Жұқа қабыршақты құрылымдардың технологиясы

ҚЫСҚАРТУЛАР МЕН ШАРТТЫ БЕЛГІЛЕР 7
КІРІСПЕ 8
1 ӘДЕБИ ШОЛУ
1.1 Жұқа қабыршақты құрылымдардың технологиясы 9
1.2 Жұқа қабыршақтарды синтездеудің әдістері 14
1.3 Гельдік технология. Оксидті қабыршақтарды золь . гель әдісімен алу 18
1.4 ZnO және оған ұқсас қосылыстар. ZnO .ның қасиеттері және қолданылу аймағы 19
1.5 Наноқұрылымды материалдарды зерттеу әдістері 27
2 ТӘЖІРИБЕЛІК БӨЛІМ
2.1 Қолданылатын төсеніштер және оларды тазалау әдістері 32
2.2 Оксидті жұқа жабындыларды дайындаудың әдістемесі 33
2.3 Алынған оксидті жұқа жабындылардың қасиеттерін зерттеуге арналған тәжрибелік қондырғылар 34
3 ЗЕРТТЕУЛЕРДІҢ НӘТИЖЕЛЕРІ ЖӘНЕ ТАЛҚЫЛАУЛАР
3.1 Синтезделген үлгілердің құрылымдық қасиеттерін зерттеу 37
3.2 Золь .гель әдісімен алынған оксидті қабыршақтардың оптикалық қасиеттерін зерттеу 41
ҚОРЫТЫНДЫ 44
ПАЙДАЛАНЫЛҒАН ӘДЕБИЕТТЕР ТІЗІМІ 45
ҚОСЫМША А
Жарияланған мақалалар тізімі
48
Наноқұрылымды материалдар өзінің бірегей қасиеттерінің арқасында қазіргі материалтануда алдыңғы орынды алады. Дәннің өте кішкентай өлшемі бірегей физикалық, химиялық, механикалық және т.б. қасиеттерінің өзгерісіне әкеледі, сонымен қатар материалтану, қатты дене физикасы, биология және де перспективті технология саласындағы мамандардың қызығушылығын арттыруда.
АIIВVI негізіндегі шалаөткізгіштер көлемді материал ретінде және жұқа қабықшалар ретінде қолданылады. Жұқа жабындылардың қалыңдығы азайған сайын олардың қасиеттері массивті материалдың қасиеттерінен ерекшелене береді. Әсіресе, қабыршақтың ең жоғарғы бөлігінде кванттық механикаға тән қасиеттерді байқауға болады. Асқын қасиеттерге ие материалдар жұқа қабыршақты технология негізінде жасалуда. Осы себепті жұқа қабыршақтардың технологиясы соңғы уақыттары алға қойылған тақырыптардың бірі болып отыр.
ZnO негізіндегі наноқұрылымды материалдарды оптоэлектроникада, газдық датчиктерде, сенсорларда, күн энергетикасы мен күн элементтерінде, жылу элементтері мен каталитикалық реакторларда және аккумляторларда қолдану перспективті болуымен кең зерттеліп жатыр. ZnO қабықшасы жоғары каталитикалық қасиеттерге және электр өткізгіштікке ие, бөлме температурасында ультракүлгін аумақта эффективті сәуле шығара алады, көрінетін диапазонда жоғары мөлдірлігімен сипатталады. Ал мөлдір ZnO қабықшаларын алуда ең қарапайым әрі тиімді әдіс золь-гель технологиясы болып табылады.
Золь-гель әдісінің негізі зольді алып, оны соңынан гельге айналдыру болып табылады. Золь-гель әдісі негізгі үш сатыдан тұрады: алкоксид ерітінділерін M(OR)x (M = Si, Ti, Zr, V, Zn, Al, Sn, Ge, Mo, W және т.б.) жасау, олардың гидролизбен каталитикалық байланысы және гидролизбен полимеризациялы конденсациялануы. Нәтижеде, оксидті полимер (гель) түзіледі, одан кейін жуылып, кептіріледі және термиялық өңделеді. Золь-гель әдісінің негізгі артықшылығы бастапқы компоненттердің жоғары дәрежеде гомогенизациясы болып табылады. Бұған бастапқы заттардың тұздары мен оксидтерінің алғашқы ерітіндіде еруі арқылы қол жеткізіледі. Золь-гель әдісі дәстүрлі синтездермен салыстырғанда синтездің оңай технологиялық схемасымен ерекшеленеді
1. Антоненко С.В. Технология тонких пленок: Учебное пособие. М.: МИФИ, 2008. – 104 с.
2. Под ред. Майссел Л. Глэнг Р. Технология тонких пленок (справочник). Нью – Йорк .1970. пер с англ. под ред. М.И. Елинсона, Г.Г. Смолко. Т. 1. М., «Сов. радио», 1977, 664 с.
3. Под ред. Майссел Л. Глэнг Р. Технология тонких пленок (справочник). Нью – Йорк .1970. пер с англ. под ред. М.И. Елинсона, Г.Г. Смолко. Т. 2. М., «Сов. радио», 1977, 778 с.
4. Шретер Ю.Г. Ребане Ю.Т. Зыков В.А. Сидоров В.Г. Широкозонные полупроводники. — СПб.: Наука, 2001.
5. Сергейченко А.В., Шевченок А.А. Материаловедение и технология тонкопленочных структур. – Минск: БНТУ, 2009. – 80с.
6. Дубровский В.Г. Теория формирования эпитаксиальных наноструктур. — СПб., 2006. — 350 с.
7. Редькин А.Н. Контролируемый газофазный синтез наноструктур для наноэлектроники, фотоники и микросистемной техники. Черноголовка 2012 г.
8. Семченко А.В., Сидский В.В., Залесский В.Б., Малютина – Бронская В.В. Золь–гель синтез активных слоев ZnO:Al:Re3+ солнечных элементов. УО«Гомельский государственный университет имени Франциска Скорины»
ул. Советская, 104, Гомель, 246019, Беларусь. Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси пр. Независимости, 68, Минск, 220072, Беларусь.
9. McGlynn E. Effect of polycrystallinity on the optical properties of highly oriented ZnO grown by pulsed laser deposition / E. McGlynn, J. Fryar, G. Tobin // Thin Solid Films. – 2004. – Vol. 485, №1–2. – P. 330–335.
10. Ткачев А.Г., Золотухин И.В. Аппаратура и методы синтеза твердотельных наноструктур: монография.–М.: "Издательство Машиностроение-1", 2007. – 316 с. – 400 экз. – ISBN 978-5-94275-365-8.
11. Kamalasanan, M.N.Sol-gel synthesis of ZnO thin films / M.N. Kamalasanan, S. Chandra // Thin Solid Films. – 1996. – Vol. 288. – P. 112–115.
12. Елисеев А.А., Лукашин А.В. Функциональные наноматериалы. (Под ред. Ю.Д. Третьякова). М.: ФИЗМАТЛИТ, 2010. 456 с.
13. Залесский В.Б., Леонова Т.Р., Гончарова О.В., Викторов И.А., Гременок В.Ф., Зарецкая Е.П. Получение тонких пленок оксида цинка методом реактивного магнетронного распыления и исследование их электрических и оптических характеристик.
14. Максимов А.И., Мошников В.А., Таиров Ю.М., Шилова О.А. Основы золь-гель технологии нанокомпозитов. СПб.: ООО «Техномедиа» / Изд-во «Элмор», 2007. 255 с.
15. Li Y., Xu L., Li X., Shen X., Wang A. Effect of aging time of ZnO sol on the structural and optical properties of ZnO thin films prepared by sol–gel method. // Applied Surface Science. 2010. V. 256. P. 4543–4547.
16. Liu Z., Jin Z., Li W., Qiu J. Preparation of ZnO porous thin films by sol–gel method using PEG template. // Materials Letters. 2005. V. 59. P. 3620 – 3625
17. Wang D., Zhou J., Liu G. The microstructure and photoluminescence of Cu-doped ZnO nano-crystal thin films prepared by sol–gel method. // Journal of Alloys and Compounds. 2009. V. 487. P. 545–549.
18. Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Гременок В.Ф., Теруков Е.И., Байрамов Б.Х., Song Y.W. Фоточувствительность тонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2/Mo, полученных на различных подложках. – Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
19. Копач В.Р., Клочко Н.П., Хрипунов Г.С., Мягченко Ю. А., Мельничук Е.Е., Клепикова Е.С., Любов В.Н., Копач А.В. Антиотражающие покрытия из электроосажденных массивов оксида цинка для солнечных элементов. – Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, г. Киев, Украина.
20. Н. А. Шабанова П. Д. Саркисов. Основы золь-гель технологии нанодисперсного кремнезема.
21. Мухаммед Абид Аль Карим. Структурные и оптические свойства солнечных элементов на основе пленок ZnO и AlN. – Сумы 2012.
22. Sunil K. Arya, ShibuSaha, Jaime E. Ramirez-Vick, Vinay Gupta, ShekharBhansali, Surinder P. Singh. Recent advances in ZnO nanostructures and thin films for biosensor applications: Review // AnalyticaChimicaActa. -2012. –V.737. –P. 1– 21.
23. Ahmad M., Pan C., Luo Z., Zhu J., Single A. ZnO Nanofiber-Based Highly Sensitive Amperometric Glucose Biosensor // Phys J., Chem. C . -2010. –V. 114. –P. 9308.
24. Gu B., Xu C., Yang C., Liu S., Wang M., ZnO quantum dot labeled immunosensor for carbohydrate antigen 19-9. // Biosens. Bioelectron. -2011. –V. 26. –P. 2720.
25. Fulati A., Ali S.M.U., Asif M.H., Alvi N.u.H., Willander M., Brannmark C., Stralfors P., Borjesson S.I., Elinder F., Danielsson B., An intracellular glucose biosensor based on nanoflakeZnO // Sens. Actuat. B: Chem. -2010. –V. 150. –P.673.
26. Lupan O., Ursaki V.V., Chai G., Chow L., Emelchenko G.A., Tiginyanu I.M., Gruzintsev A.N., Redkin A.N.. Selective hydrogen gas nanosensor using individual ZnO nanowire with fast response at room temperature // Sensors and Actuators B. -2010. –V. 144. –P. 56–66.
27. Пул Ч. Оуэнс Ф. Мир материалов и технологий. пер. с англ. под ред. Ю. И. Головина. - Москва : Техносфера, 2004. - 327 с.
28. Ковшов А.Н., Назаров Ю.Ф., Ибрагимов И.М. Основы нанотехнологии втехнике. – Изд. «Академия» - 2011. – 240с.
29. Кобаяси Н. Введение в нанотехнологию.: пер. с японск. – 2 – е изд. – М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2008. – 134 с. : ил. – (Нанотехнология)
30. Шмидт В. Оптическая спектроскопия для химиков и биологов. Москва: Техносфера, 2007.
31. Хасанов О.Л., Двилис Э.С., Бикбаева З.Г. Методы компактирования и консолидации наноструктурных материалов и изделий – Томск: Изд-во Томского политехнического университе- та, 2008. – 212 с.
32. Савченко А.Г. Наноматериалы и нанотехнологии: современное со- стояние и перспективы // Оборудование, технологии и аналитиче- ские системы для материаловедения, микро и наноэлектроники: Труды 5 Российско- японского семинара .– МиСиС, 18-19 июня 2007 г., Москва, 2007.– Т.1.– С.133–200.
33. Yagi K., Ogawa S., Tanishiro Y. In: Reflection High-Energy Electron Diffraction and Reflection Electron Imaging of Surfaces, Eds. P. K. Larsen, P. J. Dobson, N.Y.: Plenum Press, 1987, p. 285
34. Williams D. B., Carter C. B. Transmission Electron Microscopy (I Basic, II Diffraction, III Imaging, IV Spectrometry). N.Y.: Plenum Press, 1996
35. Practical Electron Microscopy and Its Application to Materials (Supervisor K. Maruyama, Editor-in-chief K. Nakai), Iron Steel Institute of Japan and Japan Institute of Metals, 2002.
36. Горелик С.С, Скаков Ю.А., Расторгуев Л.Н. Рентгенографический и электронно- оптический анализ. М.: МИСИС, 2001. 328 с
37. Бушуев В.А., Петраков А.П. Особенности формирования спектров трехкристальной рентгеновской дифрактометрии., Сыктывкар: Изд.СГУ, 1997
38. Д.Ю.Пущаровский. Основные элементы кинематической теории рассеяния рентгеновских лучей. Электронная версия учебного пособия и курса лекций. http://nature.web.ru/db/msg.html
        
        Андатпа
Жазылған дипломдық жұмыс 48 беттен, 3 кестеден, 9 суреттен және 38
әдебиеттер тізімінен тұрады.
Жұмыстың мақсаты: наноқұрылымды ... ... золь – ... ... ZnO – ның жұқа ... ... ... шарттарын
меңгеру, олардың морфологиялық және оптикалық қасиеттерін зерттеу.
Зерттеу объектілері: ZnO – ның жұқа қабыршақтары.
Кілт ... ... ... ... – гель» әдісі, жұқа ... ... ... ... ... коэффициенті, жұтылу
коэффициенті.
Берілген дипломдық жұмыс наноматериалдарды синтездеудің золь – ... ... ZnO – ның жұқа ... ... ... ... және ... қасиеттерін зерттеу тақырыбына арналған. Тәжіриебе
жүргізу және зерттеулер жасау барысында мынандай құрылғылар: ARIUM 611 ... суды ... ... ... ... CPA225D – ... SNOL ... муфельді пеші, UV-3600 (Shimadzu)
спектрофотометрі, Lambda 35 (Perkin Elmer) ... Quanta 200i ... ... ... (FEI Company, АҚШ, 2008), оптикалық
микроскоп – DM 6000 M (Leica) ... ... ... ... жету үшін ... тапсырмалар
орындалды:
• Золь – гель әдісі арқылы ZnO – ның мөлдір жұқа қабыршақтарын алу;
• Алынған ZnO – ның жұқа ... ... ... ... ... жұтылу коэффициентіне, шағылу және өткізу
коэффициенттеріне спектрлік талдау жүргізу;
• ZnO – ның жұқа қабыршақтарының беттік ... ... ...... ... (СЭМ) ... зерттеу.
Жасалған жұмыстың нәтижелері:
• Жұмыс барысында золь – гель ... ... ZnO – ның ... ... алынды;
• Алынған ZnO – ның мөлдір жұқа қабыршақтардың оптикалық ... ... ... ... работа содержит 3 таблицы, 9 рисуноков, 38 источников
литepaтypы и изложена на 48 страницах.
Цель работы: получение тонких пленок ZnO золь – гель ... ... ... ... ... ... исследование их
морфологических и оптических свойств.
Объекты исследования: тонкие пленки ZnO.
Ключевые слова: ... ... золь – гель ... ... ... ... пропускания, коэффициент отражения, ... этой ... ... ... ... ... ... тонких пленок ZnO, полученных золь – гель методом синтеза, и
исследование их ... В ходе ... для ... ... было использовано современное измерительное
оборудование, в том ... ... ... воды ARIUM 611 ... ... весы CPA225D – OCE ... печь SNOL 8.2/1100(SNOL), спектрофотометр UV-3600 (Shimadzu),
спектрофотометр Lambda 35 (Perkin Elmer), сканирующий электронный микроскоп
Quanta 200i 3D (FEI Company, АҚШ, 2008), ... ... DM 6000 ... достижeния цели были поставлены слeдующие задачи:
• получение тонких прозрачных пленок ZnO золь – гель ... ... ... свойств тонких пленок ZnO, полученных золь –
гель ... с ... ... и ... спектров поглощения,
отражения и пропускания в ... ... ... исследование морфологии поверхности пленок ZnO с помощью оптического и
сканирующего электронного микроскопов(СЭМ).
Результаты работы:
• в ходе работы золь – гель ... были ... ... ... ... были ... ... и оптические свойства полученных образцов
ZnO.
ABSTRACT
This thesis contains 3 tables, 9 figures, 38 sources of references and
is represented on 48 ... purpose of the work: ... of ZnO thin films by sol – ... ... of ... growth ... ... films,
research of their morphological and optical properties.
Research objects: ZnO thin ... zinc oxide, ... thin films, ... coefficient, reflection coefficient, absorption coefficient.
Treatment of technological growth conditions of ZnO thin ... by sol – gel method and research of their ... ... in this thesis. The modern ... ... such as system
of water purification ARIUM 611 DI (SartoriusGroup), ... ... – OCE ... Group), mufflefurnace SNOL 8.2/1100 (SNOL),
spectrophotometer UV-3600 (Shimadzu), spectrophotometer Lambda 35 ... scanning ... ... Quanta 200i 3D (FEI Company, ... optical microscope DM 6000 M (Leica), was used during experiment ... out research ... achieve the purpose were set up the ... ... receiving transparent ZnO thin films by sol – gel ... the ... and analysis of ... ... in the visible region to research optical properties of ZnO
thin films, synthesized bysol – gel ... research of ... of ZnO films surface by optical and ... ... ... of work:
• transparent ZnO thin films were prepareby sol– gel method;
• the ... and optical ... of ... ZnO samples ... ... МЕН ... БЕЛГІЛЕР |7 |
| ... |8 |
|1 ... ШОЛУ | ... ... ... ... технологиясы |9 ... ... ... ... ... |14 ... ... ... ... қабыршақтарды золь – гель |18 |
| ... алу | ... |ZnO және оған ... ... ZnO –ның қасиеттері және |19 |
| |қолданылу аймағы | ... ... ... зерттеу әдістері |27 |
|2 ... ... | ... ... ... және ... ... әдістері |32 ... ... жұқа ... дайындаудың әдістемесі |33 ... ... ... жұқа ... ... ... |34 |
| ... тәжрибелік қондырғылар | |
|3 ... ... ЖӘНЕ ... | ... ... үлгілердің құрылымдық қасиеттерін зерттеу |37 ... ... ... ... ... оксидті қабыршақтардың оптикалық |41 |
| ... ... | |
| ... |44 |
| ... ӘДЕБИЕТТЕР ТІЗІМІ |45 |
| ... А | |
| ... ... ... |48 ... ЖәНЕ ... БЕЛГІЛЕР
дипломдық жұмыста келесі қысқартулар мен шартты белгілер қолданылды.
ZnO – мырыш оксиді
ББЗ – беттік ... ...... – күн ... ... – дезокирибоза нуклеин қышқылы
рН – сутектік көрсеткіш
ИҚ – инфрақызыл
БӨҚ – бақылағыш – ... ......... ......... микроскоп
К – тозаңдану коэффициенті
ИТ – иондық тозаңдандыру
Еөтк – өткелдік энергия
СТОМ – сканерлеуші – ... ... ...... электрондық микроскоп
Кіріспе
Наноқұрылымды материалдар өзінің бірегей қасиеттерінің арқасында
қазіргі материалтануда алдыңғы орынды алады. ... өте ... ... ... химиялық, механикалық және т.б. қасиеттерінің өзгерісіне
әкеледі, сонымен қатар материалтану, қатты дене физикасы, биология және ... ... ... ... ... арттыруда.
АIIВVI негізіндегі шалаөткізгіштер көлемді материал ретінде және ... ... ... Жұқа ... ... ... олардың қасиеттері массивті материалдың қасиеттерінен ерекшелене
береді. Әсіресе, қабыршақтың ең жоғарғы бөлігінде кванттық ... ... ... ... Асқын қасиеттерге ие ... ... ... негізінде жасалуда. Осы себепті жұқа қабыршақтардың
технологиясы соңғы уақыттары алға қойылған тақырыптардың бірі болып отыр.
ZnO негізіндегі ... ... ... ... ... күн ... мен күн ... жылу
элементтері мен каталитикалық реакторларда және ... ... ... кең ... ... ZnO ... ... қасиеттерге және ... ... ие, ... ... ... ... ... шығара алады,
көрінетін диапазонда жоғары мөлдірлігімен сипатталады. Ал мөлдір ZnO
қабықшаларын ... ең ... әрі ... әдіс ... ... ... әдісінің негізі зольді алып, оны соңынан гельге айналдыру
болып табылады. Золь-гель әдісі негізгі үш ... ... ... M(OR)x (M = Si, Ti, Zr, V, Zn, Al, Sn, Ge, Mo, W және ... ... ... каталитикалық байланысы және гидролизбен
полимеризациялы ... ... ... полимер (гель)
түзіледі, одан кейін жуылып, кептіріледі және термиялық өңделеді. Золь-гель
әдісінің негізгі артықшылығы ... ... ... дәрежеде
гомогенизациясы болып табылады. Бұған бастапқы заттардың тұздары мен
оксидтерінің алғашқы ... еруі ... қол ... ... ... ... салыстырғанда синтездің оңай технологиялық
схемасымен ерекшеленеді
1 ӘДЕБИ ШОЛУ
1.1 Жұқа қабыршақты құрылымдардың технологиясы
Қазіргі таңда жартылай өткізгішті ... ... ...... бар ... ... ... жоғары қасиеттерге ие аса жаңа қондырғыларды жасап шығару ... ... ... жұқа ... ... алу олардың
қолданыс аумағының кеңеюіне жол ашады. Жұқа жабындылардың ... ... ... ... ... материалдың қасиеттерінен
ерекшелене береді. Осы себепті жұқа ... ... ... алға ... тақырыптардың бірі болып отыр.
Технология деп – қажетті нәтижеге қол ... ... ... мен қондырғылардың сабақтастығын айтамыз. Ал жұқа ... деп – сол ... ... ... және сол ... қондырғылардың сабақтастығын түсінсек болады. Сонымен қатар
осы қабыршақтарды алу ... , ... ... ... ... ... де жұқа жабындылардың технологиясына
жатқызсақ болады [1].
Жабынды – ... ... жұқа ... Жұқа жабындыны
төсеніш бетіне ... ... ... және ұнтақтармен
шатыстырмау өте маңызды. Себебі олар бір бірімен байланыспаған жеке – ... ... Жұқа ...... бірнеше нм – ден 100 нм
– ге дейінгі аумақта жататын қабыршақтар. Қалыңдығы одан ... ... ... деп аталады. Жұқа қабыршақтар көлемді заттардың қасиеттеріне
ие. Бірақ құрылымындағы бөлшектердің өлшемдерінің аздығы бұл материалдардың
қасиеттерінің ... ... ... ... ... ең жоғарғы
бөлігінде кванттық механикаға тән қасиеттерді байқауға ... ... ... ие ... жұқа ... технология негізінде
жасалады [1-2].
Жұқа қабыршақтардың қандай да бір нақты ... ... ... ... ... үшін оларды қалыңдығына, агрегаттық күйіне,
кристалдық құрылымына, ... ... ... ... тағы ... ... байланысты жіктеуге болады.
• Қалыңдығы бойынша әдетте нано (0,1 ÷ 100 нм) және ... ÷ 1 мкм) ... ... ... ... ... (0,1 ÷ 10 нм) қабыршақтар да ... ... ... ... әдетте бірнеше атомдық моноқабаттардан
тұруы мүмкін.
• Агрегаттық күйіне ... ... ... ... ... ... болады.
• Құрылымы бойынша монокристалды, поликристалды, шыны тәріздес, аморфты,
керамикалық, полимерлі, сұйық кристалды т.б. ... ... ... ... бойынша жұқа қабыршақтар қарапайым үш ... ...... ... , ... өлшемді – тізбектік,
квазинөл өлшемді – кластерлер түрінде ... ... ... ... тұтас және көп байланысты – композит күйінде,
дендриттік немесе бағаналық қабыршақ күйінде, ... ... де ... ... ... ... ... қарай қарапайым материалдар сияқты металдық,
коваленттік, сутектік, иондық байланыспен ... ... ... ... ... ... аса мән ... элементтердің бірі
төсеніштер. Төсеніш – қабыршақты отырғызуға арналған объект. Идеалды
жағдайда ... ... ... ... ... ... жұқа ... қасиеттеріне әсер етуі мүмкін. Төсеніштердің
формасы әдетте тіктөртбұрышты және ... ... ... ... ... ... ... цилиндр, лента немесе кез келган өзге
формаларда болуы да мүмкін[1-3].
Төсеніштің ... ... ... ... Шыны ... Бұл төсеніштер әдетте шыны қалыптасу ... ... Ең ... ... ... ... ... шикізат ретінде оксидті ұнтақтар қолданылады. Содан кейін
конвейерлі пештің бір ... ... ... ... да , ... ... шыны ... процессі жүреді. Шыны
пештің ішінен сұйық ерітінді ... ... да, ... ... ... ... керек өлшемдегі пластиналарға
бөледі. Кейде ерітінді ... ... ... ... ... ... де, цилиндр күйіндегі ... ... ... ... ... ... кальцилі – натрийлі,
боросиликатты, алюмоселикатты, балқытылған кварц жатады. Шыны
төсеніштер қойылатын бірнеше ... ие және ... ... ... ... кең ... ... Керамикалық төсеніштер. Оларды әдетте керамика ... ... ... ... алу үшін ... ретінде
тазартылған оксидтік ұнтарқтар қолданылады. Оларды араластырыады да
үгітуге ұшыратады. Кейде пластификатордың, байланыстырғыштың рөлінде
қолданылатын ... ... ... ... ... ... ... формаға келтіреді немесе құю арқылы лист
күйіндегі шыныларды алып, ... ... ... ... ... ... алып тастау үшін алдын ала 300 – 600
жасытып , ... ... ... ... ... ... бөлшектер бірігеді , соның нәтижесінде үлкен кристалдар
өседі. Осы жолмен керамикалық ... ... Кей ... ... жұқа шыны ... ... Ол ... беттің
біртексіздігін жоюға арналған қабат деп атайды. Көп жағдайда осындай
төсеніштер ретінде Al2O3, ВеО, BaTiO3 және тағы ... ... ... ... ... ... кристалдарды
қажетті кристаллографиялық ориентациялы пластиналарға бөлу арқылы
алады. Кристалдарды ... ... ... ... ... төсеніштер. Бұл төсенішті ... ... ... ... жұқа пластиналарынан жасайды. Отырғызылатын
қабыршақтың ... ... ... үшін ... ... беті
жылтыр әрі тегістелген болуы керек. ... ... ... ... ... әдістермен тегістейді. Кейде
төсеніштер ретінде беткі қабаты ... әрі ... ... ... ... қолданылады. Ондай металдар қатарына W,
V, Ta, Cu және кейбір асыл металдар Au, Pt, Ag, Pd ... ... ... пен ... ... ... реакция жүру қаупі
болған кезде жиі ... Ал қиын ... ... ... ... ... кезінде қолданады.
• Полимерлік төсеніштер. Бұл төсеніштерді полимерлердің ленталарынан,
фольгаларынан, пластиналарынан жасайды. Осындай төсеніштер ретінде
көбіне ... ... ... ... кей ... да ... қасиеттері: Төсеніштерді әдетте алынатын қабыршақтардың
қасиеттері барынша жақсы болатындай етіп ... ... ... ... ... өңдеуге кедергі жасамайтындай етіп таңдап ... ... ... ... ... әрі тегіс және ... жоқ ... ... ... ... басым көпшілігі өте морт,
бірақ қаттылығы жоғары әрі механикалық әсерлерге және химиялық әсерлерге
тұрақты ... ... Асыл ... ... және ... ... ... жоғары тұрақтылығымен ерекшеленеді. ... ... ... ... ... ... ... Осыдан байқағанымыздай өсірілетін қабыршақтардың қасиеттері
қолданылатын төсеніштердің ... ... ... ... ... талаптардың қатарына мыналар жатады.
• Беттің жазық болуы. Төсеніштің беткі яғни қабыршақ отырғызылатын беті
оның астыңғы бөлігіне параллель болуы ... Бұл ... ... ... температурамен өңдеу кезінде тепературалық градиентті
төмендету кезінде маңызды роль атқарады.
• Төсеніште кеуектердің, сызаттардың өзге де ... ... ... қабыршақтың үзіліссіз, сызатсыз болып қалыптасуына, артық
ластанудың болмауына және кеуектерден артық газдардың бөлінбеуіне
себепші болады.
• Меншікті электр ... өте ... ... Бұл ... ... ... үшін және ... қондырғыларынан әсер болмауы үшін аса
маңызды.
• Диэлектрлік ... ... ... ие болуы. Бұл талап көбіне тек
ток өткізбейтін төсеніштерге қойылады. Жоғары кернеу берген кезде
қабыршақта пробойдың ... аса ... ... және ... ... ... электрлік жоғалуды азайту үшін осы қасиеті
өте маңызды.
• Химиялық реагенттердің әсеріне тұрақтылығы. Бұл ... ... және ... химиялық өңдеуге ұшыратқанда өте маңызды.
• Гидрофобтық қасиет немесе суды ... ... ... ... су молекулаларының болмауы аса маңызды. Бұл талап дұрыс
орындалмаған ... ... ... адгезиясы нашар болып,
вакуумда қабыршақ ... су ... ... бөлінуіне әкелуі мүмкін.
• Рекристализация және балқу температураларының жоғары болуы. Бұл
жоғарғы температураларда ... ... ... ... береді.
Сонымен қоса бұл талапты сақтау қабыршақта төсеніштің әсерінен фазалық
немесе құрылымдық ауысулардың туындамауы үшін аса ... ... ... ... ... ... барынша
сәйкес келуі. Бұл қабыршақта термиялық кернеулердің туындамауы үшін
және термоциклдеу кезінеде, шынықтыру барысында, ... ... ... ... құрылымының бұзылмауына септігін
тигізеді.
... ... ... ... үшін ... ... ... материалды таңдай білу.
• Термоәсерлерге және термоекрнеулерге тұрақтылығы. Бұл қабыршақтың
жоғары температуралық ... ... ... ... болады және
пайка, пісіру кезінде, төсеніштер мен қабықшаларды ... аса ... ... әсерлерге тұрақтылығы майыстыру кезінде, бұрау, кесу,
сындыру кезінде қабыршақтың ... ... қалу үшін ... ... ... кезінде сырылуға және үйкелуге тұрақтылық.
• Литографияны дұрыс жүргізу үшін бетінің оптикалық тегіс ... ... ... ... ... аса ... Бағасының төмендігі. Бұл сериялық шығарылымдар жасауда аса маңызды.
Төсеніштерді тазалау әдістері. Төсенішті тазалаудың негізі төсеніш пен
қоспалардың ... мен ... ... ... үзіуде болып
саналады. Оны мынадай әдістермен жүргізеді.
• Еріткіштердің әсерімен тазалау. (сілтілердің және қышқылдардың сулы
ерітінділермен, органикалық ерітінділермен – ... ... ... CCl4 , ... және ... т.б.)
• Булармен немесе газдармен әсер ету. Бұл үшін ... ... ... ... ... булары және
сығылған газ қолданылады.
• Төсенішке ультрадыбыстық толқындармен әсер ету ... Бұл әдіс ... ... ... ... ... Ультрадыбыстық әсер
саусақтың іздері сияқты ластанулардан тез арылуға көмектеседі. ... ... тағы бір әдіс – ... ... әсер ету ... ... толқындар қатты дененің бетінде таралып, оның ішкі ... ... ... Беттік – белсенді заттарды қолдану (ББЗ): карбон қышқылының
тұздарымен, сабынмен, ... және тағы ... ББЗ аса ... ... ие. ... олар ... ... жоғары
адсорбциялану қабілетіне ие. Ол сұйықтықтң ... ... ... ... төсеніш пен ластаушы қоспалардың
бөлшектерінің арасындағы ... ... ... ... тазалау. Төсеніштерді термоөңдеуге ұшырату вакуумда 500
– 1000 температурада жүргізіледі. Бұл ... ... ... ... ... Сонымен қоса беттің біртекті
болуына әсерін тигізеді. Дегаздалу – материалдан оның ... ... және ... ... ... ... мен ... шығарып тастау процесі.
• Өріспен әсер ету арқылы десорбциялау. Өте жоғары кернеулікке ие Е
107 – ... ... ... әсер етку беткі қабатта
адсорбцияланған иондалған бөлшектердің жойылуына әкеледі.
• Беткі қабатқа ... ... ... молекулалық сәуле
шоқтарымен әсер ету арқылы десорбциялау.
• Лазерлік сәулелермен әсер ету ... ... ... ... ... ... ... опто – механикалық құрылғылардың
сәулелермен сканерлеу арқылы тазалау. Тазаланумен қатар осы процесс
кезінде төсеніштің ақауларының кейбір ... ... және ... болатын беттің тегістелуі және дегазация жүреді [2, 4-5].
1.2 Жұқа қабыршақтарды синтездеудің әдістері
Жұқа қабыршақтарды алудың жолдарын ... ... төрт ... ... ... ... – қабыршақтарды химиялық реакциялардың салыстырмалы
түрде қатысуынсыз өтетін, вакуумда немесе газдық орталарда жүргізілетін
тозаңдандыру. Бұл әдіс екі ... ... ... ...... материалдың бетінен молекулалардың немесе
атомдардың ... ұшып ... және ... ... ... ... арқылы атомдарды ұшырып шығару процессі.
• Химиялық әдістер – қабыршақты ... және ары ... ... ... ... бірге жүретін әдістер. Мұндай химиялық
реакциялар гомогенді де гетерогенді де және гомофазалы да ... ... ... ... бұл процесстер химиялық реакторларда немесе
арнаулы ... ... ... ... химиялық реакциялар
сырттан жылумен, жарықпен әсер еткенде басталуы мүмкін.
• Механикалық әдістер – ... ... ... әсерлердің
көмегімен отырғызылуы. Оған мысал ретінде механохимиялық синтезді
келтіруге ... ... әдіс – жұқа ... керамикалық технология бойынша алу.
Бұл әдіс кезінде ... ... ... ... ... ... ... жүргізіледі [2-4,6].
Термиялық тозаңдандыру. Термиялық әдіс, басқаша айтсақ, вакуумдық
булану кезінде заттың ... ... ... ... ... ... төсенішке отырғызылуы жүреді. Жұқа ... ... ... үш ... ... ... конденсирленген фазадан газдық фазаға ауысуы;
2. Вакууммдық ортада заттың буының буланушыдан төсенішке қонуы;
3. Будың төсеніш бетіндегі конденсациясы.
Вакуумдық ... ... ... ... ... ... ... ескеру маңызды: еркін булану – конденсирленген заттың ... ... ұшып ... ...... балқу орын алмай, қатты
күйден бірден газ фазасына ... орын ... ... – изотермиялық
оқшауланған көлем ішінен газдың ... ... ... ... ... кезінде көптеген заттар бастапқы, яғни атомдық немесе молекулалық
күйінде болады. Олардың кейбірі полимер күйінде (Se, Te, As ... ... (NH4Cl, AlN) ... ... , ... ... әдіс кезінде қыздыру токтың (резистивтік), ИҚ ... ... ... көмегімен жүзеге асырылады.
Вакумдық булануда қолданылатын аса ... ...... ... ... ұстағыштар, бақылағыш – өлшегіш қондырғылар
(БӨҚ) және аппаратуралар. Вакуумдық қондырғылардың ... ... ... Жоғары вакуумдық қондырғы (қысым – 10-6 Торрға дейін) – пластикалық
тығыздандырғышы бар, оңай ... ... ... ... ала ... ... ... алдымен форвакуумдық сорғыш,
одан кейін диффузиондық сорғыш қолданылады. Процессс кезіндегі қысымды
бақылау термопара немесе ионизациондық вакуумметр көмегімен ... Аса ... ... ... ... – 10-12 Торрға дейін) – металдық
тығыздандырғыштары (In, Ga, ... мыс) бар ... ... ... ... сорғыштармен жабтықталған. Процесс кезіндегі қысымды
бақылау үшін магниторазрядтық вакумметр қолданылады.
Төсеніш ұстағыштар және төсеніштер. Төсеніш ... ... ...... ... ... ... тұру.
Оны резистивтік немесе лазерлік қыздырғыштар ... ... ... пирометр жүргізеді. Ол мөлдір емес денелердің спектрдің ИҚ және
оптикалық ... ... ... ... бойынша температурасын
өлшейтін құрылғы.
БӨҚ: вакуумметрлер, буланушы ... ... ... ... қалыңдығын өлшеуші жүйе, ... ... ... өсіп жатқан жабындының құрамын және қасиетін бақылайтын әр
түрлі аналитикалық қондырғылар [6-7].
Жабындыларды электрондық сәуле көмегімен синтездеу. Бұл әдіс ... ... ... ... ... ... ... бетіне
қонады. Ол үшін электрондар шоғының ағынын энергиясы 5–20кэВ болатындай
етіп үдетеді (кейбір қуатты ... ... 40кэВ – қа ... ... Электрондар нысанамен әсерлескенде олардың кинетикалық энергиясы
жылулық энергияға түрленеді де, ол энергия нысана ... ... ... ... Электрондық – сәулелік ... ... ... ... вакуумдық камера (қысым 10-5 – 10-2 Торр),
электрон шоғының көзі, ... ... ... ... ... ... суытқыш және төсенішті ұстаушы.
Электрондық пушка электрон шоғы көзінен (жоғары температураға ... ... ... ... және ... тұрады. Катодтан
электрондардың ұшып шығуы термоэлектрондық эмиссия процесі нәтижесінде
жүреді. Электрондық линзалардың және ... ... ... ... ... формаға келеді. Ал электрондардың энергиясы катод пен
анодтың арасындағы потенциалдар айырымының көмегімен 5 – 20 ... ... ... және ... ... әсерінен электрон
шоқтары нысанаға дәл бағытталады. ... ... ... ... электрон шоқтарының бағыты 900 – қа дейін ... ... ... ... ... траекториясының бағыты өзгертілген жүйе дейді.
Осындай жүйенің ... ... ... ... ... ... Кей
жағдайда электрон шоқтары нысананың тек бір бөлігі ғана буланатындай етіп
фокусталуы мүмкін.
Қуаты 10–40 кВт – қа ... ЭСҚ ... ... мен ... ... Сонымен қатар бұл әдіс арқылы ... ... ... болады. Заттың беткі қабатының тазартылуы электрон
шоқтарымен сканерлеу ... ... және ... ... арқылы
жүргізіледі.
Иондық тозаңдандыру арқылы жұқа қабыршақтарды алу. ИТ ... ... ... ион мен ... ... қабатындағы бөдшектердің
серпімді соқтығысуы нәтижесінде беткі қабаттан атомдар ұшып шығады. Иондар
жұмысшы газдардың ... ... ... ... ... ... ... көп жағдайда аргон, неон және басқа газдар қолданылады.
Қондырғының жоғары вакуумдық бөлігінде нысана – катод, анод, ... ... ... ... ала ... 10-5 – 10-6 Торр
болатындай тазартылады. ... газ ... соң ... 10-1 – ... ... жетеді. Нысанаға 0,5 – 10кВ теріс потенциал , ал ...... ... Электрондардан және жұмысшы газдың иондарынан ... қыза ... Осы ... ... ... ... атқылай бастайды.
Бастапқы кезде нысананың беткі ... ... ... ... ... ұшып ... Нысана материалының толықтай
тозаңдануы түсіп жатқан атомдардың немесе бөлшектердің энергиясы өткелдік
энергиядан (пороговая ... ... ... ... Бұл ... ... ... перпендикуляр бағытталғанда) жұмысшы ... ... ... ... массасына жуық болғанда Еөтк
4Н, нысана атомдарының ... ... ... ... ... ... Еөтк 50Н ... өзгеруі мүмкін. Мұндағы Н –
нысана атомдарының байланыс ... ... ... бөлшектердің
кинетикалық энергиясы нысананың ... ... ... ... ... энергиясына айналады. Бұл процесс физикалық
иондық тозаңдану деп ... ... ... ... үшін иондардың
массасы нысана атомдарының массасына жуық ... ... ... ... ... ... газ ретінде қолдану тиімсіз болады.
Тозаңдану жылдамдығы тозаңдану коэффициентіне К тікелей ... ... – бір ... бөлшекке келетін нысананың ... ... тең. К – ның мәні ... ... ... кристалдық құрылымына, иондардың нысанаға түсу ... ... ... ... ... нысананың бетінде химиялық қоспалар бар ... ... ... ... және ... ... ... жүруі мүмкін.
Қабыршақтарды отырғызуды жоғары эффективтілікпен жүргізу ... ... ... ... ... өсіп келе
жатқан қабыршақтың қасиетін және спасын қадағалайтын ... ... ... ... ... бөлігінде электрондардың
термоэмиссиясын тудыратын қосымша иондық қондырғылар ... ... Көп ... ... ... ... МГц – ке ... ион
тудырушылар қолданылады. Олар тек қана өткізгіш беттерді ғана емес, сонымен
қатар ... де ... ... ... Кей жағдайда
аргон атмосферасында азотпен және оттегімен ... және ... үшін ... ... ... ... SiO немесе SiO2
алу үшін кремнийді Ar+O2 ... ... ... ... әдіспен синтездеу. Жұқа жабындыларды алудың
керамикалық синтезі кезінде оксидті ... ... ... ... ... жағу үшін ... ... қосу,
күйдірілген керамикалық жабынды алу үшін ... ... ... орын ... ... ... ... наноөлшемді бөлшектерден тұрады.
Бөлшектер диірмендер көмегімен немесе үйкеліс әсерінен микрондық ... ... ие ... ... одан әрі майдалануы
ультрадыбыстық диспергирлеушілер көмегімен жүзеге асырылады. ... жағу ... ... ... ... және ... арқылы жүргізіледі. Бұл әдісте оксидтерден бөлек, керметтер –
оксидтермен металдардың ... да ... ... ... ... – Al2O3, SiO2, ал ... ... ретінде – Ni, Cr, ... ... ... плазма мен лазердің әсерімен, тозаңдандыру,
глазурьлеу және эмальдау ... ... ... ... ... ... шыны тәріздес жабынды. Глазурь –
күйдіру кезінде қалыптасқан шыны тәріздес жабынды.
Кей жағдайда ... ... және ... ... ұнтақтарды құрғақ түрде отырғызу ... ... ... Бұл ... ... ... ... аралығында болады.
Рекристаллизация процесінің нәтижесінде майда кристалдар ірі ... ... ... бөлшектерін күйдіру барысында кеуектер
толығымен жойылып, біртекті керамикалық жабынды пайда болады [5-6, 9-12].
1.3 Гельдік ... ... ... золь – гель әдісімен алу
Наноқұрылымдарды синтездеудің золь –гель ... ... ... ... әрі ... әрі ... бірі – золь – гель технологиясы. Оның ... ... XX – ... 40 – ... ... Бірақ ол уақыттары бұл ... ... ... Тек ХХ – ... ... ғана кең ... ... Золь – гель әдісі – зольды алып, артынша гидролиз ... ... ... ... ... ... арқылы, яғни суйық дисперсті фазадан ... ... ... арқылы наноматериалдарды алу әдісі. Бұл әдіс – ... ... ... жатады. Золь – гель технологиясының бірінші ... ... ... химиялық құрамы қалыптасады. Ол жоғары дисперсті
коллойдтық ...... ... ... ... ... өлшемі 10-9 – 10-6 м болады. ... ... ... ... ... процесі жүреді. Яғни бөлшектер
арасында байланыстар орын алып, гель ... ... ... Ол золь – ... екінші сатысы [13-17].
Кесте 1 – Золь – гель әдісі арқылы алуға болатын өнім түрлері [14]
|Алынатын өнім ... және ... ... ... ... ... жоғары гомогенділік |
|немесе қабықшалар | ... ... ... ... |
| ... ... ... алу |
| ... ... ... ... ... алу, ... |
| ... массаларды салыстырмалы түрде төменгі |
| ... алу, ... ... |
| ... ... қарапайым жоғары дисперсті |
| ... алу ... ... ... ... ... алу мүмкіндігі |
| ... алу ... ... ... |
| ... ... тазалығы. ... бос ... ... ... ... ядролық отындардың сыртын |
| ... ... ... жасау. ... ... ... ... төсеніштер, кеуектердің |
| ... ... яғни ... ... ... болатын материалдар алу мүмкіндігі. |
|Ормосилалар және |Органикалық және ... ... ... |бар ... ... ... ... ZnO және оған ұқсас қосылыстар. ZnO – ның қасиеттері ... ... ... ... ... құрылғылар жасауда ... ... ... ... ... қос ... өткізгішті
фазалардан тұратын қоспаларға көп қызығушылық туындауда. ... ... ... ... ... ... ... AIVBVI тобында орналасқан элементердің қосындылары жатады.
AIIBVI ... ... ... қоспаларға цинк, кадмий және
сынаптың халькогенидтері жатады. Соның ... ... ... ... атап ... болады. AIIBVIтоптарының
элементтерінің қосындылары алмазтектес жартылай өткізгіштер қатарына жатады
және кристалданғанда ... ... ... ... ие болады. Бұл
қоспаларға ковалентті – ... ... ... тән. ... ... ... ... мөлшері 45 – 70% . Иондық ... ... ... ... ... ... ... электіртерістілігінің айырмашылығының үлкен ... Осы ... ... элементтердің атомның орташа массасы өскен
сайын, тыйм салынған аумақтың ені және ... ... ... ... ... ... теллуридтердің балқу
температурасы, тыйм салынған аумақтың ені, ... ... ... ... ... ... артады.
Бұндай қосылыстардың меншікті кедергісі және электр өткізгіштігінің
түрі олардағы ... ... ... сол қоспа құрамының
стехиометриялық түрден ауытқуынан туындайтын құрылымдық ... ... ... құраушысының артық болуы қоспаның ... ... ... ... ... ... ... туындатады.
AIIIBVтобының қоспалары алу жолы күрделі қоспалар қатарына жатады.
Балқу температурасының жоғары ... жұп ... ... ... жоғары болуы өте таза монокристаллдарды алуды
қиындатады. Поликристалды ... ... ... тұндыру
әдісі арқылы (ZnS, CdS ,CdSe) және бастапқы компоненттерді балқыту арқылы
алатын болса (ZnSe, ZnTe, CdTe), ... ... ... , ... ... ... немесе газдық фазадан химиялық
тұндыру арқылы алады.
ZnS монокристаллдарын және күйдірілген поликристалдық ... ИҚ ... ... ... ... ие және опто – ... ... ретінде қолданылады. ZnS қабыршақтарының ... ие ...... ... ... ... жасауда
қолдануға мүмкіндік берді. Цинк сульфиді және ... ... көк ... сәулелер шығаратын квантоскоп жасауда, УК – сәуле шығаратын
қабылдағыштар ... ... ... ... фото – және электролюминесценттік
қасиетттерге ие және ИҚ – аумақта жоғары мөлдірлікке ие. Цинк ... ... ... опто – ... ... ... және кірме терезешелер (входные окна) ретінде қолданады. Ал ... ZnTe ... және ... қасиеттерге ие
[4].
Осындай жартылай өткізгішті элементтердің қосындысынан тұратын маңызды
қоспалардың бірі – оксидті қоспалар. Оксидті жартылай ...... бірі ... ... ... ... ... Жартылай
өткізгіштердің бұл тобына Cu2О, CdO, NiO, MnO, Mn3O4, ZnO және ... ... ... ... ... ... жартылай
өткізгіштік қасиеттерге ие емес. ... ... ... ... ... ... әр түрлі валенттікке ие бола алуына
байланысты. Оксидті жартылай өткізгіштердің меншікті кедергісінің мәні 105
– 109 Омм ... ... ... ... ... ... көп әсерін тигізеді. Оксидті жартылай өткізгіштердің алу
технологиясы салыстырмалы түрде ... ... бұл ... ... ... Тәжірибе жүзінде варисторлар, түзеткіш
және өзге де құрылғылар жасайтын оксидтік ... кең ... ... ... ... Cu2О ... ... жасауда қолданылады.
Осындай оксидті қосылыстардың ішінде ең жиі қолданылатыны – мырыш оксиді.
Мырыш оксиді – суда ерімейтін, ... ... ... ... зат. ... әсер ... түсі ақтан сарыға ауысады. ZnO –
амфотерлі қасиет көрсетеін екі компонентті қоспа. Ол ... ... ... химиялық реакцияға түседі. 1975 ... ... және ... ... Яғни ZnO өте ... ... ... жатады.
Мырыш оксидін әдетте ақ ұнтақ болып келетін ... ... ... ... ... Мырыш оксиді AIIBVI тобының бинарлы қосылысына
жатады. Мырыш және оттегі атомдарының ... ... ... пен
коваленттік байланыстың ортасындағы байланыс орнаған. Қалыпты
жағдайда ZnO гексагональды кеңістіктік құрылымға ие. Ал ... ... ... ... ... ие ... 1 – ... оксидінің схемалық – кеңістіктік бейнесі [7]
1 – суретте мырыш оксидінің ...... ... . ZnO ... бір – ... ... ... екі гексагональді
ұяшықтардан құралған. Мырыштың әр бір атомы тетраэдрдің ... ... төрт ... ... ... с ... бойынша
оттегіжәне мырыштың атомдарының кезектесіп ... ... ... Бұл (0001) және (000-1) ... ... ... бойынша оң
және теріс зарядтардың туындауына ... ... Кез ... ... ... өсу ... ... ... ... ... оның кристалографиялық ориентациясына
тікелей тәуелді. Мырыш ... оны ... кең ... ерекше
қасиеттері аз емес. Ол бөлме температурасында тыйм салынған аумағының ... ... ... өткізгіш. Оның экситондарының байланыс энергиясы 60
мэВ. Бұл өзге жартылай өткізгішті қосылыстардың экситондарының энергиясынан
әлдеқайда жоғары болып саналады және УК ... 550 - ге ... ... ... шашырауды бақылауға мүмкіндік береді.
Мырыш оксидінің бұл қасиеті оны қысқатолқынды оптоэлектроникада қолдануға
мүмкіндік береді. ... қоса ... ... ... ... ақпарат
жазу тығыздығы өте жоғары жад құрылғыларын жасауда, ақпаратты жіберу ... ... ... қолдануға кең мүмкіндіктер туғызады. ... ... кең ... ... ... ... ... көрінетін
аумақта мөлдір болып келеді. Сонымен қоса меншікті ... ... ... ... ол ... ... ... ие бола алады.
Бұл қасиеті оны ... мен күн ... ... ... ... ... ... ZnO – ның тағы бір ерекше қасиеттерінің қатарына
жоғары жылуөткізгіштігін (0,54 ... ... ... ... ... ... тыйм ... енін және электрөткізгіштігін
өзгертуге мүмкіндігн, арзандығын ... ... ... ZnO – ның ... және қоспалы ақаулары, легирлеу. Мырыш оксидінің
люминесценция спектрі электр өткізгіштігінің шамасы және типі секілді
көптеген маңызды қасиеттері оның ... ... және ... ... ... ... формуласына қарамастан оның
меншікті ақаулары өте күрделі болып ... ... ... ... ... ... энергиясына ие көптеген меншікті ақаулары бар. 2 ... ... ... ... ... ... ... 2 – ZnO – ның меншікті ақауларының ... ... ... , , ақаулары донорлық, ал
ақаулары акцепторлық болып саналады. Түйін арасында орналасқан
мырыш және ... ... ... ... ... типіне жатқызылады.
Кез келген өзге жартылай өткізгіштегі секілді мырышта да ақаулардың
түзілуіне қоспалы атомдар көп әсерін тигізеді. n – ... ... ... алу үшін III – ... ... (Al, Ga, In) ... Олар ... торына оңай орналасып, донорлардың ... Ал ... ... ... ... I және V – ... ... болады.
➢ ZnO – ның элeктрлiк қaсиeттeрi. Легирленбеген ... ... ... ие. ... ... оның электр
өткізгіштігі тек оның меншікті және қоспалы ақауларына ғана тәуелді.
Ақаулардың электрөткізгіштікке ... ... ... ғана
емес сонымен қоса қаншалықты төменгі ... ... да ... ZnO – да ... ... түзілуіне
көп энергия жұмсалады. Түзілу энергиясының аздығына байланысты мырыш
оксидінде нүктелік ... ... көп ... ... ... ZnO – да ... ақаудың рөлін, ал түйін аралық оттегі
донорлық ақаудың рөлін атқаратыны белгілі болған. ... ... ... тағы бір ... ... ... қоспасын
келтіруге болады. Сутегі майда донорлардың қатарынан саналады, бірақ
кейде ол доминанттық қасиеттерге ие бола алады. Осындай ... ... ... ... ... бірақ оның түзілу
энергиясы жоғары мәнге ие. Бұл ақау ... ... ... ... ... тұрақсыз болып саналады. Сондықтан ZnO
– дағы ... ... ... қоспаларға (сутегі және III
топ элементтері) тәуелді екені ... ... ... ... – да ... аралық позиция ғана емес, тордағы оттегінің орнынана
келіп те орналса алатындығы анықталған.
Сурет 3 - ZnO – ның ... ... ... ... ... ... ZnO – ның n – типтік
өткізгіштігінің термиялық тұрақтылығын қамтамасыз ете ... ... ... ның ... ... плазмалық өңдеу кезінде тәжірибелік түрде
көрсетілген. Оны 3 – ... ... ... ZnO – ны оттегілік плазмада
өңдегеннен қарағанда, ... ... ... ... ... өткізгіштігін арттыратындығы көрсетілген.
➢ ZnO – ның физикалық қасиеттері.
▪ Тыйм салынған ... ... – 3,37 ... ... байланыс энергиясы – 60 мэВ
▪ Молекулалыөмассасы – 87,37 г/моль
▪ Түсі – таза ... түрі ақ ... ие. ... ... ... лимон түстес реңге боялады, суытқанда қайта ақ ... ... ... – 5,607 г/ ... ... ... – атмосфералық қысымда 1200 , ал ... ... ... 1975 ... жетеді.
▪ Қаныққан буының қысымы ( 1500 ) – 12 мм
ZnO – ның ... ... ZnO – ның ... арзандығы,
жарықтану уақытының аздығы, шашырау толқындарының қысқа ... ... және ... көрсету аймаққа ие аса
жылдам дисплейлерде осы материалдың ... ... ... ... ZnO – ның ... инжекционды лазерлер қазіргі
заманауи светодиодтарға бәсеке туғыза алатын жоғары технологиялық қондырғы
болып саналады. ZnO тыйм ... ... кең ... ... ... ... ... ктализатор рөлін атқара алады. Бірақ
тәжірибеде ZnO – дан ... ... ... ... ... көбірек зерттелген. Соған қарамастан ZnO - ... ... ... ... ... реакцияларын зерттеу
кезінде көптеген қызықты мәліметтер алынған. ... ... ... тік ... тыйм ... аумағының ені 3,37эВ, экситондардың байланыс
энергиясы 60мэВ болатын ... ... ... Бұл байланыс
энергиясының жоғары болуы УК аймақта 550 - ге ... ... ... ... ... Осы себепті ZnO қысқа толқынды
электроникада қолдануға үлкен қызығушылықты ... ... ... ... ... ... ... ие [21-22]. Бұл ... ... ... аса жоғары сапасын талап етеді.
Сондықтан ... ... ... ZnO – ның 1D ... ие ( ... ) кристалдық түрі қолданылады. ZnO – ны светодиод жасау ... ... де бар. ... р – ... ... ие ... ... жоқтығын келтіруге болады. Сондықтан ZnO – ның ... ... оның ... ... ... ... аса ... туғызып отырған жоқ [2-4, 21-23].
Күн элементтерінде ZnO – ның ... ... ... ... ... аса ... сыну коэффициентіне ие, яғни
оларға сәулелердің ... ... ... қасиеті тән. Сондықтан
оптикалық беттерден керексіз ... ... ... ... ... күн ... аса маңызды мәселелердің
бірі. Осы ... шешу үшін ... ... ... ... ... ... яғни нанодиапозонда жататын ойыстары мен
төбешіктері бар наножабындылар ... алға ... ... жабындыларда түнгі көбелектің көзінің көру эффектісі орын
алады [8]. Бұл ... ... ... ... ... ... ... көбелектедің көзінде наноөлшемді өсінділердің массивтері бар
екені анықталған. Бұл өсінділер ... ... ... ... ... уақытта да көруін қамтамасыз етеді. Түнгі көбелектің көзінің
қасиетіне ие қабаттарды жартылай өткізгішті материалдарды арнайы ... ... КЭТ – ... ... яғни ... ... ... тиімді.
Бұл эффектіге ие заттарға көрінетін жарық спектрінде және ... ... ... кең ... ... ... ... Зерттеулердің қорытындысы бойынша ZnO – ның наностержндерін қолдану
өзге жартылай өткізгішті элементтерден қарағанда әлдеқайда ыңғайлы. ... ... ... улы емес әрі қол ... ... оның қолдану
аясы одан әрі кеңеюде. Осындай түнгі көбелектің көзінің көру эффектісі ... ... бар күн ... әр ... ... жасауға
болады. Мысалы, гидротермальды синтез, импульстік – ... ... ... золь – гель ... және тағы басқа. Бұндай
жабындылардың мөлдірлігі маңызды роль атқарады. Күн сәулесін эффективті
түрде түрлендіру ... оған ... ... ... ... толығымен
жұтуы керек. Антишағылдырғыш қабатты жағу әдісінің бетті профильдеу арқылы
шағылуды төмендету әдісінен ... ... ... ... ... кезінде беттік рекомбинациялану шығыны артады және көп жағдайда
бұл әдіс тек монокристалдар үшін жарамды болады. Ал жұқа ... ... ... ... өте жұқа ... да ... Антишағылдырғыш жабындыларды қалыңдығы күн сәулесінің спектрінің
интенсивті жолағының λ ... ... 1/4 ... ... ... ... арқылы алады. Көрінетін жарықтың барлық диапазонында
антишағылуға қол жеткізу үшін көп ... ... ... ... ... әр бірі ... спектре шағылудың
интерференциялық сөнуін туғызады. Мысалы, ПӘК – нің мәні ... ... ... ... күн ... түрлендіруші
элементтің бетіне MgF2/ZnS – тің екі қабатын ... ... ... ZnO – жұқа ... ... Соңғы
уақыттары қоршаған ортаның мониторингін жасауда және денсаулық ... ... ... ... ... ... ... қасиеттері олардың жасалу технологиясына байланысты. ... ... ... ... ... ... ... ортасында орналасқан матрица материалы биосенсорларды
қолдану кезіндегі ... ... ... қамтамасыз ететін
бірден бір компонент. ZnO – ның наноқұрылымды жұқа ... ... ... ... ... ... электрохимиялық активтілігі,
электрондарының қозғалғыштығының жоғары болуы және өзге де қасиеттері ... ... ... жол ашты. Сонымен қатар ZnO сенсорлардың
сезгіштігінің ... ... ... болатын жоғары ... ие. ZnO – ның жұқа ... ... технологиясының
жартылай өткізгішті интегралдық микросхемаларды жасау технологиясына ... оны ... ... ... жасауда қолдануға мүмкіндік
туғызады [23].
Беттік көлемнің үлкен болуы және беткі қабатының жоғары сезгіштігі ZnO
– дан ... ... ... бір ... ... алатындай
дәрежеге жеткізуі мүмкін. ... ZnO ... ... ... ретінде де қолданылуы мүмкін. ZnO – ның
кванттық нүктелері өзінің сигналдарды электрондық және оптикалық ... ... ... зерттеулер жүргізуде қолданылатын маетриал
қатарына жатады [24]. ZnO – ның жұқа ... ... ... ... оксидіне қарағанда жоғары болып келеді. ... ... ... ... ... ... ... етеді. ZnO – ның ... ... ... иммобилденген
биомолекулалардың белсенділігін сақтап қалуына ... ... ... қамтамасыз етеді. Срнымен қатар ZnO – ның наноқұрылымының
биоүйлесімділік қасиетін пайдалана ... оны дәрі ... ... ... ZnO – ның ... ... ДНҚ – ны тазалауда,
ДНҚ–ның репликация ... ген ... да ... тапқан.
ZnO – ның жоғары өткізгіштікке ие наноқұрылымдары биомолекулалардың жасырын
электрохимиялық қасиеттерін туындатуы мүмкін. Барлық ферменттер ... ... ... ... ...... қасиетіне ие.
ZnO – ның наноқұрылымы ферменттердің тікелей ... әсер ... – ны ... және ... ... қолдану. ZnO – ның
изоэлектрлік нүктесінің жоғары ... ...... ... ... ... уриказа, миоглобин, биотин және пероксидаза сияқты
биомолекулардың бетінде физикалық ... ... ... рН ... бейтарап мәнге ие болғанда ZnO – ның беткі қабаты оң
электрлік зарядқа ие, ал изоэлектрлік ... ... ... ... ие ... ... ... және электростатикалық әсерлесу
туындайды. Нуклеин қышқылдарының ... ... ZnO – ның ... ... ... ... ... пайда болуы, оның
ДНҚ – микрочиптерін ... ... ... ... ... матрицаны биомолекулаларды анықтаудың электрохимиялық әдістер
биодатчиктерде ... ... ... (мысалы, ферменттер)
генерацияланатын биохимиялық сигнал электрохимиялық ... ... ... ... өлшеу жолымен тіркелінеді. Соңғы ... ... ... ... ZnO негізіндегі амперометрлік
биосенсорлар ... көп ... ... ... ... ... – редокс биомолекулаларының арасындағы ... ... өте ... Алайда электрондардың тасымалы көп
жағдайда тікелей жүрмейді. Бұл процесті ... ...... ие ... ... ... тікелей тасымалына ие
биосенсорлар сырттан әсер ететін керексіз реакцияларға азырақ ... ... ... ZnO ... ... ... оптикалық және өрістік әдістері де алға қойылуда .
Бұл әдістерді гендік профильдеуде, ... ... ... ... ... ... ... жасауда қолдану ыңғайлы.
ZnO – ның ... ... ДНҚ және ... ... ... жоғарылату үшін қолданатыны жайында да
ақпараттар табылуда. ZnO – ның және Si – дің ... ... ... ... салыстыру кезінде ZnO – ... ... ZnO – ның ... ... ... ... кварц, полиметилметакрилат, кремний ... ... 3 есе ... ... ... – ның негізіндегі ... ... ... ... ... және флоурофоралардың өздігінен
сөнуінің төмендеуімен ... ZnO-Au ... ... беттік – плазмалық резонанстың қолданылуы рамандық шашырау
әдісімен иммуноглобинді анықтаудың ... 16 есе ... ... – ның ... ... өсірілу процесі тетраподтардың ( қимасы 50-
200 нм, ... ... ... мкм ) ... үшін оптимизацияланған
болатын. ZnO – ның тетраподтарынан жасалған датчиктер әр түрлі ... NO2, СО және H2S) ... ... ... ... ... ... ғасырдың өзінде И. Ньютон классикалық ... ... ... қайта серпілген доптың траекториясын оңай ... ... ... қойған болатын. Бұл физика саласындағы үлкен
құбылыстардың бірі еді. Яғни бұл ... ... ... жолмен оңай
дәлелденетін, қандай да бір ... ... ... ... және наноөлшемді материалдар классикалық механика
заңдарына бағынбайды. Ондай ... ... ... ... механикасымен анықталады. ... ... ... үшін ... ... ... алатын әдістер
қажет. Осындай әдістерде толқын ұзындықтары қысқа сәулелер қолдану ыңғайлы.
Себебі, олардың өлшемдері де ... ... ... ... ... ... ... жатады [27-29].
▪ Микроскоптық және зондтық әдістер
▪ Спектроскопия
▪ Рентгендік – дифракциялық әдістер
▪ Нейтронография
▪ Магниттік резонанс
Микроскопия – ... ... ... ... ... механикада электрондарды сырттан ... және ... әсер ... болатын толқындар ретінде қарастыруға болады.
Электрондық ... ... осы ... ... микроскоптарда жарық сәулелерінің орнына толқын ... ... ... ... ... ... ... қарапайым линзалардың орнына электрондық ... Және ... ... ... ... ету ... орта туғызылады. Наноқұрылымды объектілерді зерттеуде
жарықтандырушы ... ... ...... ... электрондық микроскопия қолданылады.
Жарықтандырушы микроскопия әдісінің сканерлеуші микроскопиядан
айырмашылығы – ... ... ... обьектіні толығымен
жарықтандырып өтеді. Ал сканерлеуші электрондық микроскопия ... шоғы ... ... ... ... шағылады. Электрондық
микроскоптармен жұмыс істеу өте күрделі болып келеді. ЖЭМ – ... ... ... ... ... ұқсас келеді.
ЖЭМ – нің жұмысы мына принципке ... ... ... ие өрісте
үдетілген электрон толқын ретінде ... ... ... ... ... электрлік және магниттік өрістерді қолданып оңай фокустауға
болады. ... ... ... ... шоғы ... ағынының
интенсивтілігін реттейтін линза – ... ... ... ... ... ... ... проекцияны қамтамасыз ететін
линза – объективке бағытталады. Электрон шоғы ... ... Ол ... ішкі ... кристалдық құрылымның ақаулары мен
біртексіздіктерін бақылауға мүмкіндік береді. Дифракциялық бейнелердің
анализі ... ... ... ... кристаллдардың
ориентациясын анықтауға мүмкіндік туғызады. Жаңа ЖЭМ – ... көру ... нм – ге ... ... отыр. ЖЭМ – нен кейін шыққан электрондық микроскоп
– СЭМ. СЭМ – ге деген қызығушылық XX – ... 60 – ... ... ... Бұл ... жұмысы мынаған негізделген: зерттеліп
отырған объектінің беті кернеулігі ... ... ... ... көзден шыққан электрон шоғымен сканерленіп өтеді. Осындай
сәулелендіруге ұшыратылған кристалдық бет ... ... ... түрлендірілетін жарық кванттарын немесе екіншілік
электрондарды шығарады. Соңында ақпарат электрондық – сәулелік ... ... ... ... ... ... және
анализдеу арқылы объектінің белгілі бір бөлігінің суретін монитордан көре
аламыз. Сонымен қоса ... және ... ... саны ... ... ... беткі қабатының морфологиясы, атомдық
құрылымы, кристаллдың жарықтанып тұрған аумағының ... ... ... ала ... СЭМ – нің ... мынандай түрлері бар:
сканерлеуші – зондтық микроскоп (бұл микроскоптың ... зонд ... ... ... ... ... ... күштерді зерттеуге
негізделген), сканерлеуші – туннельдік микроскоп (жұмысы туннельдік токқа
негізделген), ...... ... ... ... 2 – ... техникаларының дамуының негізгі сатылары [29]
| |Жыл ... ... |1873 ... ... ... ... толқын ұзындығы |
|микроскопия | ... ... ... ... |
| | ... ... ... шектеулерге тәуелді|
| | ... Э. Аббе ... ... |
| | ... ... ... ... |1924 |Электрондардың толқындық теориясының қолданылуы |
|микроскопия | | |
| |1932 ... ... ... ... (М. |
| | ... және Э. ... |
| |1935 |М. ... ...... ... |
| | ... ұсынуы |
| |1938 ... ...... ... М. |
| | |Фон ... жасап шығаруы ... –|1972 ... ... ... ...... ... | |оптикалық микроскопты (СТОМ)жасап ... ... | ... асырылуы |
| |1981 ... ... ... ... |
| | ... |
| |1986 ... – күштік микроскоптың жасалуы |
| |1992 ... – ның ... ... Осының |
| | ... ... ... сәулелендіруші |
| | ... ... 1/40 ... ... өлшемге|
| | ... ... туды ...... ... ... да бір ... кезінде байқалатын заңдылықтарды зерттеудің әдісі. ... ... ... ... шашырауымен немесе
сәулеленуімен жүреді. Электромагниттік сәуле затпен әсерлескенде , ... мен ... ... ... ауысуларды туындатады.
Түскен сәуленің энергиясы заттан өту ... ... ... ... деп – ... ... ... ... ... ... ... толқын ұзындығына тәуелділігін айтамыз
[30].
Спкетроскопиялық әдістердің ішінде ең кең ... ... ... және ... ... жатады. ИҚС-да
жиіліктері 2–12*1013 Гц аумағында жататын фотондар ... ... ... ... ... осы ... кіреді.
Сондықтан оларды ИҚС фотонның жұтылуы екі тербелмелі деңгейлер Еn ... ... ... Бұл ... = 0, 1, 2, … - ... сан, ал ν0 - ... бір ... сипаттамалық
жиілігі. ережесіне сәйкес ИҚ ауысулар тек қана екі ... ... ғана орын ... және сәйкесінше ν0 жиілігіне ... Ал РС – да ... ... ... νinc ... ... ... және өзге фотонды жиілігі hνemit фотонмен ... ... ... және (2) формулалардан көріп отырғанымыздай жиіліктердің айрмашылығы
бойыеша ... ... ... ... ... екі жағдайды қарастыруға болады:
1. шарты бойынша стоктық сызықтарға сәйкес келеді;
2. шарты бойынша антистоктық сызықтарға сәйкес келеді.
ИҚ ... ... ... ... ... ... µ электрлік
дипольдік моменті өзгерген кезде туындайтын болса, ... ... ... ... ... өрісінің кернеулік векторы үлгінің дипольдік
моментін өзгерісі нәтижесінде пайда болатын ... ... ... ... тербелмелі модалар ИҚ – активті ,
яғни олар ... ИҚ ... ... Ал ... модалар романдық
белсенді болады.
Оптикалық және ИҚ – спектроскопия көп жағдайда ... ... ... ... Және ... жетіп, өзгеріске ұшырау
нәтижесінде шағылған сәуленің үлесін ... ... ... R ... ... түсу ... ... – берілген заттың диэлектрлік ... ...... ... Оның шын мәні ИҚС ... ... әсер етеді, ал жалған бөлігі энергияның жұтылуына
(энергияның жоғалу) жауап ... ... ... ... ИҚ ... ... ... айқын алу үшін Крамерс – Крониг
анализі деп аталатын әдіс қолданылады.
ИҚ – спектрлерді тіркеудің классикалық әдісі ретінде – ... ... ... ... ... Бұл үлгі ... жұтатын жиіліктерде
шағылған сәулелердің интенсивтілігінің ... ... ... туғызады. Бұл әдістің басты кемшілігі ретнде детектордың бізге
қажетті ақпаратты тек қана ... ... ... ... ... кезде ғана
бере алуын жатқызамыз. Көп ... ... ... ... ... ... жатады. Осындай кемшіліктерді жою үшін ИҚ ... ... бір ... кең ... ... ... Алынған ақпараттарды спектрдің классикалық түріне келтіру
үшін Фурье түрлендірілуімен өңдейді. Осындай жолмен алынған сигнал ... ... ИҚ ... деп ... ... ... анализ – зерттеліп отырған объектіден шашыраған
сәулелердің интенсивтіліктерін және кеңістікте таралуын зерттеу арқылы сол
объектінің құрылымы ... ... алу. ... ... деп ... және
ультракүлгін сәулелердің арасындағы спектральдық аумақты алып ... ... 10-12 және 10-5 см ... ... ... айтамыз. Рентген құрылымдық анализ нейтронография ... ... ... ... ... ... Бұл ... электромагниттік сәулелердің объектінің электрондарымен өзара
әрекеттесуінен туындайтын рентген сәулелерінің дифракциясы жатыр ... ... ... – рентген сәулесі ... ... мен ... молекулаларымен) әсерлесуі кезінде
сәуленің қайта шашырауынан ... ... ... ... сәуле
шоқтарының интенсивтілігі мен бағыты зерттеліп отырған заттың құрылымына
тәуелді болады. Дифракциялық ... ... ... ... ... және ... құрылымына тәуелді. Объектінің атомдық құрылымын
анықтау үшін әдетте толқын ұзындығы λ ≈ 1Ǻ ... яғни ... ... ... толқындарды қолданады [30-33]. Рентген құрылымдық анализ
әдісі ... ... ... ... ... және
бейорганикалық қосылыстарды, полимерлерді, аморфты материалдарды, сұйықтар
мен ... ... ... мен ... ... зерттеуге
болады. Жалпы рентген сәулелерінің кристалдардағы дифракциясын 1912 жылы
неміс физиктері М. ... В. ... және П. ... ... ... ... ... жіңішке шоғын қозғалыссыз ... ... ... ... ... ... ... бір заңдылықпен
орналасқан көптеген дақтардан құралған дифракциялық бейне алған болатын.
Әрбір дақ – ... ... ... ... ізі. ... ... рентгенограмманы – лауэграмма деп ... Лауэ ... ... ... ... ... ... толқын ұзындығы мен элементар ұяшықтың параметрлерін (a, b, c)
және (α0, β0, γ0) ... ... ... мен ... сәулелердің
бұрыштарын (α, β, γ) байланыстыруға мүмкіндік туғызды [33-35].
(4)
h, k, l – Миллер индекстері.
1913 жылы У. Л. ... және Г. В. ... ... ... ... одан ... ... көрсетті. Олардың
айтуынша кез ... ... ... ... ... ... ... қарауға болады. Брэгг – Вульф заңын
мына үлгіде жазып көрсетуге болады.
(5)
Сурет 4 – Рентген сәулесінің кристаллографиялық жазықтықтардан ... П. ... және П. ... ... ... дифракциясын
поликристалдық заттарды зерттеуде қолдануды ұсынды.[36-38]
2 ТӘЖІРИБЕЛІК БӨЛІМ
2.1 Қолданылатын төсеніштер және оларды ... ... ... золь – гель ... ... ... ... ZnO –
ның жұқа жабындысын алу меңгерілді. ... ... шыны және ... ZnO – ның ... ... ... Ол үшін: төсенішті
бірнеше тазалау сатысынан өткізу, мөлдір ерітнді даярлау, мөлдір ерітіндіні
төсеніш бетінде тұндыру, оны ... ... ... ... ... ... Орындалған жұмыста ZnO – ның жұқа жабындылары шыны және
кремний төсеніштері бетінде алынды.
Алынатын жабындылардың қасиеттері өте ... болу үшін ... ... сатысынан өткізу өте маңызды. Құрамында золь ... ... ... тез ... ... және ... жоғары болуы – сапалы қабыршақ алудың негізгі ... ... ... дымқылданғыштығын жоғарылату үшін оның бетін
артық бөлшектер мен ластанулардан тазарту керек. ... ... ... ... ... ... ... қабыршақтың беттік
морфологиясына тікелей әсер етеді. Жұмыс барысында тәжірибеде қолданылған
шыны және ... ... 3 – ... ... ... ... 3 – Шыны және ... төсеніштерін тазалау сатыларына сипаттама
|«Xрoмпик» |Eрiтіндi: 1л кoнцeнтpлeнген|Кoнцeнтpленген күкiрт ... ... ... (H2SO4) |қышқылындa өңдеп, соңынан |
|майсыздандыру |немесе азот қышқылына ... ... ... |
| |(HNO3) 50 г + ... ... бетінде қалған майлы |
| ... ... ... қосымша |
| | ... жәнe |
| |10-15 мин ... ... ... |
| | ... қолданылады. |
|Диoндaлған |1-2 мин | ... | | ... шaю | | ... суда|10 мин – қа жуық | ... | | ... | | ... 3 –жалғасы
|Дистильденген |10-2 мин | ... шаю | | ... ... ... ерітінді: |Ыстық тoтықты-aммиaкты ... |200 мл су; 50 мл ... ... ... ... ... |aсқын тoтығы (H2O2) + 50 мл|түзбейтiн тoтықтырғыш. |
| ... (NH4OH) | |
| |15 мин | ... ... мин | ... | | ... | ... ... булapымен |
|кeптiру | ... ... ... жұқа жабындыларды дайындаудың әдістемесі
Наноқұрылымдырды синтездеудің золь – гель ... ... ... мен 100 – ге жуық ... ... ... ... жұқа
жабындыларды алуға мүмкіндік береді. Бірінші түзілген ... ... ... одан кейін отырғызылатын қабаттардың сапасы мен ... әсер ... ... қабат жабындыны отырғызу үшін алдымен құрамында
наноөлшемді ... ... және ... немесе оксид бар ... ... ... – ZnO – ның ... ... ... ... ... жұқа әрі ... етіп төсеніш бетіне отырғызамыз. Соңынан
термиялық өңдеуге ұшыратылды. Термиялық ... ... ... ... ... оксидінің жұқа қабаты қалыптасады.
Мырыштың реагенттері ретінде тәжірибе барысында мырыш ацетатын, ал
дисперсті орта ... су, 50% - тік ... ... ... және ... тік концентрленген этанол қолданылды. Тәжірибе барысында суды және 50% -
тік этанолдың спирттік ерітіндісін қолданған ... ... ... тез ... ... ... қол жеткізу қиын болатындығы
дәлелденді. Және мырыш ... ... ... ... кейін шыны төсеніш бетінде қабыршақ өспеген бос ... ... ... ... 96% - тік ... золь қолданылды.
Алынған жұқа жабындылардың біртекті болып қалыптасуы үшін қолданылатын
ерітіндінің ... ... ... Сондықтан тәжірибе кезінде мөлдірлікке
қол жеткізу мақсатында мырыш ацетатының әр түрлі ... ... ... ZnO ... ... арттыру мақсатында мырыш
ацетатының ... 0,218 ... ... ... ... ... байқадық. Бұл коллоидты ерітіндінің
жойылып, онда микроскопиялық преципитаттардың пайда болғанын дәлелдейді.
Мөлдір ... қол ... үшін ... ... барысында мырыш
ацетатының этанолдағы ерітіндісі концентрациясы 0,1М – мен 0,21М – ... ... ... ... ... 0,22М және 0,4М – ден ... ... ацетатының этанолдағы ерітіндісін 60оС еріту шартында
ұстау арқылы мөлдір әрі ... ... ... да ... ... ... кезінде 0,4г мырыш ацетатының 10мл ... ... ... ... беретіндігі анықталды. Алынған ерітіндінің абсолютті
мөлдірлігіне қол жеткізу үшін катализатор ретінде оған сүт қышқылы ... ... ... ... ... ... үшін
шыны және кремний төсеніштерінің бетіне бірнеше қабат мырыш оксидінің
жабындылары отырғызылды.
Жабынды қабат – ... ... ... ... ... өткен төсеніш бетіне ерітіндінің бірнеше тамшысын тамызу арқылы
алынады. ... беті ... ... ... 1 – 3 ... арасында
2400 айн/мин жылдамдықпен айналдырылды. Осы ... ... ... ерітіндінің негізі этанол болғандықтан этанол ұшып ... ... жұқа ... ... Соңынан бетіне ерітінді тұнған төсеніш
кептіргіш пеште 105 оС температурада 15 – 20 ... ... ... ... пешке салынды. ZnO – ның қабатын алу үшін муфельді пеште
уақыты – 1 ... ал ... – 450 оС ... термиялық жасыту режимі
орнатылды.
Жасалған тәжірибе кезінде жоғарыда айтылған әдіс бойынша шыны төсеніші
бетінде 1–8 қабаттары бар ... ал ... ... бетінде
1,3,5,8 қабат қабыршақтар алынды.
2.3 Алынған оксидті жұқа жабындылардың қасиеттерін зерттеуге арналған
тәжрибелік қондырғылар
Төсеніштердің бетінде ... ... ... өткізу және
жұту спектрлері Lambda 35 (Perkin Elmer) спектрофотометрімен өлшенді. Ал
беттік ... ... ақ ... оптикалық микроскопта DM 6000 M
(Leica) және Quanta 200i 3D растрлі электронды ... (FEI ... 2008) ... 200-3300 нм ... ... ... UV-3600 ... спектрофотометрімен өлшенді.
Lambda 35 (Perkin Elmer) спектрофотометрімен – УК, ... ... ИҚ – ... ... нм) ... мен ... ... өткізу және жұтылуы сияқты параметрлеріне талдау ... ... ... ... әр ... өлшемді және әр түрлі
көлемді кюветалармен, кюветаны автоматты түрде ауыстыру системасымен, қатты
және гель түріндегі ... ... ... ... ... ... интеграциялаушы сферамен және толқындық – оптикалық
жүйемен жабдықталған болады.
Оптикалық микроскоп – DM 6000 M (Leica) – ... көру ... ... ... ... бар және ... сақтау мен талдауға арналған
бағдарламамен жабдықталған, жоғары сапамен құрастырылған әр ... ... ... беретін құрылғы. Оның көмегімен қатты ,
сұйық, мөлдір, жартылай мөлдір және ... емес ... ... ... ... 200нм – ге ... Бұл ... төмендегідей параметрлер мен
мүмкіншіліктерге ие:
... және ... ... ... үшін түсірілетін сәуленің
(шағылған сәуле) толығымен автоматтандырылғандығы. Шағылған сәуледегі
жарық өрісті әдісті мөлдір емес объектілерді ... үшін ... ... оның ... сәулені шағылдыру қабілетінің әр
түрлілігіне қарай анықталады. Ал қараңғы өрісті әдіс кезінде үлгіні
конус формасында түсірілген ... ... ... ... ... ... объектінің бейнесі пайда болады;
▪ Өткінші жарықтың толықтай автоматтандырылуы (өткізу);
▪ Жарықтандырудың толықтай автоматтандырылған реттегіштерінің болуы,
ондағы ... мен ... ... ... береді;
▪ 5х,10х,20х,50х,100х,150х есе үлкейтуге мүмкіндік беретін 6 объективі
бар кодталған головканың болуы;
▪ Бейненің әртүрлі ... ... ... автоматтандырылған компонеттерді басқаруға арналған Smart
tuch панелінің қондырылуы;
▪ Объектінің бейнесімен қоса суретте өлшеу жүргізілген уақытты, ... ... ... ... элементтер өлшемін, қандай да бір
аумақты жеке бөліп көрсету мүмкіндіктері бар.
Quanta 200i 3D растрлі электронды микроскопы (FEI Company, АҚШ, ... ... ... ... ... ... ... қондырылған энергодисперсті фокустелген иондық ... ... ... Микроскоптың рұқсат етілу аумағы – 2,5нм–ді құрайлы.
Наноөлшемді ... ... және ... ... ... ... ... мен параметрлеріне төмендегілер жатады:
▪ Детекторлар – жүйе кез ... ... ... ... ... ... тіркейтін детектордан, кері шағылған
электрондар детекторынан және объектіні жарықтандыру (просвечивание)
кезінде алынатын ... ... 3 ... ... Микроанализ жүйесі – микроскоп энергодисперсті рентгендік ... ... ... етілген энергия аумағы – 132 эВ.
▪ Үлгіні қыздыру модулі 1000-ге дейін.
UV-3600 (Shimadzu) спектрофотометрі – спектрлердің УК, ... ... ... жақын диапазонда жұмыс істейтін қондырғы. Бұл қондырғы көмегімен
185 нм мен 3300 нм аумағында әр түрлі үлгілердің ... ... және ... ... ... ... ... артықшылықтары мен
параметрлеріне мыналар жатады:
▪ Жоғары сезімталдығы. Ол 3 детектормен жабдықалған: спектрдің УК және
көрінетін ... ... PMT (ФЭУ) ... ... ... InGaAs және PbS детекторлары. InGaAs детекторы спектрдің PMT
– PbS детекторлары сезгіштігі өте төмен аумақтарында автоматты ... ... ... ... ... аумағының яғни көру аймағының жоғары болуы. ... ... ... ... жүзеге асырылады.
Сәулелердің шашырап кету дәрежесінің өте төмен болуы (340 нм кезінде
0.00005%) рұқсат ... көру ... ... мәніне (0,1 нм) қол
жеткізуге мүмкіндік ... ... ... ... ... ... ... өлшеулер жүргізуге мүмкіндік береді.
3. ЗЕРТТЕУЛЕРДІҢ НӘТИЖЕЛЕРІ ЖӘНЕ ТАЛҚЫЛАУЛАР
3.1 Синтезделген үлгілердің ... ... ... – гель ... шыны ... алынған ZnO – ның жұқа
қабыршақтарының ... ... ... ... DM 6000M, ал
кремний төсенішінде алынған ZnO – ның жұқа қабыршақтарының морфологиялық
қасиеттері СЭМ –да ... ... ... ... ... 0,218 М және 0,327 М –ге ... концентрациялы мырыш ацетатының
96% - дық этнолдағы ерітіндісінде алынған мырыш оксидінің 1, 3, 5 және ... жұқа ... ... көрсетілген.
| | ... |
| | ... ... ... емес ... ... ... беттік морфологиясы; б)
мөлдір ерітіндіден алынған 1 қабат ZnO – ның беттік морфологиясы мен
қалыңдығы, негізгі параметрлер: ... ... t =1 сағ, ... ... T= 450 ... 4 – ... ... мөлдір және мөлдір емес ерітінділерде
алынған ZnO – ның СЭМ ... | ... |
| | ... |
| | ... |
| ... 3 ... ZnO – ның; г) 5 ... ZnO – ның; д) 8 қабат ZnO – ның ... ... ... және қалыңдығы, негізгі параметрлер: |
|синтез уақыты t =1 сағ, термиялық күйдіру температурасы T= 450 оС. ... 4 - ... ... 4 а суретінде ZnO – ның қабыршағының қалыңдығын
арттыру ... ... ... ... 0,21М – ден
жоғарылатқандағы ерітіндіден ... ... ... 4 а суретінен жоғары концентрациялы ерітіндіден ... ... ... және ... кейбір бөлігінде қабыршақтың
өспей, қатпарланып қалғанын көре аламыз. Сонымен қоса осы суреттен мырыш
ацетатының ... ... ... мырыш оксидінің
микробөлшектері тұнғанын көре аламыз. Мұндай қабыршақтар аса ... ... ... қоса 4 б, в, г, д – ... ... ... ... ерітіндіден алынған мырыш оксидінің 1, 3, 5 және 8 қабатты ... ... ... мен ... ... ... ... мөлдір ZnO – ның 0,4г/10мл концентрациялы
ерітіндісінен аса ... және беті ... ... ... ... оң
жақ бөлігінде көрсетілген қабыршақтың қалыңдығы қабат саны артқан сайын
өсіп ... 1 ... ... қалыңдығы – 37,9 нм, 3 қабат қабыршақтың
қалыңдығы – 61,3нм, 5 қабатта – 87,5нм және 8 ... ... ... ... ... ZnO – ның ... ... сайын оның оптикалық қасиеттері
жоғары болады. Атап ... ... ... ... төмендейді.
Төменде көрсетілген суретте ZnO – ның жұқа қабыршағының қалыңдығының қабат
санына тәуелділігі бейнеленген.
Сурет 5 – Кремний ... ... ... ... ... ... мөлдір ерітіндісінен t =1 сағ,T= 450 оС термиялық
жасыту режимінде алынған бірнеше қабат ZnO – ның жұқа ... ... ... ... ... ... ... арқылы ерітіндіні төсенішке отырғызып,
минутына 2000-2400 ... ... ... ... 2-3 ... ... ... жасытудан өткізу арқылы шыны төсеніштерінің бетінде ZnO
– ның жабындылары ... ... жұқа ... ... ... ... DM 6000M ... 6 – суретте шыны
төсенішінде алынған мырыш оксидінің морфологиясы көрсетілген.
| | ... |б) |
| | ... |г) ... шыны ... ... ... 1 ... ZnO – ның; б) 3 қабат ZnO – ның;|
|в) 5 қабат ZnO – ның; г) 8 ... ZnO – ның ... ... негізгі |
|параметрлер: синтез уақыты t =1 сағ, термиялық күйдіру температурасы T= |
|450 оС. ... 6 – Шыны ... ... ... ... ... мөлдір ерітіндісінен алынған ZnO – ның бірнеше қабатының беттік
морфологиясы
6 б, в, г, д суреттерінде ... ... ... ... ... ... 1, 3, 5, 8 ... жұқа қабыршақтары
бейнеленген. Суреттен көріп тұрғанымыздай ерітінді мөлдір болғандықтан
қабыршақтар біртекті болып ... Золь ... ... алынған оксидті қабыршақтардың оптикалық
қасиеттерін зерттеу
Тәжірибе барысында ZnO – ның жұқа ... ... ... ... ... ... және шағылу спектрлері де
зерттелді. Оптикалық өткізу және жұту ... Lambda 35 (Perkin ... ... Төменде көрсетілген 7 – суретте золь – гель
әдісімен алынған 1–8 ... ZnO – ның ... ... өзгерістері көрсетілген.
Сурет 7 – Шыны төсенішіне концентрациясы 0,4г/10мл мырыш ацетатының
этанолдағы мөлдір ерітіндісінен t =1 сағ,T= 450 оС ... ... ... 1 – 8 ... ZnO – ның жұқа ... спектрлерінің өзгерістері
Суреттен көріп тұрғанымыздай оптикалық жұтылу 360 нм толқын ұзындығына
сәйкес келді. ZnO – ның жұқа жабындыларының жұтылу ... ... ... ... өсіп ... ... көрсетілген 8 – суретте мынандай процесстерді қайталау
арқылы концентрациясы 0,4г/10мл ... ... ... ... ... ... ... жолымен отырғызып, t =1 сағ, T= 450
оС термиялық жасыту режиміне қою арқылы алынған 1 – 8 ... ZnO – ... ... ... ... өзгерістері бейнеленген.
8–суреттен көріп отырғанымыздай ZnO – ның жұқа қабыршақтарының өткізу
коэффициенті қабаттар санына кері пропорционал. ZnO – ның ... ... ... оның ... ... төмендеп отырды. ZnO – ның 1 ... 360 нм ... оның ... ... 87% - ... 8 ... бұл көрсеткіш 22% - ды құрады.
.
Сурет 8 – Шыны төсенішіне мырыш ацетатының этанолдағы ... ... 1 – 8 ... ZnO – ның жұқа ... ... өзгерістері
Сонымен қоса тәжірибе барысында ZnO – ның ... ... де ... ... ... ... – 3600 (Shimadzu)
спектрофотометрімен өлшенді.
1) 1 қабат ZnO – ның; 5) 5 қабат ZnO – ның ; 8) 8 ... ZnO – ... ... ... спектрлері
Сурет 9 – Таза және ZnO – ның жұқа ... бар ... ... ... ... ... ... таза Si – дің шағылу
коэффициенті 600-1000 нм аумағында ... ... ... және жуық
шамамен 35%-ды құрайды. Толқын ұзындығы кемігенде шағылу ... ... және 360 ... жуық ... ... ... ... Ал екінші
максимум 280 нм–ге жуық толқын ұзындығында байқалады. Кремнийге ... ... ... ... шағылу коэффициентін төмендетуге
болады. Осындай қасиетіне байланысты ZnO – ның жұқа ... ... ... ... ретінде қолдану тиімді. 9 – суретте
кремний төсенішінің бетіне отырғызылған 1, 5 және 8 ... ... ... ... бейнеленген. 1 қабат жабындылы кремнийдің
шағылу ... 600-800 нм 28%-ға ... ... 5 ... ... 600-800 нм ... ... дейін төмендесе, 8 қабат
жабындылы кремнийдің шағылу ... 360 нм ... ... аумағында
минимумға (5%) жетті. Тәжірибеден ... ... ... ... саны ... ... шағылу коэффициенті төмендеп отырды.
ҚОРЫТЫНДЫ
Берілген дипломдық жұмыста золь –гель әдісімен ZnO – ның ... ... ... ... ... мен ... ... Оптоэлектроникада, газдық датчиктерде және сенсорларда, күн
энергетикасында және күн элементтерінде, жылу ... ... ... ... ... жартылай
өткізгішті материалдарға, олардың қасиеттеріне, ... шолу ... Шыны және ... ... ... ZnO – ның жұқа
қабықшалары золь-гель әдісімен отырғызылған. Реагенттердің ... ... ... ... ... ерітінді жасалып,
сол ерітіндіден біртектілігі жоғары, ... әрі ... ... Алынған қабыршақтардың шағылу спектрлері UV-3600 ... ... ... ... ZnO – ның қабат
саны артқан сайын төмендеп отырды. 1 қабат жабындылы кремнийдің
шағылу ... 28%-ға ... 5 ... 15%-ға ... Ал 8 ... жабынды отырғызылғанда шағылу коэффициенті 5%-
ға дейін төмендеді.
▪ Оптикалық өткізу және жұту спектрлері Lambda 35 (Perkin Elmer)
спектрофотометрімен ... ZnO – ның жұқа ... ... 360 нм – ге ... ... Шыны төсеніштерінде алынған қабыршақтардың морфологиясы және
құрылымы оптикалық микроскопта DM 6000 M (Leica) ... ... ... ... ... ... мен
құрылымы СЭМ-де қаралды. ZnO – ның ... ... ... ... ... және ... 0,22М ... төмен ерітінділерден аса сапалы әрі беттік құрылымы біртекті
қабыршақтаралуға болатындығы анықталды.
ПАЙДАЛАНЫЛҒАН ӘДЕБИЕТТЕР ... ... С.В. ... ... ... ... ... М.: МИФИ,
2008. – 104 с.
2. Под ред. Майссел Л. Глэнг Р. ... ... ... ... – Йорк .1970. пер с ... под ред. М.И. Елинсона, Г.Г. Смолко.
Т. 1. М., «Сов. радио», 1977, 664 с.
3. Под ред. Майссел Л. ... Р. ... ... пленок (справочник).
Нью – Йорк .1970. пер с англ. под ред. М.И. ... Г.Г. ... 2. М., ... ... 1977, 778 ... ... Ю.Г. ... Ю.Т. Зыков В.А. Сидоров В.Г. Широкозонные
полупроводники. — СПб.: Наука, 2001.
5. ... А.В., ... А.А. ... и ... ... – Минск: БНТУ, 2009. – 80с.
6. Дубровский В.Г. Теория формирования эпитаксиальных наноструктур. —
СПб., 2006. — 350 с.
7. ... А.Н. ... ... ... ... ... ... и микросистемной техники. ... ... ... А.В., ... В.В., ... В.Б., ... – Бронская
В.В. Золь–гель синтез ... ... ... ... ... государственный университет имени Франциска
Скорины»
ул. Советская, 104, Гомель, 246019, Беларусь. Институт физики им. Б.И.
Степанова НАН ... пр. ... 68, ... 220072, ... McGlynn E. Effect of ... on the optical ... ... oriented ZnO grown by pulsed laser deposition / E. McGlynn,
J. Fryar, G. Tobin // Thin Solid Films. – 2004. – Vol. 485, ... ... ... ... А.Г., Золотухин И.В. Аппаратура и ... ... ... ... ... 2007. – 316 с. – 400 экз. – ISBN 978-5-94275-365-
8.
11. Kamalasanan, ... ... of ZnO thin films / ... S. Chandra // Thin Solid Films. – 1996. – Vol. 288. ... ... ... А.А., ... А.В. ... ... (Под ... Третьякова). М.: ФИЗМАТЛИТ, 2010. 456 с.
13. Залесский В.Б., Леонова Т.Р., Гончарова О.В., Викторов ... В.Ф., ... Е.П. ... ... ... ... цинка
методом реактивного магнетронного распыления и исследование ... и ... ... ... А.И., ... В.А., ... Ю.М., Шилова О.А. Основы золь-
гель технологии нанокомпозитов. СПб.: ООО «Техномедиа» / ... 2007. 255 ... Li Y., Xu L., Li X., Shen X., Wang A. Effect of aging time of ... on the ... and optical ... of ZnO thin ... by ... method. // Applied Surface Science. 2010. ... P. ... Liu Z., Jin Z., Li W., Qiu J. ... of ZnO porous thin ... ... method using PEG ... // ... Letters. 2005. V.
59. P. 3620 – 3625
17. Wang D., Zhou J., Liu G. The ... and ... ... ZnO ... thin films prepared by ... method. ... of Alloys and Compounds. 2009. V. 487. P. 545–549.
18. Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., ... В.Ф., ... Е.И., ... ... Y.W. ... ... ... элементов
ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2/Mo, полученных на различных подложках. – Санкт-
Петербургский государственный политехнический университет, 195251
Санкт-Петербург, Россия
19. Копач В.Р., Клочко Н.П., ... Г.С., ... Ю. А., ... Клепикова Е.С., Любов В.Н., Копач А.В. Антиотражающие покрытия
из ... ... ... ... для ... ... ... национальный университет им. Тараса Шевченко, г. ... Н. А. ... П. Д. ... ... ... ... ... Мухаммед Абид Аль Карим. Структурные и оптические свойства солнечных
элементов на основе пленок ZnO и AlN. – Сумы ... Sunil K. Arya, ... Jaime E. ... Vinay ... Surinder P. Singh. Recent advances in ... and thin films for ... applications: Review //
AnalyticaChimicaActa. -2012. –V.737. –P. 1– 21.
23. Ahmad M., Pan C., Luo Z., Zhu J., Single A. ZnO ... ... ... Glucose ... // Phys J., Chem. C
. -2010. –V. 114. –P. ... Gu B., Xu C., Yang C., Liu S., Wang M., ZnO quantum dot ... for ... antigen 19-9. // Biosens. Bioelectron.
-2011. –V. 26. –P. 2720.
25. Fulati A., Ali S.M.U., Asif M.H., Alvi N.u.H., ... ... C., ... P., Borjesson S.I., Elinder F., Danielsson
B., An intracellular glucose biosensor based on nanoflakeZnO ... Actuat. B: Chem. -2010. –V. 150. ... Lupan O., Ursaki V.V., Chai G., Chow L., ... G.A., ... ... A.N., Redkin A.N.. Selective hydrogen ... using ... ZnO nanowire with fast response at ... // Sensors and ... B. -2010. –V. 144. –P. ... Пул Ч. ... Ф. Мир материалов и технологий. пер. с ... под ... И. ... - ... : ... 2004. - 327 с.
28. Ковшов А.Н., Назаров ... И.М. ... ... – Изд. ... - 2011. – 240с.
29. Кобаяси Н. Введение в ... пер. с ... – 2 – е изд. ... БИНОМ. Лаборатория знаний, 2008. – 134 с. : ил. ... ... В. ... спектроскопия для химиков и биологов. Москва:
Техносфера, 2007.
31. Хасанов О.Л., ... Э.С., ... З.Г. ... компактирования и
консолидации наноструктурных материалов и изделий – Томск: ... ... ... та, 2008. – 212 ... ... А.Г. ... и ... современное со-
стояние и перспективы // Оборудование, технологии и аналитиче- ские
системы для материаловедения, микро и ... ... ... ... семинара .– МиСиС, 18-19 июня 2007 г., Москва,
2007.– Т.1.– С.133–200.
33. Yagi K., Ogawa S., Tanishiro Y. In: Reflection High-Energy ... and ... Electron Imaging of ... Eds. P. ... P. J. Dobson, N.Y.: Plenum Press, 1987, p. ... Williams D. B., Carter C. B. Transmission Electron ... ... II ... III Imaging, IV ... N.Y.: ... ... ... Electron Microscopy and Its Application to Materials
(Supervisor K. Maruyama, Editor-in-chief K. Nakai), Iron ... of Japan and Japan ... of Metals, ... ... С.С, ... Ю.А., ... Л.Н. Рентгенографический и
электронно- оптический анализ. М.: МИСИС, 2001. 328 ... ... В.А., ... А.П. ... ... ... рентгеновской дифрактометрии., Сыктывкар: Изд.СГУ,
1997
38. Д.Ю.Пущаровский. Основные элементы кинематической теории ... ... ... версия учебного пособия и курса
лекций. ... ... ... ... ... Ә.Р., ... Ж.К. Золь – гель ... арқылы ZnO жұқа
қабыршақтарын алу. Жас ғалымдар мен студенттердің «Фараби ... ... ... әл – ... атындағы ҚазҰУ. Алматы,
11.04.2014
2. Әсембаева Ә.Р., Калкозова Ж.К. Золь – гель ... ... ZnO ... алу және ... ... ... Жас ғалымдар мен
студенттердің «Фараби әлемі» Халықаралық ғылыми конференциясы, әл –
Фараби ... ... ... ... Si
5
1
8
200
300
400
500
600
700
800
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80

Пән: Химия
Жұмыс түрі: Дипломдық жұмыс
Көлемі: 45 бет
Бұл жұмыстың бағасы: 1 300 теңге









Ұқсас жұмыстар
Тақырыб Бет саны
Биологиядан ҰБТ-ға арналған шпаргалка491 бет
Коллоидты химияның оптикалық қасиеттері5 бет
Протопласт туындылары8 бет
Сырықтардың деформациясын математикалық тұрғыда ұтымды басқару моделі62 бет
Фракталдық құрылымдардың бейсызық электрлік қасиеттері31 бет
Шу мен вибрация4 бет
Аурудың тұрақтылығы және даму себебі9 бет
Жүн матасының ассортименті7 бет
Каспий маңы ойпатының тұзды күмбезді құрылымдары35 бет
Тұзды жыныстар68 бет


+ тегін презентациялар
Пәндер
Көмек / Помощь
Арайлым
Біз міндетті түрде жауап береміз!
Мы обязательно ответим!
Жіберу / Отправить


Зарабатывайте вместе с нами

Рахмет!
Хабарлама жіберілді. / Сообщение отправлено.

Сіз үшін аптасына 5 күн жұмыс істейміз.
Жұмыс уақыты 09:00 - 18:00

Мы работаем для Вас 5 дней в неделю.
Время работы 09:00 - 18:00

Email: info@stud.kz

Phone: 777 614 50 20
Жабу / Закрыть

Көмек / Помощь