«Есте сақтау құрылғыларының классификациясы.динамикалық жад контроллері»


КІРІСПЕ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..3
НЕГІЗГІ БӨЛІМ
1.1 Статикалық және динамикалық оперативті жад ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...4
1.2 Регистрлік кэш жад ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...4
1.3 Негізгі жад ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .5
1.4 Оперативті есте сақтау құрылғысы ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 7
ҚОРЫТЫНДЫ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..8
ПАЙДАЛАНЫЛҒАН ДЕРЕКТЕР МЕН ӘДЕБИЕТТЕР ТІЗІМІ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..9
Оперативті жад динамикалық (Dynamic Random Access Memory-DRAM) немесе статикалық (Static Random Access Memory-SRAM) типтерінен құралады. Жадтың статикалық типі әлдеқайда жоғары жылдамдықпен орындалады,бірақ DRAM-нан айтарлықтай қымбат. Статикалық жадта элементтер (ұяшықтар) әртүрлі триггерлердің нұсқауынан құрастырылған-екі тұрақты жағдайдағы кестеден тұрады.
Статикалық жадтың микросхемасының көмегіне жүгінсек,оған толық адрес беріледі және ол ішкі дешифраторлардың көмегімен нақты ұяшықтың сигналдарына түрленеді. SRAM ұяшықтары орындалғанда аз уақытқа ие (наносекунд бірлігі),алайда осы негіздегі микросхема төмен үдемелі сиымдылықпен және жоғарғы энергияны көп қажет етуімен ерекшеленеді. Сондықтан статикалық жад негізінен микропроцессорлық және буферлік (кэш-жад) түрінде қолданылады.
Динамикалық жадта ұяшықтар өте аз орын алатын және сақтау кезінде мүлдем энергия көзін қолданбайтын,өзіндік конденсаторлардан құралған,жартылай өткізгішті аумақтың зарядтар жинағының негізінде құрастырылған. Конденсаторлар матрица шинасының тігінен және көлденең қиылысуында орналасқан. Ақпаратты жазу және есептеу жад ұяшығына жататын,элементтермен байланысқан сол матрица шинасына электрлік импульспен беріледі. Микросхеманың кіруіне алғаш болып матрица жолының адресі беріледі, ол RAS(Row Address Strobe–жол адресінің стробы), содан бірнеше уақыттан кейін–баған адресі CAS(Column Address Strobe–баған адресінің стробы) сигналынан тұрады. Конденсаторлар біртіндеп зарядталатындықтан (заряд ұяшықта бірнеше милисекунд қана сақталады), сақталынған ақпаратты жоғалтпау үшін оған әрдайым регенерациялау қажет,одан да жадтың атын көреміз–динамикалық.Динамикалық жад ұяшығының статикалыққа қарағанда орындалуға көп уақыты бар (он шақты наносекунд),бірақ үдемелі тығыздығы көп және энергия қолданылымы аз. Динамикалық жад ДК жадтың оперативті есте сақтау құрылғысы ретпен орналасады.
1.В.Л.Бройдо О.П.Ильина «Вычислительные системы,сети и телекоммуникации»
2.В.Л.Бройдо «Архитектура ЭВМ и систем»

Пән: Информатика
Жұмыс түрі: Материал
Көлемі: 5 бет
Бұл жұмыстың бағасы: 300 теңге





Т. Рысқұлов атындағы Қазақ экономикалық университеті
Казахский экономический университет им Т. Рыскулова


ТАҚЫРЫБЫ Есте сақтау құрылғыларының классификациясы.Динамикалық жад
контроллері

ТЕКСЕРГЕН:
Қолданбалы информатика
кафедрасының оқытушысы
Куламбаев Б.О.
"____" _________2008 ж

ОРЫНДАҒАН:

Инженерлік – экономикалық
факультетінің ЕТ и ПҚ
мамандығы бойынша оқитын
3курс, 307топ студенттері
Жаикбаева М және
Жакипова А

Алматы 2008

Жоспар

КІРІСПЕ
... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..
... ... ... ... ... ... ... ... ..3
НЕГІЗГІ БӨЛІМ
1.1 Статикалық және динамикалық оперативті
жад ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...4
1.2 Регистрлік кэш
жад ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..
... ... ... ... ..4
1.3 Негізгі
жад ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..
... ... ... ... ... ... ... ... 5
1.4 Оперативті есте сақтау
құрылғысы ... ... ... ... ... ... .. ... ... ... ... ... ... ... ... ..7
ҚОРЫТЫНДЫ ... ... ... ... ... ... .. ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..
... ... ... ... ... ... ... ... ... 8
ПАЙДАЛАНЫЛҒАН ДЕРЕКТЕР МЕН ӘДЕБИЕТТЕР
ТІЗІМІ ... ... ... ... ... ... ... . ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..
... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .9

Кіріспе
Дербес компьютердің есте сақтау құрылғылары
ДК-да жадының 4 деңгейі бар:
• Микропроцессорлық жады (МПП)
• Регистрлік кэш жады
• Негізгі жад (ОП)
• Ішкі жад (ВЗУ)
Кестеде келтірілген жад типтерінің екі негізгі сипаттамасы (жылдамдығы және
сиымдылығы) көрсетілген:
Жад типтері Сиымдылығы
Тезәрекеттестігі
МПП Ондаған байт =0,001-0,002мкс
ОП,сонымен қатар
ОЗУ Он-жүз шақты мегабайт =0,004-0,006мкс
ПЗУ Жүздеген килобайт =0,035-0,1мкс
ВЗУ,сонымен қатар
НМД Он-жүз шақты гигабайт =5-30мс
=500-3000 Кбайтс
НГМД Бірлік мегабайт =65-100мс
=40-150 Кбайтс
CD және DVD Жүз-мың шақты мегабайт =50-300мс
=150-5000 Кбайтс

Есте сақтау құрылғысының салыстырмалы сипаттамасы

Есте сақтау құрылғысының алғашқы екі типі айналу уақытымен (),ал
ішкі есте сақтау құрылғысының тезәрекеттігі-екі параметрмен:қол жеткізу
уақыты () және есептеу жылдамдығы ():
• - іздеу уақытының ,ақпаратты жазу және есептеу суммасы
• -тасымалдағыштағы ақпаратты іздеу уақыты
• -ақпарат байтының кезекті есептеуінің жылдамдығы
Жалпы қолданбалы қысқартылуларды айта кетелік: с-секунд, мс-
милисекунд, мкс-микросекунд, нс-наносекунд, 1с=мс=мкс=нс

1.1Статикалық және динамикалық оперативті жад.
Оперативті жад динамикалық (Dynamic Random Access Memory-DRAM) немесе
статикалық (Static Random Access Memory-SRAM) типтерінен құралады. Жадтың
статикалық типі әлдеқайда жоғары жылдамдықпен орындалады,бірақ DRAM-нан
айтарлықтай қымбат. Статикалық жадта элементтер (ұяшықтар) әртүрлі
триггерлердің нұсқауынан құрастырылған-екі тұрақты жағдайдағы кестеден
тұрады.
Статикалық жадтың микросхемасының көмегіне жүгінсек,оған толық адрес
беріледі және ол ішкі дешифраторлардың көмегімен нақты ұяшықтың
сигналдарына түрленеді. SRAM ұяшықтары орындалғанда аз уақытқа ие
(наносекунд бірлігі),алайда осы негіздегі микросхема төмен үдемелі
сиымдылықпен және жоғарғы энергияны көп қажет етуімен ерекшеленеді.
Сондықтан статикалық жад негізінен микропроцессорлық және буферлік (кэш-
жад) түрінде қолданылады.
Динамикалық жадта ұяшықтар өте аз орын алатын және сақтау кезінде
мүлдем энергия көзін қолданбайтын,өзіндік конденсаторлардан
құралған,жартылай өткізгішті аумақтың зарядтар жинағының негізінде
құрастырылған. Конденсаторлар матрица шинасының тігінен және көлденең
қиылысуында орналасқан. Ақпаратты жазу және есептеу жад ұяшығына
жататын,элементтермен байланысқан сол матрица шинасына электрлік импульспен
беріледі. Микросхеманың кіруіне алғаш болып матрица жолының адресі
беріледі, ол RAS(Row Address Strobe–жол адресінің стробы), содан бірнеше
уақыттан кейін–баған адресі CAS(Column Address Strobe–баған адресінің
стробы) сигналынан тұрады. Конденсаторлар біртіндеп зарядталатындықтан
(заряд ұяшықта бірнеше милисекунд қана сақталады), сақталынған ақпаратты
жоғалтпау үшін оған әрдайым регенерациялау қажет,одан да жадтың атын
көреміз–динамикалық.Динамикалық жад ұяшығының статикалыққа қарағанда
орындалуға көп уақыты бар (он шақты наносекунд),бірақ үдемелі тығыздығы көп
және энергия қолданылымы аз. Динамикалық жад ДК жадтың оперативті есте
сақтау құрылғысы ретпен орналасады.
1.2.Регистрлік кэш жад
Регистрлік кэш жад–ОП және МП арасында буфер болып табылатын,
салыстырмалы үлкен сиымдылықты жоғары жылдамдықты жад және операцияның
орындалу жылдамдығын күшейтуге мүмкіндік береді.Кэш жадтың регистрі
қолданушыға қол жетімсіз, осыдан кэш (cache) атауы шыққан, ағылшын
тілінен аударғанда тайник. Қазіргі кездегі аналық тақшада блоктың
мүмкіндігі бар (Pipelined Burst Cache) конвейерлі кэш қолданылады. Кэш
жадта оперативті жад облысының мәліметтер блогының көшірмесі сақталады,
оған соңғы реттегі істеген жұмысы орындалады. Бұл мәліметке жылдам
қолжеткізу программа командаларын орындалуының уақытын үнемдеуге мүмкіндік
береді.Кэш жадта МП орындалған операцияның қорытындысы жазылады.
Оперативті жадқа ... жалғасы
Ұқсас жұмыстар
Жартылай есте сақтау құрылғылары
ДК есте сақтау құрылғысы
Жартылай өткізгішті есте сақтау құрылғылары
Есте сақтау құрылғысы
Сыртқы штангелі тереңділік сорғыларының контроллері
Түсінік арқылы есте сақтауы. Оқушы – музыканттың орындаушылық есте сақтау тәсілінің жолдары мен дамуы
Бастауыш сынып оқушыларының есте сақтау қабілетінің даму деңгейін теориялық айқындау
Динамикалық облыс
Оқушылардың оқуға қабілеттілігі мен есте сақтау процесінің психологиялық негіздері
Мектеп жасына дейінгі балалардың есте сақтау процесінің ерекшеліктері
Пәндер

Қазақ тілінде жазылған рефераттар, курстық жұмыстар, дипломдық жұмыстар бойынша біздің қор №1 болып табылады.

Байланыс

Qazaqstan
Phone: 777 614 50 20
WhatsApp: 777 614 50 20
Email: info@stud.kz
Көмек / Помощь
Арайлым
Біз міндетті түрде жауап береміз!
Мы обязательно ответим!
Жіберу / Отправить

Рахмет!
Хабарлама жіберілді. / Сообщение отправлено.

Email: info@stud.kz

Phone: 777 614 50 20
Жабу / Закрыть

Көмек / Помощь