Жұқа қабыршақты құрылымдардың технологиясы

Андатпа

Жазылған дипломдық жұмыс 48 беттен, 3 кестеден, 9 суреттен және 38 әдебиеттер тізімінен тұрады.

Жұмыстың мақсаты: наноқұрылымды материалдарды синтездеудің золь - гель әдісі арқылы ZnO - ның жұқа қабыршақтарын алудың технологиялық шарттарын меңгеру, олардың морфологиялық және оптикалық қасиеттерін зерттеу.

Зерттеу объектілері: ZnO - ның жұқа қабыршақтары.

Кілт сөздер: мырыш оксиді, «золь - гель» әдісі, жұқа қабыршақтар, төсеніштер, микроскоп, өткізу коэффициенті, шағылу коэффициенті, жұтылу коэффициенті.

Берілген дипломдық жұмыс наноматериалдарды синтездеудің золь - гель әдісі арқылы ZnO - ның жұқа қабыршақтарын алудың технологиялық шарттарын меңгеру және олардың қасиеттерін зерттеу тақырыбына арналған. Тәжіриебе жүргізу және зерттеулер жасау барысында мынандай құрылғылар: ARIUM 611 DI (SartoriusGroup) суды тазарту жүйесі, аналитикалық таразы CPA225D - OCE (SartoriusGroup), SNOL 8. 2/1100(SNOL) муфельді пеші, UV-3600 (Shimadzu) спектрофотометрі, Lambda 35 (Perkin Elmer) спектрофотометрі, Quanta 200i 3D скнаерлеуші электронды микроскопы (FEI Company, АҚШ, 2008), оптикалық микроскоп - DM 6000 M (Leica) пайдаланылды.

Дипломдық жұмыста қойылған мақсаттарға жету үшін мынандай тапсырмалар орындалды:

• Золь - гель әдісі арқылы ZnO - ның мөлдір жұқа қабыршақтарын алу;
• Алынған ZnO - ның жұқа қабыршақтарының оптикалық қасиеттерін спектрдің көрінетін аумағында жұтылу коэффициентіне, шағылу және өткізу коэффициенттеріне спектрлік талдау жүргізу;
• ZnO - ның жұқа қабыршақтарының беттік морфолгиясын оптикалық және сканерлеуші - электрондық микроскоптпрдың (СЭМ) көмегімен зерттеу.

Жасалған жұмыстың нәтижелері:

• Жұмыс барысында золь - гель әдісі арқылы ZnO - ның мөлдір жұқа қабыршақтары алынды;
• Алынған ZnO - ның мөлдір жұқа қабыршақтардың оптикалық және морфологиялық қасиеттері зерттелді.

РЕФЕРАТ

Данная дипломная работа содержит 3 таблицы, 9 рисуноков, 38 источников литepaтypы и изложена на 48 страницах.

Цель работы: получение тонких пленок ZnO золь - гель методом синтеза, отработка технологических условий роста пленок, исследование их морфологических и оптических свойств.

Объекты исследования: тонкие пленки ZnO.

Ключевые слова: оксид цинка, золь - гель метод, тонкие пленки, микроскоп, коэффициент пропускания, коэффициент отражения, коэффициент поглощения.

В этой дипломной работе рассматривается обработка технологических условий роста тонких пленок ZnO, полученных золь - гель методом синтеза, и исследование их свойств. В ходе эксперимента для проведения исследовательских работ было использовано современное измерительное оборудование, в том числе: система очистки воды ARIUM 611 DI (SartoriusGroup), аналитические весы CPA225D - OCE (SartoriusGroup), муфельная печь SNOL 8. 2/1100(SNOL), спектрофотометр UV-3600 (Shimadzu), спектрофотометр Lambda 35 (Perkin Elmer), сканирующий электронный микроскоп Quanta 200i 3D (FEI Company, АҚШ, 2008), оптический микроскоп DM 6000 M (Leica) .

Для достижeния цели были поставлены слeдующие задачи:

• получение тонких прозрачных пленок ZnO золь - гель методом;
• исследование оптических свойств тонких пленок ZnO, полученных золь - гель методом, с помощью измерения и анализа спектров поглощения, отражения и пропускания в видимой области спектра;
• исследование морфологии поверхности пленок ZnO с помощью оптического и сканирующего электронного микроскопов(СЭМ) .

Результаты работы :

• в ходе работы золь - гель методом были получены тонкие прозрачные пленки ZnO;
• были исследованы морфология и оптические свойства полученных образцов ZnO.

ABSTRACT

This thesis contains 3 tables, 9 figures, 38 sources of references and is represented on 48 pages.

The purpose of the work: receiving of ZnO thin films by sol - gel method, processing of technological growth conditionsof synthesized films, research of their morphological and optical properties.

Research objects: ZnO thin films.

Keywords: zinc oxide, sol-gelmethod, thin films, microscope, transmission coefficient, reflection coefficient, absorption coefficient.

Treatment of technological growth conditions of ZnO thin films prepared by sol - gel method and research of their properties are considered in this thesis. The modern measuring equipment, such as system of water purification ARIUM 611 DI (SartoriusGroup), analytical scales CPA225D - OCE (Sartorius Group), mufflefurnace SNOL 8. 2/1100 (SNOL), spectrophotometer UV-3600 (Shimadzu), spectrophotometer Lambda 35 (Perkin Elmer), scanning electronic microscope Quanta 200i 3D (FEI Company, ASh, 2008), optical microscope DM 6000 M (Leica), was used during experiment for carrying out research works.

To achieve the purpose were set up the following tasks:

• receiving transparent ZnO thin films by sol - gel method;
• the measurement and analysis of absorption, spectra in the visible region to research optical properties of ZnO thin films, synthesized bysol - gel method;

• research of morphology of ZnO films surface by optical and scanning electronic microscopes (SEM) .

Results of work:

• transparent ZnO thin films were prepareby sol- gel method;
• the morphology and optical properties of synthesized ZnO samples were investigated.

МАЗМҰНЫ

қысқартулар ЖәНЕ ШАРТТЫ БЕЛГІЛЕР

дипломдық жұмыста келесі қысқартулар мен шартты белгілер қолданылды.

ZnO - мырыш оксиді

ББЗ - беттік белсенді заттар

УК - ультракүлгін

КЭТ - күн энергиясын түрлендіргіш

ДНҚ - дезокирибоза нуклеин қышқылы

рН - сутектік көрсеткіш

ИҚ - инфрақызыл

БӨҚ - бақылағыш - өлшегіш қондырғылар

СЭМ - сканерлеуші - электронды микроскоп

АКМ - атомдық - күштік микроскоп

К - тозаңдану коэффициенті

ИТ - иондық тозаңдандыру

Е _өтк - өткелдік энергия

СТОМ - сканерлеуші - туннельдік оптикалық микроскоп

ЖЭМ - жарықтандырушы электрондық микроскоп

Кіріспе

Наноқұрылымды материалдар өзінің бірегей қасиеттерінің арқасында қазіргі материалтануда алдыңғы орынды алады. Дәннің өте кішкентай өлшемі бірегей физикалық, химиялық, механикалық және т. б. қасиеттерінің өзгерісіне әкеледі, сонымен қатар материалтану, қатты дене физикасы, биология және де перспективті технология саласындағы мамандардың қызығушылығын арттыруда.

А ^II В ^VI негізіндегі шалаөткізгіштер көлемді материал ретінде және жұқа қабықшалар ретінде қолданылады. Жұқа жабындылардың қалыңдығы азайған сайын олардың қасиеттері массивті материалдың қасиеттерінен ерекшелене береді. Әсіресе, қабыршақтың ең жоғарғы бөлігінде кванттық механикаға тән қасиеттерді байқауға болады. Асқын қасиеттерге ие материалдар жұқа қабыршақты технология негізінде жасалуда. Осы себепті жұқа қабыршақтардың технологиясы соңғы уақыттары алға қойылған тақырыптардың бірі болып отыр.

ZnO негізіндегі наноқұрылымды материалдарды оптоэлектроникада, газдық датчиктерде, сенсорларда, күн энергетикасы мен күн элементтерінде, жылу элементтері мен каталитикалық реакторларда және аккумляторларда қолдану перспективті болуымен кең зерттеліп жатыр. ZnO қабықшасы жоғары каталитикалық қасиеттерге және электр өткізгіштікке ие, бөлме температурасында ультракүлгін аумақта эффективті сәуле шығара алады, көрінетін диапазонда жоғары мөлдірлігімен сипатталады. Ал мөлдір ZnO қабықшаларын алуда ең қарапайым әрі тиімді әдіс золь-гель технологиясы болып табылады.

Золь-гель әдісінің негізі зольді алып, оны соңынан гельге айналдыру болып табылады. Золь-гель әдісі негізгі үш сатыдан тұрады: алкоксид ерітінділерін M(OR) x (M = Si, Ti, Zr, V, Zn, Al, Sn, Ge, Mo, W және т. б. ) жасау, олардың гидролизбен каталитикалық байланысы және гидролизбен полимеризациялы конденсациялануы. Нәтижеде, оксидті полимер (гель) түзіледі, одан кейін жуылып, кептіріледі және термиялық өңделеді. Золь-гель әдісінің негізгі артықшылығы бастапқы компоненттердің жоғары дәрежеде гомогенизациясы болып табылады. Бұған бастапқы заттардың тұздары мен оксидтерінің алғашқы ерітіндіде еруі арқылы қол жеткізіледі. Золь-гель әдісі дәстүрлі синтездермен салыстырғанда синтездің оңай технологиялық схемасымен ерекшеленеді

1 ӘДЕБИ ШОЛУ

1. 1 Жұқа қабыршақты құрылымдардың технологиясы

Қазіргі таңда жартылай өткізгішті материалтанудың басты мақсаттарының бірі - қолданыста бар жартылайөткізгішті құрылғылардың қасиеттерінен әлдеқайда жоғары қасиеттерге ие аса жаңа қондырғыларды жасап шығару болып отыр. Монокристалды гетероқұрылымдарды жұқа жабынды күйінде алу олардың қолданыс аумағының кеңеюіне жол ашады. Жұқа жабындылардың қалыңдығы азайған сайын олардың қасиеттері массивті материалдың қасиеттерінен ерекшелене береді. Осы себепті жұқа қабыршақтардың технологиясы соңғы уақыттары алға қойылған тақырыптардың бірі болып отыр.

Технология деп - қажетті нәтижеге қол жеткізу барысында қолданылатын әдістер мен қондырғылардың сабақтастығын айтамыз. Ал жұқа жабындылардың технологиясы деп - сол қабыршақтарды алудың әдістерінің және сол үшін қолданылатын қондырғылардың сабақтастығын түсінсек болады. Сонымен қатар осы қабыршақтарды алу шарттары, қабыршақтардың қасиеттреі мен параметрлерін зерттеу әдістерін де жұқа жабындылардың технологиясына жатқызсақ болады [1] .

Жабынды - заттардың конденсирленген жұқа қабаты. Жұқа жабындыны төсеніш бетіне қондырылған тұнбалық қабаттармен және ұнтақтармен шатыстырмау өте маңызды. Себебі олар бір бірімен байланыспаған жеке - жеке бөлшектерден тұрады. Жұқа жабындылар - қалыңдығы бірнеше нм - ден 100 нм - ге дейінгі аумақта жататын қабыршақтар. Қалыңдығы одан асатын болса қабыршақ қалың деп аталады. Жұқа қабыршақтар көлемді заттардың қасиеттеріне ие. Бірақ құрылымындағы бөлшектердің өлшемдерінің аздығы бұл материалдардың қасиеттерінің жоғарылауына себеп болады. Әсіресе, қабыршақтың ең жоғарғы бөлігінде кванттық механикаға тән қасиеттерді байқауға болады. Сондықтан асқын қасиеттерге ие материалдар жұқа қабыршақты технология негізінде жасалады [1-2] .

Жұқа қабыршақтардың қандай да бір нақты белгіленген классификациясы жоқ. Бірақ түсінуді жеңілдету үшін оларды қалыңдығына, агрегаттық күйіне, кристалдық құрылымына, химиялық байланысына, қасиеттеріне, өңдеу жолдарына тағы басқа қасиеттеріне байланысты жіктеуге болады.

• Қалыңдығы бойынша әдетте нано (0, 1 ÷ 100 нм) және субмикрондық (0, 1 ÷ 1 мкм) қабыршақтарға бөледі. Сонымен қатар кейде ультражұқа (0, 1 ÷ 10 нм) қабыршақтар да кездесуі мүмкін . Олардың қалыңдығы әдетте бірнеше атомдық моноқабаттардан тұруы мүмкін.

• Агрегаттық күйіне байланысты көбіне конденсирленген қатты немесе сұйық күйінде болады.
• Құрылымы бойынша монокристалды, поликристалды, шыны тәріздес, аморфты, керамикалық, полимерлі, сұйық кристалды т. б. болуы мүмкін.
• Кеңістіктік құрылымы бойынша жұқа қабыршақтар қарапайым үш өлшемді, квазиекі өлшемді - қабат түрінде, квазибір өлшемді - тізбектік, квазинөл өлшемді - кластерлер түрінде кездесуі мүмкін.
• Біртектілігі бойынша тұтас және көп байланысты - композит күйінде, дендриттік немесе бағаналық қабыршақ күйінде, түйіршіктелген, кеуекті күйде де кездесуі мүмкін.
• Химиялық байланыс түріне қарай қарапайым материалдар сияқты металдық, коваленттік, сутектік, иондық байланыспен байланысқан қабыршақтар болып бөлінуі мүмкін.

Жұқа қабыршақтарды алуда аса мән берілетін элементтердің бірі төсеніштер. Төсеніш - қабыршақты отырғызуға арналған объект. Идеалды жағдайда төсеніш қабыршақпен әсерлеспейді. Бірақ практикалық жағдайда төсеніш жұқа қабыршақтың қасиеттеріне әсер етуі мүмкін. Төсеніштердің формасы әдетте тіктөртбұрышты және дөңгелек пластина күйінде кездеседі. Кей жағдайларда төсеніш формасы цилиндр, лента немесе кез келган өзге формаларда болуы да мүмкін[1-3] .

Төсеніштің негізгі материалдарына мыналар жатады:

• Шыны төсеніштер. Бұл төсеніштер әдетте шыны қалыптасу процессі кезінде түзіледі. Ең бірінші кезекте шикізаттың өңделуі жүргізіледі. Негізгі шикізат ретінде оксидті ұнтақтар қолданылады. Содан кейін конвейерлі пештің бір бөлігінде бастапқы материал шихтамен араластырылады да, пештің ішінде шыны түзілу процессі жүреді. Шыны пештің ішінен сұйық ерітінді түрінде шығарылады да, валлдардың арасынан өткізіледі. Алынған лентаны керек өлшемдегі пластиналарға бөледі. Кейде ерітінді күйіндегі шыныны тұрақты жылдамдықпен арнайы колибрлерден өткізеді де, цилиндр күйіндегі стержндерді алады. Төсеніштер жасайтын шынылардың негізгі түрлеріне кальцилі - натрийлі, боросиликатты, алюмоселикатты, балқытылған кварц жатады. Шыны төсеніштер қойылатын бірнеше талаптарға ие және қолдануға ыңғайлы әрі арзан болғандықтан кең қолданысқа ие.
• Керамикалық төсеніштер. Оларды әдетте керамика технологиясы бойынша дайындайды. Керамикалық төсеніштерді алу үшін шикізат ретінде тазартылған оксидтік ұнтарқтар қолданылады. Оларды араластырыады да үгітуге ұшыратады. Кейде пластификатордың, байланыстырғыштың рөлінде қолданылатын органикалық компоненттермен араластырады. Соңынан оларды престеу арқылы қажетті формаға келтіреді немесе құю арқылы лист күйіндегі шыныларды алып, оларды қажет формаларға кеседі. Осыдан кейін пластификаторды алып тастау үшін алдын ала 300 - 600жасытып, соңынан күйдіру жүргізіледі. Рекристаллизация процессі кезінде майда бөлшектер бірігеді, соның нәтижесінде үлкен кристалдар өседі. Осы жолмен керамикалық төсеніштер алынады. Кей жағдайда олардың бетін жұқа шыны қабатпен қаптайды. Ол қабатты беттің біртексіздігін жоюға арналған қабат деп атайды. Көп жағдайда осындай төсеніштер ретінде Al2O3, ВеО, BaTiO3және тағы басқалар.
• Монокристалдық төсеніштер. Мұндай кристалдарды үлкен кристалдарды қажетті кристаллографиялық ориентациялы пластиналарға бөлу арқылы алады. Кристалдарды көбіне Чохральский әдісімен өсіреді.
• Металдық төсеніштер. Бұл төсенішті әдетте фольгадан, ленталардан немесе металдың жұқа пластиналарынан жасайды. Отырғызылатын қабыршақтың қасиеттері жоғары болуы үшін металл төсеніштің беті жылтыр әрі тегістелген болуы керек. Сондықтан осындай төсеніштерді механикалық, химиялық, электрлік әдістермен тегістейді. Кейде төсеніштер ретінде беткі қабаты жылтыр әрі тегіс болып келетін металдардың монокристалдары қолданылады. Ондай металдар қатарына W, V, Ta, Cu және кейбір асыл металдар Au, Pt, Ag, Pd жатады. Асыл металдарды төсеніш пен қабыршақ арасында химиялық реакция жүру қаупі болған кезде жиі қолданады. Ал қиын балқитын металдарды қабыршақтарды жоғары температурада отырғызу кезінде қолданады.
• Полимерлік төсеніштер. Бұл төсеніштерді полимерлердің ленталарынан, фольгаларынан, пластиналарынан жасайды. Осындай төсеніштер ретінде көбіне фторопласт, полистирол, нейлон, полиэтилен кей жағдайда қағаздарды да қолданады.

Төсеніштердің қасиеттері: Төсеніштерді әдетте алынатын қабыршақтардың қасиеттері барынша жақсы болатындай етіп таңдап алады. Көптеген жағдайда төсенішті қабыршақты өңдеуге кедергі жасамайтындай етіп таңдап алады. Төсеніштің бетінің атомдық құрылымы біртекті әрі тегіс және құрылымдық ақаулары жоқ болуы тиіс. Негізінен төсеніштердің басым көпшілігі өте морт, бірақ қаттылығы жоғары әрі механикалық әсерлерге және химиялық әсерлерге тұрақты болып келеді. Асыл металдардан жасалған және полимерлік төсеніштер химиялық әсерлерге жоғары тұрақтылығымен ерекшеленеді. Монокристалдық төсеніштерді көбіне эпитаксиалдық түрмен өсетін қабыршақтарды алуда қолданады. Осыдан байқағанымыздай өсірілетін қабыршақтардың қасиеттері қолданылатын төсеніштердің қасиеттеріне тікелей байланысты.

Төсенішке қойылатын негізгі талаптардың қатарына мыналар жатады.

• Беттің жазық болуы. Төсеніштің беткі яғни қабыршақ отырғызылатын беті оның астыңғы бөлігіне параллель болуы тиіс. Бұл литография жасауда сонымен қатар температурамен өңдеу кезінде тепературалық градиентті төмендету кезінде маңызды роль атқарады.
• Төсеніште кеуектердің, сызаттардың өзге де кемшіліктердің болмауы. Бұл алынатын қабыршақтың үзіліссіз, сызатсыз болып қалыптасуына, артық ластанудың болмауына және кеуектерден артық газдардың бөлінбеуіне себепші болады.
• Меншікті электр кедергісінің өте жоғары болуы. Бұл қасиет қабыршақты электр оқшаулау үшін және өлшеу қондырғыларынан әсер болмауы үшін аса маңызды.
• Диэлектрлік тұрақтылығының жоғары мәнге ие болуы. Бұл талап көбіне тек ток өткізбейтін төсеніштерге қойылады. Жоғары кернеу берген кезде қабыршақта пробойдың туындамауына, аса жоғары жиілікті және жоғары жиілікті сигналдар бергенде электрлік жоғалуды азайту үшін осы қасиеті өте маңызды.
• Химиялық реагенттердің әсеріне тұрақтылығы. Бұл қасиет литографияға, травлениеге және қабыршақты химиялық өңдеуге ұшыратқанда өте маңызды.
• Гидрофобтық қасиет немесе суды өзіне жұқтырмау қабілеті. Төсеніштің бетінде су молекулаларының болмауы аса маңызды. Бұл талап дұрыс орындалмаған жағдайда алынатын қабыршақтың адгезиясы нашар болып, вакуумда қабыршақ бетінен су буының көптеп бөлінуіне әкелуі мүмкін.
• Рекристализация және балқу температураларының жоғары болуы. Бұл жоғарғы температураларда тұрақты қабыршақтарды алуға мүмкіндік береді. Сонымен қоса бұл талапты сақтау қабыршақта төсеніштің әсерінен фазалық немесе құрылымдық ауысулардың туындамауы үшін аса мңызды.
• Төсеніштің термиялық ұлғаю коэффициентінің қабыршақтікіне барынша сәйкес келуі. Бұл қабыршақта термиялық кернеулердің туындамауы үшін және термоциклдеу кезінеде, шынықтыру барысында, қыздыру кезінде, күйдіру процесінде қабыршақтың құрылымының бұзылмауына септігін тигізеді.
• Қабыршақты қызып кетуден сақтау үшін жылуөткізгіштігі тиімді мәнге ие материалды таңдай білу.
• Термоәсерлерге және термоекрнеулерге тұрақтылығы. Бұл қабыршақтың жоғары температуралық градиентке төтеп беруіне себепші болады және пайка, пісіру кезінде, төсеніштер мен қабықшаларды лазерлік гравировкалауда аса маңызды.
• Механикалық әсерлерге тұрақтылығы майыстыру кезінде, бұрау, кесу, сындыру кезінде қабыршақтың біртектілігін сақтап қалу үшін аса маңызды.
• Техникалық өңдеу кезінде сырылуға және үйкелуге тұрақтылық.
• Литографияны дұрыс жүргізу үшін бетінің оптикалық тегіс болуы. Гетероқұрылымдар жасауда біртекті қабыршақтарды алуда аса маңызды.
• Бағасының төмендігі. Бұл сериялық шығарылымдар жасауда аса маңызды.

Төсеніштерді тазалау әдістері. Төсенішті тазалаудың негізі төсеніш пен қоспалардың атомдары мен молекуларының арасындағы байланысты үзіуде болып саналады. Оны мынадай әдістермен жүргізеді.

• Еріткіштердің әсерімен тазалау. (сілтілердің және қышқылдардың сулы ерітінділермен, органикалық ерітінділермен - спирт, эфирлер, хлорлы көмірсутектермен CCl4, ацетон және бензолмен т. б. )
• Булармен немесе газдармен әсер ету. Бұл үшін сілтілердің, қышқылдардың, еріткіштердің, ұшқыш химиялық реагенттердің булары және сығылған газ қолданылады.
• Төсенішке ультрадыбыстық толқындармен әсер ету арқылы. Бұл әдіс көп жағдайда еріткіштермен тазалаумен қатар жүреді. Ультрадыбыстық әсер саусақтың іздері сияқты ластанулардан тез арылуға көмектеседі. Осы әдіске ұқсас тағы бір әдіс - Релей толқындарымен әсер ету әдісі. Бұл әдісте толқындар қатты дененің бетінде таралып, оның ішкі бөліктеріне енгенде сөніп қалады.
• Беттік - белсенді заттарды қолдану (ББЗ) : карбон қышқылының тұздарымен, сабынмен, спиртпен және тағы басқа. ББЗ аса жоғары беттік белсенділікке ие. Сондықтан олар фазааралық шекараларда жоғары адсорбциялану қабілетіне ие. Ол сұйықтықтң беттік керілуін төмендетеді. Сонының әсерінен төсеніш пен ластаушы қоспалардың бөлшектерінің арасындағы байланыс үзіледі.
• Қыздыру арқылы тазалау. Төсеніштерді термоөңдеуге ұшырату вакуумда 500 - 1000температурада жүргізіледі. Бұл өңдеу төсеніште дегаздалудың жүруін қамтамасыз етеді. Сонымен қоса беттің біртекті болуына әсерін тигізеді. Дегаздалу - материалдан оның құрамындағы еріген газдарды және кеуектерден, жарықшалардан, капилярлардан газ атомдары мен молекулаларын шығарып тастау процесі.
• Өріспен әсер ету арқылы десорбциялау. Өте жоғары кернеулікке ие Е∼\sim∼\sim107- 108В/см электр өрісімен әсер етку беткі қабатта адсорбцияланған иондалған бөлшектердің жойылуына әкеледі.
• Беткі қабатқа электрондық, атомдық, иондық, молекулалық сәуле шоқтарымен әсер ету арқылы десорбциялау.
• Лазерлік сәулелермен әсер ету арқылы тазалау. Төсеніштің бетін фокустелген лазерлік сәулемен немесе опто - механикалық құрылғылардың сәулелермен сканерлеу арқылы тазалау. Тазаланумен қатар осы процесс кезінде төсеніштің ақауларының кейбір бөлігінің булануы және балқуы әсерінен болатын беттің тегістелуі және дегазация жүреді [2, 4-5] .

1. 2 Жұқа қабыршақтарды синтездеудің әдістері

Жұқа қабыршақтарды алудың жолдарын шартты түрде төрт топқа жіктеуге болады.

---

Сіз бұл жұмысты біздің қосымшамыз арқылы толығымен тегін көре аласыз.

• Іс жүргізу
• Автоматтандыру, Техника
• Алғашқы әскери дайындық
• Астрономия
• Ауыл шаруашылығы
• Банк ісі
• Бизнесті бағалау
• Биология
• Бухгалтерлік іс
• Валеология
• Ветеринария
• География
• Геология, Геофизика, Геодезия
• Дін
• Ет, сүт, шарап өнімдері
• Жалпы тарих
• Жер кадастрі, Жылжымайтын мүлік
• Журналистика
• Информатика
• Кеден ісі
• Маркетинг
• Математика, Геометрия
• Медицина
• Мемлекеттік басқару
• Менеджмент
• Мұнай, Газ
• Мұрағат ісі
• Мәдениеттану
• ОБЖ (Основы безопасности жизнедеятельности)
• Педагогика
• Полиграфия
• Психология
• Салық
• Саясаттану
• Сақтандыру
• Сертификаттау, стандарттау
• Социология, Демография
• Спорт
• Статистика
• Тілтану, Филология
• Тарихи тұлғалар
• Тау-кен ісі
• Транспорт
• Туризм
• Физика
• Философия
• Халықаралық қатынастар
• Химия
• Экология, Қоршаған ортаны қорғау
• Экономика
• Экономикалық география
• Электротехника
• Қазақстан тарихы
• Қаржы
• Құрылыс
• Құқық, Криминалистика
• Әдебиет
• Өнер, музыка
• Өнеркәсіп, Өндіріс