Жартылай өткізгіштердің зоналық теориясы


Кіріспе.

І. тарау. Жартылай өткізгіштердің зоналық теориясы.
1.1. Қатты денелердің зоналық теориясы
1.2. Жартылай өткізгіштер
1.3. Жартылай өткізгіштердің меншікті өткізгіштігі
1.4. Жартылай өткізгіштердің қоспалы өткізгіштігі


Қорытынды.

Пайдаланған әдебиеттер тізімі.
“Жартылай өткізгіштердің электр өткізгіштігін зерттеу ” тақырыбында жазылған дипломдық жұмыста қазіргі заманымызға сай, ғылым мен техниканың даму жағдайына байланысты, радиоэлектроникада қажетті ғылыми жұмыстар жасалған.
Бәрімізге белгілі, жартылай өткізгіштерсіз электротехникалық құралдардың алға басуы мүмкін емес, осыған байланысты дипломдық жұмысты осындай тақырыпта таңдау, автордың ғылымға деген құштарлығы барын көрсетеді.
Қазіргі кезде жартылай өткізгіштерді оптикалық тәсілдермен зерттеу ең тиімді тәсіл. Себебі бұл тәсіл арқылы электрондардың, кемтіктердің коллективті әсерлесуінен көп мағұлмат алады. Сонымен бірге бұл тәсіл арқылы жартылай өткізгіштердің зоналық құрылыстарын және жартылай өткізгіштердің электрофизикалық қасиеттерін зерттеп, бұл зерттеген қасиеттерді практикада қолдануда үлкен орын алады.
Жартылай өткізгіштер көбіне қатты денелерден және химиялық қоспалардан тұрады. Осыған байланысты олардың құрылысы күрделі болып келеді. Жартылай өткізгіштер құрылысына қарай металдың да, диэлектриктің де қасиеттерін көрсете алады. Металдарда температура өскенде, кедергісі артады, ал жартылай өткізгіштерде керісінше азаяды. Міне сол сияқты жартылай өткізгіштердің электр өткізгіштігіде металдардан өзгеше. Жартылай өткізгіш сыртқы электр өрісінде болса, осы өріс әсерінен еркін электрондар өріске қарсы бағытта қозғалады, екінші жағынан жылулық қозғалыс әсерінен кейбір электрондар өріске қарсы қозғалады. Жалпы келгенде электрондар өрістің әсерінен реттелген қозғалысқа түсіп, дрейфтік қозғалыс жасайды, жартылай өткізгіш арқылы электр өрісі бағытында еркін электрондар тобы азаяды. Негізінде қоспасы жоқ таза жартылай өткізгіштерде электронның және кемтіктік электр өткізгіштік жүзеге асады. Осыған байланысты жартылай өткізгіштерде электр тоғы екі құраушымен бірдей бағытталған электрондық және кемтіктік токтармен анықталады. Кейбір жартылай өткізгіштердің электр өткізгіштігін энергетикалық ұғымдармен түсіндіруге болады.
Айтылған фактілерді ескере отырып дипломдық жұмыста жартылай өткізгіштердің электр өткізгіштігін эксперименттік және теориялық зерттеулер жүргіздік. Ол үшін бірнеше шетелдік әдебиеттерді қарастырдық. Қарастырылғын эксперименттік жұмыстарды мұхият зерттеп, теориялық есептеулермен салыстырдық. Дипломдық жұмыста теориялық жолмен есептелген графиктер келтірілген.Қорыта айтқанда теориялық жолмен есептелген нәтижелер эксперименттік нәтижелермен сәйкес келіп отырды.
1.E.J.Elliot, Symmetry of exciton in Cu2O.Phys.Rev. 124, 340-343 (1961).
2.Е.Ф.Гросс. Экситон и его движение в кристаллической решетке. УФН. 76, 433-439 (1962).
3.M.Hayashi. Absorbtion spectrum of Cuprous oxide. J.Phys. Soc. Japan 5, 380-385 (1950).
4.S.Nikitine, Experimental investigiation of txciton spectrum in ionic crystals.Phys. Mag. 4,1-5 (1959).
5.М.С.Бородин,М.И.Страшникова,Энергетическая структура кристалла CdS и фирма его экситонных полос, УВЖ 15, 705-710 (1970).
6.J.J.Hopfield, D.G.Thomas, Exciton spectrym of Cadmium sulfide, Phys.Rev. 116,573-580 (1959).
7. J.J.Hopfield, D.G.Thomas, A magneto-Stark effect and extion motion in CdS,Phys. Rev.124.657-660 (1961).
8. С.А.Москаленко,М.И.Шмиглюк, Об энергетическом спектре экситонов в кристаллах типа CdS,ФТТ 6, 3535-3540 (1964).
9. J.J.Hopfield, D.G.Thomas, Direct observation of excition motion in CdS.Phys. Rev. Letts 5, 605-610(1960).
10. П.С.Киреев.Физика полупроводников.«Высшая школа» М.1975.
11. B. Velicky,I.Sak. Elektronic effects in interband absorbtion of semiconductors, Phys. Stat. Sol. 16,147-151 (1966).
12. J.J.Hopfield, D.G.Thomas. Fine spectrum and magneticoptic effect in extion spectrum of Cadmium Sulfide. Phys. Rev. 122.35-40 (1960).
13. H.Halt, J.Bardeen, E.J.Blatt, Infrared observation spectrum of Cermanium, Phys. Rev. 95, 559-565 (1954).
14. П.В.Павлов, А.Ф.Хохлов, Физика твердого тела.«Высшая школа»М.2000.
15.M.Gerhenson, D.L.Thomos. R.E.Diez. Radiative transitions near the band edge of Callium phosphide, Proc. Intern. Conf. Phys. Semiconductors, London, 1962. p. 752-760.
16. А.И.Ансельм Введение в теорию полупроводников. М. Наука. 1965.
17. Н.Р.Семчуков «Эффект передающих фононов в арсениде галлия». Канд.диссертация, СО АА СССР, Новосибирск,1976.
18. А.С. Давыдов. Теория твердого тела. «Наука» М.1976.
19. Физика твердого тела. Под. Редакции. И.К. Верещагина. .«Высшая школа»М.2001.
20. С.А.Москаленко, К.Б.Толпыго. Об энергетическом спектре экситона Мотта в ионных кристаллах.ЖЭТФ 36, 149-156. 1959.

Пән: Автоматтандыру, Техника
Жұмыс түрі:  Курстық жұмыс
Тегін:  Антиплагиат
Көлемі: 15 бет
Таңдаулыға:   
Бұл жұмыстың бағасы: 900 теңге

бот арқылы тегін алу, ауыстыру

Қандай қате таптыңыз?

Рақмет!






ЖОСПАР

Кіріспе.

І- тарау. Жартылай өткізгіштердің зоналық теориясы.
1.1. Қатты денелердің зоналық теориясы
1.2. Жартылай өткізгіштер
1.3. Жартылай өткізгіштердің меншікті өткізгіштігі
1.4. Жартылай өткізгіштердің қоспалы өткізгіштігі

Қорытынды.

Пайдаланған әдебиеттер тізімі.

Кіріспе

“Жартылай өткізгіштердің электр өткізгіштігін зерттеу ” тақырыбында
жазылған дипломдық жұмыста қазіргі заманымызға сай, ғылым мен
техниканың даму жағдайына байланысты, радиоэлектроникада қажетті
ғылыми жұмыстар жасалған.
Бәрімізге белгілі, жартылай өткізгіштерсіз электротехникалық
құралдардың алға басуы мүмкін емес, осыған байланысты дипломдық жұмысты
осындай тақырыпта таңдау, автордың ғылымға деген құштарлығы барын
көрсетеді.
Қазіргі кезде жартылай өткізгіштерді оптикалық тәсілдермен зерттеу
ең тиімді тәсіл. Себебі бұл тәсіл арқылы электрондардың, кемтіктердің
коллективті әсерлесуінен көп мағұлмат алады. Сонымен бірге бұл тәсіл
арқылы жартылай өткізгіштердің зоналық құрылыстарын және жартылай
өткізгіштердің электрофизикалық қасиеттерін зерттеп, бұл зерттеген
қасиеттерді практикада қолдануда үлкен орын алады.
Жартылай өткізгіштер көбіне қатты денелерден және химиялық
қоспалардан тұрады. Осыған байланысты олардың құрылысы күрделі болып
келеді. Жартылай өткізгіштер құрылысына қарай металдың да, диэлектриктің
де қасиеттерін көрсете алады. Металдарда температура өскенде, кедергісі
артады, ал жартылай өткізгіштерде керісінше азаяды. Міне сол сияқты
жартылай өткізгіштердің электр өткізгіштігіде металдардан өзгеше. Жартылай
өткізгіш сыртқы электр өрісінде болса, осы өріс әсерінен еркін электрондар
өріске қарсы бағытта қозғалады, екінші жағынан жылулық қозғалыс әсерінен
кейбір электрондар өріске қарсы қозғалады. Жалпы келгенде электрондар
өрістің әсерінен реттелген қозғалысқа түсіп, дрейфтік қозғалыс жасайды,
жартылай өткізгіш арқылы электр өрісі бағытында еркін электрондар тобы
азаяды. Негізінде қоспасы жоқ таза жартылай өткізгіштерде электронның
және кемтіктік электр өткізгіштік жүзеге асады. Осыған байланысты жартылай
өткізгіштерде электр тоғы екі құраушымен бірдей бағытталған электрондық
және кемтіктік токтармен анықталады. Кейбір жартылай өткізгіштердің электр
өткізгіштігін энергетикалық ұғымдармен түсіндіруге болады.
Айтылған фактілерді ескере отырып дипломдық жұмыста жартылай
өткізгіштердің электр өткізгіштігін эксперименттік және теориялық
зерттеулер жүргіздік. Ол үшін бірнеше шетелдік әдебиеттерді қарастырдық.
Қарастырылғын эксперименттік жұмыстарды мұхият зерттеп, теориялық
есептеулермен салыстырдық. Дипломдық жұмыста теориялық жолмен есептелген
графиктер келтірілген.Қорыта айтқанда теориялық жолмен есептелген нәтижелер
эксперименттік нәтижелермен сәйкес келіп отырды.

I-тарау

ЖАРТЫЛАЙ ӨТКІЗГІШТІҢ ЗОНАЛЫҚ ТЕОРИЯСЫ
2.1.Қатты денелердің зоналық теориясы

Кристалдың энергиялық зоналары кристалдағы еркін электрондарға
жақын валенттік электрондардың энергиясы квазиүздіксіз өзгеретінін
байқаймыз. Бұл рұқсат етілген зонаның энергиясының спектрі көптеген жақын
орналасқан дискретті деңгейлерден тұратынын көрсетеді. Шын мәнісінде
кристалдың валенттік электрондары еркін қозғалып жүрмейді. Оларға тордың
өрісі периодты түрде әсер етеді. Бұл жағдай валенттік электрондардың
энергиясының мүмкін деген мәнінің спектрі бір қатар ауысып отыратын рұқсат
етілген және тыйым салынған зоналарға жіктеледі деген пікірге келтіреді
(1.1-сурет). Рұқсат етілген зоналар шегінде энергия квазиүздіксіз өзгереді.
Ал тыйым салынған зоналарға тиісті энергияның мәндері іске асырылмай
қалады.[1].

1.1 - сурет
1.2- сурет
Зоналардың пайда болуын түсіну үшін атомдардың кристалға бірігу процесін
көз алдымызға келтірейік. Айталық, әуелде кез-келген заттың N жекеленген
атомдары бар болсын. Атомдар бір-бірінен жекеленіп тұрғанда, олардың
энергиялық денгейлерінің схемалары толығымен дәл келеді. Атомдар бір-біріне
жақындаған сайын, олардың арасындағы өзара әсерлесулер күшейе түседі де,
деңгейлердің жағдайын өзгертуге әкеліп соғады. Деңгейлері бірдей N
атомдардың орнына, бір-біріне өте жақын, бірақ дәл келмейтін N деңгейлер
пайда болады. Сонымен, кристалдағы жекеленген атомның әрбір деңгейі N жиі
орналасқан деңгейлерге жіктеледі, соның нәтижесінде жолақ немесе зона
түзіледі.
Әр түрлі деңгей үшін жіктелу шамасы бірдей болмайды. Атомдардың сыртқы
электрондармен толған деңгейлерінде ауытқуы күшті байқалады. Ішкі
электрондармен толған деңгейлерде ауытқулар шамалы болады. 1.2-суретінде
деңгейлердің жіктелуі атомдардың ара қашықтығы r-дің функциясы түрінде
көрсетілген. Бұл схемадан кристалдың ішкі электрондармен толған
деңгейлерінің жіктелуі аз екендігі көрініп тұр. Тек валенттік
электрондармен толған деңгейлердің жіктелулері ғана анық байқалады. Мұндай
жіктелулерге атомның негізгі күйінде электрондар орналаспаған жоғары
деңгейлері де ұшырайды. Кристалдағы көрші атомдардың арасындағы тепе-теңдік
қашықтықтарының атомдардың нақты қасиеттерінен тәуелділігіне r1 түріне, не
r2 түріне байланысты болуы мүмкін. Атомның көрші деңгейлерінен пайда
болған, рұқсат етілген r1 түріндегі зоналардың аралығында, тыйым салынған
(рұқсат етілмеген) зоналар болады. Суреттегі г2 түріндегі қашықтықта
зоналардың бірін-бірі жабуы байқалады. Мұндай араласып кеткен зоналардың
деңгейлерінің саны, атомның екі деңгейінің жіктелгеніндегі деңгейлердің
санының қосындысына тең болады.[2].
Энергия деңгейлерінің зоналық құрылымы периодты күйі өрісінде
қозғалатын электрон үшін тікелей Шредингер теңдеуінің шешуінен алынады. Бұл
өріс кристалдық тор арқылы жасалады. Тордың өрісін ескеретін Шредингер
теңдеуінің түрі мынадай болады

мұндағы U -функциясының мынандай қасиеттері бар:

(а, в, c- х, y, z өстері бойындағы тордың периодтары). Блохтың дәлелдеуі
бойынша, потенциалы периодты болатын Шредингер теңдеуінің шешуін мына түрде
жазады
, (1.1)
мұндағы — потенциалының периодтылығы бар функция, яғни тордың
периодтылығының функциясы. (1.1) теңдеуінің шешулерін Блохтың функциялары
деп атайды.

1.3-сурет 1.4 -
-сурет
Еркін электрондарға жақындаған сайын электронның энергиясының
толқындық санынан (толқындық вектор модулінен) тәуелділігі 1.3-суретінде
көрсетілген графикпен суреттеледі. Энергияның мәндері бір ізді
квазиүздіксіз болады. Демек, - нің графигі дискретті нүктелерден
тұрады. Алайда, бұл нүктелер өте жиі орналасқандықтан, біз ол нүктелерге
қарағанда, тұтас қисыққа ұласқанын көреміз.
Өріс периодты болған жағдайда, W - нің k - дан тәуелділігі 1.4-
суретіндегідей болады. Суретке қарағанда, тұтас сызықтармен кескінделген
квазиүздіксіз өзгеретін энергияның зоналары (рұқсат етілген зоналар) тыйым
салынған зоналармен алмасып отыратындығы көрінеді. Әрбір рұқсат етілген
зона жақын орналасқан дискретті деңгейлерден тұрады. Олардың саны кристалл
үлгідегі атомдар санына тең.
Қарастырылатын k - кеңістік аймағының ішінде, кристалдың
электрондарының энергиясының квазиүздіксіз өзгеруін, Бриллюэна зонасы
дейді. Зона шекараларында энергия үзіліске ұшырайды. 1.4-суреті бір өлшемді
кристалл болған жағдайдағы Бриллюэн зоналарын бейнелейді. Үш өлшемді
кристалдар үшін Бриллюэн зоналарының шекаралары тұйық, көп қырлы бет
болады. Олар бірінің ішіне бірі қамалады. W –нің тиісті мәні -ке тең
болғанда, -кеңістіктегі (немесе р - кеңістіктегі) изоэлектрондық
бетті Ферми деңгейі деп атағанымызды еске салайық. Еркін элекрондар
жағдайында бұл бет сфера түрінде болады. Металдың өткізгіштігінің
электрондары үшін бетінің пішіні кристалдық тордың қасиетінен тәуелді және
түрі күрделі, кейде таңқаларлық болады. Бірқатар металдар үшін Ферми
деңгейінің пішіні тәжірибе жүзінде өте үлкен дәлдікпен анықталады.[3]
Ферми деңгейі металдың ең маңызды сипаттамасы болып табылады. Бұл
беттің пішіні, энергиясына жақын энергиясы бар, электрондардың
қозғалыс сипатын анықтайды. Электрондардың қозғалыс сипаты, осыған ұқсас
магнит өрісінің металға әсері кезінде байқалатын, әр түрлі құбылыстардың
физикасын анықтайды.
Сонымен, кристалдағы валенттік электрондардың мүмкін деген энергиялық
мәндерінің спектрі бірқатар рұқсат етілген және тыйым салынған зоналарға
жіктеледі. Демек, кристалда атом неғұрлым көп болса, соғұрлым зоналардағы
деңгейлер бір-біріне жақын тығыз орналасады. Рұқсат етілген зонаның енінің
шамасы бірнеше электровольтқа тең болуы керек. Сондықтан, егер кристалдың
атомдары болса, онда зонадағы көрші деңгейлердің арасы шамамен
~ эВ-қа тең екендігі шығады.
Әрбір энергия деңгейі k - нің белгілі мәніне жауапты. Кванттық caн
екі мән қабылдай алатын болғандықтан, кез-келген рұқсат етілген
деңгейде, қарама-қарсы спиндері бар екі электрон болуы мүмкін.
Энергиялық зоналар тұрғысынан алғанда металдардың, жартылай
өткізгіштердің және диэлектриктердің бар болуы туралы бірдей көзқараспен
түсіндіруге болады.
Атомның, негізгі күйінде валенттік электрондары орналасқан деңгейден
пайда болған рұқсат етілген зонаны, біз валенттік зона деп атаймыз. Абсолют
нөлде валенттік электрондар қос-қостан төменгі деңгейдің валенттік
зоналарын толтырады. Одан жоғары рұқсат етілген зоналар электрондармен
толмаған, бос болады. 1.5-суретінде валенттік зоналардың электрондар толу
дәрежесінің және тыйым салынған зонаның енінің үш мүмкін деген жағдайының
тәуелділігі келтірілген. 1.5, а-суретінде электрондармен валенттік зона
толығымен толтырылмаған. Сондықтан да жоғары деңгейдегі электрондарға өте
аз ғана энергия берсе онда олар одан да жоғары деңгейге оңай көше
алады. Жылулық қозғалыстың kT энергиясы 1К-де эВ шамасындай болады.
Демек, абсолют нөлден айрықша температурада, электрондардың, біршама бөлігі
жоғарғы деңгейге көшеді. Сөйтсек, электр өрісінің электронға әсерінен пайда
болған энергияда да, электрондарды жоғары деңгейге көшіруге жеткілікті
болады екен. Сондықтан электрондар электр өрісінде үдетіледі және өрістің
бағытына қарсы бағытта қосымша жылдамдық алады. Міне, осындай схемалы
энергиялық денгейлі кристалл металдарға жатады.

1.5- сурет.

1.5-суретінің б және в жағдайларында валенттік зонаның деңгейлерінің
бәрі электрондармен толған. Электрондардың энергиясын көбейту үшін оған
қосымша берілетін энергияның шамасы тыйым салынған зонаның ені -ден
кіші болмауы керек. Электр өрісінің (мынадай кернеулік жағдайында кристалды
электрлік тесіп өту болмайды) электронға мұндай энергия беруге ешқандай
мүмкіндігі жоқ. Бұл шарт бойынша кристалдың электрлік қасиеті тыйым
салынған зонаның енімен анықталады. Егер оның ені онша үлкен болмаса
(бірнеше ондаған электрон вольт шамасында), онда жылулық қозғалыстың
энергиясы электрондардың белгілі бір бөлігін жоғарғы деңгейге көшіруге
шамасы келеді. Бұл электрондардың жағдайы металдағы валенттік
электрондардың жағдайына ұқсас. Еркіндік зонасы енді олар үшін өткізгіштік
зона болады. Соның нәтижесінде, валенттік электрондарға жоғарғы босаған
деңгейге көшуге мүмкіндік туады. Мұндай затты электрондық жартылай өткізгіш
деп атайды.[4].
Тыйым салынған зонаның ені үлкен (реті бірнеше электрон вольт)
болса, онда жылулық қоғалыс байқалған мөлшердегі электрондарды бос зонаға
көшіре алмайды. Бұл жағдайда кристалды диэлектриктер деп атайды. Осындай
денелердің мысалы ретінде ас тұзы NaCl –ды алуға болады. NaCl
молекуласындағы Na –дің сыртқы (валенттік) электроны Сl -дың сыртқы
қабықшасына көшеді. Соның нәтижесінде, электрон қабықшасына толық орныққан
және иондары түзіледі. Демек, NaCl кристалындағы натрий ионының
өткізгіштік зонасынан жоғары жатқан хлордың валенттік зонасының орналасуы,
яғни және зоналарының орналасу аралықтары 6 эВ-қа тең
болатындығын көрсетеді. Олай болса, сыртқы электр өрісі электрондармен
толық толған -дың, зонасындағы электрондарды - дің өткізгіштік
бос зонасына көшіре алмайды.[5].

1.2.ЖАРТЫЛАЙ ӨТКІЗГІШТЕР

Жартылай өткізгіштер деп валенттік зоналары электрондармен толығымен
толған тыйым салынған зонасының ені үлкен емес (жартылай өткізгіштің
өзінікі 1 эВ) кристалдық заттарды айтады (1.5, б-суретті қараңыз). Жартылай
өткізгіштің өзінің аталуынан көрініп тұрғандай, ол металл мен диэлектриктің
аралығында жатады. Алайда, оның сипаты өткізгіштігінің өте жоғарылығында
емес, мәселе қайта температура өскен сайын өткізгіштігінің өсетіндігінде
болып табылады (бұл жерде айта кететін жағдай, металдарда өткізгіштік
өсудің орнына төмендейді).
Жартылай өткізгіштер меншікті және қоспалы өткізгіштер деп бөлінеді.
Ішінде қоспасы жоқ жартылай өткізгіштіктің өткізгіштігін меншікті
өткізгіштігі деп атайды. Меншікті өткізгіштерге химиялық таза жартылай
өткізгіштер жатады. Қоспалы жартылай өткізгіштердің электрлік қасиеттері
оларға жасанды түрде ендірілген қоспалардың қасиеттеріне байланысты болады.

Жартылай өткізгіштердің қасиеттерін қарастырғанда "кемтік" саңылау
деген ұғымның ролі үлкен болады. Сондықтан осы ұғымның физикалық мазмұнына
тоқталайық.
Абсолют нөл температурада жартылай өткізгіштердің меншікті
өткізгіштігі жоқ, олар электрді өткізбейді. Оның себебі валенттік зонадағы
барлық деңгейлер электрондармен толып болған, өткізгіштік зонада
электрондар жоқ (1.6, а-сурет). Электр өрісі электрондарды валенттік
зонадан өткізгіштік зонаға көшіре алмайды.

1.6-сурет
Сондықтан да, меншікті жартылай өткізгіштер абсолют нөл температурада
өздерін диэлектриктер тәрізді ұстайды. 00 К температурадан өзгеше
температурада, жылулық қозудың нәтижесінде, валенттік зонаның жоғары
деңгейлерінен электрондардың бір бөлігі өткізгіштік зонаның төменгі
деңгейлеріне өтеді (1.6 , б-сурет). Бұл жағдайда электр өрісі өткізгіштік
зонада тұрған электрондардың күйін өзгертуге мүмкіндік алады. Coнымен
қатар, валенттік зонада бос (ваканттық) деңгейлердің пайда болуы сыртқы
өрісінің әсеріне байланысты осы зонаның электрондары өздерінің
жылдамдықтарын өзгертуі мүмкін. Соның нәтижесінде, жартылай өткізгіштің
электр өткізгіштігі нөлден өзгеше болады.[6].
Байқасақ, бос деңгейдің болуы кезінде, валенттік зонаның электрондары
"кемтік" деп аталатын оң зарядталған квази бөлшектердің қозғалғаны тәрізді
мінез көрсетеді екен. Валенттік зонаның толығымен толуына байланысты
өткізгіштіктің нөлге тең болуынан, осындай зонаның барлық электрондарының
жылдамдықтарының қосындысы нөлге тең болатындығы келіп шығады:
Бұл қосындыдан k -шы электронның жылдамдығын бөліп қараймыз:
Осыдан
Бұл алынған қатынастан, егер к -шы электрон валенттік зонада жоқ
болса, онда қалған электрондардың жылдамдықтарының қосындысы ға тең
болатындығы келіп шығады. Демек, осы электрондардың бәрі (-е) () =
е тоқты тудырады. Сонымен бұдан байқайтынымыз, пайда болған ток заряды
+ е, жылдамдығы, жоқ электронның жылдамдығындай болатын, бөлшектің тудырған
электр тоғына эквивалент болады екен. Бұл ойдан шығарылған бөлшек " кемтік
" бөлып табылады.
Кемтік ұғымына біз мынадай жолмен келеміз. Валенттік зонаның
төбесінде бос деңгейлер пайда болады. Энергиялық зонаның төбесіндегі
электронның тиімділік, (эффективтік) массасы теріс болуы керек. Заряды (-е)
және m* теріс массалы бөлшектің болмауы, оған эквиваленті оң зарядталған
заряды (+е) және m* оң массалы болатын бөлшектің, яғни кемтіктің болуына
әкеледі.
Кристалдағы зарядты тасымалдаушы (электрондарға) ... жалғасы
Ұқсас жұмыстар
“Жартылай өткізгіштердің электр өткізгіштігін зерттеу”
Шалаөткізгіштер
Кванттық механиканың заңдары
Әртүрлі материалдан жасалған өткізгіштердегі түйісу құбылыстары
Жартылай өткізгішті құралдар және құрылғылар
Галлий және индий антимонидінің фотолюминесценциясы
Жартылай өткізгіштер
Кванттық күй, асқын өткізгіштік, асқын аққыштық, фонодар, кристалдық торлар
Фотоэлектрондық құралдар
Жартылай өткізгіштерде жарықтың жұтылуын зерттеу
Пәндер