Шала өткізгішті диод және транзистор. Микроэлектроника туралы түсінік

I. Жартылай өткiзгiштер
II. Жартылай өткiзгiштi диод.
III. Транзистор
IV. Жартылай өткiзгiштi приборлардың қолданылуы
III. Микроэлектроника ұғымы.
Пайдаланылған әдебиеттер тізімі.
Жартылай өткізгіштер
Жартылай өткiзгiштер деп кедергiсi кең көлемде өзгере алатын және температурасы жоғарылаған сайын кедергiсi тез азаятын заттарды айтады.
Таза (қоспасыз) жартылай өткiзгiш кристалындағы еркiн электрондардың және кемтiктердiң қозғалысынан болатын өткiзгiштiктi жартылай өткiзгiштердiң меншiктi өткiзгiштiгi дейдi.
Таза жартылай өткiзгiштiң электрөткiзгiштiгi тек қана кристалдағы коваленттiк байланыстар узiлген жағдайда ғана мүмкiн болады. Мысалы, қыздыру коваленттiк байланыстардың үзiлуiне келтiредi, сондықтан еркiн электрондар пайда болып, таза жартылай өткiзгiштiң меншiктi электрондық өткiзгiштiгi (n-типтi өткiзгiштiгi) болады.
Электрон кеткен жерде артық оң заряд пайда болады да, оң кемтiк құрылады.
Сыртқы электр өрiсiнде электрондар электр өрiсiнiң кернеулiгiнiң бағытына қарама қарсы жаққа ығысады. Оң кемтiктер электр өрiсiнiң кернеулiгiнiң бағытына қарай орын ауыстырады, яғни электр өрiсiнiң әсерiнен оң зарядтың қозғалатын жағына қарай орын ауыстырады. Кемтiктердiң реттi орын ауыстыруанан болатын таза жартылай өткiзгiштiң электрөткiзгiштiгiң меншiктi кемтiктiк өткiзгiштiгi (p-типтi өткiзгiштiгi) дейдi.
Жартылай өткiзгiштердiң кристалдық торларына қоспаларды (қоспалық центрлерiн) еңгiзуiнен болатын электрөткiзгiштi қоспалық өткiзгiштiк дейдi.
1. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников - – М.: Наука,: 1990
2. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники - М.: Высш .шк.: 1986
3. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М., “Мир”, 1984.
4. Бродски М. “Аморфные полупроводники”, М., “Мир”, 1982.
5. Данилин Б.С., Сырчин В.К. Магнетронные распылительные системы. М.: Радио и связь, 1982.
        
        Қазақстан Республикасы білім және ғылым министрлігі                                           ... ... ... ... ... ... факультетіФизика кафедрасыСӨЖ  Тақырыбы:   Шала өткізгішті диод және ... ... ... түсінік.Орындаған: Мәдениет Құралбек.Тобы: Т-423 .Тексерген: Рахимбердина А.Т. Семей 2015Жоспары:* Жартылай ...  * ... ... ... * Транзистор* Жартылай өткiзгiштi приборлардың қолданылуыIII.  Микроэлектроника ... ... ... ... өткiзгiштер деп кедергiсi кең көлемде өзгере алатын және температурасы жоғарылаған сайын кедергiсi тез азаятын ... ... ... ... ... ... еркiн электрондардың және кемтiктердiң қозғалысынан болатын өткiзгiштiктi жартылай өткiзгiштердiң меншiктi өткiзгiштiгi дейдi.Таза жартылай өткiзгiштiң электрөткiзгiштiгi тек қана кристалдағы коваленттiк байланыстар ... ... ғана ... ... Мысалы, қыздыру коваленттiк байланыстардың үзiлуiне келтiредi, сондықтан еркiн электрондар пайда болып, таза ... ... ... ... ... ... өткiзгiштiгi) болады.Электрон кеткен жерде артық оң заряд пайда болады да, оң кемтiк құрылады.Сыртқы электр өрiсiнде электрондар ... ... ... ... қарама қарсы жаққа ығысады. Оң кемтiктер электр өрiсiнiң ... ... ... орын ... яғни электр өрiсiнiң әсерiнен оң зарядтың қозғалатын жағына қарай орын ауыстырады. Кемтiктердiң реттi орын ... ... таза ... ... электрөткiзгiштiгiң меншiктi кемтiктiк өткiзгiштiгi (p-типтi өткiзгiштiгi) дейдi.Жартылай өткiзгiштердiң кристалдық торларына ... ... ... ... ... ... қоспалық өткiзгiштiк дейдi.7.4-суретҚоспалар жартылай өткiзгiштер кристалдарына электрондарды қосымшажабдықтаушы ... ... ... ... ... ... төрт ... электроны бар бiр атомы бес валенттiк электроны барқоспаның (мышьяк, ... ... ... ... ... төртэлектроны көршi германий атомдарының электрондарымен коваленттiкбайланыстар жасауға қатысады, ал бесiншi электрон коваленттiк байланысжасауға қатыса алмайды. Ол ... ... өз ... ... ... ... одан оңай бөлiнiп кетедi де, еркiн атом бола алады.(7.4 сурет).Электр өрiсiнiң әсерiнен жартылай ... ... ... реттелгенқозғалысқа келедi, ал жартылай өткiзгiште электрондық қоспалық өткiзгiш пайдаболады. Мұндай өткiзгiштiгi бар өткiзгiштер электрондық немесе n-типтiкжартылай өткiзгiштер ... ... төрт ... электроны бар бiр атом үш валенттiкэлектроны бар қоспа ... ... ... ... ... барлықковаленттiк байланыстар құрылуы үшiн бiр электрон жетiспейдi (7.5 сурет). ... атом ... ең ... негiзгi атомның электронын алған жағдайда, олбарлық байланыстарды құра алады. Онда негiзгi атомнан кеткен электронныңорнында оң кемтiк пайда болады, осы кемтiкке ... ... ... ... ... түсуi мумкiн және т.с.. Электрондардың оң кемтiктердi бiр iздiтолтыруы жартылай ... ... ... және онда ... ... ... тендес. Электр тогының әсерiнен кемтiкөрiс кернеулiгiмен бағыттас орын ауыстырады да, жартылай өткiзгiштекемтiктiк ... ... ... ... ... өткiзгiштiгi баржартылай өткiзгiштедi қоспалық кемтiктiк немесе p-типтiк жартылайөткiзгiштер дейдi.Монокристалдық өткiзгiштiң кемтiктiк өткiзгiштен ... ... ... электронды кемтiктiк ауысу (p  -  n ауысу) дейдi. Жартылайөткiзгiштер кристалына сәйкес қоспаларды еңгiзуiнен ... (p - және n- ... ... p-n ... ... типтi өткiзгiштiгi бар екi жартылай өткiзiштердiң түйiсу шекарасынанөтетiн ток ... ... ... осы түйiсуi арқылы болады. n-жартылай өткiзгiштегi электрондар ... p- ... ... ... ... түйiсу шекара жанындағы n-жартылайөткiзгiш көлемiнен кетедi, бұл көлемде электрондар азаяды, онда ... ... ... ... ... Тап ... p- ... өткiзгiштегi кемтiктiктердиффузиясы шекара манында p- жартылай өткiзгiште терiс зарядтарының ... ... ... Нәтижесiнде электронды кемтiктiк ауысу шекарасындажуандығы l болатын электрлiк жапқыш қабат пайда болады.7.6-суретЭлектронды кемтiктiк ауысуда өткiзгiштiк ... ... ... бiр p-n -аусуы бар жартылай өткiзгiштi жартылай өткiзгiштi диод дейдi. Жартылайөткiзгiштi диод көбiнесе кремний кристалдарынан жасалады, оларда сәйкесқоспалар арқылы ... ... ... және ... ... бараймақтар пайда болады. Егер, мысалы, электронды өткiзгiштiгi бар кремнийпластинкасына индий тамшысын балқытса, онда индий атомдары еңгенкремнийдiң ... ... ... ... ... ... ... және кемтiктiк өткiзгiштiгi бар аймақтар арасында p-n аусуы пайдаболады.7.7-сурет7.7-суретте жартылай өткiзгiштi диодтан өтетiн токтың күшiнiң кернеугетәуелдiлiгi, яғни оның ... ... ... ... оң ... токты диодтан өткiзетiн бағытына сәйкес келедi (егеркернеу өссе ток күшi ... ... ал сол ... ... ... ... деп екi ... және электр тiзбекке қосылатын үш ұштары баржартылай өткiзгiштi приборды атайды. p-типтi өткiзгiштiгi бар екi аймақтыңарасында база деп аталатын n- ... ... бар ... құрады. (7.8 сурет)7.8-суретБазамен бөлiнген аймақтардың бiреуi эмиттер деп, ал екiншiсi- коллектор депаталады. Екi ... екi ток көзi ... ... ... ... ... ... радиотехника, автоматика және ғылым мен техниканың басқасалаларында кеңiнен қолданылады.Жердiң жасанды ... ... ... күн ... батареяларорналастырылған, ондағы электр тогы Күн сәулесi энергиясынан болады. Күнсәулелi батареялардың энергиясын үйлердi жылытуға пайдалану үшiн ... ... ... ... көп елдерде зерттеп дамытуда. p-n аусуыбар жартылай өткiзгiштер күн сәулелi батареялардың маңызды бөлiгi ... ... ... ЭҚҚ ... ... микроминиатюралы электрондық функционалды тораптар мен блоктар жасау мәселесімен айналысатын электроника ... ... Оның ... электрондық аппаратуралар құрылысының күрделенуі,аумағының үлкеюі және жұмыс сенімділігіне қойылатын талаптың артуы себепші болды.Жеке аппаратураларда ... ... ... мың электрондық лампы, транзистор, резистор, трансформаторлар қолдану олардың аумағын үлкейтті әрі оларды құрастыру (дәнекерлеп не пісіріп) көп еңбекті ... ... ... ізденістердің нәтижесінде электрондық аппаратуралар жасауға конструкциялық - техникалық жаңа тәсілдер (баспалық монтаж, ... және ... ... ... т.б.) ... іске ... дене физикасы мен жартылай өткізгіштер электроникасы саласындағы ... ... ... ... жаңа ... бір- ... ... және электрлік байланыста болатын электрондық құрылғылар (функционалды схемалар мен тораптар) жасау мәселесін шешті.Мұнда микроминиатюралы элементтер тобы мен ... ... ... ... ... ... бір технологиялық процесс бойынша орындалып, ортақ функционалды торап жасалды. Осы ... ... ... ... ... ... біртектіэлектрондық функционалды тораптардың бір тобын орналастыру мүмкін болды. Мұндағы әрбір функционалды торап жеке ... ... емес ... ... бетін бірқатар интегралдық өңдеулерден өткізу нәтижесінде пайда болды. Осы микроминиатюралы торап интегралдық микросхема немесе интегралдық схема (ИС) деп ... ... ... ... ұғымы да өзгерген. Элемент рөлін интегралдық схема атқарады.Жасау технологиясымен онда ... ... ... ... ... интегралдық, вакуумдық микроэлектроника және функционалдық электроника деген салаларға ажыратылады. Интегралдық электрониканың шығуына байланысты микроминиатюралы радиоэлектрондық және ... ... ... ... ... ісі дами бастады. Жартылай өткізгішті интегралдық схема жасау үшін ... деп ... ... ... ... Бұл ... жартылай өткізгіш пластинаны механикалық және химиялық өңдеуден өткізу; пластина бетіне қажетті электрлік - физикалық қасиеттері бар қабат жасау; ... ... ... ... ... электродтар, жалғастыру тізбектерін, контактілік жолақтар жасау секілді жұмыстар ... ... Осы ... технологиялық процестердің ең жауаптысы - фотолитография. Ол жартылай өткізгіш пластинаның жеке учаскелерін талғап өңдеуге мүмкіндік береді. Жасалатын дайындаманың ... ... ... ... ... ... ... алынады. Оның бетіне кремнийдің n-типтес эпитаксиалды қабаты, ал бұның үстіне кремний қос тотығы жалатылады.Тотықтанған кремний пластинасының бетіне жарық ... лак- ... ... ... соң ... ... фотошаблон беттестіріліп, ультракүлгін сәулемен сәулелендіріледі. Оның жарықталған ... ... ... ... оның ... ... шайылып тасталады.Қышқылмен өңделген кезде кремнийдің сәуледен көлеңкеленбеген учаскесі мүжіліп желінеді. Осыдан кейін оның полимерленген учаскесі арнаулы қышқыл арқылы фоторезисттен ... Осы ... ... ... ... ... кремний тотығының жұқа қабыршық қабаты перде ретінде пайдаланылады да диффузиялық құбылыс негізінде n-типтес кремнийдің айналасы p-типтес кремниймен қапталады.Осыдан соң ... ... ... ... ... ... Интегралдық схема дайындаудың пленкалық, гибридтік, бірнеше әдіс ... көп ... ... ... бар.  ... әдебиеттер:1. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников -  -  М.: ... 1990 2. ... В.В., ... В.С. Материалы электронной техники - М.: Высш .шк.: 1986 3. Зи С. ... ... ... М., "Мир", 1984. 4. Бродски М. "Аморфные полупроводники", М., "Мир", 1982. 5. Данилин Б.С., Сырчин В.К. Магнетронные ... ... М.: ... и ... 1982.  
        
      

Пән: Электротехника
Жұмыс түрі: Материал
Көлемі: 5 бет
Бұл жұмыстың бағасы: 300 теңге









Ұқсас жұмыстар
Тақырыб Бет саны
Айнымалы токты тұрақты токқа түрлендіру. Түзеткіштер12 бет
Асқын өткізгіштік. Бравэ торлары. Бриллюэн зоналары. Кристалдың трансляциялық симметриясы. Элементар ұяшық. Негізгі векторлар8 бет
Биполяр транзистор22 бет
Биполяр транзисторлар20 бет
Биполярлы транзистор4 бет
Биполярлы транзисторлар4 бет
Биполярлы транзисторлар туралы ақпарат5 бет
Жартылай өткізігішті диод3 бет
Жартылай өткізгіш диодтар29 бет
Жартылай өткізгішті диод5 бет


+ тегін презентациялар
Пәндер
Көмек / Помощь
Арайлым
Біз міндетті түрде жауап береміз!
Мы обязательно ответим!
Жіберу / Отправить


Зарабатывайте вместе с нами

Рахмет!
Хабарлама жіберілді. / Сообщение отправлено.

Сіз үшін аптасына 5 күн жұмыс істейміз.
Жұмыс уақыты 09:00 - 18:00

Мы работаем для Вас 5 дней в неделю.
Время работы 09:00 - 18:00

Email: info@stud.kz

Phone: 777 614 50 20
Жабу / Закрыть

Көмек / Помощь