Кремний фотодиодтың спектралдық ауданын кеңіту

КІРІСПЕ 6
1 КРЕМНИЙ ФОТОДИОДТАРЫНЫҢ АНЫҚТАМАСЫ МЕН ҚҰРЫЛЫМЫ 7
1.1 Кремний фотодиодының қасиеттері 7
1.2 Фотодиодтардың түрлері 11
1.3 Астрофотометриядағы сәуле қабылдайтын құралдар 11
1.4 Көп элементті матрицалық жарықсезгіш приборлар 18
1.5 Жартылайөткізгіштердің фотоөткізгіштігі 21
1.6 Фотоөткізгіштіктің элементар теориясы 23
1.7 Гетероауысулар 26
2 ФОТОДИОДТАР ЖӘНЕ ОЛАРДЫҢ ЖҰМЫС ІСТЕУ ПРИНЦИПІ 27
2.1 Фотодиодтардың жұмыс істеу барысында өтетін құбылыстар 27
2.2 Фотодиодтардың негізгі параметрлері мен сипаттамалары 33
2.2.1 Фотодиодтардың жиіліктік сипаттамалары 33
2.3 Шуылдар мен фотодиодтардың тапқыштық қабілеті 33
2.4 Жоғары жиілікті фотодиодтар 35
2.5 Фототокты іштей күшейтетін фотоқабылдағыштар 38
2.6 Фотоэффект құбылысы және оның физикалық негізі 40
2.7 Фототранзисторлар 41
2.8 Хаббл телескопының ғарыштық жобасы 43
3 ФОТОДИОД ҚҰРЫЛЫМЫНДАҒЫ КРЕМНИЙДІҢ ЕРЕКШЕ ҚАСИЕТТЕРІ 46
3.1 Нанокристалды кремний 46
3.2 Нанокристалды кремнийдің қасиеттері 48
3.3 Нанокристалды кремниді алу әдісі 52
ҚОРЫТЫНДЫ 56
ҚОЛДАНЫЛҒАН ӘДЕБИЕТТЕР 57
Фотодиодтар – түсетін жарық ағынының әсерінен кері ығысқан p-n өткел арқылы қосымша ток (фототок) тудыратын шапшаң қозғалатын заряд тасымалдаушылар қалыптасатын жартылайөткізгіштік диод.
Фотодиодтың құрылысы мен оны қосу сүлбесі 1, а және б суреттерде келтірілген. база ретінде қолданылатын n-германий дөңгелек пластинасы шынымен жабылған терезеге қарсы металл корпустың ішіне орналастырылған. Электронды-кемтікті өткел германиден жасалынған пластинаға индий тамшыларын тамызу арқылы жасалынған. Осылайша, фотодиодта жарық ағыны p-n өткелдің жазықтығына перпендикуляр бағытталған. жартылайөткізгіш кристалының орналасуының өзге же орналасуы мүмкін: мұнда жарық ағаны өткел жазықтығына параллель таралады.
Фотодиодтарда белсенді элемент ретінде түрлі электрлік өткелдер қолданылады: анық симметриялы p-n өткел, p-i-n өткел, эмиттердің қалыңдығы бойынша өзгеретін қоспалар концентрациясы бар электронды-кемтікті өткел, металл – жартылайөткізгіш өткелі (Шоттка тосқауылы бар диод), гетероөткел және т.б.
Фотодиодтың жұмыс істеу принципі сәулеленген өткелде өтетін физикалық процестерге негізделеді. Жарық ағыны болмаған кезде (Ф = 0) фотодиодта кері кернеудің әсерінен кері ток пайда болады, оның мәні жартылайөткізгіштердегі негізгі емес заряд тасымалдаушылардың концентрациясымен, өткел ауданымен, бекітуші қабат облысындағы физикалық процестермен және т.б. анықталады. Сыртқы сәулелену болмаған кезде фотодиод жартылайөткізгіштік диодтан еш ерекшеленбейтіндіктен, I = f (U) үшін орынды, ол үшін Ф = 0 шарты орындалуы тиіс. фотодиод үшін осы тәуелділікті темптік вольт-амперлік сипаттама деп атайды.
Фотодиодты жарықтандыру кезінде (Ф > 0) оның базасында жарық квантының әсерінен заряд қосақтарының пайда болу процесі болады. Заряд қосақтары базаның сыртқы бетінде қарқынды жүреді. Қайта қалыптасқан электрондар мен кемтіктер база қалыңдығы арқылы p-n өткелге диффузияланады.
Бұл жұмыстың мақсаты - кремнилық фотодиод спектралдық ауданын кеңіту болатынын көрсету.
1. А.В.Миронов. «Основы астрофотометрии». МГУ, 2003 г., 297 с
2. PIN фотодиод Vishay с повышенной чувствительностью в УФ-диапазоне. http://www.symmetron.ru/news/vishay-TEMD5080X01.shtml
3. Аморфные полупроводники и приборы на их основе. Под ред. Й.Хамакавы, М., “Металлургия”, 1986, 320 с.
4. А.Меден, М.Шо. Физика и применение аморфных полупроводников. М., Мир.1991, 512 с.
5. Аморфные кремний и родственные материалы. Под ред. Х.Фрицше, М., “Мир“,1991, 472 с.
6. Quchi H., Mukai T., Kaamei T., Okamura M. Foto diodes sensitive to ultraviolet radiation // IEEE.. 1979.. Vol. ED-26, N 12.. P. 1965 .1969.
7. Verdebout J., Booker R. L. Degradation of native oxide passivated silicon photodiodes by repeated oxide bias
8. // J. Appl. Phys.. 1984.. Vol. 55, N 2.. P. 406.412.
9. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. М., Энергоатомиздат.1989, 245 с.
10. М.Бродски “Аморфные полупроводники”, М., “Мир”, 1982, 315 с.
11. Итоги науки и техники. Серия Электроника, т.16, Москва, 1984. Раков А.В. “Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур”, М., “Советское радио”, 1975, 156 с.
12. Дж.Джоунопулос,Дж.Люковский. Физика гидрогенизированного кремния. Том.2 Электронные и колебательные свойства. М., Мир. 1988, 365с.
13. Дж.Джоунопулос., Дж.Люковский. Физика гидрогенизированного кремния. Том.1. Структура, приготовление и приборы. М., Мир. 1988, 286 с.
14. Method of making suspended microstructures. US Patent 5 627 112. Опубл. 6.05.1997 (Tennant, et al. Rockwell International Corporation).
15. IR sensor with enhanced electrical interference protection. US Patent 6, 765, 209. Опубл. July 20, 2004 (Kassovski , et al., Melexis NV).
16. Thermopile infrared sensor, thermopile infrared sensors array, and method of manufacturing the same. US Patent 6, 335, 478. Опубл. Jan 1, 2002 (Chou, et al.).
17. Integrated thermopile sensor for automotive, spectroscopic and imaging applications, and methods of fabricating same. US Patent 5, 689, 087. Опубл. Nov 18, 1997 (Jack, Santa Barbara Research Center).
18. Heat sink for silicon thermopile. US Patent 6, 987, 223. Опубл. Jan 17, 2006 (Schneider, Delphi Technologies, Inc.).
19. Tunable optical instruments. US Patent 7, 002, 697. Опубл. 21.02.2006 (Domash, et al. Aegis Semiconductor, Inc.).
20. Image enhancement in far infrared camera. US Patent 6, 759, 949. Опубл. July 6, 2004 (Miyahara, Visteon Global Technologies, Inc.).
21. Alternative pixel shapes for uncooled micro-bolometers. US Patent 6, 956, 213. Опубл. Oct. 18, 2005 (Antesberger, The United States of America as represented by the Secretary of the Army).
22. Multispectral multipolarization antenna-coupled infrared focal plane array. US Patent 7, 095, 027. Опубл. 22.08.2006 (Boreman, University of Central Florida Research Foundation, Inc., Raytheon Missile Systems).
23. Microbolometer focal plane array with temperature compensated bias. US Patent 7, 105, 818. Опубл. Sept. 12, 2006 (Anderson, et al., Infrared Solutions, Inc.).
24. Adaptively reducing offset in a thermal imaging camera. US Patent 7, 122, 788. Опубл. 17.10.2006 (Owen, et al. L-3 Communications Corporation).
25. Uniform, non-disruptive, and radiometrically accurate calibration of infrared focal plane arrays using global scene motion. US Patent 7, 132, 648. Опубл. 7.11.2006 (Ratiff, et al.,Science & Technology Corporation@UNM
        
        Қазақстан Республикасының Білім және ғылым министрлігі
әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті
Сапарбаев Н.А.
ДИПЛОМДЫҚ ЖҰМЫС
КРЕМНИЙ ФОТОДИОДТЫҢ ... ... ... ... ... ... Білім және ғылым министрлігі
әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті
Физика-техникалық факультеті
Қатты дене физикасы және бейсызық физика кафедрасы
«Қорғауға жіберілді»
________Кафедра меңгерушісі _____________ ... ... ... ... ... ... ... мамандығы бойынша
Орындаған ... ... ... ... ... бақылаушы ... ... ... ... 60 ... 49 ... 21– ... 25 - әдебиеттер
тізімінен тұрады.
Жұмыстың мақсаты: Kремний фотодиодтың сәуле ... ... ... және көк ... ... ... ... квадраттық сипаттамасын куәландыратын ... ... орын ... ... ...... әсірекүлгін сәуле түскен кезде сілтілік
металдарда электрондардың ұшып шығу ...... ... әсер ... кездегі
жартылайөткізгіштің электрөтімділігінің үлкею құбылысы.
Фоторезистор - өткізгіштігі жарықтың әсеріне ... ... ...... ... емес жылулық қабылдағыш, шағылу
кезіндегі ... ... ... ...... ... ... өлшейтін құрал.
Оптрондар – бір корпусқа орнатылған осы ... ... ... ... көзі және қабылдағышы бар оптоэлектрондық прибор.
Қысқартулар мен белгілеулер
∆W – жартылайөткізгіштің тиым салынған аймағының ені
d – жартылайөткізгіштің қалыңдығы
ВАМ- вольт-амперлік мінездеме
ИҚ – ... - ... ...... ... –электрон заряды
ν - электромагниттік сәулеленудің критикалық жиілігі
R - жарықтық кедергі
K - ... ... ... ... жылжуы
TDI – time delay integration
N - түсті фотонның интенсивтілігі
ЭҚК – электр қозғаушы күші
ЗБҚ – зарядтық байланысы бар құрылғылар
МДЖ – ... HUBBLE SPACE ... ... |6 |
|1 ... ... ... МЕН ҚҰРЫЛЫМЫ |7 ... ... ... қасиеттері |7 ... ... ... |11 ... |Астрофотометриядағы сәуле қабылдайтын құралдар |11 ... |Көп ... ... ... приборлар |18 ... ... ... |21 ... ... ... теориясы |23 ... ... |26 |
|2 ... ЖӘНЕ ... ... ІСТЕУ ПРИНЦИПІ |27 ... ... ... ... ... өтетін құбылыстар |27 ... ... ... ... мен сипаттамалары |33 ... ... ... |33 ... |Шуылдар мен фотодиодтардың тапқыштық қабілеті |33 ... ... ... ... |35 ... |Фототокты іштей күшейтетін фотоқабылдағыштар |38 ... ... ... және оның ... ... |40 ... ... |41 ... ... ... ғарыштық жобасы |43 |
|3 ... ... ... ЕРЕКШЕ ҚАСИЕТТЕРІ |46 |
|3.1 ... ... |46 ... |Нанокристалды кремнийдің қасиеттері |48 ... ... ... алу ... |52 |
| ... |56 |
| ... ... |57 ... – түсетін жарық ағынының әсерінен кері ... p-n ... ... ток ... ... шапшаң қозғалатын заряд
тасымалдаушылар қалыптасатын ... ... ... мен оны қосу сүлбесі 1, а және б суреттерде
келтірілген. база ... ... ... ... ... жабылған терезеге қарсы металл корпустың ішіне ... ... ... ... пластинаға индий тамшыларын
тамызу арқылы жасалынған. Осылайша, фотодиодта жарық ... p-n ... ... ... ... кристалының
орналасуының өзге же орналасуы мүмкін: мұнда жарық ағаны өткел жазықтығына
параллель ... ... ... ретінде түрлі электрлік өткелдер
қолданылады: анық ... p-n ... p-i-n ... ... ... ... ... концентрациясы бар электронды-кемтікті өткел,
металл – жартылайөткізгіш өткелі (Шоттка тосқауылы бар диод), гетероөткел
және ... ... ... ... ... ... өтетін физикалық
процестерге негізделеді. Жарық ағыны болмаған кезде (Ф = 0) фотодиодта ... ... кері ток ... ... оның мәні ... емес заряд тасымалдаушылардың концентрациясымен, өткел ауданымен,
бекітуші қабат облысындағы ... ... және т.б. ... сәулелену болмаған кезде фотодиод жартылайөткізгіштік диодтан ... I = f (U) үшін ... ол үшін Ф = 0 ... ... ... үшін осы тәуелділікті темптік вольт-амперлік сипаттама деп
атайды.
Фотодиодты жарықтандыру кезінде (Ф > 0) оның ... ... ... ... ... ... болу ... болады. Заряд қосақтары
базаның сыртқы бетінде қарқынды жүреді. Қайта қалыптасқан ... ... база ... ... p-n өткелге диффузияланады.
Бұл жұмыстың мақсаты - кремнилық фотодиод спектралдық ауданын ... ... ... ... ... МЕН ... Кремний фотодиодының қасиеттері
Фотодиодтар – түсетін жарық ағынының әсерінен кері ... p-n ... ... ток ... ... ... қозғалатын заряд
тасымалдаушылар қалыптасатын жартылайөткізгіштік диод.
Фотодиодтың құрылысы мен оны қосу сүлбесі 1, а және б ... база ... ... n-германий дөңгелек пластинасы
шынымен жабылған терезеге қарсы металл корпустың ішіне ... ... ... ... ... ... тамшыларын
тамызу арқылы жасалынған. Осылайша, фотодиодта жарық ағыны p-n өткелдің
жазықтығына перпендикуляр ... ... ... өзге же ... ... ... ... ағаны өткел жазықтығына
параллель таралады.
Фотодиодтарда белсенді элемент ретінде ... ... ... анық ... p-n ... p-i-n өткел, эмиттердің қалыңдығы
бойынша өзгеретін ... ... бар ... өткел,
металл – жартылайөткізгіш өткелі (Шоттка тосқауылы бар диод), гетероөткел
және т.б.
Фотодиодтың жұмыс ... ... ... ... ... ... негізделеді. Жарық ағыны болмаған кезде (Ф = 0) фотодиодта кері
кернеудің әсерінен кері ток пайда болады, оның мәні ... емес ... ... ... ... ауданымен,
бекітуші қабат облысындағы физикалық процестермен және т.б. ... ... ... ... ... ... диодтан еш
ерекшеленбейтіндіктен, I = f (U) үшін орынды, ол үшін Ф = 0 шарты орындалуы
тиіс. фотодиод үшін осы ... ... ... сипаттама деп
атайды.
Фотодиодты жарықтандыру кезінде (Ф > 0) оның ... ... ... заряд қосақтарының пайда болу процесі болады. заряд ... ... ... ... ... ... қалыптасқан электрондар мен
кемтіктер база қалыңдығы ... p-n ... ... ... өрісімен қоса кетіп, p-облысына лақтырылып
тасталады, осылайша өткел арқылы негізгі емес заряд тасымалдаушылардың ... ... ... ... кері ток мәні де ... ... ... көп ... p-n өткел облысына жетуі үшін базаның
қалыңдығы кемтіктердің диффузиялық ұзындығынан кем болуы ... w < ... (1) шарт ... ... анағұрлым тиімді жүреді. Осы
талапқа сәйкес фотодиод базасының қалыңдығына сәйкес таңдЫалады.
Вольт-амперлік ... ... ... ... ... берілген
кернеуге тәуелділігін анықтау үшін ертеректе ... (2) ... ... ... ... ... қосымша кернеу көзі болады
және сәйкесінше, p-n ... ... ... тең ... ... отырып, (2) теңдеуді былайша түрлендіріп жазамыз:
(3)
(3) сәйкес тұрғызылған фотодиодтың вольт-амперлік ... (1а ... p-n ... вольт-амперлік сипаттамасынан тұрады (2- сурет).
Жоғарыда айтылғанындай, көлеңкелік сипаттама (Ф = 0) диодтың вольт-амперлік
сипаттамасының кері тармағы болып саналады. Сондықтан ... ... ... ток ... ... ... айтарлықтай аз болады, ал кері кернеу артқан кезде оның ... ... ... ... ... ... ағыны артқан сайын фототок (1) сәйкес сызықты өседі, ал бұл Ф > 0
және
= const ... ... ... ... ... энергетикалық сипаттамалары (1, б сурет) жарық ағынының кең
өзгеру интервалында жеткілікті мөлшерде сызықты болады. Кері ... ... ... да қоса ... ... ... кеңеюімен және сәйкес
база енінің ... ... ... ... ... емес заряд
тасымалдаушылардың аз бөлігі база ... p-n ... ... ... және кремнийден жасалынған фотодиодтардың салыстырмалы
спектрлік сипаттамалары 1, в ... ... ... ... ... қосақтарының қалыптасуы негізінен ... ... ... ... ... ... ені анағұрлым
үлкен () кремнийден жасалынған приборлардың спектрлік сипаттамаларының
максимумдары германиден жасалынған (w 0,72 эВ). приборларға ... ... ... келеді. осы себепті германиден жасалынған
приборлар үшін ұзын ... ... ... ұзын ... аумағында
жатыр.
Қысқа толқындар маңына қарай сезімталдылықтың азаюы ... ... Осы ... ... ... ... (
105 см~1), фотондар негізінен базаның сыртқы бетімен ... ... ... рекомбинация ықтималдылығы айтарлықтай үлкен және p-n
өткелге сәйкес келетін негізгі емес заряд тасымалдаушылардың саны ... ... ... (1, г ... ... ... ... жарық ағынына қарсы жауабын көрсетеді. Абцисса өсімен
ағын жарықтылығының Ф модуляция ... / ... / ... ... ... ... ... инерциялық қасиеттерінің бар екендігін
дәлелдейді.
1сурет - ... (а) ... (б) ... (в) ... (г) жиіліктік сипаттамалары.
1-германилі фотодиод; 2-кремнилі фотодиод.
Фотодиодтардың инерциялығы бірқатар факторларға ... ... ... ... ... ... ... қатар
тасымалдаушылардың ... ... ... мен ... ... ... облысы арқылы өту уақытттары маңызды рөл атқарады.
Егер жарық ағыны модульдейтін тербелістер периоды тасымалдаушылардың
қозғалысының қосынды ... ... ... ... онда
прибордағы токтың өзгеру процестері жарық ағыны интенсивтлігінінің ... ... ... ... ... Нәтижесінде жиілік артқан сайын
фотодиод жүктемесіндегі токтың айнымалы құраушысының ... ... ... ... ... ... ... фазалық ығысу мен
прибордағы токтың айнымалы құраушысы ... [23] ... ... ... ... төменгі жиілігіндегі мәнімен салыстырғанда
есе кемиді, ал фазалық ығысу 70° - тан ... ... ... фотодиодта өткелдегі көлемдік заряд облысы жеткілікті тар және
тасымалдаушылардың қозғалысының негізгі уақыты ... ... ... (п — Ge) :. ... ... ... ... салыстырғанда кемтіктер базадан ... ... ... осы мәннен екі есе асып түседі.
Сондықтан (1) ... ... ... ... болады:
Осы жерден айнымалы ток құраушысының амплитудасы есе ... ... ... ... тең ... әдетте электрондардың қозғалғыштығы кемтіктермен
салыстырғанда жоғары ... және ... . ... ... ... ... ... негізіндегі базасы бар
фотодиодтарға басымдылық беріледі.
Фотодиодтардың параметрлері. Фотодиодтардың параметрлеріне алдымен оның
жұмыс ... ... ... ... ... жатады: номинал жұмысшы
кернеу мен максимал мүмкін болатын кері кернеу . ... ... ... ... ... алынады. Олар
сәулелендіруші жарықтың әсерінен ... ... ... ... сигналдарын табу және тіркеу үшін ... Осы ... s, ... ... ... ағынмен табушы қасиеті D
жатады.
Осы параметрлерді жақсарту мақсатында соңғы ... ... ... ... ... ... ... құрылғылардан аздап
ерекшеленеді.
1.2 Фотодиодтардың түрлері
Бекітілген электр өрісі бар фотодиод. Осы ... ...... ... ... фотодиодтағы электронды-
кемтікті өткел м-жартылайөткізгіштің пластинасына акцепторлық қоспалардың
диффузиясы арқылы туады. Осы ... ... ... ... ... оның мәні база ... өткел бағытына қарай кеми түседі.
Акцепторлық атомдардың жылулық иондануы салдарынан ... ... да ... ... ... оның өзі ... ... база бетіндегі ионданған акцепторлық атомдардың теріс
зарядтары ашыла ... ... ... ... база бетіне бағытталған
өріс туады. Базаны сәулелендіру кезінде жарық ағыны тудыратын заряд
тасымалдаушылар осы ... ... ... қарай электрондардың
қозғалысы енді тек диффузиямен ғана емес, ... ... ... де ... осының салдарынан базадағы электрондар
қозғалысының қосынды сомасы кемиді.
Бекітілген өрісі бар фотодиодтардың ... ... ... ... ... жасау кезінде базаның қалыңдығы 3-5 мкм дейін
кемітілетін жағдай да үлес ... ... ... ... де, ... де ... ... Оның
ерекшелігі мынада: жартылайөткізгіштің р- және n-облыстары i ... ... ... ... ... ... ... екі
өткел қалыптасады: p-i типті және n-i типті. Алайда, егер ... ... ... ... ... кері ... ... болса, онда
бекітуші қабаты i-облыста жататын бір ғана ... ... ... ... ... құралдар
Астрофизиканың бір маңызды тәсілі астрофотометрия, яғни ... ... ... ... ... Осы мақсат үшін
қолданылатын құралдарды фотометрлер ... ... ... негізгі бөліктері: фотопластинка, фотоэлемент, термоэлемент,
болометр. Сәуле қабылдағыштың бір түрі ... ... ... ... ... ... ... бірдей сезбей, тек
оларды екшеп, сезеді. Көз ... сары ... ... 0,55 ... жақсы сезеді. Кәдімгі фотопластинка өте күлгін (толқын ұзындығы
0,45 микрон) сәулелерді сезгіш.
Енді фотометрлердің кейбір түрлерін қарастырайық. Мұндай құралдар ... және ... ... ... ... ... ... шыққан
электрондық фотокөбейткіш деген құралдар арқылы ... ... ... ... да өлшеуге мүмкіндік туды. Осы күнде жаңа электрондық
техникада сигналдар ... ... және ... ... ... приборлар кеңінен қолданылады.
Осылардың бірі нәтижесінде ондағы жарық энергиясының жұтылуы болатын заттың
электрофизикалық құрамының өзгеруімен ... ... ... ... ... ... ... элемент қосылған шынжырдағы токтың
өзгеруіне әкелетін ЭҚК туады. Екіншісі жарықсәулелендіретін ток элементінен
өтетін ... ... ... ... принцип. Көрсетілген
принциптер оптоэлектрониканың ғылыми негізін ...... ... және ... ... ... ... әдістер мен тәсілдер
қолданылатын жаңа ғылыми ... ... ... ... ... ... ... мен ғылымның
әртүрлі облыстарында даму мүмкін емес. Оптикалық ... ... ... ... роль ... Ал жыл ... ... оны адам іс-әрекетіне
енгізу қарқынды түрде дамып келеді.
Жарық қабылдаушы – көз (теңгеру фотометрі). Бұл ... ... ... ... ... ... жұлдызбен қатар, жанып тұрған
электр лампасының кішкене ...... ... да» көреді. Бақылаушы
бұл жасанды жұлдыздың жарықтығын нашарлатып отырып, әлгі өлшегелі ... ... Неше есе ... ... ... ... ... әлгі жұлдыздың жалтырауын да есептеп шығарады. Фотометрияда
көзбен бақылаудың маңызы ... оны ... ... ... ...... Осы кезде фотографиялық фотометрия
көп қолданылады. Неғұрлым жұлдыз жарығырақ болған ... ... ... оның ... ... диаметрі үлкендеу
болады және ол кескін ... ... ... ... ... ... ... өлшеу арқылы да, қараюының дәрежесін
өлшеу арқылы да есептеп шығаруға болады.
Мұндай ... Күн ... ... сияқты аумақты объектілердің
жалтырауын анықтаумен қабат, ... әр ... ... ... ... ... ... Пластинканың қараюының дәрежесін өлшейтін құралды
микрофотометр дейді. Жарық қабылдағышы термоэлемент не фотоэлемент болатын
фотометрлер де ... ... ... ... Аспан денесінен келген
жарық тесікше терезеден өтіп, не термоэлементке не ... ... ... ... не ... ... Бұл ... өлшеу арқылы жарықтың
энергиясын анықтауға болады.
Мұндай құралдар өте сезімтал және бақылаушы ... ... ... ... шыққан электрондық фотокөбейткіш деген құралдар арқылы фотоэлемент
сезбейтін өте бәсең жарықты да өлшеуге мүмкіндік туды.
Болометр – бұл да түскен ... ... ... ... ... жарықтың жылуының әсерінен ... ... ... өзгереді, сондықтан ондағы ток күші өзгереді. Токтың күші бойынша
жарық энергиясын есептеп шығарады. ... ... ... ... ... ... сәуленің энергиясын жеке-жеке өлшеуге де болады.
Аспан денелерінің радиацияланған фотометриялық бақылаулар арқылы ... ... ... (Стефан-Больцман т.т.) заңдары көп қолданылады.
2 сурет- фотодиодтың энергетикалық диаграмасы
3 сурет- p-i-n фотодиодтың энергетикалық диаграммасы
Осындай фотодиодтағы ... ... жұқа етіп ... ... ... жұтылуының негізгі актілері i-облысқа сәйкес келеді.
прибордағы генерацияланған тасымалдаушылардың негізгі ... ... ... ... ... ... жерден fгр = жиілік үшін мынаны жазуға болады:
, ... а — ... ... ... ... ... p-n өткелден тұратын фотодиодтар сияқты
жиіліктері 10 ГГц ... ... ... табу үшін ... ... ... фотодиодтардың артықшылықтары рұқсат етілетін ... мен ... ... ... байқалады.
Шотка тосқауылына ие фотодиод. Осы диодтың құрылымы мен энергетикалық
диаграммасы 3 ... ... ... ... ... ... ... жағылған (0,01 мкм), оның өзі жұқа диэлектрик қабықшасымен
қапталған, осылайша ... ... ... ... ... ... мырыштың сыну коэффициенттерінің әр түрлілігінің салдарынан ... ... бір ... ... бастап, осы қабықшалардың
шекарасынан ... ... аз ... ... ... ... ... енеді. Мысалы, гелий-неон лащермен алынған ( 0,63 мкм)
жарық ағыны өткенде қуаттың тек 5%-ы ғана ... ... ... және ... ... ... ... фотон энергиясы hv > онда кремний кристалында, оның бетінде
меншікті жұтылу байқалады. Қалыптасқан электрондарың өткелге дрейфі ... ... ... кері кернеулерде бекітуші қабаттағы қозғалатын бөлшектердің
энергиясы валенттік байланыстарды үзу үшін жеткілікті (соқпа иондану). ... ... ... ... тән заряд тасымалдаушылардың
көшкіндік көбею процесі ... ... Осы ... ... қолданылады, оның негізінде тек Шоттка тосқауылы ғана ... ... ... p-n ... де ... ... фотодиод. 4 суреттерде планарлық технология әдісімен
жасалынған p-n ... бар ... ... фотодиодтың, сонымен қатар
Шоттка тосқауылы бар ... ... ... Қос ... ... ... ... кіші дөңгелек терезе
ретінде орындалған (40-60 мкм). Осы ... аса ... емес ... қойылатын талаптардың біріне негізделген: тасымалдаушылардың
көшкін тәрізді ... ... бір кері ... ... ... ... сәулелендірілген бет маңында жүзеге ... ... ... өлшемдерінде қалыңдығы бойынша біртекті және құрылымы
бойынша жұқа кристалл бетінде n+—Si ... PtSi ... ... мкм) ... соғады. Біртексіз қабықшада көшкіндік кедергі кернеуінің төменгі
мәні байқалатын микробөлімшелер ... ... ... ... көшкіндік көбеюі кристалдың аз көлемінде ғана ... және ... ... ... ... ... төменгі мәндерінде жергілікті көшкіндік
кедергінің алдын алу үшін сақтау ...... ... мәнімен шамалас, бірақ, қоспаларының концентрациясы аз
болатын сақиналы қабат қолданылады.
Қоспалардың ... ... ... мен ... ... салдарынан сақтау сақинасының периметрі бойынша ... ... ... ... кернеулерде қалыптасады.
Көшкіндік фотодиодта өтетін физикалық процестер әдеттегі фотодиодтан
электронды-кемтікті өткелдің ... ... ... тудыртын
тасымалдаушылардың қосымша көшкіндік көбеюйімен ерекшеленеді. Осы процестің
салдарынан сыртқы ... ... ... ... ... ... мен көлеңкелі токпен тудырылатын токпен салыстырғанда М ... ... (14-42) – ... ... ... ... Лавиндік фотодиодның кремнилік құрылғысының ток өткізбейтін
қоршауы және Шоттка барьерімен ... ... ... ... ... ... ... әдетте бірінші
текті фототоктың күшеюі немесе фотокөбею деп те аталады. М коэффициенті (10-
59) өрнекке ... ... ... ... ... кемтіктер
санының көшкіндік процесті тудырған бірінші текті кемтіктердің санына
қатынасымен ... ... бір ... ... көшкінінің
дамуы прибордағы жарық кванттарының жұтылу ерекшеліктерімен анықталады.
Жоғарыда аталғанындай, жұтылу ... мәні ... ... үшін әр ... ... ... үшін ... ал 0,85 мкм тең толқын ұзындығында оның мәні 7-102 см-1
дейін кемиді. Жұтылу қалыңдығы w ... ... онда ... ... ... (0,4 мкм) жарық ... ... ... ... ... ... арқылы негізгі емес тасымалдаушылар
– кемтіктер өтеді және ... ... ... болады. ұзын
толқынды сәулелену барысында негізгі жұтылу актілері өткел артында өтеді
және сәйкесінше, көлемдік заряд ... ... ... ... ... ... мен приборға берілген кернеу арасындағы байланыс (10-60)
ұқсас тәуелділікпен сипатталады:
(6)
Мұндағы - ... ... R — ... жүйелі көлемдік
кедергісі.
Осы қатынастан максимал көбею коэффициентінің өрнегін шығарып ... ... ... мәндеріне қол жеткізу үшін көлеңкелік токты кеміту, сонымен
қатар көлеңкелік токты , сонымен қатар көлемдік R ... ... ... ... тосқауылына ие фотодиодтарда М мәні 30—35 ... (14-42) және (14-43) ... ... отырып, R кедергіні аз деп
есептеп, сәйкесінше, Uпердеп тұжырымдап, фотодиодтың ... үшін ... ... ... ... (14-19 ... Көп ... матрицалық жарықсезгіш приборлар
Көп элементті матрицалық жарықсезгіш ... ... ... бар ... (ЗБҚ) ... ... орны ерекше.
Зарядтық байланысы бар ... ... ... (МДЖ) - ... ... Жартылайөткізгіш ретінде,
әдетте, кремний қолданылады, ал диэлектрик - кремний тотығы .
Әдеттегі ЗБҚ ... ... ... подложкаға (мысалы,
p-типті өткізгіші бар) диэлектриктің жұқа қабаты қалыптасады ... ... ... ... жолақтары орналастырылады (өткізгіш
электродтар) ... ... ... ... Бұл ... немесе матрицалық тізбекті құрайды, бұл кездегі электродтардың
арасындағы қашықтық аз болатыны ... ... ... өзара
әсерлесу эффектілері едәуір болады. ЗБҚ жұмыс ... ... ... ... кернеуін бергенде жартылайөткізгіштің беткі қабатында ... ... ... ... пакеттердің түзілуіне, сақталуына
және бағыттық берілуіне негізделеді.
Егер бұл конденсатордағы металл электродқа оң ... ... онда ... ... ... пайда болады, оның әсерінен негізгі заряд тасушылар
(кемтіктер) шапшаң жылдамдықпен (пикосекунд бірлігінде) жартылайөткізгіштің
бетінен ұшып шығады. ... ... ... ... ... ... Оның ... микрометрдің бірлік үлесін құрайды. Кедейленген
қабатта қандайда бір процестердің ... ... ... ... ... ... салдарынан жартылайөткізгіштің бейтарап
облыстарынан келіп түскен негізгі емес заряд тасушылар (электрондар) (өріс
әсерінен) жартылайөткізгіш-диэлектрик шекарасына қарай ... және ... ... ... локальданады(0,01 мкм)осылайша, беткі қабатта
электрондар үшін потенциалдық шұңқыр пайда болады, олар онда өріс ... ... ... ... ... ... ... болған негізгі
тасушылар (кемтіктер) өріс әсерінен жартылайөткізгіштің бейтарап бөлігіне
кері серпіледі. Белгілі бір уақыттан соң (1-100с) ... ... ... ... ... концентрациясы уақыт бойынша тұрақты болып
қалатын стационар инверсті қабаттың ... ... ... ... ... өтеді.
ЗБҚ-да МДЖ-құрылымының бейстационар күйі қолданылады. Тасушылардың
термогенерациясының жылдамдығы өте аз ... ... ... ... сигналдық заряд пакеттерін сақтау ... ... ... ... ... ... беткі қабатта және
кедейленген аймақта электрон-кемтіктік термогенерация ... ... да, ... ... ... ... ... ақпаратты сақтауды сипаттайтын сигналдық зарядты бұзады.
Сақтаудың максимал уақыты жартылайөткізгіштің қасиеттерімен, ... ... ... ... ... анықталады және нақты құралдарда
(мәжбүрлі суытусыз) бірлік немесе ондық ... ... ... ... ... ... ... бір-біріне әсер
ететін, подложкада қалыптасатын ... ... ... потенциалдық
шұңқырлардың әсерлесуі электродтардың арасындағы арақашықтықтың аз болуынан
(0.1-1мкм) немесе жартылайөткізгішке ... ... және ... ... электрлік байланыстыратын арнайы легірленген
облыстарды жасағанда ... ... ... ... ... ... бағытталуын қамтамасыз етуге болады.
Мұндай зарядтарды беру процесін басқарылатын электродтарға берілетін электр
импульстерінің арнайы ... ... ... ... ЗБҚ ... онда жартылайөткізгіште жұтылатын фотондар
электрон-кемтіктердің жұбының генерациясын тудырады. ... ... ... үшін ... ... ... ... рұқсат етілмеген зонасының потенциалынан асып түсуі
тиіс. Кремний үшін бұл 1.1еB аз ғана ... Егер ... ... Ћν>1.1еB
фотон келсе онда ол электронды жұлып алып, жұлынған электрон ... ... ... Егер ... ... ... 4еB көп ... фотон екі электронды босатуы мүмкін. Сәйкес кемтіктер ... ... ... ... ... ... түседі.
Берілген элементте жинақталған зарядтық покеттің шамасы бірінші жуықтауда
элементтің ауданы бойынша орташаланған фотон ... және ... тура ... ... ... ... ... пайдалану
әдетте сигналдың жинақталу уақытының көп болуын талап етеді(секундтар ... ... ... сигналдың термогенерациясының әсерін әлсірету
үшін мұндай жағдайларда қабылдағышты ... ... ... ... ... сипаттық мәндері (шағылу
және жұту ... ... 0,2-0,4 ... Өзге жартылайөткізгіштік
детекторлар сияқты ЗБҚ өзіндік спектрлік сезімтал облысқа ие. Ұзынтолқынды
шекара жартылайөткізгіштің ... ... ... ... ... ол ... үшін 1.1 мкм ... Қысқа толқынды шекара 0.4-0.5 мкм-тең
және ол бірмезгілде тасушылардың фотогенерациясымен қоса ... ... ... ... ... жұқа ... жарықтың
қысқатолқынды кванттарын күшті жұтумен түсіндіріледі. ЗБҚ ... ... ... ... ... ... ені әр түрлі). Бұл спектрдің кең аумағын, оның ішінде ... ... ... ... ... жарыққа
сезімталдылығы көпқабатты болып табылатын ... ... ... ... ... ... ... көрінетін жарық үшін
мөлдір емес металдар (А1,М0 т.б) қолданылса, онда жарық арнайы ... ... ... ... ... ... Мұндай
жартылайөткізгіш жүйесімен анықталады. (Әдетте, ауа- SiO-Si).
Поликристалдық кремнийден жасалған жартылай ... ... онда ... ауа- ... ... SiO-поликремний
электротты қабат SiO-Si жүйесі арқылы өтеді. ... ... ... ... ... болатын зарядтарды жинақтау орындарын ауыстыра
аламыз. Біз зарядтардың тасымалы бір сызықтың ... ... ... ... Енді екіөлшемді құрылымды елестетіп көрейік.
Тікбұрышты матрицаны қарастырамыз:ұяшықтардан ... ... ... ... ... үш ... электродтар орналасқан.
Әрбір осындай ұяшық – пиксел, яғни рұқсат етілген элементар ... ... осы ... ... әсерінен қандай да бір уақыт
аралығында ... ... ... ... болсын делік.
Жинақталғаннан соң оларды санауға кірісеміз. ... ... ... ... ... ... Оны әдетте көлденең регистр деп атайды. Бұл регистр
қалғандарынан жарықтан тосаланғандығымен ерекшеленеді. Ондағы зарядтарды
перпендикуляр бағытта да ... ... ... ... ... ... сәйкес көлденең регистр пикселдеріне жылжытайық. Төменгі
жолдың босаған ұяшықтарына төменгі жолдағы ... ... ... екіншісінің орнына үшіншісін,т.с.с ... соң ... ... зарядтарды көлденең бағытта күшейткіштің кіріс
каскадына қарай жылжытамыз. Көлденең регистрдің ... ... ... соң ... ... ... ... сигналдары бар төменгі жолдан
зарядтарды жылжытамыз. ... ... ... ... ... ... ... тізбегі түзіледі. Ол сандық
формаға түрленеді. Идеал жағдайда осы сандардың әрқайсысы ... ... ... ... тура пропорционал. Бір жинақталғаннан кейін
алынған ақпаратты жинақталған деп ... ... ... ... ... кванттық шығысы бар. ... ... ... ... ... үшін ... алғанда 100-200 квант қажет.
Фотокатодта бір фотоэлектронды босату үшін орташа есеппен 10 квант ... ... қоса ... керек. ЗБҚ қалыпты жағдайда ... ... 90% -ға ... ... шығысы болады, ал
орташа алғанда барлық ... ... ... ... ... 50-60% ... ... ЗБП-матрицалар 512*512-ден 2048*2048
пикселдерге дейінгі өлшемділікке ие. ... ... ... ... ... ... ... мөлшеріне пропорциянал
түрде жүреді. Панорамдылыққа сай, яғни көру аймағында бір ... ... ... мүмкіндігіне сәйкес бұл үлкен артықшылық. ... ... ... фотометрия мен фотографияның
байланысының ... қол ... ... өткізгіштердің фотоөткізгіштігі
Металда токты еркін электрондар (өткізгіш электрондар) алып жүреді, ал
жартылайөткізгіште – өткізгіш электрондар мен ... ...... ... ... тең, оң ... ... Электр өрісінде
кемтіктер өріс ... ал ... ...... ... ... байланысты жартылай өткізгіштің ... - ... және ... ... ... ... = e (n(n + p (p) ... ... n және p – ... мен ... ... (n және
(p - электрондар мен кемтіктердің қозғалғыштығы.
Жартылай өткізгіштердің металдардан негізгі айырмашылығы өткізгіштіктің
температураға сапалы әр түрлі ... ... ... ... металдардың өткізгіштігі артады, ал нолге жақын температурада
кейбір металдар мен қоспалар жоғарыөткізгіштік күйге ... ... ... ... ... температураға тәуелді емес,
салқындату барысында электрөткізгіштіктің ... ... ... өткізгіште керісінше, Т ... ... ... ... ... өте ... ... айналады, яғни ток өткізбеушілікке. -ның ... ... ... мен ... ... түсіндіріледі. Атомнан электрондарды жұлып алу үшін және оны
кристалл бойынша еркін ... үшін ... Е ... жұмсау керек.
Электрон кристалда атомдардың жылу тербеліс ... ... ... ... және осы ... ... мүмкіндігі температураның жоғарылауымен
орын алады.
Жартылай өткізгіште электрондармен ... тек қана жылу ... ... ... ... әр ... ... әрекеттермен: жарық,
зарядталған бөлшектердің ... ... және т.б. ... үшін ... ... ... ... сипаты тән.
Температураның өзгерту арқылы жартылай өткізгіштің электрөткізгіштігін
кең аумақта ... ... ... қосу және т.б. , ... көп және әр
түрлі қолдану болып табылады.
Химиялық таза меншікті жартылай өткізгіште ... ... ... ... толып тұрады, ал өткізгіштік аймақ бос ... ... ... ... ... өткізгіш изолятор болып
табылады. Егер жартылай өткізгіш қыздырылса, онда ... қозу ... ... ... және ... ... ... пайда болады.
Жылумен қоздырылған жартылай өткізгіштің электрөткізгіштігі ... деп ... және (28) ... сипатталады.
Фотоөткізгіштік құбылысы (фоторезистивті эффект), электромагниттік
сәулелену әсерінен жартылай өткізгіштің электрөткізгіштігінің ... ... ішкі ... құбылысы жатыр: электрон
фотонды жұтып, ток тасымалдаушылар концентрациясын арттырып, өте жоғары
энергетикалық ... ... ... ... ... ... ... ішкі фотоэффект деп аталады.
Осыдан фотон электронды валенттік аймақтан жұлып, өткізгіштік аймаққа
лақтырады. ( 9-сурет); бір уақытта өткізгіш ... саны мен ... ... ... артады. Қоспалы фотоөткізгіштікте электрон
донорлы деңгейден өткізгіштік аймаққа лақтырылады немесе валенттік аймақтан
бос акцептрлік аймаққа лақтырылады.
Донорлы (5-валентті) қоспалар ... ... ... ... қоспалы
деңгейді құрайды. К-де өткізгіштік аймақ бос, ... ... ... ... қалатындықтан, өткізгіштік өте аз.
Электрондарды ... ... ... ... ... ... ... бір бөлігіне тең, қатысты кішкене донр.
энергия (донорлы атомның ... ... ... ... онда ... ... көбі ... аймаққа лақтырылған
болады. Ондай жартылай өткізгіш n-типті өткізгіштікке ие.
Акцепторлы (үшвалентті) қоспалар (К ... бос ... ... аймақтың жоғары энергиясынан есе үлкен энергия (9-
сурет). Температура жоғарылаған ... ... ... осы ... ... электрондарымен толтырылады. Ондай жартылай өткізгіштер
р-типті өткізгіштікке ие.
Фотондар энергиясы , (һ- Планк тұрақтысы) болғанда, сәйкес ... ... ... тек ... ... ... ... фотоөткізгіштік үшін немесе қоспалы өткізгіштік ... ... -да ... ... ... фотоэффекттің
қызыл шекарасы. Меншікті фотоөткізгіштік үшін:
(10)
Аз мәнді немесе қоспалы өткізгіштер үшін ... ... ... 50 ... ... ... ... теориясы
Жарықтандырылмаған жартылай өткізгіште, электрондар мен ... қозу ... ... ... ... ...... мен кемтіктердің тепе-теңдік концентрациясы.
өткізгіштік - қараңғы деп ... ... ... ... пайда болу құбылысы олардың оптикалық генерациясы ... ... ... ... тең ... ... мен - ... жарықтандыру нәтижесінде
пайда болған артық электрондар мен кемтіктердің тиісті ... ... ... ... мен ... кездегі
өткізгіштіктердің айырымы арқылы анықтайды:
(13)
Айтылғандардан түсінікті болғандай, толық электрөткізгіштік қараңғы мен
фотоөткізгіштіктен құрылады:
. ... ... ... ... кері ...... ... басында, артық тасымалдар аз кезде рекомбинация да аз,
бірақ n мен p артқан сайын ол да артады. ... ... ... ... ... соң стационарлы мәндерге мен сай ... ... ... Осылайша, әр артық
тасымалдаушылар рекомбинцияға дейін біраз уақыт ... сүру ... ... ... Әр түрлі тасымалдаушылар үшін, мысалға ... тура ... ... өмір сүру уақыты әр түрлі, сондықтан орташа өмір
сүру уақыт деген түсінік қалыптасады.
Ары қарай меншікті фотоөткізгіштікті ... ... ... ... ... уақытында тепе-теңсіз электрондар
концентрацияларының өзгерісі келесідей ... ... G - ... ... жартылай өткізгіштің бірлік көлеміндегі
электронды-кемтіктік жұп генерациясының жылдамдығы ... ... ... 1 с ... ... көлемде артық жұптардың азаюы.
Стационарлы фотоөткізгіштік үшін, , болғанда, (34)-теңдеуден
электрондардың стационарлы концентрациясын ... ... ... дәл ... кемтіктердің концентрациясы ). Онда
фотоөткізгіштік:
(16)
Осылайша, ... ... ... ... ... ... тасымалдаушылар үлкен қозғалыстағы және өмір сүру уақытынан көп
жартылайөткізгіштерден ... ... ... ... температура дәрежесінде орташа өмір сүру уақыты шегінде
өзгере алады.
Генерация қарқыны жарықтың затпен әрекет процесімен анықталады.
Жартылайөткізгіш ... , [] ... ... ... ... ... ... салдарынан фотондар ағыны пластинаға ... ... ... ... ... ... жұтылу коэффициенті (материал мен толқын ұзындығына
тәуелді). (16)- формулаға сәйкес фотондардың ... х ... ... ... -ға ... ... ... (түбіне) жеткен фотондар жұтылудан қашады. Яғни, жұтылғандар:
exp (-). ... х ... егер ... ... аз ... ... ... болса, онда (37)-формула:
(18)
Жұтылған фотондар арқылы пайда ... ... жұп ... ... ... ішкі ... ... шығысы деп
аталады. Ол жұтылған фотондардың қанша үлесі ток тасымалдаушылар ... ... ... , ... мен ... құрмай-ақ,
жарық жұтатын бәсекелес құбылыстар бар.
-ты пластина қалыңдығына бөлу ... ... ... ... ... ... ... G-дың орнына қойып, алатынымыз:
(21)
сәулелену жиілігінде фотондар ағын ... ... ... ... ... ... ... мындай түрде жазуға болады:
(23)
кернеулі пластина арқылы өтетін фототок, оның шекарасының
аралығында, -ның -ға ... ... ... ... жартылай өткізгіште оңайлатылған
құбылыстар қарастырылды. Фототоктың ... ... ... ... ... егер ... ... ұзақ түсетін болса, онда жартылай
өткізгіште (23)-формуламен анықталатын ... ... ... ... ... кезде және сөнген кездегі өту құбылыстарын қысқаша
қарастырып кетейік. Сәйкес тәуелділіктерді (24)-формуланы шешу ... ... ... уақытта жарық қосылса, онда артық тасымалдаушылар
концентрациясы және оған пропорционал ... ... ... ... ... ... тәуелділігі көрсетілген; бірнеше -ға тең уақыт ... ... ... ... ... Егер ұзақ жарықтылықтан кейін
жарық сөнсе (формуланы қарапайымдылығы үшін ... ... ... заң бойынша құлайды:
(26)
1.7 Гетероауысулар
Гетероқұрылымдарды қолдану түрленудің ... ... ... – p және n ... ... материалдар әр
түрлі болатын электронды-кемтікті ауысу. Орнықты ... ... ... ... ... торы болуы тиіс.
7 сурет - Гетероауысулар
Фотоқабылдағыштар үшін гетероауысулардың ... ... ... ... ... тарапынан оптикалық сәуле жұтылусыз өтеді,
жарықтың барша энергиясы тар зоналы жартылайөткізгіште жұтылады.
2 ФОТОДИОДТАР ЖӘНЕ ОЛАРДЫҢ ... ... ... ... ... ... барысында өтетін құбылыстар
Фотодиодтар дегеніміз (ФД) - p-n ауысудың біржақты өткізгіштігін
қолдануға негізделген жартылайөткізгіш приборлар. Олар ... ... ... ... ... ... қатар фотодиодты режимде – бекітуші
(кері) бағытта айтарлықтай қорек көзі берілетін ... де ... ... ... ... ... ... өткізгіштігі әр түрлі
қоспалы жартылайөткізгіштердің физикалық әсерлесу ... ... ... ... Жартылайөткізгіштің акцепторлық облысы
донорлық облыспен салыстырғанда анағұрлым күштірек легирленген болсын
және концентрациялардың ... 8,б ... ... ... бар p және n контактілерінде және контактінің
екі жағындағы сәйкес тасымалдаушылардың концентрациялары әр түрлі ... ... аз, ал ... ... ... аз) ... мен кемтіктердің диффузиялық ток
тығыздықтары бар негізгі тасымалдаушылардың диффузиясы ... ... ... ... ... бір ... n-облыстан p-
облысына көшеді, ал кемтіктер керісінше p-облысынан n-облысына көшеді.
Диффузияның болуының салдарынан зарядтардың ... ... ... ... ... ... ... қоспадағы
иондардың көлемдік заряды пайда болады, ол n-облыст оң және ... ... ие (8,в ... яғни p-n ... ... екі ... ... ... 8,г ... ... әр түрлі өткізгіштігі бар жартылайөткізгіштің ... ... ... ... ол ... p-облысқа қарай
бағытталады (8,д сурет).
Осы өрістің әсерінен n-облыстан p-облысқа қарай кемтіктердің және ... ... ... ... ... қалыптасады.
Жартылайөткізгіштің осы облыстары арасындағы тасымалдаушылардың ... емес ... ... тогы ... ... ... ... жүре береді. осы мезетте тепе-теңдік
орнап, p-n өткел арқылы қорытқы ток ... тең ... ... ... электронды жартылайөткізгіш тарапынан
электрондарме кедейленген және ... ... ... кедейленген болады. сондықтан ... ...... ... ... ... қабат қалыптасады. Осы
қабаттың қалыңдығы ... ... p және n ... ... кері ... ... сурет - Контактілі энергиясы бар облыстың энергия деңгейлері
а – электронды және ... ... бар ... б – ... (Na) және донорлық (Nd) қоспалардың
концентрацияларының таралуы; в – ... ... және ... өрісінің
қалыптасуы; г – негізгі (pp және nn)және негізгі емес (pn және np) ... ... д – ... ... таралуы (Р) және электр
өрісінің кернеулігінің өзгерісі Е(x); е - p-n ... ... ж, з – кері және тура ... ие ... кернеу берген
кездегі p-n өткелдің энергетикалық диаграммасы; и, к – жарықталынған ... p-n ... ... диаграммасы.
p-n өткелдің тепе-тең күйі Ферми деңгейінің ... ... =, ал ... ... бар ... ... бұрмаланатын болады (8,е сурет). Энергетикалық зоналардың қисаюы
электрондар мен ... ... ... ... ... ... ... 8, г суретте негізгі (кемтіктер – мен ... ... және ... емес (р-обласында және n-обласында ) ... ... ... ... және негізгі емес тасымалдаушылар тудыратын токтар теңгеріледі.
Тепе-теңдік ... емес ... үшін ... ... ... етіледі және олардың қозғалысының әсерінен туындайтын
ток олардың p және n облыстарындағы концентрацияларымен, ... ... ... ... олардың рекомбинация кезінде ығысуы
мүмкін орташа қашықтықпен анықталады.
Концентрациясы анағұрлым жоғары негізгі емес ... тогы ... ... ... ... ... (тежеуші қозғалыс). Тосқауылдан энергиясы жоғары негізгі
тасымалдаушылардың айтарлықтай көп емес ... ... ... ... ... потенциалдық тосқауылдың биіктігі p-n өткел ... ... ... емес ток ... ағындарының теңдігін қамтамасыз
ететіндей мәнге ие ... ... ... ... мәнін берілген сыртқы кернеудің
полярлығына қатысты өзгертіп отырады. Егер кері полярлы ... ... ... ... ал ... плюс), онда берілген электр өрісі негізгі заряд
тасымалдаушыларды контактінің ішіне қарай тартады, осының салдарынан ... жоқ ... ... ... ... бекітуші қабаттың
кедергісі артады. осындай ұлғаю ... 8,ж ... ... ... ... ... ... өрісімен қосылып, контактілі
облыстағы кернеудің жалпы түсуі болады, мұндағы – ... Осы ... ... тосқауыл артады.
Егер берілген кернеу негізгі тасымалдаушыларды жартылайөткізгіштің
ішінен контактілі p-n өткелге ... ... ... онда бекітуші қабат
сығылып, оның кедергісі түседі, ал сыртқы кернеу потенциалдардың контактілі
айырымынан шегеріліп ... ... ... яғни плюс p-типті
жартылайөткізгішке, ал минус ... ... ... жағдайды
тура немесе өткізгіш деп атайды. Осы кездегі p-n өткелдің ... ... ... егер берілген кернеу ... ... ... ... онда ... ... өтетін ток Ом заңынан анықталады.
Контактілі облыстың ... ... ... ... ... ... айнымалы токты түзету үшін қолданылады.
Жартылайөткізгішке сәуле берген кезде сәуле ... ... Осы ... ...... қосақтар қалыптасады,
яғни еркін заряд тасымалдаушылар көбейеді. Осы ... ... ... ... ... мұнда электр өрісінің әсерінен p-n өткел
облысында ... мен ... ... ... ... жоқ кемтіктер контактілі өріс арқылы кемтікті жартылайөткізгішке
қарай ауысады, тепе-теңдік бұзылып, n типті жартылайөткізгіште негізгі ... ... ... фототогы қалыптасады.
Зарядтардың ажырауының есебінен тепе-теңдік бұзылып, фотодиодтың сыртқы
контактілері арасында фотоЭҚК қалыптасады, оның әсерінен кедергі ... ... ... ... ескермеуге болады, өйткені,
олар үлгінің температурасына сәйкес келетін үлесуді тез ... ... тек аз ғана ... ... ... ... p ... өтеді.
Фототоктың шамасы интегралдық токтың сезімталдылығы ... ... ... ... ... ... немесе орамдық қосылу режимінде қолданыла береді
(9 сурет). Фотодиодты қосылу кезенде фотодиодқа кері ... ... ... оның өзі ... 20 В ... ... осы ... фотодиодтың жұмысы
фотодиодқа түсетін сәулеленудің ... p-n ... ... және ол ... ... жұмыс істейтін болады. осы тұстағы
өткізгіштік жұтылған сәуле ағынының ... ... ... сурет - Фотодиодты (а) және орамдық (б) фотодиодты қосу сүлбесі.
Орамдық (фотогальваникалық) қосу ... ... ... көзін қолданудың
қажеті жоқ, өйткені, жұтылатын сәуленің әсерінен фотоЭҚК пайда ... ... ... ... ... ... болады.
Электрлік принциптік сүлбелерде фотодиод әдеттегі диод ... ... ... ... ... және фотодиодқа бағытталған
тілшелер оған түсетін сәулені бейнелейді.
Фотодиодтың паспортында әдетте ток немесе кернеу ... ... ... ток пен ... ... ... ... жағдайларда фотодиодтар күшті фонды жарықталыну режимінде және
модульденген сигналдардың аз ... ... ... Сондықтан мұндай
жағдайларда максимал вольттік сезімталдылыққа қол жеткізу үшін жүктемені
тұрақты және айнымалы токтар үшін әр ... етіп ... ... жөн.
Тұрақты ток бойынша жүктеме кедергісі нөлге ұмтылуы тиіс, яғни қысқа
тұйықталу режимі ... асуы ... ал ... ток ... жүктеме
кедергісі шексіздікке ұмтылуы керек, яғни жалғыз жүру режимі жүзеге асуы
керек.
Ішінара осы ... ... ... үшін ... немесе дроссельдік жүктемені қолданады, оны 3 суреттен
көруге болады.
10 сурет - Фотодиодты ... ... ... (а) ... (б) қосу және ... жүктемеге орамдық қосудың (в) сүлбесі.
Тікелей фотодиодты операциялық күшейткіштің кірісіне ... ... ... ... көреміз.
Фотогальваникалық (орамдық) қосу режимінде p-n ... ... ... ағыны артқан сайын логарифмдік заң бойынша өзгереді және
потецниалдардың ... ... тең ... ... ... ... ... бастапқы бөлімшесінде сызықты болады. орамдық
режимдегі максимал вольттік сезімталдылықы фотодиодты қосу ... ... ... есе кіші ... ... ... қосу
режимінің фотодиодты қосуға қарағанда бірқатар артықшылықтары ... ... - ... ... күшейткіштің кірісіне жалғау сүлбесі
Бірінішіден, қорек көзі қажет емес.
Екіншіден, шуылдар деңгейі айтарлықтай төмен, бұл ... ... ... сигнал-шуыл қатынасы фотодиодьы қосуға қарағанда көптеу.
Кемшіліктеріне кіші сигналдармен ... ... ... ... ерекше
талаптар қоятындығы жатады. Оның өзі күшейту ... ... аз ... ие ... ... ... ... параметрлері мен сипаттамалары
Фотодиодтарды қолдану үшін маңызды жайт – ... ... ... шама ... сәуленің толқын ұзындығына
сезімталдылығын сипаттайды. Ол ... ... үшін ... ... және ... ... жасалынатын
материалмен анықталады.
Қазіргі кезде фотодиодтар кремниден, германиден, галлий ... ... және өзге ... ... ... ... жиіліктік сипаттамалары
Жарық ағынының модуляция жиілігін арттырған кезде фотодиодтардың
сезімталдылығы кемиді. Фотодиодтардың ... ... ... ... ... p-n өткелге дейін ұшып жету ... ... ... ... ... ... үлкен
критикалық жиілік p-типті облыста болады, өйткені, электрондардың диффузия
коэффициенті кемтіктердің диффузия коэффициентінен ... ... ... ... ... ... да ... болады.
Германиден жасалынған фотодиодтардың критикалық жиілігі мына ... ... және – ... өлшенген базалық облыс
қалыңдықтары. Базалық облыс дегеніміз – фотодиодтың ... ... ... ... үшін ... ... мына ... ... ... мен ... ... ... ... ... сезімталдылық шегін, яғни минимал
сәуле ағынының шамасын анықтайды. Оның өзін фотодиод тіркейді.
1) Бөлшекті шуыл ток ... ... ... ... ... Электр тогы дискретті зарядталған
бөлшектердің ағыны ... ток ... осы ... санымен
анықталатындықтан, онда тасымалдаушылардың уақыт бойынша флуктуациясынан
бөлшектің эффекті шуылы қалыптасады, оның өзі ... ... ... ... ... ... яғни оның спектрінле барлық жиіліктер бар деген сөз.
Бөлшектік эффекті ... ... ... ... ... өрнегі бойынша
табады:
, ...... ... ағатын ток;
– шуыл өлшенетін жиіліктер жолағы;
– электрон ... ... ... кедергісінің жылулық шуылы мына өрнектермен
сипатталады:
, А. ... ...... тұрақтысы;
– фотодиодтың абсолют температурасы;
– фотодиодтың базалық облысының кедергісі.
3) Ток шуылы (төменгіжиілікті). Ол заряд тасымалдаушылардың ... ... ... ... және мына ... ...... ... ... пропорционалдылық
уоэффициенті,
– фотодиодқа берілетін кері кернеу;
– тіркелетін сәуленің модуляция жиілігі.
4) Радиациялық шуыл. Ол фотодиодқа түсетін сәуленің ... ... ... және мына ... ... ... ... интегралдық сезімталдылық;
– фотодиодқа түсетін жарық ағыны.
Фотодиодтың толық шуылы барлық ... ... ... ... ... ағындарымен қоса кері ... ... ... ... оның ... ... шектейтін жалғыз
фактор – қорек көзінен ... кері ... ток. ... ... ... ... үшін оның мәні ... микроамперге дейін созылады. Германилік фотодиодтардың көлеңкелік
тогы температураға күшті ... ... ... ... оның мәні ... ... ... да өзгере беред, мұндай жағдай кремниден ... ... ... ... ... ... ... кері кернеумен де жұмыс жасай береді, бұл германилік фотодиодтар
үшін мүмкін емес.
Модульденген ... ... ... ... көлеңкелік токтың
фотодиодтардың тапқыштық қасиетіне әсерін селективті күшейту мен синхронды
детектрлеуді қолдана отырып, электронды трактта ... ... ... ... ... ... барысында тапқыштық
қабілеті күшейтпелі тракт шуылдарымен шектеледі, өйткені, фотодиодтың осы
жағдайдағы меншікті шуылдары аз болады және ... ... ... үшін 1,55 мкм ... ... ... ал кремний
фотодиодтары үшін 0,8…0,9 мкм толқын ұзындығында дейін жетеді.
2.4 Жоғары жиілікті фотодиодтар
Олар бірмезгілде түрлі спектрлік диапазонда бір ғана ... ... ғана ... ... ... ... ... Көптүсті сәулелену
қабылдағыштарының осындай құрылымы кең тараған, мұнда ... ... ие ... ... ... кейін белгілі бір
тәртіппен орналасады, мұны 12 суреттен көруге болады.
Осы кезде әрбір қысқатолқынды ... ... ұзын ... ... ... ... соңғысы үшін алдыңғысы сүзгінің
рөлін атқарады.
Мысалы, 12 суретте Infrared Industries, АҚШ ... ... ... ... оның ... қабаты қорғасын
селенидінен, ал төменгі қабаты күкіртті қорғасыннан жасалынған. ... ... ... 12,б ... ... Ford, АҚШ фирмасының қостүсті фотоқабылдағыштары үшін кремний
мен индий антимонидінен жасалынған материалдар қолданылады, олар 80 К ... ... ... InSb ... ... ... ... тұратын қабатпен қапталған, оның қалыңдығы спектрдің ИҚ
облысы үшін қарсы шағылдырушы жабын ретінде ... ... ... ... ... ... германий немесе кремниден
жасалынған фотодиод бекітіледі, оның ... ... ... сүзгісі орналасады, оның өзі 4…4,8 мкм ... ... ... ... ... АҚШ фирмасының индий антимониді мен Pb0,79Sn0,21Te
негізіндегі қостүсті фотоқабылдағыштары спектрдік ИҚ ... 3…5 мкм ... мкм ... ... ... ... - ... сәулелену қабылдағыштарының сүлбесі (а) және
көптүсті қабылдағыш жасалынған ... ... ... ...... ... 2- қорғаныш терезелер; 3- кеңзоналы
жартылайөткізгіш; 4- тарзоналы ... 5- ... ... 1…20 мкм спектрлік диапазонда жұмыс жасайтын көптүсті
қабылдағыштар үшін ... мен ... ... ... және ... ... теллуриді Pb1-xSnxTe үштік қосылыстарының қатты ... ... ... ... ... ... өзгерте
отырып, алмастыруға болады.
Көптүсті сәулелену қабылдағыштары ... ... ... ... ... ... фотодиодтардың уақыт бойынша тұрақтысы тасымалдаушылардың p-n
өткел шекарасына диффузиясымен анықталады.
, ...... ... ... емес тасымалдаушылардың диффузия коэффициенті.
Диффузия коэффициенті электрондар мен кемтіктер үшін әр ... ... ... ... ... p-n ... қай
жағынан фотодиодтың жарықталынатындығы маңызды. Электрондардың диффузия
коэффиценті кемтіктерге қарағанда үлке болатындықтан, онда база ... ... емес ... ... ... ... ыңғайлы. База қалыңдығының кемуі шапшаңдылықты ... бет ... ... тасымалдаушылар p-n өткелге тезірек жетіп,
ажыратылады. Заманауи технологиялар p-n өткелдің тереңдігі 1…2 мкм ... ... ... ... ... База ... ... ажырау уақыты аз болатыны соншалық, уақыт параметрлеріне
p-n өткелдің меншікті сиымдылығы әсер ете бастайды.
База қалыңдығының ... ... ... ... қалады.
База қалыңдығын кемітудің орнына жиіліктік сипаттамалардың ... ... ... ... ... ... ... қол
жеткізуге болады. Гетероауысуы бар ... ... ... ... тіркелетін сәуле ол фотодиод арқылы
өтетіндей етіп және p-n ... ... ... ... алынады. Мұндай
диодтардың базалары тек қорғаныштық қабат пен сүзгі ... ... p-n ... ... осы жағдайда үлкен болмайды. 50 мкм
мөлшерінде. Мұнан өзге p-n өткелді кері кернеу беру ... ... ... ... 10…20 нс ... ... ... жағдай жасайды.
Шотка тосқауылына ие ... ... тағы ... деп те ... p-n ... электр өрісі шоғырланған
кедейленген облыс сыртқы жартылай мөлдір электродқа ... ... ... өз кезегінде жарық өтеді. Мұндай диодтардағы сәулелену оның
артындағы ... ... ... ... ... ... ... жүздеген мегагерцке дейін жетеді (релаксация ... 1 нс ... ... ... тогы да аз ... 10-7 А/см2.
Фотодиодтың уақыт бойынша тұрақтысын кемітудің ең тиімді тәсілі –
базалық қабатта электр өрісін тудыру.
Бұған ... ... ... градиентімен қоса
диффузиялық p-n өткел тудыру арқылы қол ... ... ... база ішінде электр өрісін тудыруға алып келеді, оның өзі ... ... ... электронды-кемтікті қосақтардың ажырау
уақытын кемітеді.
Электр ... ... ... ... p-n өткел
облысын, яғни қабат тасымалдаушыларына ... ... ... ... жетікізуге болады. аталмыш құбылыс p-i-n фотодиодтарда байқалады, оның
сүлбесі 6 суретте келтірілген.
Осы фотодиодтың құрылымы ... ... ... ... (i)
құралады, оның меншікті кедергісі легирленген p+,n+ ... ... есе ... болады.
p-i-n фотодиодтарда контактілерге берілген кері полярлы электр кернеуі
i облыста p-n өткелдің біртекті ішкі электр өрісін ... p ... ... жарықталынатын қабаттың аз қалыңдығында (0,5 мкм мөлшерінде) түсетін
сәуле i облыста жұтылады.
Осындай фотодиодтың уақыт бойынша тұрақтысы тасымалдаушылардың ... ұшып өту ... ... оның өзі 1 нс құрайды. өткелдің аса
үлкен емес ... (~2(10-4 см2) және i ... 0,1 мм ... ... ... аз ... және ... релаксация уақыты 10-11…10-12 с
құрайды.
2.5 Фототокты іштей күшейтетін фотоқабылдағыштар
Фотодиодтар жылдамдығы бойынша фотокедергілерден көш ... ... ... ... бойынша артта қалып қояды. Фоторезисторлар ... ... ... Фототокты іштей күшейту мәселесі көшкіндік
фотодиодтарда шешілген болатын.
Коаксиал p-i-n фотодиодтың ... ... 2…10 ГГц ... ... p-i-n ... көлеңкелік тогы (1…8)(10-9 А құрайды. p-i-
n фотоқабылдағыштар қазіргі кезде ең жоғарыжиілікті болып саналады.
Фотодиодқа кері ... ... ... ... ... екі түрі ... Туннельдік бұзылу немесе Зенер бұзылуы жартылайөткізгіштің ... ... ... ... ... ... ... салдарынан болады. Зенер ... үшін ... ... меншікті кедергісіне тәуелді болады: ... ... ... ал ... кедергі Ом(см өлшенеді. Зенер
бұзылуының салдарынан әдетте фотодиодтың жылулық бұзылуы және оның ... орын ... ... - p-i-n ... ... сүлбесі
1- жартылай мөлдір электрод; 2- күшті легирленген n+ қабат; 3- меншікті
өткізгіштігі бар ... ... ... ... 4- ... легирленген
р+ облысы; 5- металл электрод.
2) Меншікті кедергісі жоғары жартылайөткізгіштерде болатын бұзылудың
тағы бір түрі – ... ... оның ... ... ... көшкіндік өсуінен құралады. Аталмыш заряд тасымалдаушылар кристалл
торының ... ... ... ... салдарынан артады. көшкіндік
бұзылудың дамуы үшін екі шарт орындалуы ... ... ішкі ... ... ... p-n өткелінің
кедейленген облысының қалыңдығы негізгі емес заряд тасымалдаушылардың ... ... ... асып ... ... ... емес ... арқылы жинақталатын энергия
жартылайөткізгіштік материалдың валенттік электрондарын қоздыру ... ... ... яғни ... ... ... ... болуы керек:
, мұндағы – жартылайөткізгіштің рұқсат ... ... ... екі шарт ... кезде заряд тасымалдаушылар жаңа электронды-
кемтікті қосақтарды тудырып, электр өрісі ... өз ... ... ... ... жартылайөткізгіш материалдың меншікт
кедергісімен қатынасы артқылы ... ... үшін , а
. ... 0,5 ... ... ... ... бұзылу кернеуі
Зенер бұзылуынан кем болады, сондықтан көшкіндік бұзылу зенерлік бұзылудан
ерте басталады.
Көшкіндік фотодиодтардың токтың көбейту коэффициенті берілген ... ... ... ... үшін оның мәні ... ал ... үшін ... мәніне жетеді. Көшкіндік фотодиодтар үшін кең p-n
өткел немесе p-i-n ... не ... ... ... ... ... ... ауданы 2(10-5 см2 және кері кернеуі 8…15 В болатын
заманауи кремнилік көшкіндік фотодиодтың спектрлік сезімталдылық ... мкм ... және , мкм; ... ... 1,5 пФ, ... ГГц ... ... диапазонды қалыптастыру үшін қажет. Көлеңкелік ток
10-9 А ... ... ... және оның ... негізі
Фотоэлектрлік эффекті алғаш рет 1887 жылы Г.Герц байқаған болатын.
Жүргізілген зерттеулер ... ... ұшып ... ... ... жарықтың қарқындылығына байланысты болмай, тек ... ғана ... ... ... ... ағыны шағылады, жұтылады немесе жұтылмай өтіп кете ... ... ... ... ... ... ... өсуіне әкелсе, онда ол ... ... Егер ... ... дене ... заряд тасымалының энергетикалық күйі өзгерсе,
онда ол ішкі фотоэффект. Осы ... ... ... ... ... ... қосымша өтімділік фотоөткізгіштік деп, ... ... ... ... эффект деп аталады. ... ... ... акт ... ... ... ... әсерінен зарядтың еркін тасымалының құрылу процесі жарықтың
жұтылу ... ... ... ... Сонымен қатар жұтылған жарық ылғи
фотоэффект тудырмайды.
Жарық жұтылуының бірнеше түрі бар:
а) Меншікті жұтылу. Жұтылудың бұл түрі электрондардың ... ... ... ... ... өтуі кезінде орын алады. Вертикаль өту
кезіндегі тіке өңірдегі жартылай өткізгіштік үшін ... ... ... ... ... ... кем ... керек, яғни h( Eg.
Қатты легирленген n – ... ... үшін ... ... ... (n ... жоғары орналасқан кезде фотоөткізгіштіктің
төменгі шекарасы h( = Eg + (n ... ... ... ... p – ... ... ... валенттік зонаға (p шамасына төмен
орналасқан, сонда h( = Eg + (p.
Фотондардың азғана жоғары энергиясы Eg ... ... ... ... см-1 ... ие болады. Бұл кезде фотогенерирленген ... ... ... теңдей құрылады, егер интерференциялық эффектер жоқ болса.
Фотондардың айтарлықтай жоғары энергиясы Eg кезінде жұтылу коэффициенті
105 - 106 см-1 ... ... ие ... Мұндай жұтылу жарық
жартылайөткізгіштікке келетін жартылайөткізгіштіктің фронталдық бетіне
жақын ... ... ... ... ... жоғарғы бетке өмір сүру уақыты көлемге қарағанда азырақ болады
және тең емес ... ... ... ... ... Осы кезде фототоктың спектрі жоғарғы ... ... ... ... ... бетінің күйін оған
пассивті әсер ету арқылы өзгертуге болады. ... ... ... ... отырған фототок спектрінің сипатын өзгертуге болады.
б) Қоспа жұтылу. Мұндай жұтылу ... ... ... ... ... ... ... мен қосымша
деңгейлер арасында электрондар өтуін тудырады. ... ... ... ... ... деп аталады.
в) Экситондық жұтылу. Жарықтың экситондық жұтылуы кезінде электрлі
нейтралдық құрылым болып табылатын электрон – ... ... ... орын ... ... ... құрылуымен байланысты жарықтың
жұтылуы алғашқыда зарядтың еркін тасымалының пайда болуына әкелмейді. Бірақ
нақты кристалдық құрылымда ... ... ... ... ... ... ... бөлініп ыдырауында айтарлықтай көп
ықтималдыққа ие. Мұндай жағдайда, экситондар ... ... ... еркін тасымалының және ізінше фототоктың пайда ... ... ... ... ... экситондық жұтылу фототоктың қысқа
жолын да анықтайды.
г) Зарядтың ... ... ... ... ... ... жұтылу оның энергиясының өсуімен қабаттаса жүреді. ... ... ... 3 ... ... ... ... өзгермейді. Бірақ заряд тасымалының құбылмалылығы өзгермейді. Жарықтың
зарядтың еркін тасымалымен және кристалдық тормен жұтылу заряд тасымалының
концентрациясының ... ... ... бұл ... ... ... өсуі ... текті эффекттің нәтижесінде өседі, зарядтың
еркін тасымалының ... ... ... арттырады және артынан
өзінің энергиясын қозған заряд тасымалына ... ... ... Фототранзисторлар
Фототранзистор дегеніміз – фотодиод пен транзистордың қасиеттерін
біріктірген, ішкі фотоэффект ... ... ... қабылдағышы. Униполярлы және ... ... ... ... ... МПД-құрылымдар
негізінде жасалынады.
Практикада биполярлық фототранзисторлар кеңінен қолданылады. Биполярлық
фототранзистор дегеніміз – екі p-n ... бар және ... p-n ... ... күшейту құбылысы жүзеге асатын шкі фотоэффект құбылысына
негізделген сәулелену қабылдағышы. ... ... 14 ... ... - ... ... сүлбесі
Мұндай фототранзистор n-типті германий монокристалынан тұрады. оның өзі
базаның рөлін атқарады. Мұнда екі ... p-n ...... ... ... ... ... эффекті үзілген база жұмыс
режимінде жүзеге асырылады, осы кезде эмиттерлік өткелге тура ... ал ... кері ... ... ... үшін ... сигналы ретінде түсетін ... ... ол ... токты басқарады. Фототранзистор жарықталынбаған
кезде ол арқылы эмиттерден инжекцияланған ... емес ... ... ... ток ... Базаның үзілуінің салдарынан
оның мәні аса үлкен болмайды.
Сәулелендіру кезінде ... ... ... эмиттер мен коллекторға
диффузияланады. Коллекторға келген кемтіктер оның тогын ... ... ... ... кері ... ... тудырады, оның
өзі эмиттер-базаның потенциалдық тосқауылын кемітеді. Осы кемтіктер база
облысы арқылы ... ... ... ... және осы ... ... тағы ... Кемтіктер есебінен туатын ток база
маңында көлемдік электр зарядының әсерінен қалыптасып, жарықтың ... ... ... ... ... ток мәнінен асып түседі.
Егер үзілген база режимі қолданылмайтын ... онда ... ... ... ... ... үшін ... күшейтудің арқасында фототранзисторлардың интегралдық
сезімталдылығы фотодиодтармен салыстырғанда жоғары болады және оның ... А/лм ... ... ... ... қолдану үшін арнайы фототиристорлар жасалынады.
Олар екі p-n өткелден тұратын жартылайөткізгіштік p-n-p-n құрылымды береді.
Осы прибор жабық күйден ашық ... ... ... ... ... телескопының ғарыштық жобасы
ХХ-ғасырда астрономдар әлемді зерттеуде көптеген қадамдар жасады. Бұл
зерттеулер ... және ... ... мүмкін емес еді(олар биік
таулардағы ... ... ... ... телескобы
шыққаннан кейін, астрономдар өте ... ... ... ... HST ... жер атмосферасынан тыс орналасқан, жердегі
приборлар тіркей алмайтын объектілерді ... ... HST ... ... ... ... ... диаметрі-2,4 метр(9,4 дюйм). Ол төменгі
орбитаға (610 ... ... 330 ... өлшемі)СПЕЙС ШАТТЛ(SPASE
SHUTTLE)атты америкалық кеменің көмегімен ... ... ... ... ... зерттеу институты(Space Telescope Science Institute-STScI)
Хаббл телескобының көмегімен негізін қалады. STScI-үлкен зерттеу ... ... ... ... жұмысын бақылап отырады,және де ... ... ... ... ... ... көмектеседі.
STScI-ң тапсырмасына,астрономдарды керекті ақпараттар мен бақылауға ... ... етуі ... STSiC ... отырған объектінің
жұмысын жеңілдету үшін,20 миллионнан астам ... ... ... ... ... ... пакетін құрастырды.
Күнделікті STSiC HST бортынан келетін көптеген ақпараттарды қабылдайды,
өңдейді, сонымен қатар ... ... ... STSiC ... зерттеу Университетіне бағынады. Зерттеу институты Балтық
теңізіндегі Холивуд қалашығындағы университетінде орналасқан.
Хабблды кім ... ... ... ... ... кез-келген адам өзінің бақылауын. HST-ң көмегімен жүзеге асыра
алады. HST-ң ... ... ... ... ... ... ... ол ұсыныста бақылауға берілген объект жерден ... ... ... болу ... ... астрономияның түрлі саласына
байланысты STSiC-ң комисиясына беріледі,бірақ шешуші сөзді ... ... ... ғасырдағы компьютерлік бақылаулар. HST-ң көмегімен жүргізілген
бақылаулар өте мұқият қаралу керек және алдын ала жоспарлау қажет,өйткені
барлық ... ... ... ... ... түрде
компьютердің көмегімен жүргізіледі. HST бортындағы барлық командалар
орындалғаннан кейін,телескоп автоматтық ... ... ... жұмыс
жасайды.
Объектіні іздеу,приборларды құрастыру, өзіндік бақылаулар және ... ... ... көмегімен жүзеге асырылады. HST Жердің
маңайында 95 ... бір ... ... ... өте ... ... және тез ... кетеді.
Хаббл телескобының мүмкіндіктері. HST-ң бортында:екі камера, екі
спектрограф, фотометр, астродатчик ... ... ... ... тыс орналасқандықтан, бұл құрылғылар төмендегі мүмкіндіктерге
ие:
1) Объектінің суретін өте ... ... анық ... алуы;
2) Объектіні өте аз жарықталуда табады. Жердегі алып телескоптар,25
жұлдыздық шамадан төмен объектілерді ... ... ал HST ... ... жоғары объектілерді анықтай алады.
3) Объектіні ультракүлгін спектірінің бөлігінде бақылау. Ультракүлгін
диапазон ыстық жұлдыздардың спектірінің ... ... ... ... ультракүлгін сәулелердің көп бөлігін жұтады,сол себепті оны
бақылау ... ... ... HST-ті ... ... спектірдің
бөлігінде бақылай алады)
4) Жарық интенсивтілігінің өзгеруін тез тіркеу.
Құрылғылар және оптикалық ... ... ... ... ... 94,5 дюйм (2,4 ... ... датчиктер 1160 А
15 сурет - Хаббл телескопымен түсірілген ғарыштық суреттер
(ультракүлгін сәулелену) 11000 А ... ... ... ... ... ... ультракүлгін диапозондағы
сәулеленулерді тіркей ... ... ... ... ... ... сәулеленуді тіркей алады.
Ғарыштық телескоп Хабблдың кемшіліктері.
1) HST Жер атмосферасында болып жатқан және ... ... ... оның ... іздеу жүйесі және прибордың сезімталдығы тек
қана ғарыштық объектілерді бақылауға арналған.
2) HST Күн және ... ... ... ... ... ... ... бортындағы құрылғыларды бүлдіріп алмау үшін, Күнге
дейінгі бұрыштық арақашықтық ... болу ... Айға ... ... ... көмегімен ай тұтылуларын да бақылауға болады.
3 ФОТОДИОД ҚҰРЫЛЫМЫНДАҒЫ КРЕМНИЙДІҢ ЕРЕКШЕ ҚАСИЕТТЕРІ
3.1 Нанокристалды кремний
Соңғы кезде кремнилі ... ... ... ... көп ... туып ... Нанокристалды кремний
тиімділігі тиым салынған аумактың енін үлкен жарыктарымен ... ... үшін ... ... ... ... жоғалудың
азаюы, күн элементтерін тасу технолонгиасында осы ... ... ... ... ... ... сипаттамасы осы
көп жақты материал жасау мүмкіндіктері бұл ... күн ... ... ... ... Бұл эффектлер күн элементтерінде
қолдану үшін өте қажет Si-қабықшағынің беттік қабаты сияқты түзіледі.
Нанокристалды кремний 35 ... бері ... ... ... оптикалық қасиеті кристалдық ... ... ... өзгешелікте екені енді ғана ұсынылған. 1990 жылдың соңында
ғылымда жартылай ... ... ... ... ... ... ... бөлме температурасында нанокристалды кремниден жиілігі
қызыл, қызыл-сары фл байқалғаны туралы хабарлады. η –шамасы 1-10% құрады.
Нанокристалды кремний үшін ... ... ... ... ... және тиым ... аймақтың енінің өсуі. Осы
екі ... ... ... ... ... ... құрлымының
өлшемінің аздығынан шығатын кванттық шектік эффектің ... ... ... нанокристалды кремниді алу режимдерін зерттеуге арналған
көптеген мақалалар шықты. Әдебиеттік көрсету бойынша ... ... ... электроттан келетін анодтық топтау ... ал ... ... ... ... болса. Бұл
жаңалықтар ток тығыздығы төмендегі кристалдық ... Jпк ... ... мәні Jпк ... үлкен жағдайда электрлік жылтырату
байқалады. Әдебиеттік көрсету бойынша
Jпк(100)=Ae[-Ea/KT]C3/2 ... НF ... (C) және ... ... ... ... тағы нанокристлды кремнидің құрылу (пайда болу) тоқ тығыздығы
A=3300A/cm2; ... ; ... эв/к; T- ... ... С
- % тегі HF ... ... - ... кремнидің фотолюминесценция спектрі
Толқын ұзындығы, мкм
Электрохиниялы тегістелген кремний кеуегінің диаметрі ондағы ... ... ... ... ... ... ... концентрациясы және түрімен тәуелді.олар кеуек өлшемін анықтайды:
микрокеуек кремний (2-5 нм) ... ... нм) және ... (50 нм ден ... Ең көп ... ... отырған материал,
микрокеуек кремний, оның люминиценсиялық ... үшін ... ... ... байқалады, бірақ таза макрокеуек кремниді р-типті қоспалы
материалдың біртекті легирленуінде ғана ... ... ... ... ... микрокеуек және мезокеуек ... ... ал ... әлсіз легирленген кремний үшін микрокеуек кремний
макрокеуек қабырғаларын жауып тұрады. Ток тығыздығы өскен сайын ... ... ... кремниле бөлшектердің өлшемі азаяды, ... ... орны ... ... ... ток ... өскен
сайын өседі. Жарықтандыру – нанокристалды кремний түзілуі кезіндегі күрделі
параметрлердің бір түрі, ... ол ... ... ... ... ... ары қарай өлшемнің кішіреюі және макрокеуек
кремнидің жоғарғы қабатында оптикалық қасиетінің көп ... ... ... ... ... кезінде кремнилі электрод
жарықтанатын болса,жарықтың жүтылуы қайда болғаны ... ... ... ... ... ... үшін ғана байқалуы мумкін,сондықтан
640-нм ден үлкен толқын ұзындықты жарық үлгінің кеуек қабатында жутылмайды,
750-нм 8 ... ... ... ... ... ... ... пигінің орны 370 ... көп ... көп ... ... ұзындығы жарықтанған кезде анотталған үлгілер үшін
фотолюминесценция ... бір ... көп ... ... ... түзілуінің стандарт әдісінің негізінде нғ ... ... ... с-Si ... ... тегістеу
процесі жатыр.кремнилі электродта оң потенциал болғанда кремниді ... және ... ... ағады(болады). 2-электродты (кетеді)
платиналы пластина ... ... ... ... ... ... ... кезінде кеуек қабаттардің түзілуі болады. Кремнидің кеуек
қабаты ерітетін қышқыл ертінділерінде электрохимиялық ... ... ... 362 нм ... шығару спектрі сынап бағанасынан ультра
күлгін әсері кезінде голъваностатикалық режимдегі деиондалған су және этил
спирті-ертіуші қышқыл ... ... ... ... кремнидің (C-Si) электрлік қасиетінің ... ... ... жартылай өткізгіш болуымен түсіндіріледі.C-Si-
дағы фотолюминиценсиялық ... ... 10-4 -ті ... ... ... ... ... жағдайда кванттық шұңқыр
құралады. Заряд тасмалдаушылар кванттық өлшемділік эффектісінің шығыуынан
меншікті энергияға ие ... ... ... ... нано ... материалдық нанокристалымен салыстырғанда тиым салынған аймақтың енінің
өсуіне әкеледі.
(38)
Мұндағы, h = 1,05·10-34 Дж · с, mn и mp ... мен ... ... ... ... наноқұрылым шұңқыр ені өлшемінің кішіреюі кезінде өткізгіш
аймақтың абсолют ... ... ... ... ... және ... ... айырымы азаяды. Сонымен қатар наноқұрылым үшін
Гейзенбергтің анықталмағандылық қатынасының пайда болуы көрінерлік болады
(39)
Квазимпульстердің сақталу заңы қатаң түрде болмай қалады, бұл ... ... ... арттырады және ФЛ спектрнің ... ... ... ... кванттық шектелу бекітілген электронның
минимум энергиясының өсуі сияқты ұсынылады, ... ... ... оның ... ... ... келетіні ұсынылады, бұл нано өлшемді
құрылымның электрондық қасиеті материалдың көлемдік ... ... ... ... ... ... алдыңғы бөлімдегі диэлектрик
өтімділік мәнін, диспенцериялық тәуелділік және ... ... ... сипаттамалары пайдалана отырып, ҚД өлшемінде шексіздігін
пайымдау алынды. ... ҚД ... ... ... ... ... салыстырған дейін түскен (азайған) ... ҚД- ... және ... ... ... қозғалыс шегінің әсерін есепке
алу қажет. Бұл өлшемді эффект кванттық өлшемді ... ... атқа ие. ... ... ... ... ие ... тұрғандай ҚД өлшемін азайта отырып молекулалық жеке және атомдық
дискретті спектрге ие күйге ... ... егер ... ... КӨЭ ... оңай , нақтылы корпускулалық-толқындық дуализм
туралы жағдайға жүгінсе.
Осыған сәйкес кез-келген қозғалған бөлшек, дербес жағдайда ... бір ... ... ... деп ... ... болып табылады,
(40)
Мұндағы Н =6.67.10 Дж/с Планк тұрақтысы pe ... ... ҚД- лер үшін ( e ... см ... ... өткізгіштерде және жартылай металда( eрда ( e мәні минимал, (~10-5
см)заряд тасушының m* эффективті массасын құраса , онда ҚД шекарасында ... ... ... ... ... ... ... толқынның таралуының қаншалықты шектелуімен тәуелді.төмендегі
жағдайларға бөлеміз:
-Шегі жоқ көэ-да жоқ 3D объектілер бұл қд көлемі.
- бір бағыт бойынша шегі бар ... ... ... деп ... .Бұл жұқа қабыршықтар және қабаттар.
-1D объектлер немесе кванттық типтер немесе сымдар деп ... ... ... 2-бағыт бойынша шектелген. Бұл ҚД бетіндегі атомдық ... ... ... ... объектлер немесе кванттық ... үшін ... ... ... шектелген. Бұл нанокристалдар, аз бөлшектер және
атом кластерлары. 2D обектілігі көэ қарастырайық. ... ... ... ... dc екеуі кванттық шұңқырда орналасқан. Шұңқыр биіктігі
шекіз сондықтан оның қозғалысы кординаттардан шектелген. (9-сурет) ... ... ... өзін ... резанатордағы фотон сияқты
көрсетеді. Резанатордағы мод шарты келесі түрде:
(41)
Мұндағы n=1,2,3... бул жағыдайда ... ... z ... ( 2-ші ... деп ... ...... энергиясының шамасының квантталуы
Бөлшектің кинетикалық энергиясы онда энергияға кванттық өлшемді
қосымшаға арналған ... ... және (42) ... ... саны ... квантталу
деңгейінің нөміріне сәйкес келеді, ал с шамасы өлшемді квантталу энергиясы
деп жиі айтылады. Бір ... ... ... ... ... ... кординатасы(x,y) бойынша шектелмегендіктен,квантты өлшемді қосымша ... ... ... ... :
(43)
Бұған ұқсас келетін энергиясы кванттық ... ... ... Бұл ... ... эффективті массасы теріс деп
қарастыру қажет,сондықтан.нәтижесінде қарастырылып ... ... тиым ... ... ... өсуі ... ... анықталатынын келтірлген массаны кіргізсек ,онда ф
(45)
өрнегін мына түрде жазуға болады.
Бұндағы пумиллер үзік ... ... үшін ... Яғни жағыдай
үшін. Көрніп тұрғандай. Сондықтан, ҚД ... ... ... ... ... мен тиым ... аймақ енісияқты өседі.
Гейзенбергтің анықталмағандық қатынасын пайдалана отырып ұқсас шешімге
келуге ... ... да, ... ... ... ... ... компонентіне сәйкес
келетін анықталмағандық келесі шартты ... ... ... ... үшін мынаны алады:
(47)
Егер КРЭ бірнеше бағтта шектелу нәтижесінде туатын болса,онда әртүрлі
бағыттағы өлшемді квантталу ... ... ... ... үшін ... күніне бұл энергиялар сәйкесінше еселенуі мүмкін
(48)
Мұндағы R- сфера радиусы, бессел функциясынің n-ші түбірі. Алl+1/2
(, ... ... ... (10)өрнегіндегі
L=0,1,2.....параметрлері.Орбиталық квантталу ... ... ... қос
сандартты кванттық жүйенің элементарлық спектірмен беріледі. Оның деңгейін
белгілеу үшін ... ... ... ... ... спектірлер
қолданады.Мысалы: 1s(n=1,L=0), 2s(n=2,L=0), 1p(n=1,L=1) және тағы ... 0D ... ... ... атом деп ... ... өткізгішті термологиясы сақталады,және электрондармен шелектер
үшін өлшемді ... ... ... ... энергетикалық
аралық тиым салынған аймақ деп аталады,оның шамасы тең:
(49)
Мұндағы D=2R-кванттық нүкте диаметрі.
Көз есебіне келтірмек жоғарыдағы ... ... ... ... ... ... да ... тұрақты эффективтік массаға ие екені болжанған,
жалпы айтқанда өте кіші өлшемді ... үшін ... көз ... сәйкес
емес. 2-болжау есеп жүргізу кезінде болады. Берілген ұсыныс ... ... ... үшін ... емес.
3.3 Нанокристалды кремниді алу әдісі
Монкристалл кремнийді анодты электрохимиялық ... оның ... ... жіптерден құралған нанокристалды кремний пайда болады.
Біз нанокристалды кремниді алу үшін, құрамында фторлы сутектік қышқыл және
электрохимиялық улау ... ... ... улау ... ... қоспадағы ертіндіде орындалады. Тоқтың тығыздығы
5-10 мА/см2 аралығында болып, анодтау ... – 30 ... ... Анодтық
улау арнайы құрастырылған фотопластинкалық ... ... ... ... 1 см2 .
18 ... - ... кремний алу және оның құрылғысы
ФЛ-ның өзгеруі КСВУ-23 құрылғысында бөлмелік температурада, сәулелену
қайнарының молекулалық азотта, 337 нм толқын ... ... ... ... ... ... Фотолюминесценцияның барлық үлгілері
үшін максимум найза толқын ұзындығы 610 нм қызыл - қызғылт сары ... ... ... ... ... ... ультракүлгін сауле түскенде
оның бетінен, фотолюминесценция арқылы, қызғылтым сауле шығады. ... ... біз ... ... ультракүлгін сезімділігін
арттыруға қолданамыз.
Біз кремний фотодиодын алып оның беткі SiO2 антишағылыс қабықшасын фтор
қышқылымен ерітіп алып ... Одан ... Si ... бетін
1:1:10 қатынасындағы HCL:H2O2:H2O және NH4OH:H2O2:H2O ерітінділерінде
тазартамыз, сосын ионсыздалған ... ... ... ... n+ ... ... улау, HF ерітіндісіндегі 1:1 ... ... J1=10 ... және ... ток ... ... ... пайда болады.
19 сурет - P-Si фотолюминесценция спектрлік тәуелділіктері
p=:1-2*1015; 2 - 2*1016 ; 3 -
4*1017 см-3
20 сурет -Нанокристалды кремний қондырылған ... ... ... ... және ... жасау үшін, комплексті
байланыс өлшемдерінің әдістерін қолданамыз. Мұндай ... ... беру ... ... ... күн сәулесінің ұқсатқышына немесе вольт-
амперлік мінездеменің табиғи жарықтануына жүгінеді, ... ... ... ... ... анықталады. Бірақта, астрофотометрияға ең
қолайлысы ... және ... ... жинау коэффиценті толқын ұзындығына
қатынасы болып табылады.
Спектірлік мінездеменің нанокристалды кремнидің ... ... ... аймақ ені шығарылған нанокристалды кремнидің қабатымен анықталады.
Анодтаудың екі тәртібі үшін, I1=50 мА нанокристалды кремнидің тиым ... ені ... ал I2=10 мА ... E= 2.36 ... ... ... ықшамдаулар жұмысы жүргізіледі, ол нанокристалды
кремнидің қабатының ені 0,1 мкм болу үшін. ... күн ... ... алдық.
Ұзын толқынды аймақта спектірлік мінездеменің ұлғаюы, ұзын толқынды
фатонның көп бөлігі нанокристалды кремнидің ... ... ... жол перпендикуляр бетпен өтпейді, тек қисайтады.
Нәтижесінде, ұзын толқынды фатондар р-n ауысуына жақын ... ... ... ... толқынды аймақта ұлғаюы,, ... ... ... ... арқылы қызғылтым сәуле шыққаны үшін
пайда болады.. Ал қызғылтым сәулеге кремний ... ... ... ... ... ... ультракульгін саулеге сезімділігі
жоғарлайды.
21 сурет - ... ... ... ... фотодиодтың
сезімділік спектрі
Толқын ұзындығы, мкм
Қорытынды
Жасалынған жұмыстың нәтижесінен мынадай қорытындылар ... ... ... біз ... ... ... ... алдық.
Нанокристалды кремнидің бетіне ультракүлгін сәуле ... ... ... ... зерттеп, оның қызғылтым екенін
байқадық.
Қызғылтым сәулеге кремний ... ... ... болғандықтан,
біз нанокристалды кремниді ультракүлгін сәулені сезетін фотодиод жасауға
қолдандық. Нанокристалды ... ... ... ... ... ... ... көрсеттік.
Нәтижесінде, ұзын толқынды фатондар р-n ауысуына жақын ... ... ... ... ... ... ұлғаюы,, қысқа
толқынды фатондардың қайта сәулелену арқылы қызғылтым ... ... ... ... Ал қызғылтым сәулеге кремний фотодиодтың сезімділігі өте
жоғары болғандықтан, қысқа ... ... ... ... ... ... алып оның беткі SiO2 антишағылыс қабықшасын фтор
қышқылымен ерітіп алып тастаймыз. Одан ... Si ... ... ... ... және ... ... сосын ионсыздалған ағыста шайып, кептіреміз. Нанокристалды
кремний n+ қабатта анодтық ... HF ... 1:1 ... ... J1=10 ... және ... ток ... 100
секунд диапозонда пайда болады.
ҚОЛДАНЫЛҒАН ӘДЕБИЕТТЕР
1. А.В.Миронов. «Основы астрофотометрии». МГУ, 2003 г., 297 ... PIN ... Vishay с ... чувствительностью в УФ-диапазоне.
http://www.symmetron.ru/news/vishay-TEMD5080X01.shtml
3. Аморфные полупроводники и приборы на их ... Под ред. ... ... 1986, 320 с.
4. А.Меден, М.Шо. Физика и ... ... ... ... 512 ... Аморфные кремний и родственные материалы. Под ред. Х.Фрицше, М.,
“Мир“,1991, 472 ... Quchi H., Mukai T., Kaamei T., Okamura M. Foto diodes ... ... ... // IEEE.. 1979.. Vol. ED-26, N 12.. P. 1965 .1969.
7. ... J., Booker R. L. ... of native oxide ... photodiodes by repeated oxide bias
8. // J. Appl. Phys.. 1984.. Vol. 55, N 2.. P. 406.412.
9. ... ... ... для ... ... ... ... 245 с.
10. М.Бродски “Аморфные полупроводники”, М., “Мир”, 1982, 315 ... ... ... и техники. Серия Электроника, т.16, Москва, 1984. Раков
А.В. ... ... ... ... ... ... 1975, 156 ... Дж.Джоунопулос,Дж.Люковский. Физика гидрогенизированного ... ... и ... ... М., Мир. 1988, ... ... ... Физика гидрогенизированного кремния.
Том.1. Структура, приготовление и приборы. М., Мир. 1988, 286 с.
14. Method of making ... ... US Patent 5 627 ... ... ... et al. Rockwell ... IR sensor with enhanced electrical interference protection. US Patent
6, 765, 209. Опубл. July 20, 2004 ... , et al., Melexis ... ... infrared sensor, ... infrared sensors array, ... of ... the same. US Patent 6, 335, 478. ... Jan
1, 2002 (Chou, et al.).
17. Integrated thermopile sensor for automotive, spectroscopic and
imaging applications, and methods of fabricating same. US Patent ... 087. ... Nov 18, 1997 (Jack, Santa Barbara Research ... Heat sink for silicon ... US Patent 6, 987, 223. ... Jan
17, 2006 (Schneider, Delphi Technologies, Inc.).
19. Tunable optical instruments. US Patent 7, 002, 697. ... ... et al. Aegis ... ... Image ... in far infrared camera. US Patent 6, 759, ... July 6, 2004 (Miyahara, Visteon Global Technologies, Inc.).
21. Alternative pixel shapes for uncooled ... US Patent ... 213. ... Oct. 18, 2005 ... The United States ... as represented by the Secretary of the Army).
22. Multispectral multipolarization antenna-coupled infrared focal ... US Patent 7, 095, 027. ... ... (Boreman, University
of Central Florida Research Foundation, Inc., Raytheon Missile
Systems).
23. Microbolometer focal plane array with temperature ... ... Patent 7, 105, 818. ... Sept. 12, 2006 ... et ... ... ... Adaptively reducing offset in a thermal imaging camera. US Patent ... 788. ... ... (Owen, et al. L-3 ... Uniform, ... and ... accurate calibration of
infrared focal plane arrays using global scene motion. US Patent 7,
132, 648. Опубл. 7.11.2006 (Ratiff, et ... & ... ... ... 900 ... =SiO2 + ... + n-SiSiOx =SiO2 + ... =SiO2 + n-Si
SiOx =SiO2 + n-Si
SiOx =SiO2 + n-Si
SiOx =SiO2 + n-Si
x =SiO2 + ... ... .

Пән: Физика
Жұмыс түрі: Дипломдық жұмыс
Көлемі: 49 бет
Бұл жұмыстың бағасы: 1 300 теңге









Ұқсас жұмыстар
Тақырыб Бет саны
«Нанокеуектікремнийдің тунелді өткелінен құралған шалғай - барьерлік sno2/n-si күн элементін зерттеу»54 бет
Спектралды тығыздайтын оптикалық мультиплексордың құрылысын есептеу38 бет
Жарық сәуле шығаратын құрылым – ғылыми прогресс. Нанокомпозиттерді алу және зерттеу әдістері57 бет
Микроэлектрониканың негізгі элементі - кремний. Зерттеу әдістері мен нәтижелері40 бет
"Өндірістік цех ауданын есептеу"14 бет
Cu, Pb, Ni, Cr ауыр металдарының күріш алқаптарындағы топырақтардағы сандық және сапалық құбылымдары (Қызылорда облысы, Шиелі ауданының мысалында)30 бет
Statistic analytic system (SAS) бағдарламалық өнімін қолдана отырып әр бақылау бекетіндегі уақыттың әр түрлі кезеңіндегі (тәулік, ай, жыл), қала кескініндегі (ауданында) атмосфералық ауаны ластайтын заттардың орта шоғырын есептеу бойынша бағдарламалық қамтама өңдеу43 бет
«Ақмола облысы Шортанды ауданының жер учаскесінің кадастрлық құнын анықтау»41 бет
«Батыс-2» шағын ауданындағы бу қазандығының автоматтандыру жүйесін жобалау24 бет
«батыс-2» шағын ауданындағы бу қазандығының автоматтандыру жүйесін жобалау туралы37 бет


+ тегін презентациялар
Пәндер
Көмек / Помощь
Арайлым
Біз міндетті түрде жауап береміз!
Мы обязательно ответим!
Жіберу / Отправить


Зарабатывайте вместе с нами

Рахмет!
Хабарлама жіберілді. / Сообщение отправлено.

Сіз үшін аптасына 5 күн жұмыс істейміз.
Жұмыс уақыты 09:00 - 18:00

Мы работаем для Вас 5 дней в неделю.
Время работы 09:00 - 18:00

Email: info@stud.kz

Phone: 777 614 50 20
Жабу / Закрыть

Көмек / Помощь