ... яғни коллектор потенциалы база потенциалынан жоғары және коллекторлық өткел бұл кезде жабық болады. Сондықтан шығыс сипаттамалар ординаталар өсін қиып ... ... p-n ... кері тармағына сәйкес келеді;
б) ОЭ шығыс сипаттамалары ОБ-ның сәйкес сипаттамаларының Uк = 0, Iк = 0 жағдайдағы бастапқы ... ... ... ... ... ... ... нөлге тең;
в) Iб = 0 болғандағы қисық, ажыратылған базалы режимге сәйкес келеді. ... ... ... Iк0б - ... (сквозной) тогы ағады. Iк0б > Iк0, өйткені тек I к0 тогы ғана ... ... ... Iэр тогы да ... ... ... үшін коллектор тогын анықтайық. ОБ сұлбасы үшін
Iк=aIэ+Iко=aIб+aIк+Iко;
Iк(1-a)=aIб+Iко, бұдан
Iк = ;
болса, коллектор тогы Iк температура ... ... көп ... . ... ... ОБ ... ... нашар;
г) сипаттамалардың көлбеулігі ОБ сұлбасымен салыстырғанда үлкенірек, өйткені еселігі кернеуіне аса тәуелді. база тогы тұрақты болып, сипаттамалар ... Uкэ-і ... Uэб ... ... ... ... Iэ және ... Iк токтары өседі
Ток бойынша тура беріліс сипаттамалары 5.10-суретте келтірілген:
а) қисықтардың көлбеулік бұрышы ОБ-мен салыстырғанда үлкен (Iб масштабы Iэ ...... ... ... база тогы ... ... ... заңдылықтан ауытқуы, инжекция деңгейінің өсуіне қарай базадағы қосалқы тасушылардың өмір сүру уақытының азаюымен түсіндіріледі;
в) ... ... ... база енін модуляциялаудың және соған сәйкес азайған кезде коллектор тогының өсуінің салдары болып табылады.
ОЭ ... ... ... ... және ... күшейтеді;
б) шығыс және кіріс кедергілерінің арасындағы айырмашылық аз, сонымен қатар .
Кемшіліктері:
а) температураға тәуелділігі жоғары;
б) ... ... ... ... ... істейтін жиілігі төмен.
ОЭ сұлбасы күшейткіштерде, генераторларда және басқа да құрылғыларда қолданылады.
Ортақ коллекторлы сұлба бойынша транзистордың негізгі параметрлері
Сұлба 5.11-суретте ... ... Iкір >> IБ; Iшығ = ... ток бойынша күшейту еселігі, бірнеше ондыққа және жүздікке тең;
б) кернеу бойынша күшейту еселігі
, өйткені >>0, онда КU >> 1, яғни ... ... ... болмайды;
в) қуат бойынша күшейту еселігі, - ондаған мыңдықтар;
г) кіріс кедергісі - жүздеген ... ... ... ... ... шығыс кернеуінің фазалық ығысуы нөлге тең.
Сұлбаның артықшылықтары:
а) динамикалық диапазоны ... ... ... ... ... ток ... күшейту еселігі жоғары.
Кемшілігі - кернеу бойынша күшейтуі жоқ Кu >> 1.
Шығыс кедергілері үлкен сұлбаларды ... ... ... ... келістіруші саты ретінде пайдаланылады.
5.12-суретте ортақ базалы транзистордың Т-тәріздес балама сұлбасы келтірілген, мұндағы: − ... ... ... ... кедергісі (100...400) Ом;
aIЭ - трснзистордың активті қасиеттерін бейнелейтін ток генераторы - эмиттер тогын Iэ ... ... беру ... ... ... еселігі;
rэ− эмиттерлік өткелдің дифференциалдық кедергісі; (ондаған килоом),
әдетте Iэ>>Iэо, онда rэ= . ... ... ... rэ=26 Ом; rк - коллекторлық өткелдің дифференциалдық кедергісі, rк = жүздеген кОм; Ск - ... ... ... сыйымдылығы;
Сэ - эмиттерлік өткелдің диффузиялық ... ... ... ... ... ... сұлба келтірілген, мұндағы b ток генераторы Iб база тогының ... ... ... ... ... ... екі өткелге де бөлінгендіктен,
Скэ ¹ Ск; rкэ¹ rк;
5.8.2 Транзисторды балама төрт полюстікпен алмастыру сұлбасы
Биполюсті транзисторларға арналған анықтамалықтарда, ... аз ... деп ... ... ... Бұл ... қолдануға өте ыңғайлы, өйткені кез келген қосылу сұлбасында транзистор активті төрт полюстік ... ... ... ... оның ... U1 кернеуі және I1 тогы ағады, ал шығысында - U2 кернеуі және I2 тогы ... ... ... мынандай түрде жазылады
;
.
Теңдеулерге еселіктер ретінде кіретін, берілген h-параметрлер, мынадай физикалық мағына береді
- ... ... ... ... кіріс кедергі (айнымалы ток бойынша);
h12 = =0 - ... бос ... ... ... ... кері ... ... (айнымалы ток бойынша), шамамен 10-5 төңірегінде, көптеген жағдайларда есептеулерде аздығына байланысты ескерілмейді;
h21 = =0 - ... ... ... ... ток беру ... = =0 - ... бос ... кезіндегі транзистордың шығыс өткізгіштігі.
Транзисторлар үшін әдетте a, b еселіктерін емес, олардың ... ... жуық ... ... ОБ және ОЭ ... үшін тиісінше h21б және h21э параметрлерін береді.
ОЭ сұлба үшін h-параметрлердің физикалық ... ... мына ... ... = r'Б + rЭ∙(1+b);
h12 = rЭ∙(1+b)/rК;
h21 =b;
h22 = .
ҚОРЫТЫНДЫ
Қазіргі кезде транзисторлар өмірімізде түпкілікті орын ... ... және ... ... құрамында бола отырып, олар электр құралдарының негізі саналады. ... ... ... ... ... кілттері, т.б. Жалпы, бұл жұмыс барысында транзисторлар мен және олардың түрлерімен ... ... ... ... ... мен ... аясы ... қамтылды.
Жұмысты қорытындылай келетін болсақ транзисторлардың қазіргі таңда техникада ... орны ... ... ... ... ... ... және түзеткіш элементтер соңғы жылдары көптеп пайда болуда. Сонымен өзінің жасалу жолына қарай транзисторлар оның ішінде биполяр транзисторлар орналасқан ... ... ... және ... үшін ... ... ғылым мен техниканың дамуына байланысты бұл жұмыста қарастырылған транзисторлардың қатысуымен жасалған приборлардың көптеген тиімді түрлері күннен-күнге пайда болуда.
Соңғы ... ... ... ... жатқан прогрестің нәтижесінде адам өмірінде қолданылатын аспаптардың жеңіл басқарылуын ... ... ... қамтамасыз етіп отырған жартылай өткізгіштердің түрлері өте көп деп айтуға болады.
ПАЙДАЛАНҒАН ӘДЕБИЕТТЕР ТІЗІМІ
* А. К. ... В. В. ... ... ... ... -- 2-е изд. -- М.: "Высшая школа", 1985. -- 287 ... Н. И ... ... ... ... Справ. пособие. -- Мн.: "Высшая школа", 1989. -- 302 с.
* Жданов Л.С., Маранджян В.А. Курс ... для ... ... Ч. 2. ... ... Атомная физика. - Наука.
* Блудов М.И. Физика жайлы ... 2 ... - 9. ... И.М. ... и ... в полупроводниках. - Наука, 1972.
* Тамм И.Е. Основы теории электричества. - М.:
* Зеегер К. ... ... - М.: ... ... А.И. ... в теорию полупроводников.
* Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов. - 1978.
* Смит Р. ... - М.: Мир, 1982. ... ... токты бөлу және база тогының басқару тиімділігі
Жалпы ... ... ... (4.2.1 ... ток ... база ... коллекторға база үшін негізгі емес заряд тасушылар - тесіктермен барады. UЭБ кернеуінің оң бағытында ... p-n ... ... да, тесіктер элиттерден база саласына енеді. Олардың бір бөлігі UЭБ кернеу көзіне кетіп, ... ... ... ... ... коллекторға транзиттік ток туады. Ол UЭБ мен база тогының ұлғаюымен күрт ... ... ... ... (4.2.1б сурет ) база арқылы транзитті ток ол үшін ... емес ... ... - ... ... Элиттерлік p-n ауысуына ұйығы 4.2.1б суретте көрсетілген UБЭ кернеуі қосылса, онда олар элиттерден пайда болады.
UКБ

UБЭ


К
Б
Э
n
p
n
б)
а)

Э
Б
К

n
p
p
UЭБ
UБК

UКБ

UБЭ


К
Б
Э
n
p
n
б)
а)

Э
Б
К

n
p
p
UЭБ
UБК

4.2.1 сурет
Элиттердің, коллектор мен ... ... ... ... ... ... ... байланысты:
IК = IЭ - IБ.
Әдетте база тогы IК мен IЭ -ден ... кем, ... IК -да IЭ - де оған ... ... ... ... жетілуінің база тогының жетілуіне ара қатынасы ток бойынша ... ... деп ... = DIК ¤ ... мәні бірнеше ондықтан бірнеше жүздікке дейін болуы мүмкін. Сондықтан базаның салыстырмалы аз ... ... ... (және эмиттердің) үлкен тогынреттеуге болады.
Эксперименталдық бөлім
Тапсырма
Осциллографтың көмегімен n-p-n тразистор үшін база тогының IК(UЭK) вольтамперлік сипаттамасына әсерін зерттеу.для транзистора с ... ... ... Сұлбаға сәйкес тізбе түзіңіз (4.2.2.сурет).бұл тізбеде синусоидалы кернеу кеөзі ретінде үш фазалық генератордың желілік кернеуі ... ал диод ... кері ... болдырмас үшін қосылады. А1 және V0 аспаптары - виртуалды осцилогровқа IК ток пен UKЭ кернеуін алып ... ... ... ... ... тогы ... ол мультиметр, сол сияқты виртуалды аспап сияқты болады.
к
э
А
22 кОм
0...15В
+
-
V0
А1

А
В
100 Ом
UКЭ
~
U
12 В, 50Гц

к
э
А
22 кОм
0...15В
+
-
V0
А1

А
В
100 Ом
UКЭ
~
U
12 В, 50Гц

4.2.2.сурет
* А1, V0 ... ... мен ... ... іске ... ... XY ... қойыңыз. Y кірісі ретінде коллектор тогын, яғни А1 -ді ... ... бұл 3 ... ... Х ... ... UKЭ, яғни V0 (по умолчанию - бойынша 1 арна) таңдаңыз.
* Тұрақты реттегіш нольге қойыңыз да, осциллографтың 1 ... мен ... ... ... ... Одан сон тұрақты кернеу реттегішін максимумға қойыңыз да, осциллографтың 3 батырмасымен ток масштабың тіркеңіз. Енді база тогын реттегенде осциллограф осі ... ... ... ... ... База тогын нольден максималды мәнге дейің және кері реттеп, осциллографта ... ... ... ... База ... ... мәнінде (нольдік пен максималдықты қоса алғанда) осциллографтан 4.2.2. суретке IК(UKЭ) қисығын қайта салыңыз. Әр қисық үшін база тогы мен ... ... ... көрсетуді ұмытпаңыз. IК(UKЭ) қисықтар үйірінде әлдебір тұрақты UKЭ кернеуін таңдаңыз.(мысал, 5 В), 4.2.3. ... осы UKЭ ... мәні үшін IК(IБ) ... салыңыз. Есептер, осы суретте b(IБ)= DIК ¤ D ... ... ... бойынша шкалалар түсіріңіз.
UКЭ (....В/дел)
IК(.... мА/дел)
UКЭ (....В/дел)
IК(.... мА/дел)
4.2.2.сурет




4.2.3.сурет
Кернеу реттегіш (желілік)
жалпы мәліметтер
Коллектор тогы база мен эмиттер арасындағы потенциалдық ... ... ... ... ... ... ... бола алады. Реттегіштің берілген параметрдің (уставканың) тұрақты шамасы мен реттелетін параметрдің ағымдағы шамасының арасындағы айырмашылық ретінде басқарушы сигнал жасақтайтыны белгілі. ... ... ... ... ... ... параметрдің уставка шамасынын ауытқуы жойылады.
Уставка ретінде әдетте компаратор режимінде стабилитронның немесе операциялық ... ... ... ... ... тұрақтандыру үшін интегралды сұлбалар кеңінен қолданылуда.
Экспериментды бөлім
тапсырма
кіріс ... ... ... ... ... шығыс кернеуін зерделеу.
Экспериментті орындау тәртібі.
* Сұлбаға (4.6.1.сурет) сәйкес ... ... ... де, UВХ = 30 В ... ток ... ... ... көмегімен UВЫХ = 14 В шығыс кернеуін анықтаңыз.
Ескерту: R1 резисторы қорғаныш ... ... да, ... ... ... ... жүк жағдайында шалаөткізгішті элементтердің бұзылуын болдырмайды.
* 4.6.1 кестеде ... ... ... ... ... сонымен бір мезгілде шығыс кернеудің мәндерін жазып алыңыз.
4.6.1кесте
UВХ, В
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
25
30
UВЫХ, В
U=0...15В
U=15В
U
ВХ
0...25 В
V0
R
100 Ом
V
3
R
1 кОм
R
4,7 кОм
V1
U
ВЫХ
R
470 Ом
R
10 ... ... ... ... ... Ом
R
10 кОм
П
VN
1
V2
4.6.1сурет
* кескіндемеде (4.6.2сурет) UВЫХ = f(UВХ) ... ... ... ... ... ... ... салыңыз.
4.6.2сурет
1сұрақ: Тізбектің қай элементін (4.6.1сурет) максималды шығыс кернеуін беру үшін пайдалануға болады?
Жауап: ..............................
2 ... ... ... ... қандай компаненттердентұрады?
Жауап: ...............................
4.7. Ток реттегіш
4.7. Жалпы мәліметтер
Ток реттегіш сол сияқты берілетін параметрдің (уставканың) тұрақты ... мен ... ... ... ... арасындағышамасының арасындағы айырмашылық ретінде басқарушы сигналды жасақтайды. Оның ... ... ... реттелетін параметрдің уставка шамасынан ауытқуы жойылады.
Токты электронды реттегіштерде уставка ретінде стабилитронның тұрақты кернеуі пайданылады, ол ... ... ... ... ... ... салыстырылады. Төменде қарастырылып отырған тізбекте салыстырма тікелей реттелетін транзистордың базасы мен ... ... орын ... Ток ... қолданылатын орындардың бірі - аккумулятордың зарядты қондырғыларында.
4.7.2. Эксперименталдық бөлім
Тапсырма
Кіріс ... мен ... ... ... ток ... ... ... мен тогын зерделеу.
Экспериментті орындау тәртібі
* Сұлбаға (сурет 4.7.1) сәйкес ток тұрақтандырғышы тізбегін түзеңіз. Бұл сұлбада ток уставкасы 1 кОм ... ... ал 220 Ом ... максималды токты шектеу үшін пайдаланылады. 0,01 мкФ конденсаторы резисторлық эмитерлік қайталағыштық өздігінен қосуын басу үшін ... ... ... ... ... ... ... (R=0).
U=0...15 В
V
U=15 В
1 кОм
R
Н
220 Ом
А
1 кОм
0.01 мкФ
UВХ

U=0...15 В
V
U=15 В
1 кОм
R
Н
220 ... ... ... ... ... ... ... кірісінде 30 В максималды кернеуді, ал потенциометрмен токтың уставкасын (шамамен 10-нан 40 мА - ға ... ... Одан соң 4.7.1. ... ... ... RН жүктеме кедергісін өткізіп, IН жүктемесінің ток мәнін жазыңыз.
* Енді жүк ... ... ... ... да, ... ... ... 30 В -тан 0 - ге дейін азайтыңыз. 4.7.2 кестесінде жүктеме ... ... ... қайтадан жазыңыз.
4.7.1.кесте
RН, Ом
0
47
100
220
330
470
680
1000
IН, мА
4.7.2.кесте
UВХ, В
2
4
6
8
10
12
15
20
25
30
IН, мА
* 4.7.2. суретте IН = f(RН).жүктеме кедергісін, 4.7.2. суретте реттегіштіңкірісіндегі ... ... ... ... ... ... ... бойынша шкалалар белгілеуді ұмытпаңыз!
4.7.2сурет
4.7.3сурет
Сұрақ: терминін қалай түсіндіруге болады?
Жауап: ..............................

Пән: Автоматтандыру, Техника
Жұмыс түрі: Материал
Көлемі: 39 бет
Бұл жұмыстың бағасы: 300 теңге









Ұқсас жұмыстар
Тақырыб Бет саны
Монтажды автоматтандыру сұлбалары8 бет
Excel программасын іске қосу және одан шығу10 бет
IP желілерде нақты уақыт режимінде ICQ хабарлар алмасу жүйесінде ақпараттық сервистерін іске асыру38 бет
Iскерлiк туризм29 бет
Iскерлiк туризмнiң қалыптасуы61 бет
Paint графикалық редакторын іске қосу25 бет
R, L тізбегін тұрақты кернеуге қосу4 бет
Іске қатысушылардың сотқа келуін қамтамасыз ету16 бет
Іскери журналистика71 бет
Іскерлік белсенділікті салықтық ретеу114 бет


Исходниктер
Пәндер
Көмек / Помощь
Арайлым
Біз міндетті түрде жауап береміз!
Мы обязательно ответим!
Жіберу / Отправить


Зарабатывайте вместе с нами

Рахмет!
Хабарлама жіберілді. / Сообщение отправлено.

Сіз үшін аптасына 5 күн жұмыс істейміз.
Жұмыс уақыты 09:00 - 18:00

Мы работаем для Вас 5 дней в неделю.
Время работы 09:00 - 18:00

Email: info@stud.kz

Phone: 777 614 50 20
Жабу / Закрыть

Көмек / Помощь