Кристалдану

1) Кристалдану
2) Кристалдану орталықтарының саны,
3) Кристалдану өсу жылдамдығы.
4) Пайдаланған әдебиеттер.

1) Кристалдану – кристалдардың булардан, ерітінділерден, балқымалардан, қатты күйдегі (аморфты және басқа кристалдық күйдегі) заттардан, электролиз процесі кезінде электролиттерден (электрлік кристалдану), сондай-ақ химиялық реакциядан пайда болуы. Кристалдану үшін алғашқы (аналық) ортаның термодинамикалық тепе-теңдігі бұзылуы, яғни ерітіндінің немесе будың аса құрғауы, балқыманың асқын суынуы және т.б. жағдайлар орындалуы тиіс. Кристалдануға қажетті аса құрғау немесе аса суыну температураның, концентрацияның, қысымның, фазааралық электр потенциалыныңтепе-теңдік мәндерінен ауытқуымен сипатталады.
Кристалдану – заттың аса суыған (құрғаған) аналық ортасынан еркін энергиясы төмен кристалдық күйге фазалық ауысуы. Бұл ауысу кезінде артық жылу кристалданудың жасырын жылуы түрінде бөлінеді. Осы жылудың бір бөлігі механикалық жұмысқа айналып, өсетін кристалл үстіне қойылған жүкті көтеріп, ондаған кгс/см2 қысымға шыдауы мүмкін. Жасырын жылудың бөлінуі балқыманы қыздырып, аса суынуды азайтады да, кристалдануды баяулатады. Нәтижесінде заттың қалыптасуы аяқталады немесе температурасы, қысымы және концентрациясы тепе-теңдік күйге көшеді. Аса суытылған орта кристалданбай, ұзақ уақыт орнықсыз күйде болуы мүмкін. Нашар суытылған булардан, ерітінділерден және балқымалардан пішіні көп жақты кристалдар алынады. Кристалдану процесікристалл ұрықтарының түзілуі және әрбір ұрықтың әрі қарай өсуі деп аталатын екі кезеңнен тұрады. Кристалдану нәтижесінде минералдар пайда болады.
Кристалдану – металлургияда, шалаөткізгішті, оптикалық, пьезоэлектрлік, т.б. материалдарды алудың негізі. Ол химияда, тамақ, медицина өнеркәсіптерінде, тыңайтқыш, тұз, қант, т.б. өндіруде кеңінен пайдаланылады.
2) Кристалдану орталықтарының саны.
Балқытылған металда түзілген кристалдар саны және олардың өлшемдері кристалдың туындауы және өсу жылдамдығына тәуелді болады. Кристалдың туындау жылдамдығы деп – балқытылған металдың текше сантиметріндегі бірлік уақытта түзілетін кристалдану орталықтарының санын айтамыз.
Кристалдану сызаттары (Трещина кристаллизационная) — жік аумағында қыздыру, суыту жылдамдығының өзара алшақты болуынан жікте кристаллиттер аралығында сызаттану, тұтастығының бұзылуы орын алады.
Процесcтің физика-химиялық негіздері. Кристалдану мүмкіндігі, түрі мемлекеттік диаграммада анықталады, оған сәйкес жағдайлары. Соңғы жылдамдықпен жалғасты кристалдану үшін, бастапқы фазасы peresytit ЭБҰ жылы кристалдануы немесе сыртқы жасауға (қызып) переохлаждением керек. өріс р-белгіленуін кристаллизации сатысына азайтады. Переохлаждением (қатты қызып) немесе толығу фазасында жаңа кезеңіне пайда болып табылады — айналады көмегімен- кристалдану орталығы, қалыптастырады. және, әдетте, нысанын, қоспалар мен ақаулар мазмұнын өзгерту, кристалдардың айналдырды. Кристалдану орталықтары Тірек-styah шетелдік бөлшектердің (бастапқы ядролық) туралы, сондай-ақ жақын-стенд жаңа кезеңіне (орта ядролық) бұрын құрылған кристалдардың бастапқы фазасы және гетерогенді мөлшерінде гомогенді орын.

1 «Радиациялық және плазмалық технологиялар» Кривобоков В.П. Даулетбекова А.К.