Аморфты алмазтектес көміртекті қабықшаның электронды қасиетінің модификациясы

КІРІСПЕ

I ӘДЕБИ ШОЛУ

1. 1 Аморфты алмазтектес көміртекті қабықшаның электронды қасиетінің модификациясы

Ең алдымен, құрылымды ретсіз көміртегідегі, электрондық процесс табиғатын түсіну қажет, бұзылған трансляциялық симметрияның ортаға өтуі және осы материалдың жаңа облысының табылуы техниканың әр түрлі саласында қолданылады.

Қазіргі уақытта ретсіз құрылымды көміртектің көп түрлері бар. Оларға шынытәрізді көміртек, аморфты фторлы көміртек a-C:F, нитрогенизирленген көміртек a-C:H, графиттектес және полимертектес көміртек, гидрогенизирленген алмазтектес көміртек және тағы басқалары жатады. Зерттеушілер гидрогенизерленген аморфты алмазтектес көміртекке ерекше көңіл бөліп отыр. Бұл материалдың керемет механикалық және электронды қасиетпен байланысы маңызды. a-C:H қаттылығы табиғи алмаздың қаттылығына жақынырақ болып отыр. Сондықтан, ол алмазтектес көміртек деп аталады. Мұндай қасиет координерлі байланыстағы аморфты матрицада a-C:H игерілуімен түсіндіріледі. Қазіргі уақытты ретсіз құрылымды алмазтектес көміртекті тәжірибеде қабықты нығайту, антифрикционды қорғау, жарықтандыру изомерлер және поссиверлеу есебінде кеңінен қолданысқа ие болады. a-C:H Қабықша негізінен жасалынған, жоғары механикалық берікті және сенімді. Электрондар құрылғылар жоғары температурада жұмыс істей алады. Болашақта алмазтектес көміртек күн энергиясында және медицинада биоматриал есебінде қолданылуы мүмкін.

Бірақ алмазтектес көміртегінің қолдану спектрінің кеңдігіне қарамастан, қазіргі уақытта электрон қасиетінің актуалды және негізгі мәселесі туындауда. Ол осы материалдың электронды қасиетінің өзгеруімен практикада қолдану аумағының кеңдігімен байланысты. Алмазтектес көміртегі электрон қасиетін модификациясымен әртүрлі әдісте қолданады. Оның біреуі әртүрлі металлды қоспаларын енгізу, мысалы: алтын, күміс, мыс, алюминий. Бұл металлдардың негізгі артықшылығы көміртегімен химиялық байланысқа түспейді. Металлдың легирленуі a-C:H аморфты матрицаның металлдық нанокластер түзуімен анықталады. Қазіргі кезде a-C:H мыспен легирленген (C:H<C ₄ ) жүйе қасиеті электронды қасиеті аз зерттелді. Соңғы кезде күмісті антифрикционды жақсарту ретінде a-C:H қолданылады. Қоспалары карбид түзілмейтін металл болып табылғандықтан a-C:H гетерогенді жүйесі түзіледі. Мұндай біртекті емес жүйе сызықты емес оптикалық және электрлік қасиетін иеленеді. Бұл металл қоспаларын енгізгеннен кейін күміс атомдары оптикалық және электрлік қасиеттерін алмазтектес көміртегімен модифицирлейді. Алмазтектес көміртегі электрондық қасиеттерінің аморты көміртегі матрицасында өтіп құрылымдыққа ауысады. Бұндай құрылымдық ауысулар қабыршақты тұндырумен a-C:H алмазтектес матрицаның графиттектес номенклатура валенттік байланысы Sp ² түзілуімен байланысты. Sp ² және Sp ³ құрылымдық бірлікте a-C:H қабықшасын жаңа электрондық қасиетпен алуға болады. Алмазтектес көміртегінің жаңа электрон қасиетімен актуалды алу мәселесін a-C:H аморфты матрица қоспасымен құрылым модификациясымен жүзеге асыруға болады.

1. 2 Көміртектің құрылымды модификациясы.

Көміртегі қасиетіне байланысты әртүрлі электрон конфигурация байланысымен керемет зат болып табылады. Қарапайым модельде осы конфигурацияның гибридизациясы sp, sp ² және sp ³ түсіндіріледі және олар 1 суретте көрсетілген. Көміртегінің кеңінен таралған құрылымды модификациясы гибридтелген құрылымды байланыспен sp ³ құрылымы анықталған, алмаз және sp ² ибридтелген байланысты графит (сурет 2) . Графит Ван-дер-вальс типті қабатпен, қабатты құрылым арасында байланысы болады (сурет2) Мұнда Көміртегі, атомы үштік байланыспен байланысқан, С ₂ H ₂ ацетилен және карбин (C C) _n секілді. Мұнда көміртегі атомы sp-гибридтелген. Көміртегі әртүрлі қасиеті бар қатты денедегі кристаллдық және кристаллдық емес қатарын түзе алады.

Сурет 1 - Көміртегінің s және p атомдық орбиталдың гибридизацияның диаграммалық схемасы

а б

Сурет 2 - Көміртегінің құрылымдық модификациясы

Бұл қасиеттер жартылай металлдың графитпен тиым салынған аумақта Eg 0эВ ретімен ( Eg>4эВ ) изолирленген алмазға дейінгі интервалында кеңінен реттеледі [4. 5] . Сондықтан, жартылай өткізгіштік электроникада көміртегіні қолдануға себеп болады. Кристалдық емес көміртегінің әртүрлі формасы 1 кестеде көрсетілген.

Кесте 1 - әртүрлі формадағы көміртегінің кейбір механикалық және электрондық параметрлері.

1. 3 Аморфты көміртегі.

Аморфты көміртегі графиттің ұнтағымен немесе оның электорнды сәуле булануымен жасалуы мүмкін. Бұл модель a-C де sp ³ байланыстың максималды концентрациясы 5% құрайды. a-C жарықтың комбинационды шашырауының екі ерекшілігі бар: 1550см ^-1 қысқа негізгі шыңы және 1350см ^-1 қосымша шыңы. Сондай ақ бұл ерекшеліктерін олардың үш координирленген торда және жеке изолирленген графиттің пайда болуын түсіндіретін КРС микрокристаллдық графитті спектрінде бақылаймыз. а-С графиттің қабатты кластерінен құралатыны ұйғарылды.

Аморфты көміртегі бөлме температурасында кварцтан және монокристаллды кремниден төсенішке шынайы көміртегіден қарапайым ионды сәулелі тозаңдатумен нысана алынуы мүмкін. Егер жылу өңдеуінен кейін үлгіде кристаллиттің баяулауы және құрылымның өзгеру арасында коррелияция байқалады, оптикалық тиым салынған аумағының ені және көміртегі атомының күйі sp ³ байланысыымен КРС спектрінің зерттелуі қалыптасады.

1. 4 Гидрогенизирленген аморфты көміртегі.

a-C:H aлмазтектес көміртегі DLC (diamond like carbon), графиттектес және полимертектес (PlC) сияқты әртүрлі модификацияға ие. a-C:H құрылымы мен қасиеті үштік фазалы диаграммада көрсетілгендей жасалу шартына тәуелді (3 сурет, 2 кесте) .

Полимертектес көміртегі. Полимертектес көміртегі қабықшасы 35-50 ат% сутегі құрамымен алынады. Олар төмен тығыздыққа (1, 2-1, 7 г/см ^-3 ), қысқа тиым салынған аумаққа (2. 5-4 эВ) және аз сыну коэффициентіне (1, 2-1, 7) ие. PLC қабықшасын aлу үшін әдетте сутекті көміртегі газдағы плазмохимиялық қондыру (Plasnia enhanced chemical vapour deposition-PLECVD) қолданылады.

Сурет 3. a-C:H фазалық күйдің үштік диаграммасы

Кесте 2 - Алмазтектес және полимертектес a-C:H физикалық параметрлері

PLC қабықшасын CH ₄ метан газ қоспасынан және H ₂ сутегінен және C ₂ H ₃ ацетиленнен және әртүрлі компонентті сутегіден (R) :R=CH ₄ (CH ₄ +H ₂ ) және R=C ₂ H ₆ (C ₂ H ₆ +H ₂ ) PLECVD әдісі арқылы алынды. Мұндағы R 0, 25-1, 0 дейін түрленді және газдың толық қысымы 133 Па қабықша бөлме температурасында 1356 МГц жиілікпен және ЖЖ-беріктігінің тығыздығы 2, 8 Вт/см ² . PLC қабықшасының қасиеті сутегі концентрациясынан сондай ақ, қабықшадағы топ CH _n концентрациясына тәуелді болды. Бұл концентрациялар PLC қабықшасынан сутегі шығу эффектінің R қатынасы әсерінен азайды. Бұл қабықшаның үлес кедергісі 3*10 ¹³ Ом*см дейін өсті. Қабықшада сутегі концентрациясының өсуінен сыну коэффициенті кемиді, сондықтан, CH ₄ немесе C ₂ H ₆ пайыздық құрамының көбеюімен оптикалық тиым салынған аумағының ені өседі. PLC қабықшасының жазықты электрондық эмиссиясының шекті электрлік жазықтығы 18 B/см құрайды, сондықтан PLC қабықшасы электронды эмиттер есебінде қолдануға болатынын қорытындылауға мүмкіндік береді.

PLC жұқа қабықша фотолюминесценция спектрінде, төменгі температуралы төсенішке өсірілген және аз ион энергиясы жоғары сапалы плазмохимиялық қондыру әдісі арқылы үш энергиялы шың пайда болады, 2, 28, 2, 65 және 2, 95 эВ, олар қыздырылған жарықтың 3, 54 және 4, 13 эВ энергия квантына тәуелді емес болады. Түрлендіру технологиялық параметрдің қабықша алуы эмиссионды спектрдің салыстырмалы интенсивті шыңның өзгеруіне әкеп соғады және олардың энергетикалық жағдайына әсер етпейді.

Алмазтектес көміртегі a-C:H. a-C:H қабықшасы оның болашақта тәжірибелік қолданыста кеңінен қолданылатынымен назарға ие. a-C:H қабықшасы тетраэдрлік және көміртегі атомымен байланысты тригональды фаза қоспасынан тұрады және осы екі фазаның ара қатынасы тұндыру шартына тәуелді (сурет 4) . Қабықшаның электрлік және оптикалық қасиеті өткізгіштік аумақтың шетін, валентті аумақты қалыптастыратын және Ферми деңгейіне жақын орналасатын sp ² позициялы П-күйдегі электрондар арқылы анықталады. Бұл sp ² байланыстары бірнеше атомнан тұратын, sp ³ матрицасына байланысып тұрғызылған кластерлерді құрастырады. Көміртегі атомымен байланысқан sp ² және sp ³ арақатынасы арқылы a-С:H қабықшасының қасиетін анықтайды.

Сурет 4. Алмазтектес көміртегінің a-C:H құрылымы.

Қабықшаның тұндыру шартын бақылай отырып, қабықшадағы sp ³ және sp ² байланыс арақатынасын ұсынуы мүмкін.

Алмазтектес қабықшамен a-C:H шынайы монокристаллдық алмаз арасындағы фундаментальды ерекшелігі ауыспалы тригональ санымен немесе графитті байланысының қатысуы болып табылады.

Таза алмаз кристалының синтезі жоғары температурамен қысымды талап еткеніне қарағанда, жасанды алмаздың алу процесі едәуір технологиялық қиындықта көрсетеді.

1. 5\ Алмазтектес көміртегі.

Алмазтектес көміртегі (а-C) sp ³ байланысында жоғары қаттылығымен, химиялық инерттілігімен, оптикалық тұнықтылығымен және жоғары үлесті кедергісімен сипатталады. CVD әдісімен жасалған а-С типтік қабықша, импульсті лазермен тозаңдату және булану, сыну коэффициенті 1, 8-2, 2 оптикалық тиым салынған аумағының ені 1-2 эВ және үлесті кедергісі 10 ⁴ -10 ⁸ ом*см. a-C КРС спектрінің негізгі жақын жолы 1530см ^-1 жоғары интенсивтілігінен және әлсіз интенсивті қосымша жол 1400см ^-1 . Үлкен мазмұнды sp ³ байланысымен аморфты көміртегінің қабықшасын сипаттау үшін «тетраэдрлік» термині қолданылады және ta-c сәйкес мағынасы ендіріледі.

Тетраэдрлік аморфты көміртегін магнитті фильтрмен магнетронды тозаңдату жүйесімен алуға болады. sp ³ байланысымен үлкен үлесті қабықша құрау төсеніште 10 нан 50В дейін араластырумен болады. Алынған қабықшаның оптикалық тиым салынған аумағының ені 3эВ құрайды. Атомдық күштік микроскоппен алынған беттік рельефтің көрінісі, қабықша біртекті және тегіс екенін көрсетті.

Толқын ұзындығы нм ультракүлгін лазерді тербелмелі модты қыздыру үшін қолданылатын тетраэдрлік аморфты көміртегінің КРС спектрінің зерттелуі ta-c спектрінің sp ² және sp ³ күйімен сәйкестендірілген екі жақын жолдан 1100см ^-1 және 1600см ^-1 тұратынын көрсетті. ta-c қабықшаның басты кемшілігі құрылымының тұрақсыздығы және сол үшін өзінің керемет қасиетіне қарамастан, бұл материал болашақта тәжрибеде кеңінен қолданысқа ие болмайды. Құрамында фторы бар, аморфты көміртегі (а-С:F) . a-C:F локализді күйге ие аморфты материал сияқты тиым салынған аумағының ені 0, 5 тен 2, 0эВ дейін классифирленеді. Материал матрицасы sp ³ байланысымен және аз концентрациясы sp ² және sp байланысымен қалыптасады. a-C:F қаттылығы және химиялық тұрақтылығы sp ³ байланысының үлкеюімен өседі. a-C:F Жылуөткізгіштігі 4-10 мВт/см*Н құралады, бұл кремнидің жылуөткізгіштігін 1, 5 мв/см*Н көтереді. Сол себепті ол кремнидің жабындысы есебінде сәйкес келмейді. Бірақ, беткі қабатын қорғау үшін қолдануға болады.

Әдетте a-C:F қабықшасын меншікті кедергімен 1-10 Ом*см және 100 ориентациялы монокристалды кремни қабықшасына жоғары сапалы CVD әдісімен алады. Қабықша қасиеті 300 ⁰ С дейін 30 минут көлемінде қыздырылғанда тұрақталынатыны бекітіледі. Мұндай әрекет термиялық жағдайда қабықшаның эффузиялық фторы қатыспайтынын, контактты бұрыштың өлшемі жібітілген бұрыш және Резерфорд шашырауының қайтарылған спектрометриясы көрсетті.

II ТӘЖІРБИЕЛІК БӨЛІМ

2. 1 Әртүрлі әдіспен алынған гидрогенизирленген алмазтектес көміртегінің қабықшасының қасиеті және құрылымы

Алмазтектес көміртегі қабықшасын алу үшін әртүрлі әдістер қолданылады. DLC қабықшасы тұрақты қысыммен 10 ^-2 13, 56 МГц жиілікте Alcatel RIE600 қондырғысында асимметрлік электродпен қарапайым ионды желіндеу реакторында плазмохимиялық бөлінуімен жасалынды. Плазма құрамы ағын арақатынасымен CH ₄ (CH ₄ +газ-тасымалдаушы) анықталды. Газ-тасымалдаушы есебінде аргон мен гелий қолданылды. Қабықша тығыздығы сутегі құрамына қатысы тәуелді екені анықталды. Бұдан басқа, аргон метан плазмасында гамогенді DLC қабықшасы қалыптасып, бірақ оның тығыздығы таза аргонда немесе аргон сутегі қоспасында жасалынған қабықша тығыздығына қарағанда аз болды.

DLC қабықшасын, төменгі температурадағы ЖЖ-ығысу төсеніште CH ₄ +Ar қоспасын жұмыс газ есебінде қолданып, қысқа толқынды плазмохимиялық тозаңдатуда электронды циклотронды резонанс әдісі арқылы алынды. 150Вт қуаттылығында қабықшаның максималды өсу жылдамдығының 1, 6 мкм/сағат құрды. Бұдан басқа әр түрлі мағыналы қысқа толқынды қуатта және ЖЖ-ығысуда жасалынған қабықшаның шың спектрі КРС 1540_20см ^-1 арасында табылды, DLC қабықшасы үшін тән.

Аморфты гидрогенизирленген көміртегінің қабықшасы төсеніш температурасы 70-360 ⁰ C және қысымы 26-133Па, ЖЖ-ығысуы 1, 5-8Вт аралығында С ₂ H ₆ плазмохимиялық тозаңдату электрод жерге бекітілген орналастыру арқылы алынды. Бұл шарттар электрондық қасиетінің жоғары сапалы қабықшаның өсуіне және 10 ¹⁸ см ^-3 төмен спин тығыздығына тура келетіні қалыптасты.

Қуаттылықтың импульсті модуляциясын қолдана отырып, ацетононитрид және N-диметилформалит электро тозаңдатуында алюминді төсеніште электро орналастыру арқылы 10 ⁷ Ом*см кедергісімен және қалыңдығы 1мкм алмазтектес көміртегінің қабықшасын алуға болады. Фотоэлетронды рентгенді (XPS) және КРС спектроскопия әдістері арқылы берілген әдіс DlC қабықшасын көміртегімен байланысты sp ³ құралған жоғарғы ықтималдылықпен алуға болады және еріткіштің метилды тобы қабықша жасалуына әсер етеді. Сол еріткішті қолдануында қабықша сипаттамасы, мөлдірлік кедергі қалыңдық және қалыптасу процессі секілді басты түрі табиғи төсенішпен анықталады.

DLC қабықшасы 45 ⁰ бұрышпен нысанның бетіне фоксирленген эксимерлі лазерді (=308нм) қолданумен кремнилі және кварцты төсеніште жасалынды. Көміртегі көзі комфортты көміртегі (СС) деп те аталады. Бұл материалды (С ₁₀ Н ₁₆ ⁰ ) комфордты қысу арқылы алды, оны графитпен салыстырғанда құрамында сутегі болса да a-C:H қабықшасын алу үшін ең күшті шығынды материал болып табылады. Төсеніш нысанаға арақашықтығы мм орналасты және қабықша 1, 33*10 ^-4 Па қысымда, бөлме температурасында тұндырылды. Лазердің энергия импульсі 150 мДж құрайды.

a-C:H алмазтектес қабықша құрамында 10% сутегі бар, аргонды плазманы қолдана отырып, графитті нысанмен жоғары сапалы тозаңдату арқылы алынды. Қабықшаны орналастыру ЖЖ ығысуды 50-250 Вт аралығында жүргізілді.

a-C:H қабықшасын алу үшін Ar+CH ₄ газ қоспасындағы кремний және тотықпайтын болаттан төсенішке графитті нысанның жоғары сапалы магнетронды тозаңдату қолданылды. Қабықша адгезиясын жақсарту үшін болатты немесе кремнилі төсеніштен, төсеніш атмосферасындағы таза аргон көміртегі қабатының аралығы орналастырылды. ЖЖ ығысуының тығыздығы аралығы 2-14Вт/см ² , газ қоспасындағы (Ar+CH ₄ ) CH ₄ құрамы-1, 5; 2; 3; 5; 9; 24 және 40%. Камерадағы газдың толық қысымы 4-14Па, төсеніш температурасы 100-300 ⁰ С аралығында. ИҚ спектроскопия және КРС әдістерімен плазма құрамы және қабықшадағы алмазтектес фаза құрамы арасында корреляция қалыптасты.

a-C:H қабықшасы жоғары жиілікті графитті нысанды қолданумен тұрақты тоқтағы магнетронды тозаңдату әдісімен кварцты төсеніште алынды. Жұмыс газы Ar+H ₂ 4:1қатынасындағы қоспа болып табылады. Төсеніш температурасы 200 ⁰ C, газ қысымы 1, 1-1, 2 Па, орналастыру уақыты 10 және 30 минут болып табылады, 740 және 770А ⁰ қалыңдықты қабықшаны алу үшін, магнетронды ығысуының тығыздығы 0, 36 кВт/см ² құрады.

2. 2 a-C:H қабықшасының микроқаттылығы және құрылымы, байланыс сипаттамасы

Молекулада атомдар қатты фиксирленген болмайды. Серіппеге бекітілген сияқты, олар бірнеше тегіс жағдайдан кейін тербеліс жасай алады, қорытындысында мұндай тербелістер сол немесе басқа байланыс деформация түрінде болуы мүмкін, мысалы майысу және созылу (5 сурет) . Егер молекула анық бір жиілікпен (300-4000см ^-1 ) ИҚ-сәулесімен жылжыса, онда резонанста молекула атомының тербеліс жиілігі және сәуле жиілігі өте жоғары энергиямен келесі күйге тербеліс күйден энергиямен энергетикалық ауысуы және энергия жұтылуы болуы мүмкін. Сондықтан, ИҚ спектрде оның құрылымды элементі үшін сипаттамалы зат сызықпен немесе жұтылу сызығымен бақыланады. Белгісіз материалмен белгілі этолонның спектрмен ИҚ спектріндегі салыстыру мықты зерттеу инструменті болып табылады. Идентификация материалы ушін эталон спектірінің қатыспауын, көптеген құрылымды элементтері сипаттамалы жұтылу сызығы ие болғаны үшін қолдануға болады. Бұл ИҚ спектроскопия заттағы атом байланысының инфрмациясын беретінін және біз дайын аморфты гидрогенизирленген көміртекті қабықшаның құрылымды элементтері жайлы білуіміз мүмкіндігін білдіреді.

Сурет 5. Молекуланың тербеліс схемасы (тербеліс процесіндегі атомдардың ауысуы нұсқағышпен көрсетілген) .

Егер атом тербелісі иілуде немесе созылуда болатындай, молекуланың дипольды моменті өзгеріспен алып жүрілсе, онда молекула сәулені жұтады. Энергия жұтылған квант жиілігін есептеу үшін әдетте Хук заңын пайдаланады.

(1)

мұнда, К-байланыс энергиясын сипаттайтын, константа, m ₁ және m ₂ молекуладағы атом массалары.

Бұл теңдеуден, К үлкен байланыс күшті кезде, жарық кванты өте үлкен жиілікпен жұтылатынын білеміз. Сол себепті, екілік байланыс жағдайында, мысалы, С=С қарапайым байланысына қарағанда, С-C жарық кванты өте жоғары энергиямен жұтылады. Тұндыру процессіндегі a-C:H қабықшасында ендірілген сутегі, көміртегі атом күйіндегі sp ² және sp ³ байланысын қадағалайды және талапқа сай CH және C-C, a-C:H қабықшасындағы байланысын қадағалайды.

Көптеген зерттеулерде аморфты көміртегінің қабықшасы сутегі мөлшерін ұстай алады (HC>1, 50% жоғары) . Сутегі концентрациясы әдетте детектирленген және ИҚ спетроскопия әдістері арқылы анықталады.

Қабықшадағы сутегінің құрамын анықтау үшін ИҚ әдісінде С-Н тербелісті байланыстың жалпы жұтылуын қолданылады. Сондықтан, ИҚ әдісі қатысты концентрацияны білу инструменті болады, абсолютті түзету өте қиын болады. Егер ИҚ әдісі тек қана сутегінің химиялық байланысын анықтағанда, басқа әдістердің көбісі сутегінің толық құрамын анықтай алатын еді. Сутегінің 30-50% көміртегімен байланысты емес, сондықтан сутегі химиялық активті емес. Бұл әлсіз байланысты сутегі ішкі қабатқа хемисорбирленген немесе ішкі кластерде бар болуы мүмкін.

ИҚ спектроскопия әдісімен сутегі байланысының концентрациясын ғана емес, байланыстың ерекшелігін де анықтауға болады. С-Н байланысындағы тербеліспен байланысқан ИҚ спетріндегі жұқа құрылымды қабықшасындағы сутегі, моногидрид сияқты енгізілді. Бұған кері сутегі құрамды «жұмсақ» полимертектес қабықшада дигидридке қатысты жоғары концентрациясына әкеледі.

6 - cуретте ИҚ жұтылу спектірі a-C:H сызығының қабықшасы, 3100 ден 2850см ^-1 облысындағы С-Н және С-С суперпозиция 1620 және 700см ^-1 облысындағы майысу тербелісі келтірілді.

a-C:H қабықша жұтылуы және 2800 ден 3100см ^-1 интервалындағы табылғандар CH, CH ₂ және CH ₃ байланыс тобындағы созылған тербеліске қатысты сызығы табылды. Әрбір қабықша үшін толық шың жұтылуы, кестеде келтірілген, толқын ұзындығында, гауссты функциямен көрсетілгендер индивидуалды шыңда орналастырылды.

Барлық байланыстар бірдей жұтылу ықтималдылығына ие екендігін болжайды. a-C:H қабықшадағы сутегінің толық құрамы ИҚ жұтылу спектіріндегі сызық ықпалдау жолымен анықталды. Elastic recoil detection analysis (ERDA) әдісімен байланысқан және байланыспаған сутегі сияқты конценрациясы анықталды, сонымен сутегі конценрациясы үлгіден үлгіге ерекшеленеді.

Сурет 6. а-С:Н қабыршағының ИҚ жұтылу спектрі

Кесте 3 - ИҚ спектрдегі а-С:Н қабықшаның СН, СН ₂ және СН ₃ байланыстардың созушы тербелістерінің шыңының жағдайы (2800 - 3100 см ^-1 арлығында) .

---

Сіз бұл жұмысты біздің қосымшамыз арқылы толығымен тегін көре аласыз.

• Іс жүргізу
• Автоматтандыру, Техника
• Алғашқы әскери дайындық
• Астрономия
• Ауыл шаруашылығы
• Банк ісі
• Бизнесті бағалау
• Биология
• Бухгалтерлік іс
• Валеология
• Ветеринария
• География
• Геология, Геофизика, Геодезия
• Дін
• Ет, сүт, шарап өнімдері
• Жалпы тарих
• Жер кадастрі, Жылжымайтын мүлік
• Журналистика
• Информатика
• Кеден ісі
• Маркетинг
• Математика, Геометрия
• Медицина
• Мемлекеттік басқару
• Менеджмент
• Мұнай, Газ
• Мұрағат ісі
• Мәдениеттану
• ОБЖ (Основы безопасности жизнедеятельности)
• Педагогика
• Полиграфия
• Психология
• Салық
• Саясаттану
• Сақтандыру
• Сертификаттау, стандарттау
• Социология, Демография
• Спорт
• Статистика
• Тілтану, Филология
• Тарихи тұлғалар
• Тау-кен ісі
• Транспорт
• Туризм
• Физика
• Философия
• Халықаралық қатынастар
• Химия
• Экология, Қоршаған ортаны қорғау
• Экономика
• Экономикалық география
• Электротехника
• Қазақстан тарихы
• Қаржы
• Құрылыс
• Құқық, Криминалистика
• Әдебиет
• Өнер, музыка
• Өнеркәсіп, Өндіріс