Биполярлы транзистор

Пән: Электротехника
Жұмыс түрі: Реферат
Тегін: Антиплагиат
Көлемі: 6 бет
Таңдаулыға:

Қазақстан Республикасының Білім және Ғылым министірлігі

Семей қаласындағы Шәкәрім атындағы Мемлекеттік университеті

СӨОЖ

Пән: Қолданбалы электроника

Тақырыбы: Биполярлы транзистор

Орындаған : Қабдылқақов Ержан

Топ: ТФ-319

Тексерген: Секербаева А. Б

Семей 2015

Мазмұны

Кіріспе3

1 Биполярлы транзисторлардың негізігі сипаттамасы4

2 Биполярлы транзистордың параметрлері5

Қорытынды7

Пайдаланылған әдебиеттер8

Кіріспе

Қазіргі 21 ғасырда кез-келген процесс, өмірдегі іс-әрекет электроникамен, жалпақ тілмен айтқанда компютерлермен байланысты. Ең алғашқы компьютерлер немесе есептеуіш машиналар механикалық болған еді, кейіе механикалық есептеуіш машиналар электрондық есептеуіш машиналарға ауысқан еді. Электрондық есептеуіш машиналар электр шамдарың негізгі элементтік база ретінде пайдаланды. Кейін ол электрондық лампаларды қолдану орнында жартылай өткізігіштерді қолдану кең етек алды. Оның себебі жартылай өткізгіштердің ПӘК жоғарырақ болды және ол арзан бағадыа сатылды және оның бағасы арзан болды. 20 ғасырдың 50 жылдары лампалық ЭЕМ қолдану шарықтау және қаңығу шетіне жеткен соң, транзисторларды қолдану ЭЕМ құрастыруда кең етек алды.

Транзистор - көбінесе үш электродтан тұратын тізбетегі токты кіретін сигнал арқылы басқара алатын жартылайөткізгіш. Көбінесе электр сигналын түрлендіру, күшейту үшін қолданылады. Тарнзисторлар екіге бөлінеді ол өрістік және биполярлы транзистор. Өрістік транзисторды 1934 неміс физигі Оскар Хайл патенттаған еді. Ал 1947 жылы Уильям Шокли, Джон Бардин және Уолтер Браттейн биполярлы транзисторды патенттаған еді. 1956 жылы биполярлы транзисторды ашқан үшін олар Нобель сыйлығын иеленген еді [1] .

1 Биполярлы транзисторлардың негізігі сипаттамасы

Транзисторлар жартылайөткізгіштен жасалады. Көбінесе ол кремний болып табылады. Биполярлы транзистор ол аналогтік техникада жақсы дамыса, қазір кең қолданыс тапқан цифрлік техникада өрістік транзистор кең етек алды.

Өрістік транзистор - арнадағы тогы жапырық немесе құйылымға берілген кернеудің электр өрісі арқылы басқарылатын шалаөткізгішті аспапты айтады.

Биполярлы транзистор екі p-n өтпесінен тұратын, яғни p-n-p немесе n-p-n құрылымды үш шықпасы бар шалаөткізгішті аспапты транзистор деп атайды. транзисторларды электронды немесе кемтіктікті электрөткізгіштікті германий немесе силийцийден жасалады.

Транзисторлар жұмыс істей алатын жиліктері аралығына және қуатына қарай әр түрлі топтарға бөлінеді: төменгі жилікті, әлсіз немесе қуатты және т. с. с.

Транзисторда екі p-n біріне кернеу тура бағытта, ал екіншісіне кері бағытта беріледі. Ортаңғы қабат база деп аталады (Сурет 1) . Өткізгіштігі берілген кернеудің полярлығымен сәйкес сыртқы қабат эмиттер деп аталды, ал өткізгіштігі кенеу полярлығына сәйкес келмейтін сыртқы қабат коллектор деп аталады.

$C:\Users\pc\Desktop\transistor1.jpg$

Сурет 1. Биполярлы тарнзистордағы эмиттер, база, колектор көрінісі

Сондықтан эмиттер база өтпесінің кернеуі үлкен болады себебі кедергісі аз, ал база колектор өтпесінің кернеуі аз себеі кедергісі үлкен.

Транзистордың екі өтпесіне екі түрлі кернеу бергендіктен жәнке ол көбінесе әлсіз сигналдарды күшейту үшін қолданылатындықтан оның кірмелк және шықпалық қысқыштары болуы керек. Транзистордың үш шықпасының бірі, әдетте, кірмелік және шықпалық тізбектері үшін ортақ болады. Осы себепті транзистордың үш түрлі жалғану сұлбасы болады: базасы ортақ, эмиттері ортақ, колекторы ортақ (Сурет 2) .

Сурет 2. Биполярлы транзистордың жалғану сұлбалары.

А) ортақ база, б) ортақ эмиттер, в) ортақ колектор

n-p-n құрпылымды транзистордың эмиттер база өтпесіне тура кернеу бергенде электрондар эмитттерден базаға қарай, ал кемтіктер базадан эмиттерге қарай қозғалысқа келеді. База акцепторлық қоспасы аз шала өткізгіштен жасалғандықтан, электрондардың аз бөлігі ғана кемтіктермен рекомбинацияға түсіп, базаның тогын құрайды. Қалған негізгі бөлігі, электрондардың диффузиялық еркін жүгіріп өту аралығының ұзындығы базаның енінен артық болғандықтан, коллектор-база өтпесіне жетеді. Бұл жерде олар одан әрі қозғалып, коллектордың тогын түзеді. Егер эмиттер-база өтпесіне берілетін кернеуді көбейтсе, онда өтпенің кедергісі азаяды да коллекторга жететін электрондардың саны көбейеді, яғни коллектордың тогы артады. Ендеше эмиттер база өтпесінің кернеуін өзгерте отырып коллектордың тогын өзгертуге болады.

2 Биполярлы транзистордың параметрлері

Транзистордың үш түрлі жалғану сұлбасы бар екені бізге белгілі. Транзистордың атқаратын қызметіне байланысты және керекті параметрлеріне байланысты оның жалғану түрі аңықталады. Транзистордың кірмелік және шықпалық кедергілері, кернеуді, токты куатты күшейту коэфицентттері оның негізгі параметрлері болып есептеледі. Транзистордың әр-түрлі сұлбадағы параметрлері Кесте - 1-де көрсетілгіен.

Параметрі

Транзистордың жалғану сұлбасы

Базасы ортақ

Эмиттері ортақ

Коллекторы ортақ

Параметрі: Кірмелік кедергісі, Ом

Транзистордың жалғану сұлбасы: 50-100

200-2000

10 ⁴ -5*10 ⁵

Параметрі: Шықпалық кедергісі, Ом

Транзистордың жалғану сұлбасы: 10 ⁵ -5*10 ⁵

3*10 ⁴ -7*10 ⁴

50-100

Параметрі: Кернеуді күшейту коэфиценті

Транзистордың жалғану сұлбасы: 30-4000

30-1000

Параметрі: Токты күшейту коэфиценті

Транзистордың жалғану сұлбасы: ~1

10-200

Параметрі: Қуатты күшейту коэффиценті

Транзистордың жалғану сұлбасы: 30-400

3000-3*10 ⁴

10-200

Транзистордың шықпалық тогының өсімшесінің ΔI _k кірмелік тогының өсімшесіне қатынасын ΔI _б токтың беріліс коэффиценті (формула 1) деп атайды.

β= ΔI _k/ ΔI _б\

(1)

Биполярлы транзисторларда токтың беріліс коэффиценті шамамен 50-100 аралығында жатады.

Базаның тогының эмиттер база өтпесінің кернеуінің тәуелділігі, I _б =f(U _б ) кірмелік емесе базалық сипаттама деп аталады. Кірмелік сипаттаманы түсіргенде коллектордың кернеуі тұрақты болып қалуы керек.

Коллектордың кернеуі тұрқты болғанда базаның кернеуінің өсуі эмиттер-база өтпесінің кедергісін азайтады да, базаға келетін электрондар мен олардың кемтіктерін рекомбинациясын көбейтеді, яғни базаның тогын арттырады. Коллектор кернеуінің көбеюі коллектор кернеуінің өтпесіне керісіншіе әсер етеді: өтпенің кедергісін көбейтеді және рекомбинация санын азайтады. Сондықтан коллектордың кернеуі өскенде базаның тогы азаяды.

... жалғасы

Сіз бұл жұмысты біздің қосымшамыз арқылы толығымен тегін көре аласыз.