Кристалдану

Пән: Өнеркәсіп, Өндіріс
Жұмыс түрі: Реферат
Тегін: Антиплагиат
Көлемі: 6 бет
Таңдаулыға:

Семей мемлекеттік Шәкарім университеті

СӨЖ

Орындаған: Айдархан Е. ТО-411

Тексерген; Еркінғали Тілеуғалиұлы

Жоспары

1) Кристалдану

2) Кристалдану орталықтарының саны,

3) Кристалдану өсу жылдамдығы.

4) Пайдаланған әдебиеттер.

1) Кристалдану - кристалдардың булардан, ерітінділерден, балқымалардан, қатты күйдегі (аморфты және басқа кристалдық күйдегі) заттардан, электролиз процесі кезінде электролиттерден (электрлік кристалдану), сондай-ақ химиялық реакциядан пайда болуы. Кристалдану үшін алғашқы (аналық) ортаның термодинамикалық тепе-теңдігі бұзылуы, яғни ерітіндінің немесе будың аса құрғауы, балқыманың асқын суынуы және т. б. жағдайлар орындалуы тиіс. Кристалдануға қажетті аса құрғау немесе аса суыну температураның, концентрацияның, қысымның, фазааралық электр потенциалыныңтепе-теңдік мәндерінен ауытқуымен сипатталады.

Кристалдану - заттың аса суыған (құрғаған) аналық ортасынан еркін энергиясы төмен кристалдық күйге фазалық ауысуы. Бұл ауысу кезінде артық жылу кристалданудың жасырын жылуы түрінде бөлінеді. Осы жылудың бір бөлігі механикалық жұмысқа айналып, өсетін кристалл үстіне қойылған жүкті көтеріп, ондаған кгс/см ² қысымға шыдауы мүмкін. Жасырын жылудың бөлінуі балқыманы қыздырып, аса суынуды азайтады да, кристалдануды баяулатады. Нәтижесінде заттың қалыптасуы аяқталады немесе температурасы, қысымы және концентрациясы тепе-теңдік күйге көшеді. Аса суытылған орта кристалданбай, ұзақ уақыт орнықсыз күйде болуы мүмкін. Нашар суытылған булардан, ерітінділерден және балқымалардан пішіні көп жақты кристалдар алынады. Кристалдану процесі кристалл ұрықтарының түзілуі және әрбір ұрықтың әрі қарай өсуі деп аталатын екі кезеңнен тұрады. Кристалдану нәтижесінде минералдар пайда болады.

Кристалдану - металлургияда, шалаөткізгішті, оптикалық, пьезоэлектрлік, т. б. материалдарды алудың негізі. Ол химияда, тамақ, медицина өнеркәсіптерінде, тыңайтқыш, тұз, қант, т. б. өндіруде кеңінен пайдаланылады.

2) Кристалдану орталықтарының саны.

Балқытылған металда түзілген кристалдар саны және олардың өлшемдері кристалдың туындауы және өсу жылдамдығына тәуелді болады. Кристалдың туындау жылдамдығы деп - балқытылған металдың текше сантиметріндегі бірлік уақытта түзілетін кристалдану орталықтарының санын айтамыз.

Кристалдану сызаттары (Трещина кристаллизационная) - жік аумағында қыздыру, суыту жылдамдығының өзара алшақты болуынан жікте кристаллиттер аралығында сызаттану, тұтастығының бұзылуы орын алады.

Процесcтің физика-химиялық негіздері. Кристалдану мүмкіндігі, түрі мемлекеттік диаграммада анықталады, оған сәйкес жағдайлары. Соңғы жылдамдықпен жалғасты кристалдану үшін, бастапқы фазасы peresytit ЭБҰ жылы кристалдануы немесе сыртқы жасауға (қызып) переохлаждением керек. өріс р-белгіленуін кристаллизации сатысына азайтады. Переохлаждением (қатты қызып) немесе толығу фазасында жаңа кезеңіне пайда болып табылады - айналады көмегімен- кристалдану орталығы, қалыптастырады. және, әдетте, нысанын, қоспалар мен ақаулар мазмұнын өзгерту, кристалдардың айналдырды. Кристалдану орталықтары Тірек-styah шетелдік бөлшектердің (бастапқы ядролық) туралы, сондай-ақ жақын-стенд жаңа кезеңіне (орта ядролық) бұрын құрылған кристалдардың бастапқы фазасы және гетерогенді мөлшерінде гомогенді орын.

P-RA бірлігі көлемінде орын алған немесе балқытып жіберуі-1-зародышеобразования жалпы саны немесе олардың бастауыш және орта білім беру жалпы қарқындылығы, мына формула бойынша табылады:

онда-кинетикалық. фактор. үшін жә негізгі ядролық кинетикалық шеңберінде қарастырылады. жаңа кезеңін қалыптастыру теориясы; R - газ тұрақты; T - темп кристалдану; у-уд. еркін бетінің. энергия кристалдар; VT - жаңа кезеңін молярлық көлемі; Dm = DHS және S = (T0-7) / T0, AM = RT1n (S + 1) және Р-арықтан үшін S = (С-C0) / C0 еріп; DH-Кристалданудың энтальпия; C - аралдарда кристаллизации шоғырлануы; T0 және C0 - ACC. Temp аралдарда балқыту және SAT концентрациясы. R-RA; Eakt - кристалдану орталықтарының қоршаған ортаны молекулалардың көшу активтендіру энергиясы; IAT - бастапқы фаза үймелі орта зародышеобразования қарқындылығы. А, Eakt IVT өлшеу және м-RY, қанығу және қатты шетелдік бөлшектердің концентрациясы зародышеобразования қарқындылығын табу үшін. Мәні Iion бір немесе бірнеше арқылы өтеді. supercooling (толығу) және жүн бар артады арттыру үшін шыңдары Зависимость скорости зародышеобразования от переохлаждения расплава InSb

Ядролық бағамы қатты салқындауы InSb тәуелділігі: Мен 16 г балқымасының 9 минутқа балқу нүктесі T жоғарыда 15 К кварц тигель перегретого болды, содан кейін 1 град / мин жылдамдықпен салқындату салмағы; 2 20 секунд, 55 К, бірдей болып табылады.
УДЗ) немесе иондаушы сәуле әсерінен. Кристалдардың өсу тұрыңдар-ның кристаллитов құрылған сорып бірінші кристалданған, содан кейін оның кристалдық енгізілген. күшті supercooling тең ықтималдықпен тор, кез келген жерде оқшау STi (қалыпты өсу) бойынша төмен - тангенс бұрандалы дислокация немесе екі өлшемді ядросы (қабаты өсім) қалыптастырған қадамдар туралы қабаттар. Қандай сөз болуы мүмкін белгілі бір мәннен төмен болса, салқындату деп аталады. морфологиялық шегі. тұрақтылық, қалыпты жылу немесе концентрациясы (әдетте дөңгелектенеді) өсіп Кристалл пішінін мынадай. айналасында өріс және өсіп келе жатқан кристалды қабаттар многогранника нысанын бар. Дендриттік кристалдар (дендритов) артып бұл шектеуден асатын кезде. Сан оған қалыпты бағытта өз Bene-ның қозғалысы ставкасына тең сызықтық кристалды өсу қарқынын сипаттайды. - Кинетикалық IRMS = bSnehr (ПАО / RT), B: сызықтық өсу қарқыны (1 көлемі-рәміздер кристалл көлеміне тең саласындағы радиусы өсуі) және бітіруші тиімді пайдалану. фактор. өсуі (/ с 10-5-10-14 м), N-өсу параметрі (әдетте 1-3), EF - өсу активтендіру энергиясы (10-150 кДж / моль) . Параметрлер б, N және Ef түрлі т-шығындар мен толығу P-RA немесе переохлаждением балқыма кезінде IRMS өлшеу табылды. Арттыру supercooling IRMS И. М. үшін барынша ұқсас бар.

Орташа кристалды мөлшерін стандартты ауытқу жартысынан аз болса, соңғы аталған F Станд деп аталады. кең - бұл асып кеткен кезде, тар. Функциясы F (R, т) кристаллизация өзгерту ур-ды сипатталған:

жерде - коэффициенті. кристалдардың өсу қарқынының ауытқуы; Тұрақты және VR - ACC. фактор. қоршаған ортаға кристалдардың және диффузиялық жылдамдығы; IAR және Ip - ACC. аз бөлшектер мен кристалдардың крекинг коалесценцию байланысты осы мөлшерін кристалдар қалыптастыру қарқындылығы. Жүйелік ур-лық материалдық және жылу қалдықтар, теңдеу (2), сондай-ақ теңдеулер өлшемін және олардың нысаны, кемелсіздік және қоспалық мазмұнымен кристалдардың өсу қарқыны қатысты - бұқаралық кристалдану модельдеу және есептеу негізі мен жұқа таңдау. оны іске асыру үшін жағдайлар жасалуда. Бұқаралық кристаллизация үздіксіз сериялық режимінде жүзеге асырылады немесе. Кезде кезеңділікпен. балқыманың кристалдануы салқындатылған немесе отырдым отыр. RR (бу) р бірте-бірте буланады реагенттер өндірістік кристалдарды қалыптастыра (төмен. қараңыз) агент высаливание, немесе аралас пакеттік қосылды. Үздіксіз кристалдану жылы құйма Балқу ағындары енгізіледі, R-РА толығу немесе реагенттер үздіксіз тәркіленіп кристалды отыр. өнім. Кезде periodich. формула бойынша анықталады кристаллизация ставкасы кезінде: , онда R және V - тиісінше, қатты фаза және баяу бірінші (индукциялық кезең) жүйелік артады көлемінің тығыздығы, содан кейін R және F бір мезгілде ұлғаюы нәтижесінде күрт арттырады және максимум арқылы өтетін салдарынан төмендеуі IRMS үшін (3-сур. ) азаяды. Өсуі, агрегация және бөлшектемей және одан -osvaldovo құрылымдық пісіп және перекристаллизации - кристаллизация бағамының индукция және арттыру кезеңдерде жылдамдығы азайту кезінде зародышеобразования мен кристалдардың өсуі басым. Индукциялық кезең ядролық және кристалды өсуін жеделдету көмегімен- факторлар азайып отыр. Осылайша, балқыма салқындату бойынша бастапқыда, содан кейін төмендейді және салқындату жылдамдығы артты Скорость периодической кристаллизации