Транзистор туралы жалпы сипаттама


I КІРІСПЕ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 3
II Негізгі бөлім ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...4
1 ТРАНЗИСТОР ТУРАЛЫ ЖАЛПЫ СИПАТТАМА ... ... ... ... ... ... ... ... ... 4
1.1 Транзистордың шығу тарихы ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .4
1.2 Транзисторлардың түрлері ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .6
2 БИПОЛЯРЛЫҚ ТРАНЗИСТОРЛАР ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..
III ҚОРЫТЫНДЫ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..30
IV ПАЙДАЛАНЫЛҒАН ӘДЕБИЕТТЕР ТІЗІМІ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 31
Транзисторлар – екі р-n ауысуы бар жартылай өткізгішті құралдар. Оның қолданылу аясы барынша кең. Негізінен, транзисторлар импульстік техникада сигналдарды күшейту мен генерациялаудың түрлі схемаларында пайдаланылады. Транзистор өрістік (униполярлы) және биполярлы деп бөлінеді.
Биполярлық транзистор немесе транзистор деп электр тербелістерін күшейту мен генерация жасауға арналған және үш облыстан тұратын, кремний немесе германий пластинасы болып табылатын екі р-n-ауысуы бар, ал ортадағы аймақ қарама –қарсы түрдегі өткізгішті аспапты айтады.
Өндірісте жиі кездесетін биполяр транзисторы кезектесе орналасқан үш р – және n –аймақтарынан тұрады. Осы аймақтардың өз ара орналасуына байланысты олар n-р-n немесе р-n-р болып екіге бөлініп, схемаларда өздерінің шартты белгілерімен белгіленеді (1 - сурет) жартылай өткізгіш бөліктерінің әр қайсысынан ток жүретін электрондар шығарылады, ал олар Эмиттер (Э) коллектор (К) База (Б) деп аталады. Эмиттер – «шығарушы» деген ұғымды білдіреді, ол заряд бөлшектерімен қамтамасыз ететін электрод болып табылады; collector – коллектор – «жинаушы» ретінде эмиттерден шыққан заряд бөлшектерін жинайды. База заряд бөлшектерінің эмиттерден коллекторға қарай қозғалысын реттейді. Ол транзистордың реттеушы басқарушы электроды деп аталады.
Биполярлы транзистор электродтары – эмиттер, база, коллектор, сәйкесінше дала транзисторларынікі – сток, исток, затвор деп аталады. Қазіргі кезде транзисторлар өмірімізде түпкілікті орын алады. Аналогты және сандық құралдар құрамында бола отырып, олар электр құралдарының негізі саналады. Қолданылатын аялары: компьютерлер, күшейткіштер, электр кілттері, т.б.
1. Архипов Ю.В., АхметовЕ.А.и др. Общий физический практикум. Электричество и магнетизм.– Алматы:Қазақ университеті,1999.
2. А.К.Криштафович, В. В. Трифонюк. Основы промышленной электроники. — 2-е изд. — М.: "Высшая школа", 1985. — 287 с.
3. Калашников С.Г. Электричество. - М.: Наука, 1985.
4. Жеребцов И.П. Основы электроники. - Л.: Энергоатомиздат, 1989.
5. СугановТ.,ИкомаТ.,Такэйси Е.Введение в микроэлектронику.М.:Мир, 1988.
6. Козлов В.И.Общий физический практикум.Электричество и магнетизм-М.:Изд-воМГУ,1987.
7. Н.И.Овсянников Кремниевые биполярные транзисторы: Анықтамалық әдістеме. — Мн.: "Высшая школа", 1989. — 302 с.

Пән: Автоматтандыру, Техника
Жұмыс түрі:  Материал
Көлемі: 25 бет
Бұл жұмыстың бағасы: 1300 теңге
Таңдаулыға:   




МАЗМҰНЫ

I КІРІСПЕ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..3
II Негізгі бөлім ... ... ... ... ... ... ... .. ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..4
1 ТРАНЗИСТОР ТУРАЛЫ ЖАЛПЫ СИПАТТАМА ... ... ... ... ... ... .. ... ... ..4
1.1 Транзистордың шығу тарихы ... ... ... ... ... ... ... . ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .4
1.2 Транзисторлардың түрлері ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..6
2 БИПОЛЯРЛЫҚ ТРАНЗИСТОРЛАР ... ... ... ... ... .. ... ... ... ... ... ... ... ... ... .
III ҚОРЫТЫНДЫ ... ... ... ... ... ... .. ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..30
IV ПАЙДАЛАНЫЛҒАН ӘДЕБИЕТТЕР ТІЗІМІ ... ... ... ... ... ... ... . ... ... ... ... ...31

КІРІСПЕ

Транзисторлар - екі р-n ауысуы бар жартылай өткізгішті құралдар. Оның қолданылу аясы барынша кең. Негізінен, транзисторлар импульстік техникада сигналдарды күшейту мен генерациялаудың түрлі схемаларында пайдаланылады. Транзистор өрістік (униполярлы) және биполярлы деп бөлінеді.
Биполярлық транзистор немесе транзистор деп электр тербелістерін күшейту мен генерация жасауға арналған және үш облыстан тұратын, кремний немесе германий пластинасы болып табылатын екі р-n-ауысуы бар, ал ортадағы аймақ қарама - қарсы түрдегі өткізгішті аспапты айтады.
Өндірісте жиі кездесетін биполяр транзисторы кезектесе орналасқан үш р - және n - аймақтарынан тұрады. Осы аймақтардың өз ара орналасуына байланысты олар n-р-n немесе р-n-р болып екіге бөлініп, схемаларда өздерінің шартты белгілерімен белгіленеді (1 - сурет) жартылай өткізгіш бөліктерінің әр қайсысынан ток жүретін электрондар шығарылады, ал олар Эмиттер (Э) коллектор (К) База (Б) деп аталады. Эмиттер - шығарушы деген ұғымды білдіреді, ол заряд бөлшектерімен қамтамасыз ететін электрод болып табылады; collector - коллектор - жинаушы ретінде эмиттерден шыққан заряд бөлшектерін жинайды. База заряд бөлшектерінің эмиттерден коллекторға қарай қозғалысын реттейді. Ол транзистордың реттеушы басқарушы электроды деп аталады.
Биполярлы транзистор электродтары - эмиттер, база, коллектор, сәйкесінше дала транзисторларынікі - сток, исток, затвор деп аталады. Қазіргі кезде транзисторлар өмірімізде түпкілікті орын алады. Аналогты және сандық құралдар құрамында бола отырып, олар электр құралдарының негізі саналады. Қолданылатын аялары: компьютерлер, күшейткіштер, электр кілттері, т.б.
ТРАНЗИСТОР ТУРАЛЫ ЖАЛПЫ СИПАТТАМА

0.1 Транзистордың шығу тарихы

Транзистор (ағылш. transfer - тасымалдау және resistor - кедергіш) -- электр тербелістерін күшейтуге, оларды тудыруға және түрлендіруге арналып жартылай өткізгіш кристалл негізінде жасалған электрондық құрал. Электрондық лампасияқты қызмет атқаратын транзисторлар одан өлшемінің едәуір кішілігімен, электр энергиясын тұтынудағы аса үнемділігімен, механикалық аса беріктігімен және бүлінбей ұзақ жұмыс істейтіндігімен, бірден әсер етуге әзірлігімен ерекшеленеді.
Радиолампа орнына қолданылатын жартылай өткізгіш аспаптар (транзисторлар) негізінде жасалған өте кішкентай радиоқабылдағыштарды көбінесе транзисторлар деп дұрыс атамайды, оның дұрыс атауы -- транзисторлы қабылдағыш немесе транзистор негізінде жасалған қабылдағыш.
1956 жылы қос полярлық транзисторды ойлап шығарғандары үшін Уильям Шокли, Джон Бардин және Уолтер Браттейн физикадан Нобель премиясын алған болатын.
Ең бірінші транзистор алтын фольгасына оралған үшкір пластиктен, аз мөлшерде германийден тұратын. Көпшілік те, ғалымдар да бұл нәрсенің қалай істейтінін түсіндіре алмады, ол құрал арқылы тек радио тыңдады.
Алғаш өріс эффектсіне негізделген транзисторге патентті Канадада Julius Edgar Lilienfeld 1925 жылы 22 қазанда тіркеді. Бірақ ол өзінің құрылғысы туралы мәлімет таратпағандықтан, жетістігі ескерілмеді. Кейін, 1934 жылы неміс ғалымы Oskar Heil өріс эффектсіне негізделген басқа тразисторге патент алады.
1947 ж. желтоқсанның 16 Уильям Шокли (William Shockley), Джон Бардин (John Bardeen), Уолтер Брэттэйн (Walter Brattain) істейтін транзистор жасағандығы туралы хабарлады. Бұл кезде олар Bell Labs-та істейтін еді.

Алғашқы жұмыс істейтін транзистордың көшірмесі.

Bell Labs. патент алып, нарыққа шығады. Бірақ Bell Labs. барлық қиындықтарды жеңе алмай, 1952 жылы транзисторға патентті сатып жібереді. Сол уақыттан бері транзисторлар барлық жерде таралды.

1.2 Транзисторлардың түрлері

Биполярлық транзистор немесе транзистор деп электр тербелістерін күшейту мен генерация жасауға арналған және үш облыстан тұратын, кремний немесе германий пластинасы болып табылатын екі р-n-ауысуы бар, ал ортадағы аймақ қарама - қарсы түрдегі өткізгішті аспапты айтады.
Өндіресте жиі кездесетін биполяр транзисторы кезектесе орналасқан үш р - және n - аймақтарынан тұрады. Осы аймақтардың өз ара орналасуына байланысты олар n-р-n немесе р-n-р болып екіге бөлініп, схемаларда өздерінің шартты белгілерімен белгіленеді (1 - сурет) жартылай өткізгіш бөліктерінің әр қайсысынан ток жүретін электрондар шығарылады, ал олар Эмиттер (Э) коллектор (К) База (Б) деп аталады. Эмиттер - шығарушы деген ұғымды білдіреді, ол заряд бөлшектерімен қамтамасыз ететін электрод болып табылады; collector - коллектор - жинаушы ретінде эмиттерден шыққан заряд бөлшектерін жинайды. База заряд бөлшектерінің эмиттерден коллекторға қарай қозғалысын реттейді. Ол транзистордың реттеушы басқарушы электроды деп аталады.
Диффузиялық германий транзисторлары. Транзисторлардың өңдеуiнiң кезеңдерi ендi ерте керек өткелдiң жуандығының бақылауының басқа әдiсiнiң жоғары жиiлiктi мiнездемелердiң жақсартуы үшiн белгiлi болдыды. Мұндай әдiспен диффузияның әдiс болу болып саналды.Мән оны типыл тазалалған нәзiк Германия пластинкасы 650 болғанда екi сағат iшiнде шыдаған басүрмелер көздiң әсерiмен C. Процесстiң ластануларынанғы беттiң қорғаулары үшiн сутегiнiң тмосферасында жүргiзiледi.) мкм жуандықпен негiздi жiк 1 шамасында нәтижеде құрастырады.Алюмини эмиттерi OK тереңдiкке балқытады. 0, 5 мкм. Вакуумдағы шаңдануды пластинканың бетiне жолақтың 12 мкмге эмиттер сақтап қалушы түрiндегi негiздi байланысу келтiрiледi.Айнала екi жолақтардың содан соң германиы пластинкада меза қатарды болып қалғанын кетiредi - әрбiрi транзистордың белсендi элементтерiнде болатын құрылымдар.Номиналды шектi жиiлiктi 0,5 мкмдi базаларын уандықтың анында бұрынғы түрдiң құралға қарағандасы едәуiр көп 900 мгц жетедi. Бұл жетiстiк жоғары жиiлiктi транзистор өлшеулi схемаларды жобалауға мүмкiндiк бердi. Жоғары жиiлiктi германи транзисторлары байланыстың ерiктерiнiң электрондық схемалары және су асты кабелдерiндегiқолдануларын тапты. Германия үшiн дегенмен сол сияқты негiзiнен, диффузиялық роцесспен, және ол ағып кетудiңтоқтары шаманың реттерi қасында көп аз кремнимен ығыстыруға берiлетiн потенциалдық мүмкiндiктер iске асырылмады.
Екi полярлық планар транзисторлары. Қазiргi кремилiк планар екi полярлық транзисторлары дискреттi компоненттерге схемаларыдан электрондық өнеркәсiпке германиларын толық ығыстырайын деп қалдыды және германиды тiптi қолданылмайтындығынан интегралды схемалардағы кең қолданылады. Термин планар барлық өткелдер олар кремнидiң диоксидiнiң ықтындыл жiк бола алатын бетке шығатынын бiлдiредi. Термин екi полярлық және электрондар екi түрлердi сақтаушылардықолданылатынын бiлдiредi, және тесiк, дала транзисторларға қарағанда.қазiргi транзистордың пайда болуы болуы мүмкiн фотолитографияның арқасында табысты дамытуына болды, диффузия және кристаллдарды өсiру.Жалпы айтқанда, транзистор құрылымдарының екi түрлерi бар болады - көлемдi материалдан және эпитаксиаль.Бiрiншiсi шомбал кремниден пластинканың бетiнде жай ғана жасалады. Мұндай транзистор сол коллектордың үлкен бiртiндеп кедергiсiнiң ол кемшiлiк жағымсыз ауыстырып қосатын құрылымныңжағдайында алады.Бұл кемшiлiк эпитаксиаль материалының қолдануында ( қай транзистор құрылымы жасала алады) биiк меншiктi кедергiсi бар кремни, екпе үстiнен жуан күштi қоспасыз болат материал қабаттай қабаттай болмайды - нәзiк.
Эпитаксиаль транзисторлары. Эпитаксиаль технологиясы транзисторлардың жұмыс диапазонын кеңейтуге мүмкiндiк бередi, Кілттік әсiресе, кiшiрейту есебiнен коллектордың кiшiрейту есебiнен бiртiндеп кедергiсi. Ол өсiруде үстiненнiң (белсендi элементтердiңқұрастыруы үшiн жеткiлiктi) жартылай өткiзгiшi бастапқы (6-шы сурет) материал соның өзi қабаттай қабаттай негiзделгенқылдай.Бұл эпитаксиаль жiгi бастапқы кристалды құрылымның жалғасы болады, бiрақ транзистордың жұмысы үшiнқажеттi қоспалауды деңгеймен қажетті. Қабаттай - жүйедегi материалдардың мұқият таңдауы және ерекше ортақ тазалықтың сүйемелдеу талап ететiн өте күрделi процесс өсiру мүлтiксiз эпитаксиаль. Жiк бумен фазадан химия тұнбасының әдiсiмен өсiредi, SiCl4тiң кремниiнiң тетрахлоридының буларынан әдетте. Сонымен бiрге содан соң OKтың температурасының жанында төс етек бiлiгетiн таза кремниге дейiн SiCl4iн қалпына келтiрген сутегi қолданылады. Қабаттай - мкммин 1 шамасында өсудi С.жылдамдық эпитаксиаль, бiрақ ол реттеуге болады. Жұмыс камерасына қабаттай (nның қоспасы - түр) мышьяктердi ендiредi қоспалаулар үшiн, (n - түр) фосфор немесе (p - түр) Орман.Мысалы, бiр-ақ жiктер әдетте өсiредi, бiрақ басқа мағнада көп қабатты тиристорлардың жасауында, екi қабаттай - басқа pлар бiр nдер-шi - түр алады. Қабаттай жоғарғы вольтты тиристорлар үшiн 100 мкмге жоғары жиiлiктi транзисторлары үшiн бiрнеше микрометрлерден құрайды жуандықэпитаксиаль. Эпитаксиаль материалы күшейткiштер және электрондық кiлттер үшiн транзисторларды даярлауға мүмкiншiлiк бередi. Диффузияның жанында жартылай өткiзгiштiң барлық бетi арналған бiр қалыпты болған мезаструктуралардың технологиялары қарсы планар технологиясы диффузия талап етедi iрiктелдi.
Нүктелiк транзисторлар. Тоқтың көрiнетiн күшейтуiн алынуға мүмкiндiк берген бiрiншi құралмен Браттейннiң нүктелiк транзисторы және Бардина болды.Мұндай транзистор n Германия шақпағы болады - түр негiздi байланысу ролдi ойнайтын металлдық негiз дәнекерлелген.Эмиттер және коллектор байланысуларымен (3-шi сурет) германи элементiнiң қарсы жағына аяққысылған екi iстiктелген қола созушылықтары қызмет көрсетедi. Егер мұндай нүктелiк байланысулардың арасындағықашықтық (ондаған микрометрлер бiрнеше шамасында) аз жеткiлiктi, онда тоқтың бiрлiк артық күшейту коэффициентi алуға болады.Қанағатты эмиттер кез келген металлдан дерлiк жасауға болады, бiрақ жақсы коллектор мiндеттi түрде nның қоспасы болуы керек - түр. Коллектор байланысулары күштi тоқтың импульсiнiң коллектор қорытындысына берулермен қалыптасады. Үлкен жылдамдықпен созушылықтары бұл мыста nның материалына сiңiредi - (германи ) коллектордың түрi және ептеген облыста оның материалpсына айналдырады - түр.Қоспаны баяу сiңiретiн материал айтамыз, фосфор ) байланысудан тiкелей жақындықта nның германиына материал жаңадан айналдырады - түр. Pnpnның құрылымы нәтижеде құрастырады - (коллектор қақпаны бар транзистор) транзистор. Құрылымның білімін нүктелік транзистордың жұмыс баяндаушы теориясы, өте қолайлы көрсетті.
Нүктелiк транзисторлар жасауда қиын жаңадан өндiрiлетiн болды және уақытында аумалы. 1949 Шоклиге қашан p-nмен транзистордың өз теориясын жариялады - өткелдермен, зерттеушiлердiң ықыласы екпе өткелдерi бар транзисторларға ауыстырып қосты.
Ағызатын жазықтық транзисторлар. Ағызатын жазықтық транзистор әртүрлi тараптарда Индиядан эмиттер және коллектор жасаушы екi түйiршiктерi балқытқан нәзiк Германия пластинкасын болады. Аймақтық теңестiру. Керек сапаның бастапқы материалы аймақтық тазартуды әдiстiң бiр түрiмен санауға болатын аймақтық теңестiруд iәдiспен алады. Жазмыштан озмыш жоқ графит қайығында поликристаллиялық Geларды кесек қысылған бағдарлалған ашытқы Германия кристаллы тиiстi түрлермен сыйғызып салады. Шүрпiлерi кесегiнiң шетiнде жақтан қабаттасқан (n - түр) ептеген Германия пластинкаларымен оларда тiлiгiнде болады сүрме қоспасыз болат. Индукция катушкасы көмегiмен сүрме қоспасыз болат материалдың ерiтiлмелi аймағының кесегi бойынша бiр рет өтулердi жүзеге асырады. Аймақтың суулары майданда қанша nның базасының тиiстi меншiктi кедергiсiнiң алуы үшiн - түрболса, сонша сүрменi тегiс болып қалады.
Өрістік (арналық) транзистор - жұмыстық токтың өзгеруі кіріс сигналы тудыратын, оған перпендикуляр бағытталған электр өрісі әрекетінен болатын транзистор. Өрістік транзисторларда кристалл арқылы өтетін токты тек бір таңбалы заряд тасушы - электрон немесе кемтік тудырады. Заряд тасушыларды басқаруға негізделетін физикалық эффектілерге қарай өрістік транзисторлар шартты түрде 2 топқа: басқаратын р-п электрон-кемтіктік ауысуы бар немесе металл-шалаөткізгіш түйіспелі, оқшауланған, жапқылы металл-диэлектрик-шалаөткізгіш (МДШ) транзисторлар деп бөлінеді.
Басқарушы р-п ауысуы бар өрістік транзисторлар - бекітпесі электрлік тұрғыда р-п ауысыз мен арнадан жекеленген, кері бағытта ауытқыған өрістік транзистор.
Арнаға заряд тасымалдағыштарын кіргізетін электрод - бастауда; арнадан заряд тасымалдарын шығаратын электрод құйма д.а; арнаның көлденең қимасын реттеуге арналған электрод - бекітпе деп аталынады. Бастауға ( n арналған үшін) теріс, ал құймаға оң кернеу берген кезде арнада бастаудан кұймаға қарай бет алған электрондарын, яғни негізгі заряд тасымалдағыш транзистордың қозғалысы нәтижесінде қалыптасқан электр тоғы пайда болды. Заряд тасымалдағыштарының электронды кемтіктік ауысу арқылы қозғалысы өрістік транзистордың тағы бір ерекшелігі болып табылады. Бекітпе және арка арасында пайда болған электрлік өріс арнадағы заряд тасымалдағыштарының тығыздығыны, яғни ағып өтетін тоқ шамасын өзгертеді. Басқару кері ығысқан р-п ауысуы арқылы орындалатындықтан басқарушы электрод пен арна арасындағы кедергі жоғары болды да, ал бекітпе тізбгінде сигнал көзінен тұтынатын қуат өте аз болады. Сондықтан өрістік транзистор электромагниттік тербелістерді қуат бойынша, тоқ бойынша сондай-ақ тернеу бойынша күшейте алады.
Оқшауланған бекітпесі бар өрістік транзистор - бекітпесі электрлік тұрғыда арнадан диэлектрик қабаты арқылы бөлінген. Оқшауланған бекітпесі бар өрістік транзисторлар айтарлықтай жоғары меншікті кедергісі бар шалаөткізгіш пластинадан тұрады, мұнда қарама-қарсы бағытта электр тоғын өткізетін екі аймақ қалыптасқан. Бұл аймаққа металлдық электродтар еңгізілген - бастау және құйма. Бастау мен құйма арасындағы шалаөткізгіштің үсті жұқа қабатты диэлектрикпен (әдетте, оксид кремний қабатымен) жабылған. Диэлектрик қабатына металлдық электрод еңгізілген - бекітпе. Нәтижесінде металлдан, диэлектриктен және шалаөткізгіштен тұратын құрылым пайда болады. Сондықтан оқшауланған бекітпесі бар МДП- трпнзисторлар немесе МОП транзисторлар (металл-оксид- шалаөткізгіш (полупроводник)) д.а.
Индуцирленген арнасы бар МДП транзистрлардың қатты біріккен бастау мен құйма арасындағы өткізгіш арна, яғни тоқ нақты 1 өрістілік кезінде немесе бастаумен байланысқан бекітпедегі кернеудің нақты мәнінде (p-арнада теріс, n арнада оң болатын) пайда болады. Бұл кернеу (Uбекітпе бастау таб) табылдырықтық кернеу деп аталады. Индуцирленген арнадағы өткізгіш қабілетінің пайда болуы және өсуі негізгі заряд тасымалдағыштарының көбеюіне байланысты.

1 БИПОЛЯРЛЫҚ ТРАНЗИСТОРЛАР

Биполярлық транзисторлар деп екі р-n-ауысуы және үш не одан да көп шығуы бар жартылайөткізгіштік аспапты айтамыз.Бұл жартылайөткізгіштік кристаллы бар бөлшегін құрайды,онда біртипті электроөткізгіштік қасиеті бар екі шеткі аймақтары,қарам қарсы электроөткізгіштік қасиеті бар аймағымен бөлінген.Осы үш аймақтың электроөткізгіштігіне байланысты,n-p-n және p-n-p типті транзисторларды ажыратады.Олардың қосу сұлбалары және шартты графикалық белгіленуі УГО,4.1 суретінде көрсетілген. биполярлықсөзінің терминің мағынасы: транзисторлардың жұмыс істеуінде заряд тасымалдаушылардың тесіктер мен электрондардың рөлідері аса жоғары.Транзистордың үш электродтардың атаулары: коллектор, база және эмиттер. Дұрыс қосылу кезінде, транзистор арқылы өтетін бүкіл тоқтардың бағыты, шартты графикалық белгіленуінде көрсетілген бағытымен сәйкес болу керек. Бұл жағдайда "база-эмиттер" ауысуы,ашық диод ретінде жұмыс істейді,ал "база-коллектор" ауысуы, кері кернеуде болады,яғни жабық.

4.1Суреті - Биполярлық транзисторы, n-p-n және p-n-p құрылысымен

Шың транзисторларда, р-n-ауысуыларыдың айырмашылықтары болады. Кейбіреулердің аумағы,басқалардың аумақтарына қарағанда үлкендеу болады,одан басқа шың транзисторларда қоспа концентрацияларында асимметрия байқалынады.Бір шеткі қабаты легироваланған болатын,соңдықтан басқа қабатқа қарағанда күштірек болады.Транзистордың ортаңғы қабаты базой деп аталады.Шеткі қабаты,яғни қатты лигироваланған қабатың эмиттер деп атаймыз,осыған орай n - р-ауысуын эмиттердік деп атаймыз, ал аумағы үлкендеу болатын қабатың,бірақ эмиттерге қарағанда аз лигироваланған қабатың - коллектор деп атаймыз, ал ауысуын - коллекторлық деп атймыз,яғни қортындылап айтқанда щың биполярлық транзисторлар - асимметриялық аспаптар болып табылады.
Транзистордың әр р-n-ауысуына тура және кері кернеу берілу міүмкін.
Осыған орай, транзистордың төрт жұмыс істеу режимі болады:
- болшектеу режимі - екі ауысуына кері кернеу беріледі;
- байыту режимі - екі ауысуына тура кернеу беріледі;
- активті режимі - эмиттердік ауысуына тура кернеу беріледі,ал коллекторлық ауысуына кері кернеу беріледі.
- инверстік режимі - эмиттердік ауысуына кері кернеу беріледі, ал коллекторлық ауысуына тура кернеу беріледі.
Транзистордың n-p-n активтік режимнің жұмысы 4.1суретте көрсетілген.Тоқ көзі Uбэ ,эмиттердік ауысуына тура бағытта қосылған ( - эмиттердегі таңбасы), және эмиттердік ауысуы арқылы тура тоғы өтеді. Сонымен қатар мұнда эмиттерден,базға электрондар инжектерланады, ал баздан эмиттерға - тесіктер инжектерланады.Транзистордың "база-эмиттер"
ауысуы, тура бағытта қосылған диод сияқты жұмыс істейді.База мен эмиттер арасында болатын кернеудін мәні Uбэ 0,60,8 В аспауға тиіс, өйткені,егер бұл шарт орындалмаса,онда ауысуы арқылы өтетін тоғы аса жоғары мәнге өседі.
Бірақ эмиттер,базаға қарағанда жоғары лигироваланған болатындықтан, электрондардың ағыны тесіктер ағынынан көбірке болағандықтан, транзисторда болатын процестерді ол шешеді. из Эмиттердан инжектирланған электрондары,базда негізгі емес заряд тасушылары болып табылады,олар диффузия көмегімен қозғалады,яғни базаның көлемінде біркелкі орналасуға тырысады. Базаның қалындығы аз болғандықтан ,көп электрондар рекомбинацияланбайды,осыдан коллекторлық ауысуына жетеді.
Коллекторлық ауысуы жанында,электрондардың ағыны,электро өрістін әсеріне және кері ауысуына түседі,осының нәтижесінде коллекторлық ауысуы арқылы электрондардың тездетілген дрейф пайда болады.
Коллекторда электрондар негізгі заряд тасымалдаушылары болады және олар транзистордың ішкі тізбегінде тоқты тудырып, коллекторлық шығуына тез арада жетеді. Коллекторлық ауысуы арқылы электрондардың дрейфі,база аумағында концентрациясын төмендейді, осының нәтижесінде эмиттер арқылы инжектерланған электрондар ағынымен бағытталған диффузияны тудырады,бірақ электрондардың біраз бөлігі,база аумағында рекомбинацияланады. Сондықтан эмиттердік ауысуы арқылы өткен электрондар, коллекторлық ауысуына жетеді. Осының нәтижесінде коллекторлық тоғы IК ,эмиттер тоғына қарағанда IЭ аз болады. Базада электрондардың рекомбинациясы,базаның ішкі тізбегінде тоқ тудырады - ток базы IБ.
Эмиттердық, коллекторлық және базалық тоқтар арасында мынандай қатынасы болады:

IЭ = IК + IБ

Эмиттердік тоғының беру коэффициенті тең болады:

α = ΔIК ΔIЭ,

яғни бұл коэффициенті,жаңадан ... жалғасы
Ұқсас жұмыстар
Транзистор
Тиристор туралы жалпы сипаттама
Жартылай өткізгіштер туралы жалпы сипаттама
Биполяр транзистор
Диод туралы жалпы сипаттама
Микропроцессор туралы жалпы сипаттама
Салық туралы жалпы сипаттама
Банк туралы жалпы сипаттама
Биполярлы транзистор
Микропроцессорлық жүйе туралы жалпы сипаттама
Пәндер
Көмек / Помощь
Арайлым
Біз міндетті түрде жауап береміз!
Мы обязательно ответим!
Жіберу / Отправить

Рахмет!
Хабарлама жіберілді. / Сообщение отправлено.

Email: info@stud.kz

Phone: 777 614 50 20
Жабу / Закрыть

Көмек / Помощь