Қатты денелердің беттік қасиеттеріне ультракүлгін және иондайтын сәулеленудің әсері

1. ҚАТТЫ ДЕНЕЛЕРДІҢ БЕТТІК ҚАСИЕТТЕРІНЕ УЛЬТРАКҮЛГІН ЖӘНЕ ИОНДАЙТЫН СӘУЛЕЛЕНУДІҢ ӘСЕРІ
1.1 Тотықтың беттік қасиеттеріне сәулеленудің әсері
1.2 Адсорбенттердің беттік қасиеттеріне иондайтын сәулеленудің әрекеті
1.3 SiO2 гидроқышқылды жамылғысы

2. СЫНАҚ ӘДІСІ
2.1 Зерттеу нысандары
2.2 Вакуумдық.сынақ құрылғылары
2.3 Сәулеленудің көздері мен техникасы

3. ТОТЫҚТАРДЫҢ ҮСТІҢГІ ҚАБАТЫНДАҒЫ ГАММА АДСОРБЦИЯЛЫҚ ҮРДІСТЕР
3.1. g сәулесінің SiO2 гидроксилді жамылғыларына тигізетін әсерлері

4. ЕҢБЕК ҚОРҒАУ

5. СӘУЛЕЛЕНДІРІЛГЕН КРЕМНИЙ ҚОСТОТЫҒЫН АЛУДЫҢ ТЕХНОЛОГИЯЛЫҚ ҮРДІСІНЕ ЖОБАНЫ ДАЙЫНДАУ МЕН ЕНГІЗУДІҢ ШЫҒЫНДАРЫН ЕСЕПТЕУ

ҚОРЫТЫНДЫ

ӘДЕБИЕТТЕР ТІЗІМІ
КІРІСПЕ
Қазіргі кезде иондайтын сәулеленудің әсерін зерттеуге және металл тотықтарының негізіндегі материалдардың технологиялық қасиеттеріне қатысты мәселелерге үлкен қызығушылық туындап отыр. Бұл түрлі тотығу жүйелері ортамен сәулеленудің жоғары температурасының әсеріне төзімді қатты денелердің негізін құрайтындығына байланысты. Оның үстіне түрлі керамикалық жүйелер мен ұнтақ металлургиясының технологиясы бойынша алынған жамылғылар 21 ғасырдың келешігі бар материалдар ретінде айтылуда. Міне сондықтан да осы жүйелерге деген қызығушылық кездейсоқ жағдай емес және бәрінен де бұрын олардың іс жүзіндегі мәнісі тұрғысынан да айқындалады. Осыған байланысты дамыған беті (керамика, шашылу материалдары) бар жүйелерді зерттеген кезде, көбінесе зерттеушілердің алдында үлкен көлемде беткейіндегі ақаулықтарды бөлу мәселесі тұрады. Қатты денелердің беттерін жетілдірудің тиімді тәсілдерінің бірі иондайтын сәулелену болып табылады. Бұл бәрінен бұрын қатты денелердің адсорбциондық, каталитистикалық және эмиссиялық сипаттарының өзгерісінде байқалады. Сәулелену радиациялық ақауларын тудырады, адсорбциялық сыйымдылықты, каталитикалық белсенділігін қарқынды түрде ұлғаюына жауапты жаңа орталықтардың пайда болуына жағдай жасайды, адсорбенттер мен катализаторлардың сұрыптылығының өзгеруін жүзеге асырады. Әсіресе бұл әрекет тотықты жартылай өткізгішті және диэлектрлік материалдарға әсер етеді, бұлар үшін әдеттегі термикалық құбылыстарды бірқатар ретке ұлғайтатын радиациялық-активтенген әсерлер белгілі[18].
Қатты дененің физикасы, физикалық химия, бет физикасы мен химиясы, радиациялық физика, радиациялық материалдарды тану тәрізді ғылымдардың тоғысында жатқан ғылыми бағыт соңғы кездері ғылымның келешегі бар, көп нәрсені ұсынатын ғылымның бірі болып келе жатыр. 1959 жылдан бастап радиацияның тотықты диэлектрлік және SiO2, Al2O3, BeO тәрізді жартылай өткізгішті адсорбенттердің қасиеттерінің ықпалына арналған жұмыстардың үлкен бір легі пайда болды [19]. Дегенмен бұл зерттеулер әрдайым тұтастай әрі логикалық қорытынды үлгіні қалыптастырған емес, оның үстіне түрлі зерттеушілердің нәтижелері қарама-қарсы сипатқа ие болды. Сондықтан да жүргізіліп отырған жұмыстың мақсаты бұрындары қарастырылған мәселелерді зерттеу ғана емес, сондай-ақ зерттеудің қазіргі әдістерімен алынған сынақ мәліметтерінің негізінде белгілі нәтижелерді жүйеге келтіру болып табылады.

Жұмыстың мақсаты - Электронды және кристалдық құрылымдармен ерекшеленетін тотықтардың бетінде иондайтын сәулеленудің (гамма-сәулелену) әсері кезінде қалыптасқан адсорбцияның белсенді орталықтарын сынақ түрінде зерттеу мен анықтау болып табылады. Алға қойылған мақсатқа жету үшін мынадай міндеттерді шешу қажет:
а) Алдын ала газ-қатты дене жүйесінің біріккен сәулеленуі жағдайларында сенімді сынақ нәтижелерін алуды қамтамасыз етуші вакуумды-сынақ құрылғыларының кешенін әзірлеу мен дайындау.
б) Температура мен қысымдардың кең ауқымды интервалында алдын ала өңдеудің температурасына байланысты беткей қалпының өзгеріс рөлін айқындау, адсорбирленген су мен гидроксилді топтардың мазмұны мен құрылымын, құрылым мен аралас құрамдық тотықтардың адсорбциондық белсенділігіне ықпалын анықтау.
в) Сәулеленудің әртүрлерінің әсерлері кезіндегі тотықтардың беттеріндегі адсорбцияның белсенді орталықтары мен жинақталу үрдістерінің кинетикалық және термодинамикалық көрсеткіштерін анықтау және олардың ықпалдарына салыстырмалы талдау жасау.
г) Парамагнитті орталықтардың табиғатын анықтау және де сәулеленген тотықтардың беттеріндегі адсорбцияның донорлық-акцептрлік белсенді орталықтарын қалыптастырудағы олардың рөлін анықтау.
д) Әртүрлі электронды және кристалдық қасиеттері бар молекулаларға арналған тотықтардың бетіндегі радиациялық бейімделгін адсорбцияның механизімін жасау.
ӘДЕБИЕТТЕР ТІЗІМІ

1. Абляев Ш.А., Стародубцев С.В., Ерматов С.Е. Изменение адсорбционных свойств силикагеля под действием гамма-лучей. - Докл. АН СССР.: Т.129, 1959- 72 с.
2. Абляев Ш.А., Стародубцев С.В., Ерматов С.Е. Изменение адсорбционных свойств пористых тел под действием гамма-облучения. - Ташкент: Фан, Т.1, 1961- 174 с.
3. Аксенова Т.И., Ерматов С.Е., Тусеев Т. Исследование центров фотосорбции на SiO2 методом ИК-спектроскопии. – Алма-Ата: 1979- 190с.
4. Бобышев А.Н., Радциг В.А. Свободно-радикальные центры заданной структуры на поверхности диоксида кремния. - Кинетика и катализ: Т.31.1978- 925-930 с.
5. Волков А.В., Киселев А.В., Лыгин В.И. Исследование дегидрокслирования и спекания силикагелей методом ИК- спектроскопии. - Коллойд. журн: Т.41, 1979- 323 с.
6. Данчевская М.Н., Крейсберг В.А., Ракчеев В.А. Механизм воздействия поверхностно- активных веществ на процесс структурирования кремнезема. - Журн. физ. хим.: Т.62, №1, 1988- 122-127 с.
7. Данчевская М.Н., Овчинникова О.Т. Спектры ЭПР облученных гамма-лучами кремнезема. - Журн. физ. хим.: Т.62, №1, 1988-128-132 с.
8. Ерматов С.Е., Жуков Е.И., Тусеев Т. Изучение адсорбции водорода при облучении окислов кремнтя, алюминия, бериллия тяжелыми заряженными частицами. - Ташкент: Фан, 1974-84 с.
9. Ерматов С.Е. Исследование поверхностных свойств и природы центров адсорбции облученного кремнезема. – М.: 1972-42 с.
10. Ерматов С.Е., Жуков Е.И. Метод исследования адсорбции газа в двуокиси кремния при облучении заряженными частицами. - Изв. АН КазССР.: 1973-80с.
11. Ерматов С.Е., Тусеев Т., Сидоров Н.А. Масс-спектрометрические исследования процессов фотосорбции в системе SiO2.- Изв. АН КазССР.: 1975-12 с.
12. Ерматов С.Е., Тусеев Т. Температурная зависимость γ-адсорбционного эффекта на окисных адсорбентах. – М.: Наука, 1975-33 с.
13. Ерматов С.Е., Тусеев Т. Зависимость γ-адсорбционного эффекта от температуры предварительной тренировки двуокиси кремния. – Тащкент: Фан, 1974-67 с.
14. Ерматов С.Е., Тусеев Т. О роли гидроксильного покрова двуокиси кремния в фотосорбции кислорода. // Изв. АН КазССР, 1975-82 с.
15. Ерматов С.Е., Тусеев Т., Вахабов М. Радиационно-стимулированная адсорбция на поверхности SiO2 и BeO. – Ташкент: Фан, 1985-65-71 с.
16. Ерматов С.Е., Тусеев Т. Поверхностные радиационные эффекты на SiO2 и BeO. – Караганда: 1986- 72 с.
17. Ерматов С.Е., Тусеев Т., Вахабов М. Радиационные центры адсорбции на SiO2. - Изв. АН УзССР.: №1, 1990- 21-24 с.
18. Киселев В.Ф. Поверхные явления в полупроводниках и диэлектриках. – М.: Наука, 1974- 299 с.
19. Киселев В.Ф., Крылов О.В. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков. – М.: Наука, 1976- 250 с.
20. Киселев В.Ф., Лыгин В.Н. ИК-спектры поверхностных соединений и адсорбированных молекул.- М.: Наука, 1972- 460 с.
21. Квливидзе В.И., Киселев В.Ф. Исследование состояния поверхности методом ЯМР.- М.: Наука, 1968- 302 с.
22. Кольцов С.И., Алесковский В.Б. Силикагель, его строение и химические свойства. – Л.: Наука, 1963- 96 с.
23. Киселев В.Ф., Лыгин В.И., Щепалин К.Л. Исследование химических свойств дегидроксилированной поверхности кремнезема методом ИК-спектроскопии.- М.: Наука, 1986- 1701-1706 с.
24. Кошеров Т.С. Исследование природы радиационных центров и механизма адсорбции газов на окисных адсорбентах спектрометрическим методом.- Алма-Ата: 1974- 21 с.
25. Крутоверцев С.А., Меньшиков С.Д., Сироткин С.И. и др. Влияние термообработки на состояние легирующих добавок в сорбционных пленках оксида кремния. – М.: Наука, 1990- 1642-1645 с.
26. Коротков Ф.П., Холмогоров В.Е. Фотосенсиблизированное разложение воды на поверхности силикагеля. – Новосибирск: Наука, 1974- 96 с.
27. Любимова О.И., Котов А.Г. Поверхностные центры γ-облученных силикагелей. Исследование методом ЭПР влияния адсорбции водорода и окиси азота. – М.: Химия выс. энергия, 1970-72 с.
28. Радциг А.А., Бобышев А.А. и др. Силадиоксирановые группировки на поверхности SiO2 .- Кинетика и катализ: Т.30, 1989- 1334-1342 с.
29. Покровский В.А., Морозов А.В. и др. Изучение активных центров поверхности тонких пленок диоксида кремния методом масс-спектрометрии вторичных ионов. – Журн. физ. хим.: Т.63, 1989- 3370-3373 с.
30. Солоницын Ю.П. Фотосорбционные процессы на оксидных адсорбентах. – М.: Наука, 1966- 435 с .
31. Тагиева М.М., Киселев В.Ф. Исследование воздействия излучения на свойства поверхности кремнезема. – М.: Наука, 1961-1381 с.
32. Теренин А.Н. ИК-спектры поверхностных соединении на силикатных соединениях. – М.: МГУ, 1957- 206 с.
33. Тусеев Т. Т. Влияние облучения на поверхностные свойства некоторых окислов. – Туркестан: 1992- 69 с.
34. Тусеев Т. Т. О кинетике фотоадсорбции на SiO2.- Туркестан: 1994-164 с.
        
        1. ҚАТТЫ ДЕНЕЛЕРДІҢ БЕТТІК  ҚАСИЕТТЕРІНЕ УЛЬТРАКҮЛГІН ЖӘНЕ ИОНДАЙТЫН
СӘУЛЕЛЕНУДІҢ ӘСЕРІ
1.1 Тотықтың беттік қасиеттеріне сәулеленудің әсері
1.2 Адсорбенттердің беттік ... ... ... ... SiO2 ... ... ... ӘДІСІ
2.1 Зерттеу нысандары
2.2 Вакуумдық-сынақ құрылғылары
2.3 Сәулеленудің көздері мен техникасы
3. ТОТЫҚТАРДЫҢ ҮСТІҢГІ ҚАБАТЫНДАҒЫ ГАММА АДСОРБЦИЯЛЫҚ ... ( ... SiO2 ... ... тигізетін әсерлері
4. ЕҢБЕК ҚОРҒАУ
5. СӘУЛЕЛЕНДІРІЛГЕН КРЕМНИЙ ҚОСТОТЫҒЫН АЛУДЫҢ ТЕХНОЛОГИЯЛЫҚ ҮРДІСІНЕ ЖОБАНЫ
ДАЙЫНДАУ МЕН ЕНГІЗУДІҢ ШЫҒЫНДАРЫН ЕСЕПТЕУ
ҚОРЫТЫНДЫ
ӘДЕБИЕТТЕР ТІЗІМІ
КІРІСПЕ
Қазіргі кезде ... ... ... ... және ... негізіндегі материалдардың технологиялық қасиеттеріне қатысты
мәселелерге үлкен қызығушылық туындап отыр. Бұл түрлі ... ... ... ... ... ... төзімді қатты
денелердің негізін құрайтындығына байланысты. Оның үстіне түрлі керамикалық
жүйелер мен ұнтақ металлургиясының технологиясы бойынша ... ... ... ... бар ... ... ... Міне сондықтан да
осы жүйелерге ... ... ... ... емес және ... де ... іс ... мәнісі тұрғысынан да айқындалады. ... ... беті ... ... ... бар жүйелерді зерттеген кезде,
көбінесе зерттеушілердің алдында үлкен көлемде ... ... ... тұрады. Қатты денелердің беттерін жетілдірудің тиімді
тәсілдерінің бірі иондайтын сәулелену болып ... Бұл ... ... денелердің адсорбциондық, каталитистикалық және ... ... ... Сәулелену радиациялық ақауларын
тудырады, адсорбциялық сыйымдылықты, каталитикалық ... ... ... ... жаңа ... ... болуына жағдай жасайды,
адсорбенттер мен катализаторлардың сұрыптылығының өзгеруін жүзеге асырады.
Әсіресе бұл әрекет ... ... ... және ... әсер ... бұлар үшін әдеттегі термикалық құбылыстарды
бірқатар ретке ұлғайтатын радиациялық-активтенген әсерлер белгілі[18].
Қатты дененің ... ... ... бет ... мен ... ... радиациялық материалдарды тану тәрізді ғылымдардың
тоғысында жатқан ғылыми бағыт соңғы кездері ... ... бар, ... ... ... бірі ... келе жатыр. 1959 жылдан бастап
радиацияның тотықты диэлектрлік және SiO2, Al2O3, BeO ... ... ... ... ықпалына арналған жұмыстардың
үлкен бір легі пайда болды [19]. Дегенмен бұл зерттеулер әрдайым тұтастай
әрі ... ... ... ... емес, оның үстіне түрлі
зерттеушілердің нәтижелері қарама-қарсы сипатқа ие болды. Сондықтан ... ... ... ... ... қарастырылған мәселелерді
зерттеу ғана емес, сондай-ақ зерттеудің қазіргі әдістерімен алынған сынақ
мәліметтерінің негізінде белгілі нәтижелерді жүйеге келтіру ... ... ... - ... және ... ... ... бетінде иондайтын сәулеленудің (гамма-сәулелену) әсері кезінде
қалыптасқан адсорбцияның белсенді орталықтарын ... ... ... ... ... табылады. Алға қойылған мақсатқа жету үшін ... шешу ... ... ала ... дене жүйесінің біріккен ... ... ... ... ... ... етуші вакуумды-
сынақ құрылғыларының кешенін әзірлеу мен дайындау.
б) Температура мен қысымдардың кең ... ... ... ... ... байланысты беткей қалпының өзгеріс рөлін айқындау,
адсорбирленген су мен гидроксилді топтардың мазмұны мен құрылымын, құрылым
мен аралас ... ... ... ... ... Сәулеленудің әртүрлерінің әсерлері кезіндегі тотықтардың
беттеріндегі адсорбцияның ... ... мен ... ... және ... ... ... және олардың
ықпалдарына салыстырмалы талдау жасау.
г) Парамагнитті орталықтардың ... ... және де ... ... ... ... белсенді
орталықтарын қалыптастырудағы олардың рөлін анықтау.
д) ... ... және ... ... бар молекулаларға
арналған тотықтардың бетіндегі радиациялық бейімделгін адсорбцияның
механизімін жасау.
1. ҚАТТЫ ... ... ... ЖӘНЕ ИОНДАЙТЫН СӘУЛЕЛЕНУДІҢ
ӘСЕРІ
1.1 Тотықтың беттік қасиеттеріне сәулеленудің әсері
Жарықтандырудың ықпалымен ... ... ... өзгерісімен байланыстыруға болатын ... ... ... ... ... фотосорбциялық зерттеуді отызыншы
жылдары А.Н.Теренин бастаған. Сәуленің ... дене ... ... ... қарастыра отырып, А.Н.Теренин осы өзара қарым-қатынас
кезінде сәуленің газдардың бейімделген десорбциясы немесе адсорбциясы ... ... ... ... ... ... және
адсорбенттің фотохимиялық ыдырауы. Осы құбылыстардың бәрі де сынақ ... ... ... ... ал оның ... оның ... ... талқыланады. Шетелдік авторлардың
фотосорбциялық үрдістері бойынша мағлұматтар да бар.
Терениннің ... ... ... ... ... ... ... табылады. Манометрикалыққа қосымша ... ... және ЭПР ... де ... жағдайларда адсорбенттердің электрөткізгіштігі де өлшенді.
Сынаққа үлгілерді дайындау ең кем ... ... ... ... ... ... ... көп сағатты қыздыруынан тұрады.
Қысымды өлшеу үшін Пиранидің манометрі пайдаланылды[32].
Фотосорбциондық ... ... ... ... ... ... көзі ретінде сынапты кварцті ... ... ... пайдаланылды.
Адсорбаттар ретінде жай газдар, ал фотосорбциондық зерттеулерде
негізінен оттегі, сутегі, ... ал ... ... ... су, шала ... ... ... қостотығында көміртегінің фотосорбциясы алғаш рет
[30,34] табылды. Оттегінің фотосорбциясы тек 250 нм ... ... ... ... сәулеленуі кезінде ғана болады және
температураның жоғарылауына қарай төмендеп ... ... ... ... ... ... ... пайда
болатын еркін радикалдар болып табылады. Сутегінің, метанның, сондай-ақ
судың және аммиактың фотосорбциясын табу бойынша ... ... ... ... ... ... ... айтқандай, осы құбылыстар
спектрдың анағұрлым қысқа толқынды аймағында орын алады [30].
Келесі жұмыста көрсетілгеніндей ... ... ... мен дейтериясы 77 К кезіндегі УК-
сәулесімен сәулеленгенде ... ... ... [1,27]. ЭПР ... ... ... ... айтуынша силикагельдің жұтатын
энергиялардың берілуі силикагелдердегі бар қоспалармен берілетін торлардың
ақауларында ... Осы ... ... таза ... ... ... ең кем ... 10%, сутегенің атомдары қалыптаспайды, сонымен қатар
бір мезгілде сутегі атмосферасындағы 77К кезінде ... ... ... (1-2% ... және КСК ... ... ... ЭПР қарқынды дабылдары байқалады. Келесі бір еңбектерде
авторлар фотодиссоциацияға жауапты өтпелі металлдардың ... ... ... алды [26,27]. ... ... ... –гі ... темірдің иондары. Co2+ және V2O5 0,4-0,5% ... SiO2 ... ... ... авторлаp мынаны тапты: сұйық
азот температурасы кезінде сутегінің фотосорбциясы орын ... ... ... ... ... ... ... болады, бұл торлы
оттегімен немесе қоспа металдарының атомдарымен өзге де ... ... ... ... ... ... ... ала
отырып, жағдай жасауға болады, мұнда сенсибилизаторды қамтымайтын қатты
дененің бетінде жүретін реакциялар болуы мүмкін[26].
SiO2 ... ... ... ... ... ... мен оттегінің бөлінуі байқалды, бұлар сұйық азоттың температурасына
дейін суыған кезде күшейе түседі. Су фотодиссоциациясы судың диссоциативті
үштік ... бар ... ... өтуі нәтижесінде жүреді
[26].
Сәулелену барысында сутегі атомдарының жинақталу кинетикасын зерттеу
фотосентрибилизирленген диссоциация Н2(Д2) ... ... ... ... ... ... ... жүзеге асуына қажетті сәуле квантының ең аз дегендегі
энергиясын бағалау оның SiO2 –гі ... ... ... ... ... Co2+ және Ni2+ ... Н(Д) ... (=360 нм
(Е=3,4эВ) бар сәуленің әсерінен қалыптасады, ал Cr3+ және Fe3+ ... ... ... ... ... фотосенсибилизирленген
диссоциациясы орын алған кездегі пайда болған энергия еркін қалыптағы Н2
диссоциациясының ... ... ... 4,5эВ ... және де ... ... ... кеңдігі ~ 10 эВ-ке тең [26].
Алдын ала өңдеу температурасынан сәулелену ... ... ... айта ... ... ... 200-ден 800 (С-қа
дейінгі алдын ала вакуумделген температурасын ұлғайта отырып, ЭПР әдісімен
тіркелген сутегінің ... ... ... ... ... десе ... Бұл жайтты авторлар темірдің қоспа ионының валентті қалпының
өзгерумін түсіндіреді ... ... ... адсорбенттерге тән
фотосорбциялардың негізгі заңдылықтары ... ... ... ... ... ... ... кезіндегі адсорбенттер
қабілетінің регенерацияға қанықтығы, өзінің жұтылу жолақтарынан тыс ... ... ... әсері».
1.2 Адсорбенттердің беттік қасиеттеріне иондайтын
сәулеленудің әрекеті
SiO2 (силикагель) адсорбционды қасиеттеріне гамма-сәулесінің
әсеріне арналған ... ... ... ... болып табылады. Осы
еңбектерде алғаш рет сутегіге, оттегіге және өзге газдардың бір ... SiO2 ... ... ... ... табылды.
Ары қарай С.В.Стародубцев қызметкерлерінің еңбегінде целолиттер мен
алюмосиликаттарының да газдардың ... бір ... ... бар ... ... жасайтын төменгі температуралы плазманың әрекетін зерттегенде
үстіңгі қабаты жақсы дамыған ... биік шама ... ... ... ... және ... ... де [10].
Осы еңбектерде зерттеудің негізгі тәсілі жабық жүйедегі қысымның
түсуін өлшеу, ... ... ... және ... ... ... ... табылды. Мынадай жайттар ... ... ... ... ... ... газдар және өзге де қасиеттер өзге заттар үшін де ... ... пен ... ... SiO2 ... ... аэросил мен кварц әсерін зерттеді [31]. Сәулеленудің ~106 ... SiO2 ... бет жағы ... ... ... ... су буына қатысты үлес қабілетінің төмендейтіндігі байқалады.
Шынында да, ЭПР спектрлеріндегі 77К кезіндегі SiO2 сәулеленуінде Н
атомдарының ... осы ... ... ... ... ... тәсілін зерттеушілер SiO2-ғы әртүрлі ... ... ... үшін және де ... ... қалыптасқан
беттік ақаулардың табиғатын зерттеу үшін қолданды.
Гамма-сәулесімен сәулеленгенде ЭПР спектрінде күрделі бес құрамды
немесе үш ... ... ... болады. Сұйық азоттың температурасы
кезіндегі сәулеленуде SiO2-үстіңгі қабатында тұрақтанған сутегі ... ... да ... ... ... SiO-Н ... үзілуі
нәтижесінде немесе тотықтың бетіндегі адсорбирленген судың ... ... ... ... SiO2-мен сәулеленген ЭПР спектрі бірқатар деңгейде
анықталған десе де болғандай. Сонымен ΔН = 5гс және g = 2.0020 бар ... SiO ... ... ... ал ΔН = 44гс бар ... ... топтарының радиолизінің нәтижесінде қалыптасқан Si-Н радикалына жатады.
Бұл туралы дублеттің асимметриялық сызығына айналуы куәлік ... ... ... ... ... тоттыққа тән нәрсе. ΔН = 120 гс бар
дублет Si0(Si)= электронды радикалдармен ... ... ... ... нәтижелері болып табылады. Екінші жағынан ... ... ... ... ... қоса ... ... орнықтырылған дұрыс саңылауларға жазылды, көбінесе алюминийдің
атомдарына.
Адсорбирленген ... ... ... ЭПР спектріне
әсері зерттелді [27]. Осы еңбектерде Si және Si0 ... ... ... ... ... қабілеті бар, оның
үстіне ол тотықтарды алдын ала ... ... ... ... адсорбирленген заттардың сұрыпына, сондай ақ реакция жүргізілетін
температураға байланысты. 1000ºС-қа дейінгі ... ... ... ... ... ... тұрғыдан белсенді болып
табылады.
SiO2–гі адсорбцияның аралас орталықтары туралы ... ... ... және ... ... ... ... құрамында
қамтитын SiO2 сәулеленген спектрлерінің ЭПР салыстырмалы ... ... ... ... келді: ЭПР спектріндегі құрамдас
бөлшектердің бірі SiO2 ... ... ... ол оттегінің атомында
орналасқан, алюминий атомымен көршілес және ол ... ... ... ... ... да ... ... сутегіге қарағанда адсорбциалық қабілеті мен ... ... ... ... ... Бұл ... алдын ала термоөңдеудің және сәулелену дозасының ... ... және ... ... әсері
зерттеледі. Сәулеленудің дозасын ... ... ... ... саны ... ... ал (20 Мрад ... қанығуға қарай бет алады. 200-ден 400ºС-қа ... ... ... сонымен қатар парамагниттік ортылықтар санының 2
есе ұлғаюын тудырады. Осы және өзге де ... ... ... ... екі ... ... ... кезінде туындайтын
SiO және Si сутегінің адсорбция радикалды орталықтары бар екендігіне
қорытынды жасауға ... ... ... ... ... ... адсорб жұтпайды. Сутегі тіпті УК-сәулеленуі кезінде де
сорылмайды, онда өзге де ... де оның ... ... ... .
(n, ()- cәулеленуінің әрекеті КСК типіндегі силикагельдің сорылу
қасиеттеріне әсері зерттелді. Оттегі мен ... ... ... (20 ... ... ... ал бұдан да үлкен дозалар кезінде сорылу
орталығының радиациялық суытуы байқалады.
Реакторлы ... ... ... ... ... олар (20 Мрад ... қанығады. Авторлар ойлағандай, нейтронды
ағым гамма-сәулесі жасайтын ... ... ... орталықтарды құрайды.
Тотықтың беті бар ауыр зарядталған бөлшектердің өзара ... ... ... Al2O3, BeO және өзге де жүйелер зерттелді, олар үшін О2, Н2,
СО2 жай ... ... ... ... ... және ... кезіндегідей қанығудың қалпына жету
үшін сәулелену дозасының ... Н2, О2, СО2 ... ... ... ... ... байқалады, яғни газдың сорылуының сәулеленуі тоқталған кезде
бірқатар уақыт бойы сыртқы радиациялық ... ... ... ... ... ... ... арналған
сорылудың бастапқы жылдамдығы (- бөлшектерімен сәулелену ... ... ... ... осы әсерді бомбалайтын бөлшектердің
зарядтарындағы айырмашылықтармен бірге байланыстырады.
Рентген ... SiO2 мен Al2O3 ... ... байқалды,
сорылу кинетикасы рентгендік сәулелердің ... ... ... және ... ... қарастырылады[24,29].
1.3 SiO2 гидроқышқылды жамылғысы
Кремнеземнің беттік қасиеттері мен құрылымы ... ... ... ... спектралды әдістермен алынды, басты ретте ... ... ... ... беті SiCl4 ... температурадағы
гидролиз кезіндегі тетраэтоксисиланға арналған ортакремнийлі қышқылдың
молекулаларының ... ... ... ... пайда
болатын гидроксильді топтармен жамылады. Бетте гидроксильді топтардың бар
екіндігі жөніндегі қорытынды бастапқыда ... ... ... ... ... ... ... Ары қарай бұл ұсыныс
кремнеземдердің гидроксилді жамылғыларын инфрақызыл спектроскопия әдісімен
көптеген ... ... ... ... ... ... ... ұзақ уақыт 25ºС-та тартудан кейін ... деп ... ... ... ... ... су молекулалары
десорбцияларының ... ... ... ... бетіндегі
гидроксилді топтарына әсерін тигізбейді.
Бос және ... ... ... ... ... алу ... байланысты. Пирогенді тектің кремнеземдерінің
жағдайында беттік құрылымының үлкен ... ... ... ... ... бос жағдайда болады. Силикагель жағдайындағы
байланысқан гидроксилді топтардың үлкен ... бар ... оның ... ... ... ... дегидроксилирленген беттік құрылымы мен қасиеті туралы
пікірлер бір-біріне қарама-қарсы. Осындай ... ... ... қабілетті молекулалардың ... ... ... ... ... төмен болады[8,31]. Шын
мәнінде құрылымдардың дегидроксилирленуі кезінде туындайтын қайта ... ... ... тура ... жоқ. ... ... ... «тұтасуының» қалыптасуының негізі үстіңгі гидроксильді
топтардың беттерінің ... және шыны ... ... қысқаруының
инфрақызыл спектроскопиясының әдісімен бірге зерттеудің нәтижелері болып
табылады. 25-тен 900º C ... ... ... ... ... ал ... ... оның толық қайнағандығын көрсететін үлгі
көлемінің қысқаруы байқалады. Жоғары температурада өңдегенде кремнеземнің
бетінің ... ... ... ... ... ... гидроксильді топтардың таралуының әртектілігінің
ұлғаюы болады.
Дегидроксилирленген кремнеземнің беті бойынша гидроксильді ... ... ... бетте үлкен учаскелердің бар болуы, олар тек
силоксандық байланыстарға ие ... ... ... ... ... ... ... зерттеулер
мынаны көрсетеді: гидроксильді топтармен барлық учаскелерді толтырғаннан
кейін беттің дегидроксилирленген учаскелерінде адсорбция болуы мүмкін .
Бір-бірінен ... ... ... ... әртүрлі жолмен
қоюлануы кремнеземнің ... ... ... ... болуына
әкеледі, олардың кернеуі мен реакциондық ... ... ... ... әдістерімен кернеулі силоксандық көпірлердің қасиеттерін
есептегенде осы ... ... ... ... ... ... қиынға соғады. Осыған қоса силоксандық көпірлердің ... алып ... ... ... жөн. ... осындай қайта
құру негізінен ... ... Si-O-Si ... ... ... мүмкін [16].
Кремнеземнің бетіндегі ақаулардың пайда болуы кезінде құрылымның
босаңсу энергиясын жуық ... ... ... ... Квантты-
химиялық есеп Si-O-Si көпірінің кернеуі үшін ... ... ... ... байқалады. Өз кезегінде көпір
оттегінде орналасқан ... ... ... ... ... ... оттегінің донорлық қасиеттерін көрсетеді. Осындай
кернеулі силоксандық көпірлердің метоксилирлену мен ... ... ... ... ... бар осы ... ... үлкен .
Дегидроксилирленген кремнеземдердің бетінде кернеулі силоксандық
көпірлердің пайда ... ... ... ... ... ... әкелуі мүмкін.
Дегидроксилирлену кезіндегі кремнеземнің бетінде қарастырылған
өзгерулермен бірге үстіңгі құрылымдардың өзге де ... ... ... ... ... ... ақаулардың болдыратыны
рас, олардың бар болуы кремний тотығының көлемінде орын алады. Олардың
геометриялық ... ... ... ... айырмашылықтары бар, құрылымдық ақаулар пайда болады[13].
Дегидроксилирленудің жоғары дәрежелерінде ... ... ... ... ... шөгіннің деформациясының қажеттілігі
нәтижесінде. Осындай жағдайда (=Si, = SiO) радикалдық және ... ... ... қалыптасуы бар гомолитикалық және гетеролитикалық
механизм бойынша Si-O-Si және О-Н ... ... ... ... мүмкін. Мұндай нәрсенің қалыптасуы кремнеземді қоршаған
құрылымының үлкен бұзылуымен қатарласа келеді. Осыны есепке ала ... ... ... ... ... ... үшін ... көпірлердің
қалыптасуы мүмкін емес, яғни жекелеген бұзылуларға қарағанда.
Әдебиетте осындай түрдің ... ... және ... ... мен бар ... ... ... пікірлер бар. Кремнеземнің
дегидроксилирленуі кезіндегі осы ақаулардың қалыптасуына ... ... ... ... бойынша гидроксильдік топтардың
бұзылуы байланыстардың гетеролитикалық бұзылуына қарағанда ... ... ... ... ... ... ... кремнеземдердің беттерінің электроды акцепторлық
қасиеттерін сыни зерттеулер мен есептеулердің нәтижелері соншалықты қарама-
қарсы шықты. Квантты химиялық есептерге ... =Si+ ... ... ... ... ... бар. ... дегидроксилирленген
беті спектралды зерттеулер мұндай орталықтардың бар екендігін дәлелдемейді.
Тек 600-1200ºС-та ... ... ... ... электродты
акцепторлы орталықтар табылды. Үстіңгі үшкоординирленген кремнийдің
электронды акцепторлық ... ... ... бірі ... ... ол ... қарастырылған тәрізді.
Si(OH)2 геминальды гидроксилді топтардың бұзылуы кезінде =Si=0
типіндегі ... ... ... ... типтің ақаулары кремнеземнің
бетінде айтарлықтай болады, геминальдық топтардың кішігірім ... ... ... ... ... ... кремнеземдердің беттік құрылымдарын спектралды
зерттеулер аз ... ... ... ... сутекті байланысымен
байланысты жоюды қалыптастыратын силоксанопты көпірлерді спектральды
әдістермен ... ... емес . Тек ... өңделген аэросилдің
үлгілерінің спетрлерінде 888 және 908см ... жаңа ... ... ... мен ... ... ... болулары кернеулі силоксандық
байланыстарды қамтитын жаңа реакциялық орталықтардың беттерінде ... ... ... ... ... пайда болғандығын
көрсетеді.
Дегидроксилирлену кезінде дислокацияндық құрылымдар кең ауқымда пайда
болуы мүмкіндігі ең ... ... беті ... ... таралуының қасиеттерінің, ... ... ... ... ... ... ... гидроксильді топтардың қалдықтарының өзгерісі әсер етеді. Беттің
электроды акцепторлық қасиеттері ... ... ... ... ... ... құрылымдық ұйымдастыруға байланысты.
Тотығу материалдарының физикалық және химиялық қасиеттері көбінесе
олардың адсорбциондық қасиеттері айтарлықтай ... ... ... ... ... ... ... болған гидроксильді
жамылғылармен айқындалады. ОН-топтарының силикаттардың бетінде бар болуы 30-
жылдары А.В.Киселевтің еңбектерінде ... ... ... ... бар ... ... ... және ядролық магнитті
резонанс әдістерімен алынды ... және ... ... ... ... ... болжам
айтқан болатын: 500-600-ге дейін және одан жоғары температураларда
бөлінетін ... ... ... ... атап ... ... ... су гидроксильді топтармен немесе ... ... ... ... ... ... суды бөлу
шектері туралы бірқалыпты шешім үшін ИҚ-спектрлері мен ЯМР ... ... ... ... SiO2 ... жамылғысының ИҚ-
спектрлеріне толықтай зерттеуді Теренин және оның шәкірттері жүргізді[32].
Бүкіл кремнеземдерге тән сипатты ерекшелік ... ... ... үшін де,
спектрді 3750см-1 тар қарқынды жолағының және төменгі жиілік жағынан 3680,
3550 және 3400-3500см-1 кең ... бар ... ... қарқындылығы
дегидратацияның дәрежесіне байланысты болып ... ... ... ... ... әсер етпейтін гидроксильді топтармен жазылады.
Оқшауланған ОН-топтары термикалық жағынан ... ... ... 3750 см-1 ... қарқындылығы айтарлықтай өзгермейді, ол 1100ºС
кейін байқалады. Деформациялық тербелістер саласында оған 870 см-1 ... ... 3680 см-1 ... бұл ... 400-700ºС-қа дейін сақталады,
әдетте гидроксильді топтармен жазылады, олар ... ... ... ... ... қосуы мүмкін, олар тотықтың көлемінде болады
және де адсорбирленген молекулаларда болмайды.
3550 см-1 жолағы, ... ала ... ... ... ... ... сондай ақ ОН- үстіңгі топтарына, ... ... ... Осы ... ... шегі ... шектерінде
жатыр[30].
3400-3300 см-1 жолағын бүкіл зерттеушілерге қарағанда сутегінің
байланысымен қатысты судың ... ... ... ... де суды ... қойылған молекулаларымен де жазуға болады. Су
молекулаларының деформациондық ... ... оған ... см-
1 жолағы сәйкес келеді.
3400-3300 см-1 жолағының қарқындылығы бөлме температурасын сорғаннан
кейін бірден төмендеп кетеді, дегенмен оны ... ... тек ... ... SiO2 үлгісін қыздырғаннан кейін болады.
Жоғарыда айтылған жолақтардан басқа да 3750-3000 см-1 ... ... ... ол ... ... ... ... өлтіреді және өзара сутегінің байланысымен қатысты гидроксильды
топтармен жазылады.
SiO2 гидратты жамылғысы ... ... ... ... әдісіне байланысты үлгінің дисперстілігін және қосындылардың бар
екендігін және әртүрлі нәтижелерге қол ... ... ... судың
және ОН-топтарының сорылған молекулаларының жоғалуының әртүрлі шектерімен
түсіндіріледі. ... да ... ... ... ... су ... ал гидроксильді жамылғы әлі де болса ... ... ... ... ... ЯМР әдісімен
зерттеуге арналды [21]. Жедел шамалармен ЯМР ... ... ... ... авторларға ең құрығында SiO2 бетінде болуы ықтимал
силанольдық ... бар ... ... ... берді: А-типі -
бірегей ОН-топтары d= 5- 5.2 Aº пратондарының ... ара ... ... жалпы саны барлық беттегі гидроксилдердің 25% құрайды; 2) Б-
типі: с = ... ... ... атомдарға қатысты жұп гидроксильді топтар.
Барлық гидроксильдердің саны 30%-ды ... 3) ... Осы ... d ... мен Si бір ... ... 3 ... одан көп гидроксильдердің
топтары бар. Осы топтарда ОН-топтарының 45% гидроксилдері бар. ... бір ... ... ... ... құрауы
мүмкін.
Адсорбирленген молекулалары бар кремнеземнің бетінің ОН-топтарының
әсеріне көптеген зерттеулер арналды. Бетте ... ... ... ... ... табылады, осымен қоса кремний оқшауланған
тотығының ОН- ... ... ... аз ... жағына қарай
араласады да ұлғая түседі. Айдағаннан кейін еркін гидроксильдердің жолағы
қайтадан қалпына ... яғни ... кері ... бар. Егер ... ОН-
топтарын өткізудің жолақтарының бір немесе екі ... ... ... араласу бірнеше жүздеген см-1 жетеді, бұл
адсорбцияланған ... ... ... ... арасындағы
өзара әрекеттің энергиясының ұлғаюын көрсетеді. ... ... ... 3750 см-1 ... араластыру сутегі типті байланыстың
қалыптасуы бар үстіңгі ... ... осы ... ... ... әрекетінің есебінен түсіндіріледі. Оттегі мен азоттың
оқшауланған ... ... ... (( шамалы ғана өзгереді, Вандер-
Ваальстің типі ... Және ол осы ... ... айқындалады. (( мен десорбцияның жылуының арасында белгілі бір
байланыс бар ... ... яғни ... ... ... өсімімен
ұлғая түседі.
Осылайша: SiO2-ң беттік ОН-топтары физикалық ... ... ... деп қорытынды жасауға болады.
2. СЫНАҚ ӘДІСІ
2.1 Зерттеу нысандары
Зерттеу ... ... ... КСК типіндігі силикагель,
зертханалық жағдайда синтезделген қоспасыз ...... таза ... арналған» маркілердің бериллий тотығы, сирек кездесетін
бөлшектердің тотығының және үйлесімінің ( ... ... ... ... тотығы, лантан тотығы, диспрозий тотығы. Бұл үлгілерден басқа,
жекелеген ... SiO2 өзге де ... де ... ... ... 2.1- Тотықтардың негізгі сипаттары
|Үлгі |м2/г ...... ... |
| |бет ... |моль/м2 | |
| | ... | | ... |320 |200 |4,78 |/26/ ... | | | | ... (ЕТ) |600 |40 |4,12 |/26/ ... ... |50 | |бар | ... – бұл қышқыл мен натрий силикатының өзара
араласқанда түзілетін кремнилі ... ... ... ... ... ... және бірдей етіп таратылған. Олардың көлемі алу мен өңдеу
әдістеріне байланысты. Ұсақ ... ірі ... ... ... ... ... алуға болады. Силикагелдің бөлшектері дұрыс
оралмаған тетраэдрлерден тұрады және электрлі-микроскопиялық зерттеулер
көрсеткендей шар ... ... ... ... жай глобулдардан
тұрады, олардың арасындағы саңылаулар үзікті болады, олардың ... ... ... ... ораудың көлемі мен тығыздығына ... беті ... ... ... ... және де ... реттеу гидрогель синерезистінің тереңдігін өлшеумен ... Осы ... ... ... бірі ... ортасын құру болып
табылады, оның жетілуінің қажетсіз сатысы ... ... ... сәулелер үшін силикагель мөлдір. Кремний ... ... ... ... ені 8-11 эВ ... Бұдан басқа
кремнийдің екі тотығында тыйым ... ... ... ... ... ... ... деңгейлері болады. Силикагелдегі қоспалардың
үлкен бөлігі айтарлықтай дәрежеде қышқылды өңдегенде ... ... біз ... үлгілердің спектральды талдауының нәтижелері
кесте 2.2-де көрсетілген.
Кесте 2.2- Зерттелген үлгілердегі қоспалардың ... ... ... %-бен |
| |Al |Fe |Mn |Ca |Na |Cu |Si ... |7(10-2 |5(10-3 |--- ... |1(10-2 | |
|(КСК) | | | | | | | ... |1(10-4 |1(10-3 |10-5 |10-5 |10-4 |10-5 |--- ... | | | | | | | ... ... ... берілген температурада вакуумдық 8-9
сағаттық жаттығу, адсорбенттердегі органикалық ластануларды басуға ... ... ... 6-8 ... ... тұратын үлгілі вакуумдық-
жаттығу жүргізілді.
Манометрикалық зерттеулер үшін вакумдық ... ... ... ... ... ... жаттығу жүргізілген және фото-
және гамма-адсорбциялар зерттелген құрылғының екі ... ... екі ... бар. Бұл ... ... ... және ... тұзақтарынан және
майсыз жоғары вакуумды білікті цеолитті-бұрыштық ... ... ... ... ... бұл сурет 2.1 көрсетілген. Айдаудың ... де ... ... ... ... ... да көптеген сынақтарда біз ластанбаған вакуумдық сорғыш майының
еркін буын ... , яғни ... ... ... ... ... ... радиациялық сорылу, гамма-сорылу
сынақтарын адсорбент-газ жүйесіндегі қысымды өлшеу және фотосорбция бойынша
жүргізілген сынақтардың бір ... ... ... пайдаланылған газбен
алдын ала түйіршектелген ЛТ-2 және ПМТ-2 ... ... бар ... ВТ-2А ... көмегімен жүзеге асырдық.
SiO2–не оттегінің фотосорбциясы бойынша сынақтардағы ... ... ... ... ... бар Пирани
манометрімен жүргізілді. Жұмыста Пирани манометрінің сызбасы ... ... онда ... аспаптар пайдаланылды. Бұл манометрдің
бірнешеден 10-4 Па дейінгі кең ауқымды өлшемі бар [4].
Жүйедегі температура термобудың ... ... ... және ... текті және ЭПП-09 бен ... ... ... газдармен оттегі, су буы, метан,
көмірқышқыл газы, көміртегінің тотығы болды. Оттегі төмендегі ... ... 500 К ... ... ... ... ( K2MnO2 + MnO2 + O2 . ... азотпен суытылған тұзақ арқылы оттегіні ... ... ... ... ... ... бұрын, бастапқы өнім реакцияның басынан
бірнеше есе төменгі температурада бірнеше сағат дайындалды.
Сутегі ... ... ... ... және ... ... ... диффузиямен және сұйық азотпен суытылған тұзақ
арқылы өткізумен қосымша түрде тазартылды.
Алынған газ ластанбауы үшін 3-4 ... газ ... ... ... бұдан соң айдалып қайтадан алынады. Зерттеліп отырған газдар
ұқыпты тазаланса да, ... ... ... ... ... қояды.
Газдардың масс-спектрометриялық талдауы көрсеткініндей оттегінің құрамында
көмір қышқыл газы болады, ал сутегінің ... су буы ... ... ... ... кюветтің (қуыс) бірнеше типтері
қолданылды: фотосорбциялық ... ... ... ... 30 х 15 х
2 мм2 ... шыныдан болмаса кварцты шыныдан дайындалады. Гамма және
радиациялық сору сынақтарында әдеттегі кварцтік шыныдан әзірленген ... яғни ... ала ... ... ... Гамма-сору
зерттеулеріне арналған кюветтердің, сондай-ақ зарядталған бөлшектердің және
реакторлық сәулеленудің ықпалын ... ... ... ... қарай жіңішке қоршаулары болады, олар газды алдын ала
сәулеленген үлгілерге жіберу ... ... ... мен ... вакуумдық жүйеге «кварц-шыны»
өткелдерінің көмегімен дәнекерленді. Гамма-сору сынақтарында 873 К және
1023 К ... ... ... бар ... ... ... ... вакуумдық жүйеден ажыратылды, бұдан соң үлгі
шыны бөлігіне шашылды, бұл бөлік қайта ажыратылып гамма-құрылғының ... ... оның ... ... операцияның қажеттілігін білдірді,
өйткені кварцы өткелдері бар ампулалар сыйыспады. Гамма және радиациялық
сору зерттеулеріндегі ... ... ( 180 мм3 ... ал ... шамамен 10-15 мм3 құрады.
ИҚ-спектрлерін және оттегінің фото, гамма және радиациялық сорылуын
және өзге де газдардың (BeO, SiO2, La2O3 және т.б.) ... ... ... ... кюветтер сипатталған нәрселерге ұқсас.
Біздің зерттеулеріміздегі сәулеленген ... ... ... ... ... [23].
Масс-спектрометриялық зерттеулерде кювет қолданылды, ... ... ... ... ... ... мен техникасы
2.3.1. Ультракүлгінді (УК) сәулеленудің көзі
УК-сәулелену көзі ретінде желіге 220 және 120 вт ... ... ... ... ... ... СВД-120А типіндігі сынап-кварцты
лампалар пайдаланылды. Спектрдің ... бір ... ... арналған
фотосору спектралдық сипаттарын зертегенде УФС типіндегі сәуле ... ... ... ... ... көз бен ... ара-қашықтықпен өлшенді.
2.3.2 Гамма-сәулеленудің көзі
γ-кванттарының көзі ретінде орталық арнадағы дозаның қуаты бар
РХМ-гамма 200 рад/сек. ИЯФ гамма-құрылғысы болды. Ондағы ... ... ... ... ... Доза ... ... анықталды. Сәулеленудің дозасын мынадай формуламен шығаруға
болады:
D=k(Mt/R2 ,
(2.2)
R - ара ... ... t - ... ... М - ... миллиокюримен, k( - дозаның қандай қуатының ... ... 1 ... ... ... көзді құрайтынын көрсететін
үнемі-гаммасы.
2.3.3 Зарядталған бөлшектердің көзі
Зарядталған бөлшектердің көзі У-250 ... ИЯФ НЯЦ ... ... табылады. Зат арқылы ... ... ... ... ... жүргізілді. Үлгісі бар және үлгісіз бөлшектердің ағымы
жасаған токтарды салыстыра отырып, ... ... ... ... ... ... Бөлшектердің Флюенсі мынадай формуламен шығарылды:
Ф=СІ.1012 с/бөлшек,
(2.3)
І – ток мка-мен, С- бөлшектің зарядына байланысты коэффициент.
2.3.4 ... ... ... ... нейтрондар мен гамма-сәулелердің қуатты көзі
болып ... ... ... (10 ... ... ... белсенді аймақтың орталығында ... тең ... ... ағымының тәртібі де осындай. Біздің пайдаланған арнамызда жылу
нейтрондарының ағымы ... ... ... ... калориметрикалық әдіспен
айқындалған аралас n, ... ... ... ... ... құрайды.
Дозаны калориметрикалық әдіспен айқындағанда жылу нейтрондарының
үлесі ( 5%, жылдамдары ( 10-15%, және гамма-сәулелену ( 80% ... ... мен ... және фотосорбция үрдістерінің қасиеттерін
зерттеудің физикалық әдістері
2.4.1 Манометриялық әдіс
Манометриялық әдіс сезімтал әдістердің бірі ... ... ... ... тек ЭПР және ... әдістер
салыстырылады, бұл әдістерді біз бірқатар есептерді шығару үшін ... фото және ... ... зерттеу үшін
пайдаландық[24]. Фотосорбирленген және гамма-адсорбирленген газдың ... ... мына ... ... = ... - ... газдың көлемі, мол/г, (p – қысымның түсуі мм рт ст, V- көлемі
мм3
Гамма-қондырғының орталық арнасындағы үлгілердің сәулеленуіндегі адсорбент-
адсорбаттардың ... ... ... қысымды өлшеу мен жазу алыстан
жүргізілді. Сынақтарымыздағы қысымды өлшеудегі жіберген ... 5% ... ... ... ... мен ... зерттеуге уақыттың кез-
келген мезетінде газдың құрамына дұрыс әсер ететін және бөлшектер ... ... ... жүргізуге мүмкіндік беретін талдау әдісін алу
маңызды болып ... еді. Алға ... ... ...... ... және масс-спектрометриялықтан біз
соңғысын таңдап алдық, оның мынадай артықшылығын есепке алдық: өте төменгі
қысымдарды өлшеу ... және ... ... ... ... ... ... бұл біздің жүргізген зерттеулерімізде айтарлықтай ... К ... ... ... ... ... ... сондай-ақ фотосорбция кезіндегі
гидроксильді жамылғының бұзылуына еңбекте ... ... ... және 0-270 а.е.м ... ... ... МСХ-4 ... уақыт өткінші масс-
спектрометрі пайдаланылды. Құжаттық мәліметтермен аспаптың шешімі 140 ... ал ... ... ... – 10-9 ... құрайды.
Өзге вакуумдық құрылғылардан айырмашылығы масс-спетрометрінің айдау-
жіберу жүйесінің шыны көтергіштері болмады, металл майсыз вентильдердің
көмегімен ... ... ... ... ... құрылғылармен қатар 573-
673 К-ға дейін қыздырылды. Біздің тәжірбиемізде газды көлеміне ... ... ... онда адсорбент-адсорбат жүйесінің тепе-теңдігі болады.
Газдың бір бөлігі өлшенетін көлемге жіберу жүйесі арқылы ... газы ... ... ол ... ... және жеке шыны ... қоршалған.
Газдың сандық құрамы тікелей өлшенетін көлемді толтырғаннан кейін талданды,
ал газдың жалпы қысымы қосымша түрде ПМТ-2 ... ... ... ... ... ... өте маңызды жайт барлық құрамдас бөлшектерге
арналған аспаптағы осы парциалды қысым кезіндегі соруды қанықтыру ... ... ... Бұл жөнінде белгілі бір уақыт бойы тұрақтылықтың
шыңы бойынша айтуға болады.
2.4.3 Инфрақызыл спектроскопия
Табиғатта атомдар мен ... ... ... ... ... ... электромагнитті
сәулеленудің жұтылу үрдістерімен байланысты спектральды әдістер ... ... ... ... ... тікелей хабар береді. Спектральды
әдістердің ... ... ... ... ... ... ... кеңінен қолданылады, оның беттің әртүрлі тектегі химиялық
құрамына ... ... ... кезде ИҚ-спектроскопиясы қатты дене бетінің физикасы мен
химиясының, көбінесе ... ... ... ... ... бірі ... табылады .
«Karl Zeiss Jena» фирмасының жұмысшы аумақтық жиілігі 500-4000 см-1
UR-20типіндегі ИҚ-спектрі қолданылды. Үстіңгі қосылулардың немесе ... ... ... ... үшін ... ... зерттеу
әдісі пайдаланылды.
ИҚ-сәулелерінің талауын азайтуға тотық ұнтақтарының ... ... елек ... ... қысыммен жұқа таблеткалар арқылы қысымдалды.
Арнайы ... ... ... ... ... ... ... 10 мм2 немесе үлгілердің сәулеленуі мен зерттеу ... ... ... 15 мм2 құрайды. Тотық таблеткаларының қалыңдығы (0,1-0,2 мм.
Осылайша 1500 см-1 аумағында осы қалыңдықта ... ... ... ие, ал 3500 см-1 ... 25-35%. ... ... аумағындағы
жарық айтарлықтай шашырағанда салыстыру шоғырында диафрагма ... ... ... ... ... зерттеліп отырған затта түзілетін
әртүрлі парамагнитті орталықтардағы еркін радикалдарды зерттеу ... ... мен ... ... ... ... ... кең
қолданылады. Сәулеленген заттардағы ... ... ... немесе аморфты заттардың сәулеленуіндегі түзілетін
бұзылуларымен алынған ... ... ... ... ... бұзылулардың құрылымы туралы сапалы
мағлұматтар алуға және ... ... сан ... ... ... ... біз ... ала өңдеудің сәулеленуі мен температурасы
дозасының көлеміне ... ... ... ... ... ... қабылдаған тотықтардағы радиациялық
ақауларға зерттеулер жүргіздік[27]. Сәулеленуден бұрын үлгілер көп сағаттық
термо-вакуумды өңдеуден ... ... бір легі үшін ... ... -10 Па қысымында ажыратылды, ал забы бар үлгілердің біріккен сәулеленуі
бойынша тәжірбиелерінде ампулалардағы ... 1-133 Па ... ... ... ... ... бар ... болмаса бөлме температурасында
сәулеленді. Сорылулар мен ... ... ... ... ЗПР
қарқынды дабылын беретін молибденді шыныдан ... бір ... ... ... ... ... ... жеңіл жалынында
суытылды, осыған қоса үлгі ампуланың ... ... ... және ... ... ... жылулығының құрамында болды. Сәулеленуден бұрын
тотықтардың үлгілері ампуланың суытылған бұрышына ... ... ... ... ... ... ... операциясы артықтау болады,
өйткені радиацияның әсерімен оның белсенділігі артпайды. ЭПР спектрлерін
алу үшін жұмысымызда РЗ-1301 ... ... және (((30 см) ... ... ... бойынша үлгідегі буланбаған спиндерінің РЭ-1301
спектрометрінің сезімталдығы (1013 . Аспаптың айыру қабілеті 0,2 ... ЭПР ... ... ... ені, сондай-ақ өте жіңішке
құрылымның құрамдас бөлшектерінің арасындағы ... ... ... ... ... таспасы бойынша есептелінді. ЭПР спектрлерін
жазу бөлме температурасында жүргізілді, болмаса СВЧ ... ... ... ... ... ... ... көздер ретінде
магний тотығындағы ДФПГ және Mn+2 ... ... ... ... ... ... тіркелген, сондай-ақ парамагниттік бөлшектердің
белгілі көлемін қамтитын ... ... SiO2 ... ... ... есептелінді. Осыған қоса эталондық көздер дьюарде,
болмаса тікелей спектрометрдің резонаторында болaды.
3. ТОТЫҚТАРДЫҢ ҮСТІҢГІ ҚАБАТЫНДАҒЫ ГАММА-
АДСОРБЦИЯЛЫҚ ... ( ... SiO2 ... жамылғыларына тигізетін
әсерлері
Cурет 3.1-н көрініп тұрғандай SiO2 ... ... ... ... ... және де ... байланысып жатқан гидроксилді
топтардың (3750, 3605 см-1) қарқындылығы төмендейді, судың деформациялық
тербілісінің ... жаңа ... (1555, 1520, 1380 см-1) ... ... 3.1- γ- ... SiO2-ң ... ИҚ- спектрі
1- бастапқы спектр, 2- Dγ =0.024 МГр, 3-О2 (Тпр= 673 К)
(-кванттарымен сәулеленген SiO2 –ға (0.024 Мгр ... ... ... 3750 см-1 ... ... төмендетеді. Бір
мезгілде жұтылудың (аз жиілікке ... ... см-1 ... ... ... SiO2 сәулеленген кезде жаңа жолақтардың пайда болуы мен оттегінің
жұтылуы оттегінің ... ... ... ... ... ... ... радиолизге ұшырайды және көлемнен үстіңгі қабатқа
диффундирлейді, ... ... ... ... қосындылар мен
карбонатиондар түзіледі. Қайта ... ... ... қосындылар
айтарлықтай ыстыққа төзімді келеді – деформациялық тербелістер ... ... ... ... ... ... гидроксильді
топтартарды өткізу жолақтарын қалпына ... аз ... ... (-сәулеленген O2 (тек сәулелену ғана ... ... ... ... – оттегі тетраэдрінің бөліктерімен өзара байланыстарын
көре алмаймыз, өйткені бұл ... ... ... немесе ОН-топтарының
оттегімен өзара ... ... ... ... тұрғыдан
адсорбирленген судың жұтылу жолағы келіп ... ... SiO2 ... ... кезде (-
сәулесінің әсерімен дегидроксилирлеу мен дегидратация үрдісі жүреді, ал
оттегінің ... ... ... өзге де ... ... органиканың радиолиз үрдісі және ... оның ... әрі осы ... оттегімен реакциясы жүреді, осының
нәтижесінде әртүрлі формиат ... ... ... ... екі
тотықты кремнийдің бетінде берік түрде сорыла алатын сулар түзіледі[30].
3.2 Оттегі (-адсорбциясының SiO2 –ге температуралық тәуелділігі
SiO2 бетінің ... ала ... ... ... анықтау
үшін біз 4 температураны алдық: 473, 673, 873 және 1073К. ... алу мына ... ... ... ... температурасында SiO2 (өзге де тотықтардың да) ... ... ... ... су ... жоғалады, бірақ бетте
координациялық-байланысы бар су және толықтай гидроксильді ... ... ... ала ... ... бетте су молекулалары болмайды,
бұл молекулалар онымен координациялық байланыспен сабақтас жатады немесе ол
өте аз болады, ол ... ... ... ... рөл ойнамайды.
Әдебиетте SiO2 бетінен координациялық-байланысы бар судың ... ... ... ... де, ... 673К ... үшін ... болып табылады. 873 К 1073К ... ... ... тек ... ... болады,олар
өзара сутегінің байланыстарын түзеді, ал 1073 К ... ... ... ... SiO2 -ң ... ... ... , сондай-ақ «Дегусси» ... ... ... ... ... мындай жолмен дайындалды:
органикалық ластанулардың іздерін кетіру үшін алдын ала 6-8 ... ... ... ... жағылған SiO2 үлгілері бар ампулалар 6-8 сағат бойы
берілген температурадағы вакуумде ... ... ... бір ... ... ... ЭПР-өлшеулері жүргізе
алу үшін.
Жаттығу біткеннен кейін ампулалар ажыратылды және ... ... ... ... ... 0,2 МГр ... 0,0077МГр/сағ доза қуатымен
өзгереді.
Үлгілері бар ампулалары сәулеленгеннен кейін вакуумдық жүйеге қосылды
және зерттеліп отырған газды үлгіден жұқа ... ... ... ... екінші рет вакуумдық жүйеден ажыратылады. Осыдан ... ... ... газ бен ... дене ... ... қоса ... жатқан өзгерісі ВИТ-2 типіндегі вакуумметрлердің көмегімен тіркелді.
SiO2 өлшемі біздің тәжірбиемізде 1 г тең болды, ал бастапқы ... ... Па ... ... SiO2 ... ... ... қарағанда
толықтай зерттелгендіктен, біз осы еңбегімізде негізгі назарымызды екі
тотықты кремнийдің ... ... ... ... ... 3.2- ... оттегінің γ адсорбция кинетикасы
1- Тпр= 473 К, 2-673 К, 3-873 К, 4-1073 К,( Dγ =0.024 ... 16 ... 3.3- γ ... ... санының алдын-ала тесу
температурасынан тәуелділігі
1.Dγ =0.024 МГр, 2-0.186 МГр, 3- 0.024 МГр, Po= 9.5
Па (1.3)
және 16 Па ... 3.4 - ... γ ... ... ... ... К, 2- 673 К, 3- 873 К, 4- 1073 К(Ро= 9.3 ... сынақ мәліметтері сурет 3.2-3.6 берілген. Cурет 3.3-н
көрініп ... SiO2 ... ... ... ... ең аз ... ... болады.
Алдын ала өңдеу температурасы 623-тен 773К дейін ... ... ... ... ... радиациялық адсорбциясын
және ( зертеу еңбегінде ... ... ... ... ... ала ... температурасының көтерілуімен байқалды. Оттегінің (-
адсорбциясы кезінде біз осыған ұқсас нәрсені байқаймыз: ... ала ... ... ... ... О2 ... SiO2 ... өсімін тудырады.
Енді шамалы толығырақ әрбір температураға тоқтала кетейік, бұл
температураларда ... ... ала ... ... ... және масс-спектроскопиялық зерттеулерден ... 473К ... SiO2 ... тек ... ... бар су ... ... су және гидроксильді топтар толықтай бетте
сақталып қалады, ... ... ... ... да бір ... орталықтарының рөліне ене алады. Екінші жағынан біз мұнда екінші
тектегі орталықтарды ... ... ... өйткені олар координациялық-
байланысты сумен байланысады.
Оттегі реакциясының өнімдері ... ... түзе ... ... ... радикалды орталықтарды да меңзеуге болады.
Аралас орталықтардың рөлін де жоққа шығаруға болмайды, дегенмен, ... ала ... ... ... емес, сондықтан да біз оларды бұл
жерде талқыламаймыз.
473К өңдеу температурасында қалған ... ... ... рөл ойнайды, өйткені осы температурада органика толығымен жанып
кетпейді, ал сәулеленген ... ... бен ... қалдықтардың
диффузиясы үстіңгі бетке шығуы мүмкін.
Осылайша, 473К алдын ала жаттығу температурасында біз адсорбцияның
мындай ... ... ... бет ... ... ... және ... орталықтар. Адсорбциядан басқа жоғарыда көрсетілген
орталықтар оттегі жарым-жартылай тотығу үрдістеріне жұмсалады.
673К алдын ала ... ... ... ... кең
жүргендігі байқалады, бір қарағанда ешқандай да күтпеген жағдай болып
көрінеді. ИҚ-спектроскопиялық мәліметтерден осы ... ... ... ... ... ... ... түрлері жоғалады және
екі тотықты кремнийдің ... тек ... және ... ... қалады. Дұрысында, SiO2 бетінің жаттығуының осы
температурасында ... ... ... ... ... жағдайда
тотықтандыру үрдістері шамалы ғана рөл ойнайды.
Оттегінің адсорбирленген ... ... SiO2 ... ... ... ... 473К ... температурасындағы
тотықтандыру үрдістерінің айтарлықтай үлесімен түсіндіріледі, ... ... ... ... жоғалу нәтижесінде радикалды
орталықтардың ... ... ... ... яғни радикалды
орталықтардың саны ... ... ала ... ... ... ... да өрістейді және осымен қоса адсорбирленген оттегінің ... да ... ... біз ... фотоадсорбциондық эффектімен толықтай
ұқсастықтығын көреміз. Осы ... ... ... ... ... ... яғни біз
адсорбциондық ... ... ... ұлғаюымен ешқандай да
байланыстыра алмаймыз, өйткені олар 673К температурасынан аз ... ... бір ... ... ... жинақталуымен түсіндіруге болмайды,
өйткені температураның ұлғаюымен олардың саны керісінше азаяды. Шынында да
жинақы әсер ... ... ... 873 және 1073К ... ала ... ... оттегінің саны алдыңғы температурамен
салыстырғанда өрістейді, яғни ... ... ... ... ... ... және SiO2 бетінің қызуының ... ... ... үлкен болады.
Осы әсерді түсіндіру үшін ... ... ... ... орталықтарының қалыптасу сызбасын меңзеуге болады:
қыздыру температурасының ұлғаюымен ... SiO2 ... мына ... ... силоксандық көпірлердің саны ұлғаяды:
O
Si Si
O
Бұлар ... ... ... ... тиімді байланысқа түседі. Ал сәулелену
бүкіл жинақты өршітетін жағдайға алып келеді, яғни байланысты ... ... ... ... ... SiO2 ... ... жүргізіледі, бұл ИҚ-спектроскопиясының
мәліметтерімен ... ... ... ... ... кезінде оқшауланған гидроксилді ... ... (3750 ... ... –ғы ... (- ... дозалық тәуелділігінде (сурет
3.4) алдын ала өңдеу температурасы өзгерген жағдайда айтарлықтай өзгерістер
болмайды. ... ... үшін ... ... тура ... яғни
сәулелену дозасының өсуімен қатар адсорбирленген заттардың саны да ... ... ... ... ... 1073К температурасы
кезінде қатты байқалады) үлкен доза кезінде қанығу жүзеге ... Егер ... ... ... (0.1 МГр ... ... ... онда 873К
және 1073К кезінде осы салада ... ... ... ... ... ... айтқанда температураның жоғарылауымен радицаиялық
бөліну де ұлғаяды.
Зерттеліп отырған бастапқы қысымға байланысты сурет 3.5-н көрініп
тұрғандай (N) ... ... ... (Т) ... ... өсі ... төмен немесе жоғары жатуы да мүмкін.
Сурет 3.5- Қоспа құрамы әр түрлі кремний қостотығындағы оттегі
γ- адсорбция кинетикасы
1- « ОЧ» ... ... 2- ... 3- КСК ... Ро=16 Па, Dγ =0.024 МГр)
Осындай жағдайда аз ... ... ... ... қарағанда көп
сорылуын байқауға болады.
673К қыздыру температурасында жүргізілген зерттеулер Р ... ... ... те, ... ақ dN/dt тәуелділігі күрделі сипатқа ие
және сонымен қатар Р ... ... ... бар, мұнымен таза
молекулярлы адсорбция да атомарлы адсорбция да жүзеге асырылмайды. Белгілі
бір ... бұл ... ... қызметпен көрсетіледі.
Жылу десорбциялық зерттеулер газ бөлу жылдамдығының барынша жоғары
болуы 373-393К және ... ... ... бұл ... ... ... бар ... көрсетеді (сурет 3.6).
алғашқы максимум ... ... ... ал екіншісі –
координациялықпенен. Бір мезгілде координациялықпен суытумен ... ... ... ... ... ... оттегі адсорбция орталықтардың қайта келмес күйреуі орын алады.
Үлгінің адсорбциялық қабілетін қалпына ... үшін ... ... ... 3.6- SiO2 ... γ- адсорбирленген О2-нің
термодесорбциясы
1- Тпр= 473 К, 2-673 К, 3-1073 К ... ... SiO2 ... ... парамагнитті
орталықтары.
Белгілі бір жағдайларда радиациялық адсорбция орталықтарының
бірі сәулелену кезінде түзілетін парамагнитті ... ... ... ... ... көп зерттеушілер зерттесе де, алынған
мағлұматтардың біртекті интерпретациясы әлі күнге дейін жоқ. Осы ... SiO2 ... ... ... яғни ... ала өңдеудің кең ауқымды
температураларында және де сәулелену дозасында. ЭПР ... ... ... ... ... спектрометрлерінде және дециметрлік ауқымда
((=30см) бөлме ... және ... азот ... (КСК) ЭПР ... спектрлері сурет 3.7-3.8 көрсетілген. РЭ-13-
те түсіріліп (-сәулеленген SiO2 алынған ЭПР ... ары ... ... 6 жүйеден тұрады, оның үстіне 0.01 МГр дозасынан жоғары болған ... ... ... және де ... ... ... ... SiO2 спектрінің ЭПР барлық құрамдарының дозалық ... ... ... ... ... дабылдың тұрақты
формасындағы дозаның көбеюімен ұлғаяды.
Сурет 3.7-де бөлме жылулығында ... SiO2 ЭПР ... 77К ... ... ... ЭПР ... ... үлкен амплитудты дабылында.
SiO2 ЭПР спетрінің температуралық және дозалы тәуелділігі, ... оған ... ... 30-см ... ... ... (Т(673К) үлгілер алдын ала кварцтық ампулаларда содан ... ... соң ... ... ... ... және де бөлме
температурасында ажыратылды. Оттегіні ... ... ... ... асырылады. Осымен қоса бір мезгілде SiO2-ғы оттегі адсорбциясының
кинетикасы да алынды.
Температуралық тәуелділік ... ... ... ... ... ... орталықтардың анағұрлым көп шоғырлануы
673-683К алдын ала суыту температурасында байқалады. Осы ... ... SiO2 ... ... ... ... аз болады.
Егер де парамагнитті ... 673К ... ... ... ... ... жүретін ОН-топтарының радиолизімен түсіндіруге
болады, олар ... ... ... үлесін қосады, онда парамагнитті
орталықтардың алдын ала қыздыру ... өсуі мен ... ... ... ... ... ... қажет. Оның үстіне 673К-ден жоғары
Сурет 3.7- SiO2-гі парамагниттік орталықтардың дозалық
тәуелділігі
1.Тпр= 473 К, 2-673 К, 3-873 К, 4- 1073 К, ... ... 16 ... 3.8- ... SiO2-ң ЭПР ... бастапқы спектр, b- О2 жіберу (λ=30 см) Dγ= 0.186 МГр
температурада SiO2 ... ... ... басталады, осы себептен
үстіңгі парамагнитті орталықтардың үлесі азаяды.
SiO2 алдын ала ... ... ... парамагнитті
орталықтардың санын ұлғайтады (сурет 3.8), бұл радикалды қалыптағы
оттегінің ... ... ... ... ... бұл ... ... түседі. І2 адсорбциясы кезіндегі ... ... ... ал тек ... ... ғана өзгереді. ПМЦ
температуралық тәуелділігінің 673К кезіндегі максимумдық формуласы ... ... ... О2 ... ... ... Бұл
қарама-қарсылықты шешуге болады, егер де радикалды қалыпта барлық ... ... ... ... ... 0-- - және О2 – ... ... мүмкін [20,25]. ЭПР дабылдарын қақпайтын оттегі сонымен қатар жылуға
төзімді ... ... және жеке ... ... радикалды
формадағы оттегі бәрінен бұрын О2 түрінде адсорбирленеді ... ... ... 3.9- ... ... ... ... қыздырылуы
SiO2 алдын ала сәулеленгенде түзілген парамагнитті орталықтар
көлемді ... ақ бет ... ... ... куә ... мынаны
келтіреміз: ПМО-дың тек қана көлемдік емес, сонымен қатар беттік сипаты да
болады. Бақыланып ... ... және ... ... ... ... жағынан: жанама нақтылама да бар, ПМО айтарлықтай үлкен бөлігі
көлемді болып ... ... мына жайт ... ... КСК ... ЭПР дабылдарының амплитудасы «ЕТ» ... ... ... ... да, ... айтарлықтай үлесті аралас
орталықтарда қоса алады .
SiO2 –гі парамагнитті орталықтардың ... ... ... үлгі ... бір ... 30 ... ... осыдан кейін
бөлме температурасына дейін суытылды және ЭПР спектрі түсірілді.
Сурет 3.9 көрініп ... ... ... ... ... дейін суытылады. Температураны 443К дейін ұлғайтқан кезде
парамагнитті ... ... ... ... ... парамагнитті орталықтар толықтай суытылады. Суытқан кезде
дабылдық қалпы да ЭПР дабылдарының ... да ... ... бұл ... бет пен SiO2 көлемінде орталықтардың бірқатар ... ... ... ... орталықтарды суыту зерттеулері
сонымен қатар SiO2-да көлемді де үстіңгі ... ... ... ... артықшылықтық түзілулерінің бар екендігін көрсетіп
берді, ... ... ... жүйелер үшін тотыққан адсорбенттер көп
болады, атап айтқанда ... ... ... рөл ойнайды.
4. ЕҢБЕК ҚОРҒАУ
Дипломдық жоба есептеу техникасының қазіргі таңдағы құралдарын
пайдалана отырып белгілі бір ... ... ... ... ... Бұл
жұмыс 2004 жылы 28 ақпанында №528-11 бекітілген ”Еңбек қауіпсіздігі ... ... ... ... 1999 жылы 10 ... бекітілген
”Қазақстан Республикасындағы Еңбек туралы” заңына, 2002 жылының 3 сәуірде
бекітілген ”Қауіпті өндірістік объектілерінде өндірістік ... ... және 1993 жылы 15 ... ... бекітілген ”Төтенше
жағдайының құқықтық режимы туралы” Қазақстан Республикасының ... ... ... ... да жұмыс ... ... ... ... Демек адам күші тек қана жүйені
сырттай ... ғана ... ... – бұл заң негізінде және нормативті актілер
жүйесінде әлеуметтік – ... ... ...... алдын алу шаралары және қажеттіліктері. Ол
қауіпсіздікті қамтамасыз ... адам ... және ... еңбек процесінде қорғайды.
4.1 Қауіпсіздік шаралары
Қауіпсіздік шараларды қолданудың екі түрі ... ... ... ... қорғану шаралары:
а)Құрылғы конструкциясында қызмет ... ... ... ету ... ... ... экспозициялық дозасының қуаты рентгендік
түтіктің козухасынан 50 мм ... болу ... ... жабық болады,
2,06(10-10 А/кг (2,8 м Р/ч) аспау керек);
б)Рентгендік сәуле шығару экспозициялық ... ... ... жұмыс істегенде 50 мм арақашықта болу керек (2,06(10-10 А/кг
(2,8 м Р/ч) ... ... ... ... ... дозасының қуаты қорғаныс
әйнегінде 3,6(10-11 А/кг (0,5 м Р/ч ... ... ... ... ... ... ... ″радиациялық қауіпсіздік″
деген белгі болуы керек;
ғ)Құрылғыны рентгендік түтіктегі қорғаныс кожуханының айнасын ашқан
кезде ... ... ... ... ... кожуханың қорғаныстың айнасында автоматты
қаптау болуы керек. Ол сәуленің және дыбыстың сигналды беруі ... ... ... Электр қауіпсіздік шаралары:
а)Құрылғы конструкциясы қызмет көрсетуші персоналға қауіпсіздікті
қамтамасыз ету керек.
ә) Құрылғының барлық ток жүретін ... ... ... керек.
Қорғаныс дәрежесі-класс IP 20 Гост 14254 бойынша болады.
б)Құрылғының құрал бөлігінде жерлену зажимдері ... ... ... қосылатын жерінде және жерлену зажимінде белгілеулер болуы
керек.
в)Құрылғының екілік ... ... ... нүктесімен жерлену
зажимінде бірге болуы керек.
г) Құрылғыны ... ... қосу ... жасыл фильтерге
қосылады.
ғ)Рентгендік түтікке жоғарғы кернеуді қосу ... ... ... ... болуы керек.
ж)Рентгенді түтікті суытуда судың қысымы төмендеуін, құрылғыда
жоғарғы ... ... ... вольтты кабелді қосу мүмкіндігі болады.
4.2 Өндірістік санитария
ГОСТ 12.1.005-92 құжаты кәсіпорындағы жұмыс ... ... ... ... Бұл ... микроклимат көрсеткіштеріне
қойылатын жалпы санитарлық-гигиеналық талаптар мен жұмыс зонасының ауасының
зиянды ... ... ... ... зона ауасының зиянды заттарының
шегі жұмыс орнының қайда орналасқанынын тәуелсіз орнатылады.
35·20·4 м ... ... , оның ... 25 ... ... ... ... 20 адам бар. Осы мәліметтерді қолданып бөлме-жайды
желдетуді, жарықтандыруды,шуды, өрт қауіпсіздігін есептеу керек.
4.3 ... ... ... орталығының бөлме-жайының өлшемі 35м Х 20м Х 4м, онда 4
терезе екі ... ... және ... ... 3 м Х 2 м. ... ... 200- 1 ... балқытатын пеш орналасқан, Nmax=250 Ватт.
Есеп СНиП 11-04-05-91 жобалау нәтижесінде сәйкес ... ... ... ... ... ауа ... ... жұмысының технологиялық
талабынан, дәл айтқанда ПРДО- 200- 1 ... ... үшін ... ... ... ... және ... 50 –70 %.
Qp – жұмысшылардың жылу бөлуі. Максимальды жұмысшылар саны 20 адамға
тең деп аламыз, бір адамның жылу ... QI=125 Вт. ... ... ... x 20=2500 ... ... жылу бөлуі. Зал 1 қабатта орналасқан, залға жылу ... ғана ... = q1 * F * A * N + q2 * F * A * ... = 260 x 6 x 1,15 x 4 + 109 x 6 x 1,15 x 4 = 10184,4 ... А – ... ... ескеретін коэффициент (екі қабат терезеге А ... деп ...... ... q - ...... жарықтандырудың жылу бөлуі (жасанды жарықтандыру жүйесінің
пайдаланатын қуаты 30 Вт ... ... = 30 Вт * ... S – ... ауданы
Qиск = 30 x 35 x 20 = 21000 Вт
Qэвм – ПРДО пешінен бөлінетін жылу:
Qилу= P * N,
мұнда Р – бір ПРДО ... ... N – ПРДО ... ... = 250 Вт * 25 = 6250 ... = Qp + Qok + Qиск + ... = 2500 + 10184,4 + 21000 + 6250 = 39934,4 Вт ~ 39,9344 ... актілерге сәйкес бір адамның жылу және дымқыл бөлуі ... ... ... ... ... = 115 * 25= 2.875 ... байланысын келесі бір формуламен табамыз:
E = Q / ... = 39934.4 / 2.875* 3,60 = ... жылу Jн = 59 ... ... ... тазартуға қажет ауа көлемі, мына формуламен анықталады:
G = m*Q / (Iп – Iр) ... = ... – 46.2) = 11231,55 ... ... ... ... ... жағдай туғыздыру үшін
БРИЗАРТ 3500 типті ... ... ... ... ауа ... кг/ч суық өңдейді.
4.4 Өрт қауіпсіздігі
Бір қабатты ғимараттың бөлмесінің өлшемдері 35*20*4 м.
Өнеркәсіп ғимараты мен бөлмесінің өрт қауіптілігі онда ... ... және ... қолданылатын жабдықтар мен
материалдардың қасиетіне сонымен қатар оларды өңдеу шарттарымен анықталады.
ЕО бөлмелері үшін өрт ... В ... ... ... ... талаптар.
ЕО электронды жабдықтарының қымбаттылығын және де ... ... ... ... отырып ВЦ ... 1-ші ... ... сағат төзімділігі бар материалдардан істелінген технологиялық едендер
астымен ... ... ... Адамдарды эвакуациялау.
Эвакуациялық жолдардың өлшемдері мен конструктрлық-жобалаулар шешімі
және құрылыс нормалары мен СНиП ... шығу ені 1,5 м және ... 2
м ... ... ... шығыстарының аралары
L>=1,5 ... Р – ... ... ... етіп ... керек.
Сонда P=35*4=140 м. Бұдан L>=1,5 (140)*sqrt=17.7 м. жуықтаймыз L=17м
3. ... ... ... клеткаларының түтіндемеуі таңдау жолымен іске асырылады, яғни
оларға арнайыланған желдетулік орнатпалармен таза ауаны үрлеу қажет. Оларға
2 әлпі қарастырылған:
- ... ... ... ... ... ... 5 Па;
- төте (өрт кезінде). Ауа таңдауы 20 Па ... кем ... ... ... ... категориясы – 11 (Зона Б). Күтілетін өрт ... ... ... ... ... (м), Нзд –биіктік (м), n=1.
A=20м, B=20м, Н=4,3м. Бұдан
N= [(20+6*4,3)*(20+6*4,3)-7.7*4,32]*10-6 ≈2*10-3
Ғимараттың жанында биіктігі һ=(R+1,63 Нзд)/1,5 (м) дара ... ... ... ... R=20 м ... онда
һ=(20+1,63*4,3)/1,5=27,01 м.
5. Өртті сөндірудің бірінші ... ... ... ... ОУ-5 ... ... көмірқышқыл өрт
сөндіргішті бөлменің 40-50 м2 ауданында орналасуы керек. Сонымен Sбөл=700м2
ауданы бар бөлмеге N=Sбөл/50 өрт ... ... яғни ... ... ... ... биіктігі 4,5 м-ге дейін ... ... 9 ... ... ... өрт ... ... бөлменің ұзындығы В=35 м ... ... ... ... яғни 35/9=4 хабарландырғыш.
Өртті автоматты түрде сөндіру үшін УАП-А типті пневмопускісі бар газ
типті 2-АУП өрт сөндіргіші қолданылады. ... ... ... ... қалдықтарлы есептемегенде 114В2 хладонның негізгі қосалқы
массасын мына формула анықтайды.
m=V*q*k
(4.7)
мұнда V – ... ... ... м3
q – заттың нормативтік массалық өрт сөндіргіш шоғыры (В=0.22 кг/м3
категориялы бөлмелер үшін);
к - ... ... ... кету ... ... ... ... V=35*20*4=2800 м2 кезінде қосалқы хладон
m= 2800*0,22*1,2=739.2 кг тең болуы қажет.
4.4.1 Өрт қауіпсіздігіне қойылатын нормалар
Жұмыс орны өрт қауіптілігі жағынан II ... ... ... өрт шыдамдылығы жағынан I не II ... ... ... ... үшін ... ... конструкциялардың нормалары
келесі кестеде берілген:
Кесте 4.1 - Құрылыстық конструкциялардың нормалары
|Ғимараттың |Негізгі құрылыстық конструкциялар ... | ... | ... | ... | ... | |
| ... |Баспалдақ|Ілінетін |Ішкі |Этаж |Плитала|
| ... ... ... |аралық |р және |
| |, ... ... ... |
| ... | ... |
| |ық |тық ... | ... |
| ... | | | |
| |, ... | | | | |
| ... |балкалар | | | | |
| | |мен | | | | |
| | ... | | | | ... ... |
|I |2,5 |1 |0,5 |0,5 |1 |0,5 ... |2 |1 |0,5 |0,25 |0,75 |0,25 ... ... |
|I ... ... ... |40 ... ... 4.2 - Өртке қарсы тосқауылдардың өрт шыдамдылығы
|өртке қарсы тосқауылдар |өрт |
| ... |ң |
| |ең кіші шегі ... ... ... |2,5 ... ... қабырғадағы есік, терезе мен |1,2 ... | ... ... ... |0,75 ... ... ... ( перекрытие). Өрт |1,0 ... I ... ... үшін | ... ... жамылғы ( перекрытие). Өрт |0,75 ... I ... ... ... үшін | ... өрт ... ... үшін өрт сөндіргіштері қолданылады.
Бөлмеде шығар есіктің қасында қабырғада ОУ-5 ... өрт ... тұр. Қол ... өрт ... әрбір 100 м2 ауданда
орналастырған. Жұмыс орнында өртке қарсы щит және ұзындығы 20м өрт ... Щит ... екі ... өрт ... және екі ... ... ... ғимарат бір этажды болып табылады. ... ... ... апаратын екі эвакуациялық шығыс бар. Эвакуациялық
шығыстардағы есіктің ені 1м мен ... 2м және олар ... ... орналасып, орталық баспалдақ алаңына шығарады. Баспалдақтар ені 2м.
Ғимараттың ... өрт ... ... ... ... ілулі тұр.
4.5 Жасанды жарықтың есептелуі
Жалпы есептелуі екі әдіспен жасалады: пайдалану коэффицент әдісі
және нүктелік ... ... ... ... ... жасайтын үлкен
заттары жоқ көлденең беттерді жалпы біркелкі жарықтануды есептеу ... ... ... ... ... ... бар ... жарықтану және жергілікті жарықтану есептелінеді.
Пайдалану коэффициент әдісі:
Келтірілген әдіс ... ... ... ... ... ... ... ағымына қатынасқа тең ( коэффициенттің мәнін анықтауда
болады. Есептеу практикасында ( ... ... ... индексі і)
геометриялық параметрлерін олардың оптикалық сипаттамаларымен (төбенің
шағылыстыру коэффициенттері) (пот, (ст., (п ... ... ... ... ... келесі формуламен анықталады:
(4.8)
мұндағы: А- бөлменің ұзындығы;
В- бөлменің ені;
Һ- есептелу биіктігі
Шағылыстыру ... ... ... 4.3 кестеде
келтірілген.
| ... 4.3 - ... ... (пот, (ст ... ... күйі ... % ... күйі |(ст. % ... ақталған |70 |Ақ перделермен жабылған, |70 ... ...... ... |  |
| | ... | ... |50 ... ... бар, |  |
|Таза ... |50 ... |50 ... ...... бар бетонды |30 ... |50 ... ... |10 ... ... |30 |Кір |10 ... |10 | | |
F әр ... ... ... ... ... ... ... Е- берілген минималды жарықтану;
Кз- қордың коэффициенті;
S- жарықталған аудан, м2;
Z- жарықтың біркелкімелік коэффициенті Z = 1,1 ( ... ... саны ... ... ... ... ... шамдармен жарықты есептеген кезде, алдымен ... ... ... ... ... ... ... керек.
Есептелу нәтижесінде керекті жарық ағымы үшін ең жақын қыздыру немесе ДРЛ
шамы таңдалады. Шамның жарық ағымы тек 10-20% ... ... ... ... ... 35м, ені 20м, ... 4м болатын
бөлменің жалпы жарықталуын анықтау керек. Төбесі ақталған, перделермен
жабылмаған ... бар ... ... бар ... Көру жұмысының
разряды- IV,в. Нормирленген жарықталуы- 200лк. ... 80 Вт 2-ші ... ... ... ... ... ... таңдаймыз, жарықтық ағым Фл
= 5220 лк (кесте 4.5). ... ... ... ... ... ... ... есептелген биіктігі- жұмыс беті еденнен 1,2м ... ... ... ... 0,5м, бұдан, h = 4-(1 +0.5) =
2,5м.
Жарықтанушылардың арасындағы ең ... ... ... = ( • h = 1,4 • 2,5 = 3,5 м.
Қабырғадан 0,5м ... 3 ... ... ... арасындағы қашықтық 4м.
Бөлменің индексін (4.1) формула бойынша анықтаймыз:
i=35*20/4*(35+20)=700/220=3.181
Бұл мәндерді 4.2 формулаға қойып, люминесценттік шамдардың санын
анықтаймыз.
F әр ... ... ... келесі формула бойынша анықталады:
F=400*1.5*700*1.1/1=462000
Керекті шамдардың саны
N=F/F=462000/5220=88.5
400 лк нормирленген жарықтануды құру үшін ... ... 80Вт 88 ... ... ІІ-4–89 құжаты негізінде табиғи емес жарықтандыру шарттары
өнеркәсіптік ... көз ... ... ... жұмыстарға, адамдардың
физикалық және моральдік көңіл-күйіне көп әсер етеді.
Кәсіпорындық ғимараттарды жарықтанудың жоғары болуы жұмыс ... ... ... ... ... ... 5%-ке аз жарықтануды
қамтамасыз етуі керек, бірақ ғимарат ішінде оның ... 2 ... ... керек.
Эвакуациялық жарықтану, адамнның қауіпті деген ... ... ол ... жолдардың еденінде, баспалдақтарда
орналасады, оның деңгейі ғимарат ішінде 0,1лк, ал ашық территорияда 0,2 ... ... 4.4 - ... нормасы
|Жұмыс орны |Жарықтандыру |Жарықтану нормасы, лк |Кп, % |
| ... ... | ... емес |
| |биіктігі | | |
| | ... ... | |
| | ... ... | |
| | | | | ... зал |Г – 0,8 |750 |400 |15 |
| | | | | ... | | | | ... |Г – 0,8 |750 |400 |15 ... | | | | |
| | | | | ... | | | | ... ... |Г – 0,8 |750 |400 |15 ... | | | | |
| | | | | ... ... | | | ... |– |– |300 |20 ... залы | | | | ... ... орнының жасанды жарықталуы
Өндірістік кәсіпорындарындағы жасанды жарықталуының шарттары
адамның көру жұмыс қабілеттігіне, физикалық және моральдық ... ... ... ал бұл ... ... және өнімнің сапасына әсер етуіне
әкеледі.
Еңбектің жағымды шарттарын құру үшін өндірістік ... ... сай болу ... ... орындағы жарықталуы тазалық нормаға сәйкес болу керек;
- жұмыс ... және ... ... ... ... ... таратылу керек;
- жұмыс бетіндегі кенет көленкенің болуы жарықтың біркелкі емес
таратылуына әкеледі, сондықтан оларды ... жою ... көру ... ... (тура немесе шағылысқан) болмау керек.
4.5.2 Жарықтың көзін таңдау
Жасанды ... үшін қызу және ... ... қолданылады.
Жалпы жұмыстық қыздыру шамдардың типтерін белгілеу шартындағы ... ... ... В- ... Г- ... ... ... БК- биспиральдық криптондық. Шамдардың жарықтық ағымдары,
жалпы жұмыстық қыздырушылық және олардың ... 4.4 ... ... 4.5 - ... ... ... шамның қуаты мен жарықтық ағым |
|Шамның |Қуат Вт|220 |200-235 ... ... Вт|200 |200-235 ... | | | ... | | | |
| | ... | | ... |
| | ... ағым | | ... ағым ... |15 |105 |85 |Б |150 |2100 |1840 ... |25 |220 |190 |Г |200 |2800 |- ... |40 |400 |300 |Б |200 |2920 |2540 ... |40 |460 |- |Г |300 |4600 |4000 ... |60 |716 |550 |Г |500 |8300 |7200 ... |60 |790 |- |Г |750 |13100 |- ... |100 |1350 |1090 |Г |1000 |18600 |- ... |100 |1450 |- |Г |1500 |2900 |- ... |150 |2000 |- |  |  |  |  ... қысымды газоразрядтық шамдар ең үнемді болып саналады (ЛД, ЛДЦ,
ЛХБ және т.б.). Газоразрядтық шамдардың кейбір техникалық ... ... ... ... 4.6 - Кіші ... газоразрядтық шамдардың кейбір сипаттамалары |
|Номиналдық |номиналды жарықтық ағым ... ... мм. |
| |лм., ... типі | ... Вт |ЛДЦ |ЛД |ЛХБ |ЛТБ |ДБ ... ... |
| | | | | | | ... |
|15 |500 |590 |675 |700 |760 |27 |451,6 ... |820 |920 |935 |975 |1060 |40 |604,0 ... |1450 |1640 |1720 |1720 |2100 |27 |908,8 ... |2100 |2340 |3000 |3000 |3120 |40 |1213,6 ... |3050 |3570 |3820 |3980 |4650 |40 |1514,2 ... |3740 |4070 |4440 |4440 |5220 |40 |1514,2 ... ... ... ... ... шу классификациясы, сипаттамасы мен жұмыс
орындарында шекті деңгейін, одан қорғану түрлері, машиналар, ... мен ... ... ... ... мен ... ... Жұмыс орнында шудың шекті деңгейі
Жұмыс орындарында ... шу ... 31.5, 63, 125, ... 1000, 2000, 4000, 8000 Гц ... ... қабаттарындаға дыбыс қысымы L (дБ) ... ... ... = 20 lg (p/p0)
p – дыбыс қысымының орташа квадраттық ... ...... қысымының мәні. Ауада p0 = 2 х 10-5 Па.
Жұмыс орнында тұрақсыз шум сипаттамасы ... ... ... ... ... ... октавты қабат жиілігінде, дыбыс
деңгейі мен дыбыс деңгейіне баламаның шекті деңгейі келесі ... ... ... ... және ... шум – ... ... мәндерге ие
болады;
- тональді және импульсті шум – кестеде көрсетілгеннен 5 дБ төмен
мәндерге ие болады.
Кесте 4.7 - ... ... мен ... ... балама шекті деңгейлер
|Жұмыс орны ... ... ... ... октавті қабаттарда, Гц, |ыс |
| ... ... ... дБ, ... | ... | |і |
| |31,5 |
| ... |0,1 |0,2 |0,3 ... | 15 | 25000 | 3 |1125000 ... ... ... ... айда 15 адам үшін ... тг
• Әлеуметтік салықты қосқанда жалақы қоры:
1125000+173925=1298925 тг
5.3 ... ... ... ... ат салысқан келесі жұмысшылар: жоба басшысы, инженер
– зерттеуші – 3 адам, инженер көмекшісі – 2 адам.
Кесте 5.2 - ... ... ... жалақыларының көлемі мен жұмыс
істеу ұзақтығы
|Лауазымы |Адам саны |Жалақылары (1 ... ... ... |
| | ... ... ... ... басшысы|1 |50000 |12 |600000 ... |3 |40000 |12 |1440000 ... | | | | ... |2 |20000 |12 |480000 ... | | | | ... |2520000 ... ... 2520000 ... ... ... аударулар және зейнетақы қорына бөлінулер:
1) (15450-1030-1545)*0,2+ (41200-15450-2575)*0,15+(50000-41200-
880)*0,12=2575+3476,25+950,4=7001,65
2) (15450-1030-1545)*0,2+(40000-15450-2455)*0,15=2575+3314,25=5889,25
3) (15450-1030-1545)*0,2+(20000-15450-455)*0,15=2575+614,25=3189,25
Жалпы 7001,65+5889,25+3189,25=16080,15
16080,15*3=192961,8
• Жалақы мен ... ... ... ... ... ... ... өзгертуінің жасалуы және енгізуге кеткен
шығындарды – капиталды салымдар деп есептейік. Оның ... ... ... мен ... ... 5.3 - ... ... ... ... ... ... ... жалақылары |1298925 ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... жұмыс істейтін адамдарды алайық – қысқыш
слесарьлары – 3 адам, араластырғыш слесарьлары – 4 ... ... ... – 8 адам, басқа көмекші жұмысшылар – 5 адам.
Кесте 5.4 - Негізгі жұмысшылар, олардың жалақыларының көлемі мен ... ... ... саны ... ... істеу |Жалақының |
| | | ... ... ... |3 |27000 |12 |972000 ... | | | | ... |4 |30000 |12 |1440000 ... | | | | ... пеш |8 |35000 |12 |3360000 ... | | | | ... |5 |20000 |12 |1200000 ... | | | | ... |20 |6972000 ... Әлеуметтік аударулар және зейнетақы қорына бөлінулер:
1) (15450-1030-1545)*0,2+ (27000-15450-1155)*0,15=2575+1559,25=4134,65
2) (15450-1030-1545)*0,2+(30000-15450-1455)*0,15=2575+1964,25=4539,25
3) (15450-1030-1545)*0,2+(35000-15450-1955)*0,15=2575+2639,25=5214,25
4) (15450-1030-1545)*0,2+(20000-15450-455)*0,15=2575+614,25=3189,25
Жалпы 4134,65+4539,25+5214,25+3189,25=17077
17077*12=204924
• Жалақы мен әлеуметтік ... ... ... ... 5.5-те – 25 кг кремний ... ... ... ... 5.5 - ... ... мен ... бағалары
|Материалдар аты |Саны (кг) |1 кг бағасы ... ... |
| | | ... ... ... |100 |0,15 |15 |1950 ... көмірі |45 |0,36 |16,2 |2106 ... ... |10 |0,10 |1 |130 ... электроды |3,6 |0,35 |1,26 |163,8 ... |4349,8 |
25 ... ... ... ... шығындар – 4349,8 теңге болады.
1 килограмм кремний балқытуға жұмсалатын шығындар – 173,9 ... ... ... брикеттеуге кететін электр энергиясы.
Кесте 5.6 - Электр энергиясының есептеуі
|Жабдықтар ... ... ... |электр энергиясының|
| ... ... сағ ... ... ... |10 |3 |30 ... ... линиясы | | | ... |4 |5 |20 ... |0,8 |4 |3,2 ... пеш |7 |20 |140 ... |193,2 ... ... құны 4,6 ... ... Негізгі қаражаттың амортизациясы.
Жабдықтар амортизациясы
Жабдықтар құны 10080000 тг.
Жабдықтардың жұмыс істеу мерзімін 10 жыл деп алайық.
Амортизация нормасы – 10 ... ... ... амортизациясы:
Цех алаңын есептеу:
бір негізгі жұмысшыға – 14 м2 ... алаң ... ... ... – 1 м2 ... алаң ... м2 ... алаң құны
негізгі жұмысшыға – 35000 теңге
көмекші жұмысшыға – 27000 теңге
Ғимаратты жөндеуге арналған бөлінулер – 3 ... ... ... ... ... құнының – 5 %.
Амортизация нормасы – 1,2 %.
Персоналдың жалпы саны:
(Nитр+Nмонт+Nнег.пер. )=9+15+30=54 адам
А) 54*14*35000=26460000 теңге.
Б) 54*1*27000=1458000 теңге.
Ғимарат құны: 26460000+1458000=27918000 теңге.
Амортизациялық бөлінулер: ... ... ... ... ... ... ... арналған бөлінулер:
10080000*0,05=504000 теңге.
• Электр энергиясына кететін шығындар.
Цех ұзындығы бір жұмысшыға: 14м2+1м2=15м2.
Цех биіктігі 15 м.
V=15*15=225м3
Өндірістік алаңның 1 ... 15 ... ... ... ... Вт/сағ* м3
Жарықтандыру уақыты бір жылда: 2300 сағ.
Сонда 3375*2300=7762500 Вт/жыл немесе 7762,5 кВт/жыл.
1 кВт энергияға тариф бойынша 4,6 ... бір ... ... ... бір ... ... энергиясының кететін жалпы шығыны бір жылда
36018*54=1944972 теңге.
• Жылытуға пар.
1 м3 өндірістік алаңға 15 кал/сағ пар кетеді.
225*15=3375 ... ... ... 4320 ... ... ... ... пар 1000000 калорияға эквивалентті.
14580000 кал = 14,58 тонна бір жылытатын мерзімге.
1 ... ... құны 400 ... теңге бір жұмысшыға.
Жылытатын мерзімге пар үшін кететін шығындар жылына
5832*54=314928 теңге
• Суға кететін шығындар.
Бір жұмысшыға бір ... 25 л су ... м3 ... құны – 10 теңге.
1 жылда 252 жұмыс күні ... ... л = 340,2 ... ... ... Цехтық шығындар.
1) Электр энергиясына кететін шығындар – 2095875 ... ... ... ... - 3631790 ... Жобаны енгізушілердің жалақылары – 2712961,8 теңге/жыл.
4) Суға, жылытуға кететін ... – 318330 ... ... ... ... ... – 710546,4 ... Ғимарат пен жабдықтарды жөндеуге кететін шығындар –
2076540 теңге/жыл.
Басқа да цех ... 25 ... цех ... – 9850796 ... ... ... ... материалдар мен шикізаттардың бағалары 30,52
Негізгі персоналдың жалақылары 160,3
Электр энергиясының құны 4,83
Амортизация 27
Цехтық шығындары 197
Цехтық ... құны ... ... ... ... құны 580
Өндірістік емес шығындар 23,2
Толық өзіндік құны 603,15
Қорытынды нәтиже:
Санағанымыздай кремний балқыту үшін ... ... 603,15 тг ... ... ... дүниежүзілік талаптарды қанағаттандырады.
Шыққан баға техникалық кремний өндіретін ... ... ... ... ... тұр.
ҚОРЫТЫНДЫ
Жұмыста бірінші рет бақыланатын ... ... ... ... ауа құрамы, сәулелену және т.б.) ... ... зона ені, ... беті, SiO2 электронды-донорлық қасиеттері мен
құрылымы бар және спектроскопиялық(масс-спектрометрия, ЭПР, ... ... және ... ... қолдана отырып
оксидті материалдарға газдардың радиациялық- ... ... ... және ... үшін осы құбылыстың ... ... ... ... ... ... сәулелену әсері бір жағынан беттік ОН-топтардың (тұйықталған
және сутекті ... ... ... ал ... ... су
молекулаларының немесе үлгі көлеміндегі сутек молекулаларының құрылуын
орнатады. ... ... және ... ... ... қостотығында адсорбция орталығы болатын қоздырылған ... ... ... ... Оксидтердегі радиациялық-стимулданған адсорбцияның кинетикалық
сипаттамалары зерттелген, адсорбция ... ... реті ... ... (n=1/2) атомдық түрдегі сутектің және (n=1) молекулярлық
түрдегі оттектің артықшылық адсорбция жөнінде ... ... ... ... ... ... жылдамдығының монотонды емес
тәуелділіктері, адсорбцияланған газ саны және ... ала ... ... ... ... табылды.
Фотоадсорбциондық эффекті максимумы Тпр=1173 К және Тпр=473 К кезінде, ал
гамма-сорбциондық эффект ... К және ... К ... ... қостотығы үшін бұл эффекттерді ... ... ... кезінде қолдану жорамалданады.
в) Оттектің фотоадсорбциясының спектрлі сипаттамалары зерттелген, кремний
қостотығының оттектің ... ... жұту рөлі ... ... және ... және ... ... ұзақтылығы алдын ала
қыздыру температурасынан тура пропорционалды тәуелді болатын индукционды
периодтың бар болуымен ... Одан ... ... ... және ... зарядталған гамма- кванттардың алдын ... ... ... ... ол ... ала оксидтерде
адсорбциондық қабілеттіліктер арттырудан немесе сәулелену ... ... ... ... ... Көрсетілген эффектілер
табиғаты орнатылған.
г) Бастапқы және ... ... ... ... әр түрлі
температурада өңделген және әр түрлі ... ... ... әр түрлі
оксидтердегі парамагниттік орталықтарының кинетикалық қисық ... ... ... ... жүргізілген. Және де
олардың әр түрлі электронды сипаттағы газдардың ... ... ... Оттектің адсорбциясы не ЭПР сигналының артуына әкелетін О2-
радикалды ... не ... ... ... ... кванттары және зарядталған бөлшектермен сәулеленген ... ... О- ... D-тесік орталықтарында өтеді және гидроксильді
топтардың қайта құрылуымен және ... ... ... жүреді.
д) Кремний оксидтерінің беттік қасиеттеріне жоғары энергиядағы зарядталған
бөлшектердің сәулелену әсері бірінші рет зерттелген, радиациондық ... ... ... рөлі орнатылған. ОРЗЭ-ге әсер ... ... ... және ... көп дәрежеде бастапқы
оксидтердің электронды қасиеттерінен (айнымалы ... ... ... және т.б.); ... қатардың басында тұрған сирек жерді
элементтерінің ... ... ... ... ... ... және ... электрондық орталықтарға құрылмайды, бірақ Er2O3 ... ... ... ... ... үшін қарама-қарсы жағдай байқалады.
е) Нейтронды сәулеленудің оксидтер қасиеттеріне әсер етуін зерттеу кезінде
сыртқы сәулелену әсерімен бірге тағы да ... P31 ... ... ... болатын, ішкі β-сәулеленумен ... ... орын бар. ... ... ... үлесті құрылымдық
ақаулар мен шарттар орталықтарды қосады.
ж) Оксидтердегі оттек және ... ... ... ... ... ең ... О-2 радикалды түрде және қоздырылған сутектік
көпірлер бұзылған ... ... ... белсенді орталықтарында
сорбцияланады. Оттек болғанда иондалған ... ... ... ... ... органикалық қоспалардың тотығуы орын алады;
нәтижесінде су, көмірқышқыл газ, ... ... ... ... ... ... гидроксильді қабаттың қайта
құрылуымен қатар жүреді.
Жұмыста алынған ғылыми нәтижелерді оксидті материалдардағы радиационды-
стимулданған құбылысының ... мен ... ... мәселесіне
қосқан үлесі ретінде қарастыруға болады.
ӘДЕБИЕТТЕР ТІЗІМІ
1. Абляев Ш.А., Стародубцев С.В., ... С.Е. ... ... ... под ... гамма-лучей. - Докл. АН ... 1959- 72 ... ... Ш.А., ... С.В., ... С.Е. ... ... пористых тел под действием гамма-облучения. - Ташкент: Фан,
Т.1, 1961- 174 с.
3. Аксенова Т.И., ... С.Е., ... Т. ... ... на SiO2 ... ИК-спектроскопии. – Алма-Ата: 1979-
190с.
4. Бобышев А.Н., Радциг В.А. Свободно-радикальные ... ... на ... диоксида кремния. - Кинетика и катализ:
Т.31.1978- 925-930 с.
5. Волков А.В., ... А.В., ... В.И. ... и ... ... методом ИК- спектроскопии.
- Коллойд. журн: Т.41, 1979- 323 с.
6. Данчевская М.Н., Крейсберг В.А., Ракчеев В.А. Механизм ... ... ... на процесс структурирования
кремнезема. - Журн. физ. хим.: Т.62, №1, 1988- 122-127 ... ... М.Н., ... О.Т. ... ЭПР ... ... ... - Журн. физ. хим.: Т.62, №1, 1988-128-132 с.
8. Ерматов С.Е., ... Е.И., ... Т. ... ... водорода при
облучении окислов кремнтя, алюминия, бериллия тяжелыми заряженными
частицами. - ... Фан, 1974-84 ... ... С.Е. ... ... ... и природы центров
адсорбции облученного кремнезема. – М.: 1972-42 с.
10. Ерматов С.Е., ... Е.И. ... ... ... газа ... ... при ... заряженными частицами. - Изв. АН
КазССР.: 1973-80с.
11. Ерматов С.Е., ... Т., ... Н.А. ... ... ... в ... SiO2.- Изв. АН ... с.
12. Ерматов С.Е., Тусеев Т. Температурная зависимость γ-адсорбционного
эффекта на окисных адсорбентах. – М.: Наука, 1975-33 с.
13. Ерматов С.Е., ... Т. ... ... ... ... ... ... двуокиси кремния. – Тащкент:
Фан, 1974-67 с.
14. Ерматов С.Е., Тусеев Т. О роли ... ... ... в ... ... // Изв. АН ... 1975-82 ... Ерматов С.Е., Тусеев Т., Вахабов М. Радиационно-стимулированная
адсорбция на поверхности SiO2 и BeO. – ... Фан, ... ... ... С.Е., ... Т. ... радиационные эффекты на SiO2 и
BeO. – Караганда: 1986- 72 с.
17. Ерматов С.Е., Тусеев Т., Вахабов М. ... ... ... на
SiO2. - Изв. АН УзССР.: №1, 1990- 21-24 с.
18. Киселев В.Ф. ... ... в ... и ... ... Наука, 1974- 299 с.
19. Киселев В.Ф., Крылов О.В. Адсорбционные ... на ... и ... – М.: Наука, 1976- 250 с.
20. Киселев В.Ф., Лыгин В.Н. ИК-спектры поверхностных ... ... ... М.: ... 1972- 460 ... ... В.И., ... В.Ф. Исследование состояния поверхности
методом ЯМР.- М.: Наука, 1968- 302 с.
22. ... С.И., ... В.Б. ... его ... и ... – Л.: Наука, 1963- 96 с.
23. Киселев В.Ф., Лыгин В.И., ... К.Л. ... ... ... поверхности кремнезема методом ИК-
спектроскопии.- М.: ... 1986- ... ... ... Т.С. ... ... радиационных центров и механизма
адсорбции газов на окисных адсорбентах спектрометрическим методом.-
Алма-Ата: 1974- 21 ... ... С.А., ... С.Д., ... С.И. и др. Влияние
термообработки на состояние легирующих добавок в сорбционных пленках
оксида кремния. – М.: ... 1990- ... ... ... Ф.П., ... В.Е. ... разложение
воды на поверхности силикагеля. – Новосибирск: Наука, 1974- 96 с.
27. ... О.И., ... А.Г. ... ... γ-облученных
силикагелей. Исследование методом ЭПР влияния адсорбции водорода ... ... – М.: ... выс. ... 1970-72 с.
28. Радциг А.А., Бобышев А.А. и др. Силадиоксирановые группировки на
поверхности SiO2 .- ... и ... Т.30, 1989- ... ... ... В.А., Морозов А.В. и др. Изучение ... ... ... ... ... кремния методом масс-
спектрометрии вторичных ионов. – Журн. физ. хим.: Т.63, 1989- 3370-
3373 с.
30. ... Ю.П. ... ... на ... ...
М.: Наука, 1966- 435 с .
31. Тагиева М.М., Киселев В.Ф. ... ... ... на
свойства поверхности кремнезема. – М.: Наука, 1961-1381 с.
32. Теренин А.Н. ИК-спектры поверхностных ... на ... – М.: МГУ, 1957- 206 ... ... Т. Т. ... облучения на поверхностные свойства некоторых
окислов. – ... 1992- 69 ... ... Т. Т. О ... фотоадсорбции на SiO2.- Туркестан: 1994-164
с.
-----------------------

Пән: Физика
Жұмыс түрі: Дипломдық жұмыс
Көлемі: 80 бет
Бұл жұмыстың бағасы: 900 теңге









Ұқсас жұмыстар
Тақырыб Бет саны
Темір кенін өңдеудің электрохимиялық технологиясын жасау40 бет
Ароматты нитроқосылыстар8 бет
Көміртекталшықты армирлеуші элементтер3 бет
Сүт компоненттерін түрлендіру5 бет
Тозуға төзімді және коррозияға төзімді қаптамалар туралы мәлімет3 бет
Бактерицидік қасиеті бар жаңа беттік активті заттар38 бет
Беттік активті заттар3 бет
Беттік қабатын өңдеу технологиясы52 бет
Бидайдың қатты қара күйесі7 бет
Дәрілік заттардың әсерінің ағза қасиеттеріне тәуелділігі8 бет


+ тегін презентациялар
Пәндер
Көмек / Помощь
Арайлым
Біз міндетті түрде жауап береміз!
Мы обязательно ответим!
Жіберу / Отправить


Зарабатывайте вместе с нами

Рахмет!
Хабарлама жіберілді. / Сообщение отправлено.

Сіз үшін аптасына 5 күн жұмыс істейміз.
Жұмыс уақыты 09:00 - 18:00

Мы работаем для Вас 5 дней в неделю.
Время работы 09:00 - 18:00

Email: info@stud.kz

Phone: 777 614 50 20
Жабу / Закрыть

Көмек / Помощь