RC байланысы бар күшейткіштер
1. Резистивті.сиымдылықты байланысы бар апериодты күшейткіштер ... ... ...3
2. Транзистордағы күшейткіш құрылғылар ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..3
3. Күшейткіштің негізгі параметрі мен сипаттамасы ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..3
4. Күшейткіш транзистордың жұмыс режимі ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...4
5. RC байланысы бар күшейткіштер (А периодты) ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .6
5.1 Кері байланысты сызықты тізбек ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 9
5.2 Теріс және оң кері байланыс ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .10
6. ООС күшейткіштің негізгі сипаттамасына әсер етуі ... ... ... ... ... ... ... ... ... .11
7. Паразитті сигналдарды өшіру ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..12
8. Жиілік мінездемесінің корреляциясы ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 13
2. Транзистордағы күшейткіш құрылғылар ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..3
3. Күшейткіштің негізгі параметрі мен сипаттамасы ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..3
4. Күшейткіш транзистордың жұмыс режимі ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...4
5. RC байланысы бар күшейткіштер (А периодты) ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .6
5.1 Кері байланысты сызықты тізбек ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 9
5.2 Теріс және оң кері байланыс ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .10
6. ООС күшейткіштің негізгі сипаттамасына әсер етуі ... ... ... ... ... ... ... ... ... .11
7. Паразитті сигналдарды өшіру ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..12
8. Жиілік мінездемесінің корреляциясы ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 13
Күшейткіш элементтер қатарында биполярлы және МДП-транзисторлары қолданылады.
1. Күшейтілетін сигналдар аралық (диапазон) жиілігі бойынша бөлінеді.
- УПТ;
- Дыбыстық жиілік күшейткіштер f<=20 КГц;
- УВЧ, f= 20-300 Мгц;
- Өте жоғары жиілікті күшейткіштер (СВЧ), f >300.
2. Күшейтілетін сигналдар жиілігі спектрдің еніне байланысты күшейткіштер төмендегідей болады: Таржолақты күшейтілетін сигналдың жиілік жолағының орташа аралық жиілігінің қатынасы бойынша , яғни ∆f / f0 <<1; Кеңжолақты, яғни ∆f / f0 >1.
3. Жүктелудің мінездемесіне байланысты бөлінуі:
Таңдалынғандар және апериодталынғандар.
4. Күшейткіш тағайындалуына байланысты U, I және P күшейткіштері болып бөлінеді.
Күшейткіштің негізгі параметрі мен сипаттамасы.
1. U күшейткіші үшін Ku = Uшығ/Uену.
I күшейткіші үшін Ki = Iшығ/ Iену, Kp = Pшығ/Pену.
2. АЧХ (K-ның f-тен тәуелділігі әдетте логарифмдік масштабта, яғни K-ның lg f-ке тәуелділігімен тұрғызылады).
1. Күшейтілетін сигналдар аралық (диапазон) жиілігі бойынша бөлінеді.
- УПТ;
- Дыбыстық жиілік күшейткіштер f<=20 КГц;
- УВЧ, f= 20-300 Мгц;
- Өте жоғары жиілікті күшейткіштер (СВЧ), f >300.
2. Күшейтілетін сигналдар жиілігі спектрдің еніне байланысты күшейткіштер төмендегідей болады: Таржолақты күшейтілетін сигналдың жиілік жолағының орташа аралық жиілігінің қатынасы бойынша , яғни ∆f / f0 <<1; Кеңжолақты, яғни ∆f / f0 >1.
3. Жүктелудің мінездемесіне байланысты бөлінуі:
Таңдалынғандар және апериодталынғандар.
4. Күшейткіш тағайындалуына байланысты U, I және P күшейткіштері болып бөлінеді.
Күшейткіштің негізгі параметрі мен сипаттамасы.
1. U күшейткіші үшін Ku = Uшығ/Uену.
I күшейткіші үшін Ki = Iшығ/ Iену, Kp = Pшығ/Pену.
2. АЧХ (K-ның f-тен тәуелділігі әдетте логарифмдік масштабта, яғни K-ның lg f-ке тәуелділігімен тұрғызылады).
Тақырыбы: RC байланысы бар күшейткіштер.
МАЗМҰНЫ
1. Резистивті-сиымдылықты байланысы бар апериодты күшейткіштер ... ... ...3
2. Транзистордағы күшейткіш
құрылғылар ... ... ... ... ... ... . ... ... ... ... ... ... ... ... .3
3. Күшейткіштің негізгі параметрі мен
сипаттамасы ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..3
4. Күшейткіш транзистордың жұмыс
режимі ... ... ... ... ... ... ... . ... ... ... ... ... ... ..4
5. RC байланысы бар күшейткіштер (А
периодты) ... ... ... ... ... ... .. ... ... ... ... ...6
5.1 Кері байланысты сызықты
тізбек ... ... ... ... ... ... ... . ... ... ... ... ... ... ... ... ... 9
5.2 Теріс және оң кері
байланыс ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..
.10
6. ООС күшейткіштің негізгі сипаттамасына әсер
етуі ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..11
7. Паразитті сигналдарды
өшіру ... ... ... ... ... ... ... .. ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..
...12
8. Жиілік мінездемесінің
корреляциясы ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..13
Резистивті-сыйымдылықты байланысы бар апериодты күшейткіштер.
Транзистардағы күшейткіш құрылғылар.
Күшейткіш элементтер қатарында биполярлы және МДП-транзисторлары
қолданылады.
1. Күшейтілетін сигналдар аралық (диапазон) жиілігі бойынша бөлінеді.
- УПТ;
- Дыбыстық жиілік күшейткіштер f=20 КГц;
- УВЧ, f= 20-300 Мгц;
- Өте жоғары жиілікті күшейткіштер (СВЧ), f 300.
2. Күшейтілетін сигналдар жиілігі спектрдің еніне байланысты күшейткіштер
төмендегідей болады: Таржолақты күшейтілетін сигналдың жиілік жолағының
орташа аралық жиілігінің қатынасы бойынша , яғни ∆f f0 1; Кеңжолақты,
яғни ∆f f0 1.
3. Жүктелудің мінездемесіне байланысты бөлінуі:
Таңдалынғандар және апериодталынғандар.
4. Күшейткіш тағайындалуына байланысты U, I және P күшейткіштері болып
бөлінеді.
Күшейткіштің негізгі параметрі мен сипаттамасы.
1. U күшейткіші үшін Ku = UшығUену.
I күшейткіші үшін Ki = Iшығ Iену, Kp = PшығPену.
2. АЧХ (K-ның f-тен тәуелділігі әдетте логарифмдік масштабта, яғни K-ның lg
f-ке тәуелділігімен тұрғызылады).
Күшейткіштің жиіліктік жұмыс диапазоны жиіліктің жолақ өткізуіне сәйкес
болады. Ол жолақта жиілікті бұрмалану (искажения) рұқсат етілген мәннен
артық емес болуы керек.
3. Фазалық өзгеру жиілік өзгеру сияқты күшейткіштің жиілікке тәуелді
элементтерінің болуынан пайда болады.
4. Сызықсыз өзгеру күшейткіште ВАС-ы сызықсыз транзисторлар қолданғандықтан
пайда болады.
5. Күшейткіштің жүктемесінде пайда болатын жоғарғы мәнді қуатты оның шығыс
қуаты деп атайды. Бұл кезде сызықты емес бұрмалануы рұқсат етілген мәннен
артық болмауы керек.
6. Күшейткіштің сезімталдығы – жүктемеде пайда болатын номиналды қуатқа
сәйкес күшейткіштің кірісіндегі кернеудің аз мәні. Күшейткіш қуатының
көрсеткіші ПӘК болып табылады. (PномPкер)*100%.
7. Жақсы күшейткіштердегі бөгеттің деңгейі - =50дб. Lдб=20 lg(UбUном).
8. Динамикалық күшейткіштер аралығы
Күшейткіштегі транзистордың жұмыс режимі.
Күшейтуге қажетті сигналды транзистор негізіндегі күшейткіш кірісіне
берер алдында, транзистордың бастапқы жұмыс режимін қамтамасыз ету керек
(статикалық режим, тұрақты ток режимі, тыныштық режимі). Бастапқы жұмыс
режимі транзистор электродтарының тұрақты тогымен және осы электрод
арасындағы кернеумен сипатталады. ”Транзистордың бастапқы жұмыс режимі”
деген термин және оған тең “Күшейткіштің бастапқы жұмыс режимі” термині
қолданылады.
Бұны анықтау үшін жалпы эмиттерлі және транзистор шығу сипаттамасына
сәйкес келетін сұлбаны қарастырамыз. Онда бастапқы жұмыс режимі Uкэ, Iкк
координаталарымен бастапқы жұмыс нүктелері деп аталатын жағдаймен
сипатталады, бұнда Uкэ-бастапқы коллектор және эмиттер арасындағы кернеу,
Iкк- бастапқы коллектор тогы. Күшейткіштің тұрақты жұмысы үшін бастапқы
жұмыс нүктесінің жағдайымен өзгеріс жібермеу керек.
Бастапқы режимді қамтамасыз ету мәселелерін сипаттау үшін әдетте келесі
үш сұлба қарастырылады:
- нақтыланған база тогы;
- коллекторлы тұрақтылықпен;
-эмиттерлі тұрақтылықпен;
Осы сұлбалардың біріншісі тәжірибеде мүлдем қолданбайды. Қалған екі
сұлбаның ішінде эмиттерлі тұрақтылық сұлбасына жиі мән беріледі. Осы
сұлбалардың әрқайсысын қарастырамыз.
Нақтыланған база тогы сұлбасы келесі себептермен сирек пайдаланылады:
- тұрақтандырмайтын факторлар (мысалы, температураның) әсерінен келесі
шамалардың βст и Iko мәндері өзгереді, оған сәйкес коллекторлы тізбектегі
токтың Ikн және бастапқы жұмыс нүктесінің жағдайы өзгереді.
- күшейткіштің βтұр коэффициентінің әр мәні үшін Rб кедергісінің сәйкес
келетін мәні алынуы керек, бірақ оларды дискретті аспаптарда
(интегралдыемес технология бойынша жасалған аспаптар) және интегралды
сұлбаларда пайдалану ыңғайсыз.
Коллекторлы тұрақтылығы бар сұлбасы бастапқы режимнің өте күшті
тұрақтылығын қамтамасыз етеді. Сұлбада кернеу бойынша теріс кері байланыс
орын алады (сұлбаның шығуы - транзистордың коллекторының сұлбасының енуімен
– транзистор базасы Rб кедергісінің көмегімен жалғастырылған). Бұның пайда
болуын келесі мысалда қарастырамыз. Белгілі бір жағдаймен (мысалы,
температураның ұлғаюынан) Iк тогы үлкейе бастады делік. Бұл Urk кернеуінің
ұлғаюына, Uкэ кернеуінің кемуіне және Iб тогының (Iб ≈ UкэRб) кемуіне
әкеледі, яғни Iк тогының едәуір ұлғаюына кедергі жасайды, яғни коллектор
тогының тұрақтылығы пайда болады.
Эмиттерлі тұрақтылығы бар сұлбасы (суреті төменде көрсетілген). Шетел
әдебиеттерінде мұндай сұлбаларды Н-ығысуы сұлбасы (сұлбаның конфигурациясы
Н-әрпіне сәйкес келеді) деп атайды. Негізгі идея, іске асырылған сұлба, Iэ
тогын және Iк тогы арқылы (Iк ≈ Iэ) нақтылау үшін құралады. Көрсетілген
мақсаттамен эмиттер тізбегіне Rэ кедергісін қосады және осында Urэ тұрақты
кернеуін құрайды. Сондықтан
Iэ ≈ uк э Rэ = const.
Urэ кернеуін құру үшін R1 және R2 кедергілерінде кернеу бөлгішті
қолданады. R1 және R2 кедергілердің мәндерін iб тогы Ur2 кернеудің мәніне
әсер етпейтіндей өте кіші етіп алады. Сонымен
ur2 = Ek * R2 (R1 + R2).
Кирхгофтың екінші заңына сәйкес urэ= ur2 - uбэ.
Uбэ кернеуі тұрақтыланбаған факторлардың әсерінен аз ғана өзгереді,
сондықтан Urэ шамасы да аз өзгереді. Әдетте тәжірибе жүзінде Urэ кернеуі Eк
кернеуінің азғантай үлесін құрайды.
RC байланысы бар күшейткіштер. (А периодты)
Кедергілері салыстырмалы аз мәнді кернеуді бөлгіш резисторлар R1 және R2
коллекторлық өтуінің кері тогы өзгерерде транзистордың базасының
тұрақтылығын қамтамасыз етеді, ал Rэ кедергісі теріс кері байланысты
тудырады және күшейткіштің сипаттамаларының тұрақтылығын жақсартады.
Басқаша айтқанда таңдалынып алынған жұмыс нүктесінде Iк коллектор тогының
және транзистордың күшейткіш коэффициентінің тұрақтылығын қамтамасыз етеді.
мұндағы, R және R – резистивті кернеуді бөлуші.
R және R арқылы жұмыс нүктесінің бастапқы жағдайы транзистордың
берілу сипаттамасының сызықты учаскесінің ортасында таңдалынып алынады.
Басқаша айтақанда транзистор бұл күшейткіште А классын күшейту
режимінде пайдаланылады.
Күшейтуді (жұмыс нүктесінің бастапқы жағдайы) тұрақтандыру үшін
схемаға Н резисторы арқылы теріс, кері байланыс енгізілулер қажет.
Теріс кері байланысты азайту үшін R эмиттерге параллель S эмиттер
конденсаторын қосамыз.
Жоғарыдағы жиіліктердің шығыс сигналының амплитудасының күшейткіш
коэффициенттерінің төмендеуі паразиттік жүктемелік сиымдылық пен
транзистордың p-n ауысуларының сиымдылықтың әсерінен болады.
Төмендегі жиілікті де сигналды, амплитудалық сигналды күшейту
кедергілерінің төмендеуі С және С көмегімен болады.
Сонымен осы паразиттік сиымдылықтың және С және С
конденсатордың әсерінен күшейткіштің жиілікті өткізу жолағы азаяды. Оны
кеңейту үшін әртүрлі схематехникалық әдістер пайдаланылады. Мысалы, жоғарғы
және төменгі жиілікті корректрлеуші тізбектер пайдаланылады.
К= S * R
мұндағы, S – транзистордың берілу сипаттамасының жоғарылығы;
Орта және жоғарғы жиіліктерде С конденсатордың кедергісі өте
төмен, ол R кедергіні шунттайды.
Сол себепті ... жалғасы
Сіз бұл жұмысты біздің қосымшамыз арқылы толығымен тегін көре аласыз.
МАЗМҰНЫ
1. Резистивті-сиымдылықты байланысы бар апериодты күшейткіштер ... ... ...3
2. Транзистордағы күшейткіш
құрылғылар ... ... ... ... ... ... . ... ... ... ... ... ... ... ... .3
3. Күшейткіштің негізгі параметрі мен
сипаттамасы ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..3
4. Күшейткіш транзистордың жұмыс
режимі ... ... ... ... ... ... ... . ... ... ... ... ... ... ..4
5. RC байланысы бар күшейткіштер (А
периодты) ... ... ... ... ... ... .. ... ... ... ... ...6
5.1 Кері байланысты сызықты
тізбек ... ... ... ... ... ... ... . ... ... ... ... ... ... ... ... ... 9
5.2 Теріс және оң кері
байланыс ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..
.10
6. ООС күшейткіштің негізгі сипаттамасына әсер
етуі ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..11
7. Паразитті сигналдарды
өшіру ... ... ... ... ... ... ... .. ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..
...12
8. Жиілік мінездемесінің
корреляциясы ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..13
Резистивті-сыйымдылықты байланысы бар апериодты күшейткіштер.
Транзистардағы күшейткіш құрылғылар.
Күшейткіш элементтер қатарында биполярлы және МДП-транзисторлары
қолданылады.
1. Күшейтілетін сигналдар аралық (диапазон) жиілігі бойынша бөлінеді.
- УПТ;
- Дыбыстық жиілік күшейткіштер f=20 КГц;
- УВЧ, f= 20-300 Мгц;
- Өте жоғары жиілікті күшейткіштер (СВЧ), f 300.
2. Күшейтілетін сигналдар жиілігі спектрдің еніне байланысты күшейткіштер
төмендегідей болады: Таржолақты күшейтілетін сигналдың жиілік жолағының
орташа аралық жиілігінің қатынасы бойынша , яғни ∆f f0 1; Кеңжолақты,
яғни ∆f f0 1.
3. Жүктелудің мінездемесіне байланысты бөлінуі:
Таңдалынғандар және апериодталынғандар.
4. Күшейткіш тағайындалуына байланысты U, I және P күшейткіштері болып
бөлінеді.
Күшейткіштің негізгі параметрі мен сипаттамасы.
1. U күшейткіші үшін Ku = UшығUену.
I күшейткіші үшін Ki = Iшығ Iену, Kp = PшығPену.
2. АЧХ (K-ның f-тен тәуелділігі әдетте логарифмдік масштабта, яғни K-ның lg
f-ке тәуелділігімен тұрғызылады).
Күшейткіштің жиіліктік жұмыс диапазоны жиіліктің жолақ өткізуіне сәйкес
болады. Ол жолақта жиілікті бұрмалану (искажения) рұқсат етілген мәннен
артық емес болуы керек.
3. Фазалық өзгеру жиілік өзгеру сияқты күшейткіштің жиілікке тәуелді
элементтерінің болуынан пайда болады.
4. Сызықсыз өзгеру күшейткіште ВАС-ы сызықсыз транзисторлар қолданғандықтан
пайда болады.
5. Күшейткіштің жүктемесінде пайда болатын жоғарғы мәнді қуатты оның шығыс
қуаты деп атайды. Бұл кезде сызықты емес бұрмалануы рұқсат етілген мәннен
артық болмауы керек.
6. Күшейткіштің сезімталдығы – жүктемеде пайда болатын номиналды қуатқа
сәйкес күшейткіштің кірісіндегі кернеудің аз мәні. Күшейткіш қуатының
көрсеткіші ПӘК болып табылады. (PномPкер)*100%.
7. Жақсы күшейткіштердегі бөгеттің деңгейі - =50дб. Lдб=20 lg(UбUном).
8. Динамикалық күшейткіштер аралығы
Күшейткіштегі транзистордың жұмыс режимі.
Күшейтуге қажетті сигналды транзистор негізіндегі күшейткіш кірісіне
берер алдында, транзистордың бастапқы жұмыс режимін қамтамасыз ету керек
(статикалық режим, тұрақты ток режимі, тыныштық режимі). Бастапқы жұмыс
режимі транзистор электродтарының тұрақты тогымен және осы электрод
арасындағы кернеумен сипатталады. ”Транзистордың бастапқы жұмыс режимі”
деген термин және оған тең “Күшейткіштің бастапқы жұмыс режимі” термині
қолданылады.
Бұны анықтау үшін жалпы эмиттерлі және транзистор шығу сипаттамасына
сәйкес келетін сұлбаны қарастырамыз. Онда бастапқы жұмыс режимі Uкэ, Iкк
координаталарымен бастапқы жұмыс нүктелері деп аталатын жағдаймен
сипатталады, бұнда Uкэ-бастапқы коллектор және эмиттер арасындағы кернеу,
Iкк- бастапқы коллектор тогы. Күшейткіштің тұрақты жұмысы үшін бастапқы
жұмыс нүктесінің жағдайымен өзгеріс жібермеу керек.
Бастапқы режимді қамтамасыз ету мәселелерін сипаттау үшін әдетте келесі
үш сұлба қарастырылады:
- нақтыланған база тогы;
- коллекторлы тұрақтылықпен;
-эмиттерлі тұрақтылықпен;
Осы сұлбалардың біріншісі тәжірибеде мүлдем қолданбайды. Қалған екі
сұлбаның ішінде эмиттерлі тұрақтылық сұлбасына жиі мән беріледі. Осы
сұлбалардың әрқайсысын қарастырамыз.
Нақтыланған база тогы сұлбасы келесі себептермен сирек пайдаланылады:
- тұрақтандырмайтын факторлар (мысалы, температураның) әсерінен келесі
шамалардың βст и Iko мәндері өзгереді, оған сәйкес коллекторлы тізбектегі
токтың Ikн және бастапқы жұмыс нүктесінің жағдайы өзгереді.
- күшейткіштің βтұр коэффициентінің әр мәні үшін Rб кедергісінің сәйкес
келетін мәні алынуы керек, бірақ оларды дискретті аспаптарда
(интегралдыемес технология бойынша жасалған аспаптар) және интегралды
сұлбаларда пайдалану ыңғайсыз.
Коллекторлы тұрақтылығы бар сұлбасы бастапқы режимнің өте күшті
тұрақтылығын қамтамасыз етеді. Сұлбада кернеу бойынша теріс кері байланыс
орын алады (сұлбаның шығуы - транзистордың коллекторының сұлбасының енуімен
– транзистор базасы Rб кедергісінің көмегімен жалғастырылған). Бұның пайда
болуын келесі мысалда қарастырамыз. Белгілі бір жағдаймен (мысалы,
температураның ұлғаюынан) Iк тогы үлкейе бастады делік. Бұл Urk кернеуінің
ұлғаюына, Uкэ кернеуінің кемуіне және Iб тогының (Iб ≈ UкэRб) кемуіне
әкеледі, яғни Iк тогының едәуір ұлғаюына кедергі жасайды, яғни коллектор
тогының тұрақтылығы пайда болады.
Эмиттерлі тұрақтылығы бар сұлбасы (суреті төменде көрсетілген). Шетел
әдебиеттерінде мұндай сұлбаларды Н-ығысуы сұлбасы (сұлбаның конфигурациясы
Н-әрпіне сәйкес келеді) деп атайды. Негізгі идея, іске асырылған сұлба, Iэ
тогын және Iк тогы арқылы (Iк ≈ Iэ) нақтылау үшін құралады. Көрсетілген
мақсаттамен эмиттер тізбегіне Rэ кедергісін қосады және осында Urэ тұрақты
кернеуін құрайды. Сондықтан
Iэ ≈ uк э Rэ = const.
Urэ кернеуін құру үшін R1 және R2 кедергілерінде кернеу бөлгішті
қолданады. R1 және R2 кедергілердің мәндерін iб тогы Ur2 кернеудің мәніне
әсер етпейтіндей өте кіші етіп алады. Сонымен
ur2 = Ek * R2 (R1 + R2).
Кирхгофтың екінші заңына сәйкес urэ= ur2 - uбэ.
Uбэ кернеуі тұрақтыланбаған факторлардың әсерінен аз ғана өзгереді,
сондықтан Urэ шамасы да аз өзгереді. Әдетте тәжірибе жүзінде Urэ кернеуі Eк
кернеуінің азғантай үлесін құрайды.
RC байланысы бар күшейткіштер. (А периодты)
Кедергілері салыстырмалы аз мәнді кернеуді бөлгіш резисторлар R1 және R2
коллекторлық өтуінің кері тогы өзгерерде транзистордың базасының
тұрақтылығын қамтамасыз етеді, ал Rэ кедергісі теріс кері байланысты
тудырады және күшейткіштің сипаттамаларының тұрақтылығын жақсартады.
Басқаша айтқанда таңдалынып алынған жұмыс нүктесінде Iк коллектор тогының
және транзистордың күшейткіш коэффициентінің тұрақтылығын қамтамасыз етеді.
мұндағы, R және R – резистивті кернеуді бөлуші.
R және R арқылы жұмыс нүктесінің бастапқы жағдайы транзистордың
берілу сипаттамасының сызықты учаскесінің ортасында таңдалынып алынады.
Басқаша айтақанда транзистор бұл күшейткіште А классын күшейту
режимінде пайдаланылады.
Күшейтуді (жұмыс нүктесінің бастапқы жағдайы) тұрақтандыру үшін
схемаға Н резисторы арқылы теріс, кері байланыс енгізілулер қажет.
Теріс кері байланысты азайту үшін R эмиттерге параллель S эмиттер
конденсаторын қосамыз.
Жоғарыдағы жиіліктердің шығыс сигналының амплитудасының күшейткіш
коэффициенттерінің төмендеуі паразиттік жүктемелік сиымдылық пен
транзистордың p-n ауысуларының сиымдылықтың әсерінен болады.
Төмендегі жиілікті де сигналды, амплитудалық сигналды күшейту
кедергілерінің төмендеуі С және С көмегімен болады.
Сонымен осы паразиттік сиымдылықтың және С және С
конденсатордың әсерінен күшейткіштің жиілікті өткізу жолағы азаяды. Оны
кеңейту үшін әртүрлі схематехникалық әдістер пайдаланылады. Мысалы, жоғарғы
және төменгі жиілікті корректрлеуші тізбектер пайдаланылады.
К= S * R
мұндағы, S – транзистордың берілу сипаттамасының жоғарылығы;
Орта және жоғарғы жиіліктерде С конденсатордың кедергісі өте
төмен, ол R кедергіні шунттайды.
Сол себепті ... жалғасы
Сіз бұл жұмысты біздің қосымшамыз арқылы толығымен тегін көре аласыз.
Ұқсас жұмыстар
Пәндер
- Іс жүргізу
- Автоматтандыру, Техника
- Алғашқы әскери дайындық
- Астрономия
- Ауыл шаруашылығы
- Банк ісі
- Бизнесті бағалау
- Биология
- Бухгалтерлік іс
- Валеология
- Ветеринария
- География
- Геология, Геофизика, Геодезия
- Дін
- Ет, сүт, шарап өнімдері
- Жалпы тарих
- Жер кадастрі, Жылжымайтын мүлік
- Журналистика
- Информатика
- Кеден ісі
- Маркетинг
- Математика, Геометрия
- Медицина
- Мемлекеттік басқару
- Менеджмент
- Мұнай, Газ
- Мұрағат ісі
- Мәдениеттану
- ОБЖ (Основы безопасности жизнедеятельности)
- Педагогика
- Полиграфия
- Психология
- Салық
- Саясаттану
- Сақтандыру
- Сертификаттау, стандарттау
- Социология, Демография
- Спорт
- Статистика
- Тілтану, Филология
- Тарихи тұлғалар
- Тау-кен ісі
- Транспорт
- Туризм
- Физика
- Философия
- Халықаралық қатынастар
- Химия
- Экология, Қоршаған ортаны қорғау
- Экономика
- Экономикалық география
- Электротехника
- Қазақстан тарихы
- Қаржы
- Құрылыс
- Құқық, Криминалистика
- Әдебиет
- Өнер, музыка
- Өнеркәсіп, Өндіріс
Қазақ тілінде жазылған рефераттар, курстық жұмыстар, дипломдық жұмыстар бойынша біздің қор #1 болып табылады.
Ақпарат
Қосымша
Email: info@stud.kz