«Нанокеуектікремнийдің тунелді өткелінен құралған шалғай - барьерлік sno2/n-si күн элементін зерттеу»

КІРІСПЕ
1.БАСТЫ БӨЛІМ
1.1 Кремний күн элементі туралы жалпы мәлімет
1.2 Күн элементінің жұмыс істеу принципі
1.3 SnO2 мөлдір қабатының оптикалық қасиеттері
1.4 SnO2.Si беттік барьерлік құрылымдары
1.5 Кеуек кремнийдің айрықша қасиеттері
2. ТӘЖІРИБЕ МЕТОДИКАСЫ
2.1 Кеуек кремний қабаттарын қалыптастыру әдісі
2.2 SnO2 кері шағылысу қабатын қалыптастыру әдісі
2.3 SnO2/por.Si/n.Si құрылымын орнату
2.4 Алынған күн элементінің спектралдық сипаттамасын түсіру
әдісі
2.5 Жасалынған күн элементінің вольтамперлік cипаттамасын
түсіру тәсілі
3. ТӘЖІРИБЕ НӘТИЖЕСІН ТАЛҚЫЛАУ
3.1 Кеуек кремний үлпісінің оптикалық қасиеттері
3.2 Алынған күн элементінің спектралдық сипаттамасын зерттеу
3.3 Жасалынған күн элементінің вольтамперлік сипаттамасын зерттеу
ҚОРЫТЫНДЫ
ПАЙДАЛАНЫЛҒАН ӘДЕБИЕТТЕР ТІЗІМІ
Ғалымдардың болжамы бойынша, көмір, мұнай және табиғи газ, яғни адамзаттар дағдыланған сол энергия көздері, экономикасы мол елдерге қатынасты әлі де 50-60 жылға дейін жетеді. Бүгін көп елдердің үкіметтері қосымша электр көздерін іздестіруде белсенді қаржы салынып жатыр, айталық күн энергиясын дамытуда. Ғаламдық энергетика мәселелерін шешуде шет елдің және Казақстанның қөптеген үлкен және кіші компанияларының қүш салуының арқасында қол жеткізіп отыр. Бұған Қазақстанның жоғары оқу орындары да, қалыспай ат салысып отыр.
Күн элементін құрастыруда әртүрлі технологиялық шешімдері бар, айталық барлық күн элементтерін жасауда, кремний жартылай өткізгішінің p-n ауысуымен тығыз байланысты екені белгілі . Диффузиялық p-n ауысуы 900-1000°С жоғарғы температуралық режімінде жүргізіледі, бұл көп энергия қуатын жұмсауға, технологиялық үдерістердің ұзартылуына алып келеді.
Сондықтан күн элементін зерттеушілер, құрастырушылар күн элементін дайындауда ыңғайлы, қарапайым және жеңіл жолдарын қарастыруда. Айталық, атом қоспаларын кремний бетіне иондық имплантация әдісімен енгізу, содан кейін пайда болған құрылымның ақауларын «емдеу» үшін жоғары температурада қыздыру жолы . Немесе, соңғы кезде Шоттки металл тосқауын қолдану арқылы металл-кремний ауысуын қалыптастыру әдісі жиі қолданып келеді, өйткені бұның жасалу жолы өте жеңіл.
Кейбір жұмыстарда , метал мен кремнийдің арасына, тунельлдік ауысу қағидасына негізделген, жұқа кремний тотығы SiO2 отырғызылады, яғни бұл қабат күн элементінің қуаттылығын және эффективтілігін көтереді. Бірақта, өте жұқа кремний т13отығының қалыңдығы ~2-4 нм бірқалыпты қабатын орнату қиын мәселе.
Берілген жұмыста беттік-барьерлік Шоттки қабаты ретінде SnO2 диэлектрлік қабыршағын қолдандық, бұл үдерісте SnO2 қабыршағы зерттеушілерді қызықтыратын үш қасиетімен толықтырады. Біріншіден бұл қабаттың ерекшілігі ток өткізгіш қаблеттілігі және толқын ұзындығының кең диапазонындағы жарық өткізгіштігі, сонымен қатар SnO2 қабаты, n-Si жартылай өткізгішімен энергетикалық гетероқұрылымын қалыптастырады.
Бұл жұмыстың тағы бір ерекшілігі жоғарыда айтылғандай, тунельдік SiO2 ауысу қабаты ретінде кремний нанокеуек үлпісін қолдандық, бұл қабатты электрохимиялық анодтау жолымен қалыптастыру, қарапайым және жеңіл болып келеді. Сондықтан беттік-барерлік SnO2/n-Si күн элементін жеңіл әдіспен жасау және оны зерттеу өте маңызды және актуальді болып табылады.
[1] М.М.Колтун.Солнечные элементы.«Планета Земля и Вселенная».Москва«Наука».1987

[2]. Samson S., Fonstad C.G. // J. Appl. Phys. 1973. V. 44. N 10. P. 4618{4621.

[3] Fonstad C.G., Rediker R.H. // J. Appl. Phys. 1971. V. 42. N 7. P. 2911{2918.

[4] M.-M. Bagheri-Mohagheghi, M. Shokooh-Saremi. Semicond.
Sci. Technol., 19, 764 (2004).

[5] J.D. Prades, R. Jimenez-Diaz, F. Hernandez-Ramirez, S. Barth,
A. Cirera, A. Romano-Rodriguez, S. Mathur, J.R. Morante.
Sensors Actuators B, 140, 337 (2009).

[6] M. Rekas, Z. Szklarski. Bull. Polish Academy Sci. Chem., 44,
155 (1996).

[7] J. Watson, K. Ihokura, G.S.V. Colest. Meas. Sci. Technol., 4,

[8] C. Xu, J. Tamaki, N. Miura, N. Yamazoe. Sensors and
Actuators B, 3, 147 (1991).

[9] R. Summitt. J. Appl. Phys., 39, 3762 (1968).

[10] Y.X. Liang, Y.J. Chen, T.H. Wang. Appl. Phys. Lett., 85 (4),
666 (2004).

[11] R. Angelucci, A. Poggi, L. Dori, G.C. Cardinali, A. Parisini,
A. Tagliani, M. Mariasaldi, F. Cavani. Sensors Actuators A,
74, 95 (1999).

[12] C. Cobianu, C. Savaniu, O. Buiu, D. Dascalu, M. Zaharescu,
C. Parlog, A. van den Berg, B. Pecz. Sensors Actuators B, 43,
114 (1997).

[13] U. Gruning, A. Yelon. Thin Sol. Films, 255, 135 (1995).

[14] Saucedo E. Mimila-Arroyo J.A 14% efficiciency SnOx- SiO2-(n) Si solar cell.New York,N.Y. 1980,1370-1375(angl).


[15] N.P. Maruska, T.Feng, A.K. Ghosh, and D.J.Eustace, Proc. of 15th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (IEEE, 1981) P. 1412.

[16] Полупроводниковые фотоприемники.Ультрафиолетовый, видимый и ближний ИК диапазон спектра. Под ред.Стафеева В.И. - М., Радио и связь, 1984.

[17] Бузанова Л.К., Глиберман А.Я. Полупроводниковые фотоприемники. - М., Энергия, 1976.

[18] А.Амброзяк. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов. М., "Сов. радио", 1970г.

[19] А.М.Васильев, А.П.Ландсман. Полупроводниковые фотопреобразователи.- М., "Сов.

[20] ІNT.J.ELEKTRONІCS, 1982, VOL 52, 6, р.589-595.

[21] Сайланбек С. Нанокеуекті кремнийдің тунелді өткелінен құралғаншалғай - барьерлік SnO2/n-Si күн элементін зерттеу– Сб. Тезисов ХХ Международнаяконференция молодых ученых «Мир науки», Алматы, 2012, С. 92.
        
        Қазақстан Республикасының Білім және Ғылым министрлігі
әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті
Сайланбек Серікбек
«НАНОКЕУЕКТІКРЕМНИЙДІҢ ТУНЕЛДІ ӨТКЕЛІНЕН ҚҰРАЛҒАН ШАЛҒАЙ -
БАРЬЕРЛІК SNO2/N-SI КҮН ЭЛЕМЕНТІН ЗЕРТТЕУ»
ДИПЛОМДЫҚ ... ... ... ... ... Білім және Ғылым министрлігі
әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті
Физика – ... ... дене ... және ... ... ... ... Кафедра меңгерушісі___________Приходько О.Ю.
«НАНОКЕУЕКТІКРЕМНИЙДІҢ ТУНЕЛДІ ӨТКЕЛІНЕН ҚҰРАЛҒАН ШАЛҒАЙ -
БАРЬЕРЛІК SNO2/N-SI КҮН ЭЛЕМЕНТІН ЗЕРТТЕУ»
050611-«Астрономия» мамандығы ... ... ... ... бақылаушы
Тлеубаева И.С.
РЕФЕРАТ
Көлемі 65 беттен тұратын бітіру жұмысының құрамына 32 сурет, 2 кесте
қолданылған ... ... ... ... ... ... ... үлпісі, Шотки-барьері, вольт-амперлік
сипаттамасы, спектрлік сипаттамасы, пульверизация әдісі.
Жұмыстың мақсаты ... ... /n-Si күн ... ... ... ... құрылымын қалыптастыру және ... ... ... ... ... ... табатын әдістер:
1) n-Si төсенішінің бетіне нанокеуек кремний үлпісін
электрохимиялық анодттау тәсілімен орнату.
2) SnO2 қабатын пульверизация ... SnCl4 ... ... ... кремний бетіне қалыптастыру
3) Фронтальды және тыл жағындағы контактлерін құрастыру
4) Дайындалған SnO2/n-Si күн ... ... ... ... SnO2 қабыршағы зерттеушілерді үш қасиетімен
қызықтырады. Біріншіден бұл қабаттың ерекшілігі ток өткізгіш ... ... ... кең ... жарық өткізгіштігі, сонымен
қатар SnO2 қабаты, n-Si жартылай өткізгішімен энергетикалық ... ... күн ... ... оңай және жеңіл, өйткені p/n –
ауысуындағыдай жоғарғы температуралық өңдеулер ... және ... ... ... ықшамдалған. Болашақта бұл технологиялық
қалыптастыру әдісі күн элементінің жасалу өндірісін арзандатады.
Бітіру жұмысы Нанокеуекті кремнийдің ... ... ... - ... SnO2/n-Si күн элементін зерттеу.
Бұл материалдағы негізгі алынған ... ... ... мен жас ғалымдардың конфененциясында (23-25 апрель 2012 ... - ... әсер ... ... коэффициенті
Uxx - бос ... ... - ... ... ... ... ... - ... ... - ... ... - ... ... - ... ... - n ... ... - ... ... n ... кремний өткелі
SnCl4 ... ... - ... ... ... ... Кремний күн элементі туралы жалпы мәлімет
1.2 Күн элементінің жұмыс істеу принципі
1.3 SnO2 мөлдір қабатының оптикалық қасиеттері
1.4 SnO2-Si беттік ... ... ... ... ... ... ... МЕТОДИКАСЫ
2.1 Кеуек кремний қабаттарын қалыптастыру әдісі
2.2 SnO2 кері шағылысу қабатын қалыптастыру әдісі
2.3 ... ... ... ... күн ... ... ... түсіру
әдісі
2.5 Жасалынған күн элементінің вольтамперлік cипаттамасын
түсіру тәсілі
3. ТӘЖІРИБЕ НӘТИЖЕСІН ТАЛҚЫЛАУ
3.1 ... ... ... ... қасиеттері
3.2 Алынған күн элементінің спектралдық сипаттамасын зерттеу
3.3 Жасалынған күн элементінің вольтамперлік сипаттамасын зерттеу
ҚОРЫТЫНДЫ
ПАЙДАЛАНЫЛҒАН ӘДЕБИЕТТЕР ТІЗІМІ
КІРІСПЕ
Ғалымдардың болжамы бойынша, ... ... және ... газ, ... дағдыланған сол энергия көздері, экономикасы мол ... әлі де 50-60 ... ... жетеді. Бүгін көп елдердің үкіметтері
қосымша электр көздерін ... ... ... ... ... ... ... дамытуда. Ғаламдық энергетика мәселелерін шешуде шет елдің
және ... ... ... және кіші ... қүш ... қол ... отыр. Бұған Қазақстанның жоғары оқу орындары да,
қалыспай ат салысып отыр.
Күн элементін құрастыруда ... ... ... бар,
айталық барлық күн элементтерін жасауда, кремний жартылай өткізгішінің p-
n ауысуымен тығыз байланысты екені ... . ... p-n ... 900-
1000°С жоғарғы температуралық режімінде жүргізіледі, бұл көп энергия қуатын
жұмсауға, технологиялық үдерістердің ұзартылуына алып келеді.
Сондықтан күн элементін зерттеушілер, құрастырушылар күн ... ... ... және ... ... ... ... қоспаларын кремний бетіне иондық имплантация әдісімен енгізу, ... ... ... ... ... «емдеу» үшін жоғары температурада
қыздыру жолы . Немесе, соңғы кезде Шоттки металл тосқауын қолдану ... ... ... ... жиі қолданып келеді, өйткені
бұның жасалу жолы өте жеңіл.
Кейбір жұмыстарда , ... мен ... ... ... ... ... жұқа кремний тотығы SiO2 отырғызылады, яғни бұл
қабат күн ... ... және ... ... ... жұқа кремний т13отығының қалыңдығы ~2-4 нм ... ... ... ... жұмыста беттік-барьерлік Шоттки қабаты ретінде SnO2
диэлектрлік ... ... бұл ... SnO2 ... қызықтыратын үш қасиетімен толықтырады. Біріншіден бұл
қабаттың ерекшілігі ток өткізгіш қаблеттілігі және ... ... ... ... ... ... қатар SnO2 қабаты, n-Si жартылай
өткізгішімен энергетикалық гетероқұрылымын қалыптастырады.
Бұл жұмыстың тағы бір ерекшілігі жоғарыда айтылғандай, тунельдік SiO2
ауысу ... ... ... ... ... ... бұл қабатты
электрохимиялық анодтау жолымен қалыптастыру, қарапайым және жеңіл ... ... ... SnO2/n-Si күн элементін жеңіл әдіспен
жасау және оны ... өте ... және ... ... табылады.
1. БАСТЫ БӨЛІМ
1.1 Кремний күн элементі туралы жалпы мәлімет
Қоршаған ортаны ластандыру мәселелері бойынша және ... ... ... ... ... емес ... ... әсіресе күн
энергиясының электр қуатына тікелей ... (қүн ... зор ... ... ... атом ... қолданудан бас тартып отыр, оның себебі адам
факторымен табиғи катаклизмдерінің өршуінен атом ... ... ... ... ... 1973 жылы жалпы соммасы 0,07 Гвт күн батареясы және күн элементі
жасалып ... 2007, 2008, 2009, 2010 ... ... ... күн
элементтерінің тек қана бір жылдың ішінде мына мәліметті құрады: 2007 ... ГВт, в 2008 г.- 7,9 ГВт, 2009г.- 12,46 ГВт, 2010 г.- 27,2 ГВт ... ... ... ... ... әлемдік өндіріс салаларында
байқалған емес.
Сонғы жылдары әлемдік дамыған елдерде, энергетика баланысындағы ... ... ... ... ... ... ... қатар, 2050
жылдан бастап күн энергетикасының үлесі көміртегі ... ... ... ... ... ... ... бәрі қүн элементтерін және күн энергетикасын, экономикасы
дамыған елдердің ... бір ... ... ... Сондықтанда, Араб
Эмираты көмірсутегі шикі зат өндіруде бірден-бір көш басшы бола отырып,
2008 жылы ... күн ... ... ... ... 10 млрд. доллар бөлді. Сондай ақ, осындай ... одан көп ... ... ... АҚШ - пен ... елдері бөлді.
Соңғы 5-6 жылда Қытай фотовольтаика дамуында таң қаларлық жетістікке
жетті және күн элементтерді және ... ... ... ... ... бұл ... ... екінші орынға ығыстырды. Қытай фирмалары
әйгілі немістің ”Q-Cells” және жапонияның “Sharp”, ... ... ... алға ... ... ... жетілдіру жұмысы екі бағытта
жүргізіледі: технологиялық ... ... және күн ... ... арттыру. Соңғы жылдары наноматериалдар негізінде
күн ... ... және оның ... ... ... олар ... нанотрубкалар, графендер, металдар
нанобөлшектері және оның тотықтары және т.б .
Беттік барьерлік қалайы тотығын ... ... ... күн ... жолы ... бір ... әдіс ... қала береді. Бұл жол өте
жеңіл және қарапайым, яғни жоғарғы температуралы өңдеуді ... ... ... Екіншіден қалайы тотығын отырғызу жолы жеңіл жолмен алынады,
айталық пульверизация әдісімен өте төменгі температурада ... ... ... ... ... ... ... кремний қабыршағын кристалды
кремний мен қалайы ... ... ... ... ... ... бұл фототоктың және кернудің көтерілуіне мүмкіндік береді.
Олай болса ... ... ... ... барьерлік қалайы
тотығын қолдану және нанокеуек үлпісін отырғызу ... ... кең ... ... ... өріс ... жұмыс кремний және арсенид галлии күн ... ... ... ... олардың құрылысында оптикалық мөлдір
қалайы тотығын қолдану арқылы іске ... және күн ... ... ... ... жаңа бағыттың бірі болып саналады.
Графендік қабыршақтарды және ... ... ... құрылымда қолдануы Шоккли-Квейсера эффектісінің ... алып ... ... ... яғни фотондардың бір электрондық-
кемтік парынан көп генерация ... ... ... бұл ... ток
тұйықталуының айтарлықтай өсуіне алып келеді, олай болса күн элементтерінің
пайдалы әсер коэффициентін (п.ә.к) арттырады.
Сонымен, ... ... ... және ... ... және ... елде өте ... Зерттеулердің
перспективалық бағыттары келесі мәселені түйіндейді, алынған нәтижелер жану
және қатты денелі оптоэлектроника ғылымында фундаментальдық және қолданбалы
міндеттерді ... ... ... ... ... ... даярлауда жаңа бәсекелістік қабілеттігін жетілдіруге мүмкіндік
береді.
1.2 Күн элементінің жұмыс істеу принципі
Жартылай өткізгіштік, ... ... кең ... құрылымымен
фотоқабылдағыш өзімен бірге р- және n-типті өткізгіштігі бар және ... ... ... екі ... өткізгіштік қабаты бар ... ... ... пен ... ... ... ... материалда бірдей болуы керек. Бұл шарт p-n ауданында
екі зарядталған қабатпен ... ... ... ... аталған
қабат және электростатикалық потенциалмен жүріп ... ... ... ... биіктігі, p-n өткізгіштік
материалының орналасу тереңдігіне тең[1].
Осы жерде айтып кететін жайт Ферми теңдігінің ... бір ... ... ... ... ... ал ... жағынан,
оның температураға байланысты оптикалық және фотоэлектрлік қаситетінің ... ... ... ... ... p-n ... ... жартылай
өткізгіштік энергетикалық зонасының структурасы (а) және
(б)электростатикалық потенциалының анықталуы
Жартылай ... ... ... ... p-n ... ... шағылысу электрондық және кемтік жұбын құрады, сонымен ... ... p-n ... ... ... ... ... түседі. Егер беткі қабаттың p-n-өткізгішіне дейінгі арақашықтығы
жарықтың 1/α тереңдігіне енуінен аз ... ... ... жұп ... ... Егер өткізгіш пайда болатын жерден диффузиялық
ұзындықтан аз алшақ болса, онда олар ... ... ... ... оның ... ... ... бөлініп кетеді. Электрондар-электронды, ал
кемтіктер кемтік бөлігіне ... ... фото - ЭДС ... ... ... бұл ... өз ... қайшы келетін электрондар мен кемтіктер электрондар
ағынымен кездесуіне әкеледі. Бұл ағындар токқа тура бағытта тепе-тең болып
келеді.
Осылайша, ... ... ... ... ... ... және кемтік бөлігінде кемтіктердің
жиналуы сыртқы бетінде тоқтың көбеюіне және тосқауыл биіктігінің ... ... ... алып ... ... арқылы немесе сыртқы ауыртпалыққа кететін жарық арқылы
құралатын артық ... саны бу ... ... ... стационарлы
жағдай орнығады. Ереже бойынша,жарықтандыру басталғаннан кейін мыңдаған
секунд асқаннан кейін басталуы тиіс.
3. SNO2 - ... ... ... салынған зонада оттегі жетіспеушілігімен көрінетін және
локальдандырылған күйлер тудыратын () ... ... ... ... ... ... ... және вольт – амперлік сипаттамаларының ерекшеліктері табылды.
наноқабаттарындағы ... ... ... ... тиым ... өлшемінің көлемдік -мен ... ... - тиым ... ... ... ... ... .
пленкалары оттектік бос орындармен қамтамасыз ... кең ... ... ... ... ... ... мөлдір электродтар ретінде қолданылады. Қышқылдардың
құрылысының ... ... және оның ... ... пленкаларын алу технологияларымен анықталады. Бұл жұмыста
наноқабаттары қалыңдығы 30 нм болатын ... ... ... ... ... ... ... 99,99 % болатын қалайы - аргонның плазма тудыратын
ортасында шашыратулардың магнетронды ... ... ... ... ... ... екі кезеңмен жүргізілді. Бірінші кезеңде
пленка температураға ... ... -нің ... нүктесінен
төмен екі сағаттық күйдіру. Екінші кезең – жай қыздыру ... ... ... және ... 2h аралығында күйдіру. Әртүрлі
үлгілер үшін тұрақтандырылған күйдірудің температурасы аралығында
өзгертілді.
200, 400 және ... ... ... ... ... ... ... жарықтандырылған
электрондық микроскопия әдісімен оқытылды. Наноқабаттардың күйдіру кезінде
алынған фазалық құрам байланысуына сәйкес келетіндігі бекітілді. ... ... ... ... ... ... ... интервалдарында стабильді емес қалайы диоксидінің
орторомбтық фазасы байқалады.
Электрондық дифракция ... ... ... ... осы фазалардың құрылысы мен құрылымы салыстырмалы
және пленканың әртүрлі күйдіру темпреатураларында айтарлықтай өзгермейді.
250, 450, 550 және ... ... ... ... сипаттамалары толқын ... 200-1200 ... 1 нм ... ... ... жұту ... ... көрсетілген.
Жоғары температуралы үлгілердің өзіндік жұту шектері (450, 550 және
) жақсы ... ие ... Осы ... үшін тік ... мәніне қатысты экстрополяция жолымен анықталынған табалдырықты
энергия облысында жатады. температурада ... ... бұл ... ... ... және ол құрайды. Тік өтулердің
энергияларының ... ... ... ... ... ... үлгілер үшін алынатын -орташа мәнімен салыстырғанда
біршама аса ... ... ... ... ... ... наноқабаттарының -мөлшерінің үлкеюін қабат квантының
кішкене қалыңдықты өткізгіштігімен, яғни өлшемдік эффектімен түсіндіруге
болады.
Алайда, ... ... ... ... 250 және ... ... ... облысындағы спектрлік максимум
тудырады. температурада күйдірілген пленка спектрінде осы ... ... және ... ... пленканың () қисығында
осы ерекшелік үлгінің жоғарға бөлігінде немесе төменгі бөлігінде құбылады,
нөлге жақын ... ... сол ... ... ... ... ... тепе-теңдігінің термодинамикалық
анализі гомогенді облысының шектеріндегі дефектілердің ... ... бос ... екі рет ... ... табылады.
Термогравиметриялық зерттеулердің мәліметтері бойынша қалайы
оксидінің () ... ... анық ... ... ... . Оттегі бос орындарының концентрациясы
құрамында оттегісі бар ортада үлгілерді күйдіру ... азая ... ... тыйым салынған аймағында
электрондық күйлерінің ... ... ... ... ... монокристаллдарында оттегі бос орындарының [] және ... ... ... ... өте ... ... ... олар сәйкесінше және тереңдікте, өткізгіштік ... ... ... ... біз бақылап отырған пикке қарағанда жұтылудың
негізгі шетіне айтарлықтай жақын. Сайып келгенде, біз ... ... ... ... ... ... ... жұмыстардың авторлары екі әр түрлі псевдопотенциалды
комбинацияларда ... ... ... ... ... ... ... және жұтылудың оптикалық спектрлерін анықтады. Олар
қалыңдығы екі ... ... ... ... ... мостиктік оттегі атомының болмауы жұтылудың негізгі шетінің алдыңғы
бөлігінде ... ... ... қосымша максимумның
интенсивтілігінің пайда болуына әкеледі.
1.1 сурет- Әртүрлі температураларда тотықтандырылған
пленкаларының жұтылу спектрлері
Табиғаты ... яғни ... ... ... ... жақын
максимумның пайда болуы, ... ... ... ... ... шектерінде тіркелген. Ол ... ... ... ... және кристалларалық күйлер
жиынтығын шағылдырады. Оттегі ... ... ... ... осы ... ... максимум интенсивтілігі
азаяды, және температурада жұтылу шегінің ... ... ... ... ... ... монокристаллдағы негізгі тыйым салынған аймақ
(Брюллен зонасының ортасындағы тік өту) ... ... ... ... үлкендеу аралықта болады. Осыдан,
тәжірибеде зерттелініп отырған наноқабаттың мәні көлемдік ... жуан ... -тің -ке ... экстраполяция кезінде
берілетін негізгі жұтылуын өлшеуде ... ... 3D ... 2D өту ... үлкеюінің өлшемдік эффектісі шығады.
Алынған наноқабаттарында оптикалық спектрлерден ... ... 1Mhz ... ... гетероөтуінің (C-V) вольт-
фарадтық сипаттамалары ... ... және ... өлшенетін
электрод ретінде n-типті монокристаллдық кремний қолданылды. Кремнийдегі
табиғи туннельді-мөлдір (3нм) ... ... ... ... ... ... жәнне қалайы оксидінің
электрондық құрылысының ерекшелігін көрсететін фонда беттік күйдің төменгі
тығыздығын қамтамасыз ... ... ( және ... ... тез ... ... ... зарядтау деңгейлерімен
байланысты нөлдік потенциал аумағында бірқатар ерекшеліктерге ие (1.2-
сурет). Үлгілердің ... ... ... ... ... ... жай түзелуі электрондық күй тығыздығының
төмендеуімен түсіндіріледі.
1.2 ... ... ... температуралары үшін
гетероөтуінің вольт-фарадтық сипаттамалары
Жоғары температуралы () күйдіру дефектісіз қабатының пайда
болуына әкеледі, сондықтан оптикалық спектрлердегі секілді C-V – ... ... осы ... ... ... ... ... мынадай
қорытынды шығаруға болады: ... ... және ... ... ... ... ... күйлерінің пайда болуына әкелетін наноқабаттарының
оттегі жетіспеушілігімен ... () ... ... және
кристалларалық күйлерімен анықталады.
1.3.1 Қалайы окисдының жұқа қабыршақтарындағы еркін ... ... ... ... ... ... күйдірілген, үлгілердің жарықтың
комбинациялық шашырауының спектрлері келтірілген. Бастапқы үлгінің ... ... ... қалайы қабыршағының ауада қышқылдануы нәтижесінде
пайда болған, қалайы оксидының Sn-O фазасының тербелуіне сәйкес ... см-1 ... А шыңы ... сурет-SnOx қабыршақтарының жарықтың комбинациялық шашырауының
спектрлері: метал қалайының бастапқы қабыршағы(1), Tα= 350 (2) 550(3) және
750 ˚С(4) температурада ... ... . ... үзік ... ... валенттік тербелістеріндегі шашырау шыңдары. Спектрлер вертикаль
осі бойынша тіркелген
Төменгітемпературалық қыздырып өңдеуде (Tα =350 °C, 2 ... ... ... ... ... осы фаза көлемінің ұлғаюы
ғана болады. Толқындық ... ... см-1 ... ... ... ... болуын, жоғары температурада қыздырып
өңдеу, зерттеліп отырған үлгінің қышқылдануына және Sn2 O3 мен Sn3 ... ... емес ... ... ... фазаларының
түзілуіне алып келетіндігімен түсіндіруге болады. Сонымен қатар, 550°C та
күйдірілген үлгінің спектрінде, SnO2 ... A1g ... ... 633 см-1 ... В шыңы пайда болады. Өңдеу температурасын 750 °C-
ге дейін арттырғанда (4 қисық) метал қабыршақтардың ... ... ... қана бір В ... сақталуында көрінетін, қалайы диоксидінің бірфазалық
үлгісінің түзілуіне алып келеді. Қыздырып өңдеу температурасын арттырған
кездегі үлгілердегі SnO2 ... ... ... сондай ақ, Sn-O 500-
700 см-1 валенттік ... ... ... инфрақызыл спектрінде де
байқалады.
Жартылайқткізгішті материалдарда жарық толқынының ... ... мен ... тән ... алып ... ... заряд
тасымалдаушылармен (электрондармен, кемтіктермен) өзараәрекеттесе алатыны
белгілі. 1.4 ... 5 ... ... 1,4Вт қуатпен және толқын ұзындығы
380нм ультракүлгін диапазонының ... әсер ... ... ... ... ... айырмалық инфрақызыл спектрлері,
сондай ақ, қараңғыда, жоғары температура кезіндегі ... ... ... - ... әсер еткен кездегі әртүрлі стехиометрияның SnOx
қабыршақтарының өткізуінің айырымдық инфрақызыл спектрлері : 22˚С ... ... 1.3

Пән: Астрономия
Жұмыс түрі: Дипломдық жұмыс
Көлемі: 54 бет
Бұл жұмыстың бағасы: 1 300 теңге









Ұқсас жұмыстар
Тақырыб Бет саны
Ақуыз - аминқышқылдарынан құралған органикалық зат6 бет
Ақша өндіріс элементінің дамытудың теориялық және практикалық негіздері, Қазақстан Республикасында қазіргі ақша айналымын тұрақтандыру мәселелері50 бет
Стабилитрон. Тунельдік диод22 бет
Тунельдік диодтар22 бет
Энергия көзі ретінде сутегі элементін пайдалану31 бет
"Алматылифт" ЖШС- нің шаруашылық – өндірістік қызметіне баға беру8 бет
"Атмосферадағы оттегі эволюциясы және фотосинтез."9 бет
"Кәсіпорынның өндірістік қорлары."5 бет
"Өнімнің өзіндік құнын талдау."4 бет
.«Банк Центркредит» АҚ қызметін ұйымдастыру24 бет


+ тегін презентациялар
Пәндер
Көмек / Помощь
Арайлым
Біз міндетті түрде жауап береміз!
Мы обязательно ответим!
Жіберу / Отправить


Зарабатывайте вместе с нами

Рахмет!
Хабарлама жіберілді. / Сообщение отправлено.

Сіз үшін аптасына 5 күн жұмыс істейміз.
Жұмыс уақыты 09:00 - 18:00

Мы работаем для Вас 5 дней в неделю.
Время работы 09:00 - 18:00

Email: info@stud.kz

Phone: 777 614 50 20
Жабу / Закрыть

Көмек / Помощь