Электрондық және өлшеу техникасының негіздері

Пән: Автоматтандыру, Техника
Жұмыс түрі: Материал
Тегін: Антиплагиат
Көлемі: 55 бет
Таңдаулыға:

Коммерциялық емес

акционерлік

қоғам

ЭЛЕКТРОНДЫҚ ЖӘНЕ ӨЛШЕУ ТЕХНИКАСЫНЫҢ НЕГІЗДЕРІ

5В071900 - Радиотехника, электроника және телекоммуникациялар мамандығы студенттері үшін

зертханалық жұмыстарды орындауға арналған әдістемелік нұсқаулықтар

Алматы 2016

ҚҰРАСТЫРУШЫЛАР: С. Б. Абдрешова, Г. Н. Абдрешова. Электрондық және өлшеу техникасының негіздері. 5В071900 - Радиотехника, электроника және телекоммуникациялар мамандығының студенттері үшін зертханалық жұмыстарды орындауға арналған әдістемелік нұсқаулықтар. - Алматы: АЭжБУ, 2016. - б.

Әдістемелік нұсқаулықтарда «Электрондық және өлшеу техникасының негіздері» курсы бойынша 15 зертханалық жұмыс қарастырылады. Зертханалық жұмыстарда негізгі электрондық компоненттердің жұмыс істеу принциптерін, негізгі сипаттамаларды түсіру әдістерімен ерекшеліктерін оқу бойынша, қысқаша мазмұны келтіріледі. Жұмыс және есептеме тапсырмалары келтірілген, сонымен қатар бақылау сұрақтарының тізіміде берілген.

Әдістемелік нұсқаулықтар дәрістік материалдарды пысықтау мақсатында құрастырылды және «5В071900 - Радиотехника, электроника және телекоммуникациялар» мамандығының студенттеріне арналған.

Әдеб. көр. 6, кесте. 3, библиогр. - 5 атау.

Пікір жазған: КТ кафедрасының аға оқытушысы, т. ғ. к. Г. Д. Мусапирова

«Алматы энергетика және байланыс университеті» коммерциялық емес акционерлік қоғамының 2016 жылғы жоспары бойынша басылады.

Кіріспе

Зертханалық машықтануға арналған берілген әдістемелік нұсқаулықтар «Электрондық және өлшеу техникасының негіздері» курсын оқитын студенттерге арналған. Зертханалық жұмыстар «DEGEM systems» фирмасының стендтарында орындалады. Берілген циклдегі зертханалық жұмыстардың негізгі мақсаттары:

кітаптар мен дәрістік материалдарды оқығанда алған теориялық білімдерін нықтау;
дискретті орындаудағы сұлбалардың активті компоненттерінің көрсеткіштерін анықтауға дағдылану және олардың базасында электрондық сұлбалар жасай білу, электрондық сұлбаларды талдау жүргізу, сонымен қатар машиналық бағдарламалардың көмегімен ЕЕМда, талдаудың көмегімен және эксперименталдық зерттеулер арқылы сұлбаларды, компоненттердің көрсеткіштерін варьирлеу жолымен және қайта есептеуді, оптимизациялау.

Зертханалық машықтануға дайындалу барысында әр студент міндетті: дәрістер конспектісінің және ұсынылған әдебиеттердің сәйкес тарауларын оқып шығуға, қажет болса, берілген мәліметтер бойынша сұлбаның компоненттерін есептеуге.

Есеп беру келесі бөлімдерден тұруы қажет:

жұмыстың мақсаты және тапсырмасы;
зерттелетін аспаптардың анықтамалық көрсеткіштері;
жасалған жұмыстың нәтижелері (эксперименталды көрсеткіштері, есептеулері, сызбалары ж. т. б. ) ;
жұмыс бойынша қорытынды;
қолданылған әдебиеттер тізімі.

Есеп беру ФС РК (СТ НАО 56023-1910-04-2014) - оқу жұмыстары бойынша әрленеді. Тұрғызуға, әрлеуге және мазмұнына қойылатын жалпы талаптар осы стандартқа сәйкес болу қажет.

1 Зертханалық жұмыс. Түзеткіш диодтың сипаттамаларын зерттеу

Жұмыстың мақсаты:

жартылай өткізгіш диодтың тура және кері қосылудағы вольтамперлік сипаттамасын (ВАС) түсіру және талдау;
база аймағындағы теңсіз заряд тасымалдаушылардың жинақталу құбылысын зерттеу және талдау.

1. 1 Жұмыс тапсырмалары

1. 1. 1 Жартылай өткізгіш диодтың тура қосылуындағы сипаттаманы түсіру үшін 1. 1 суретте көрсетілген сұлбаны жинаңыз.

1. 1. 2 R1 кедергісінің шамасын өлшеңіз.

1. 1. 3 Диодтың тура қосылуындағы ВАС түсіру және тұрғызу қажет.

1. 1. 4 Жартылай өткізгіш диодтың кері қосылуындағы сипаттаманы түсіру үшін 1. 2 суретте көрсетілген сұлбаны жинаңыз.

1. 1. 5 Диодтың кері қосылуындағы ВАС түсіру және тұрғызу қажет.

1. 1. 6 Біржарты периодты түзеткіштің сұлбасын зерттеу және база аймағындағы теңсіз (неравновесных) заряд тасымалдаушылардың жинақталу құбылысын талдаңыз.

1. 2 Жұмысты орындауға әдістемелік нұсқаулықтар

1. 2. 1 ЕВ - 111 платасын DEGEM system фирмасының PU 2000 стендына орнатыңыз.

1. 2. 2 Омметрмен R1 резисторының кедергісін өлшеңіз.

1. 2. 3 1. 1 суретте көрсетілген, сұлбаны жинаңыз.

1. 2. 4 PS-1 қоректендіру көзінің кернеуін нөлден максимал мәнге дейін көтере отырып, I _{д. тура} тогының мәндерін 5 мА интервалымен өзгерте отырып, токтың әр мәні үшін U _{д. тура.} кернеуінің мәнін жазып отырыңыз. Берілгендерді 1. 1 кестесіне енгізіңіз.

Кесте 1. 1

I _{д. тур} , мА

Iд. тур,мА: U _{д. тура.} , В

10:

15:

20:

25:

30:

35:

40:

45:

50:

1. 2. 5 1. 2 суретте көрсетілген сұлбаны жинаңыз.

1. 2. 6 PS-2 қоректендіру көзінің кернеуін нөлден максимал мәнге дейін көтере отырып, 1 В интервалымен, I _{д. кері} тогының мәндерін жазып отырыңыз. Берілгендерді 1. 2 кестесіне енгізіңіз. Алынған мәндер бойынша жартылай өткізгіш диодтың кері қосылуындағы сипаттамасын тұрғызыңыз.

1. 1 сурет - Диодтың тура қосылуындағы ВАС түсіруге арналған сұлба

1. 2 сурет - Диодтың кері қосылуындағы ВАС түсіруге арналған сұлба

Кесте 1. 2

U _{д. кері} , В

Uд. кері, В: I _{д. кері} , мкА

10:

11:

1. 2. 7 1. 3 суретте көрсетілген сұлбаны жинаңыз.

1. 3 сурет - Біржарты периодты түзеткіштің және база аймағындағы тепе теңдік емес күйдегі заряд тасымалдаушылардың жинақталу құбылысын зерттеуге арналған сұлба

1. 2. 8 R3 резисторының кедергісін өлшеңіз.

1. 2. 9 PU - 2000 стендында орналасқан функционалдық генератордан немесе жекеше генератордан Vin кірісіне синусоидалық кернеу беріңіз. Кіріс кернеудің оң жарты периодында, диод арқылы ток ағады, ал R3 резисторындағы кернеу, диодпен резистор арқылы ағып өткен токқа пропорционал болады. Кіріс кернеу мен шығыс кернеуді (R3 резисторындағы), 2 каналды осциллографтың көмегімен, өлшеп, сызбаның суретін салып алыңыз. Зерттеулерді 1 кГц, 10 кГц және 100 кГц жиіліктерінде жүргізіңіз.

1. 2. 10 Vin кірісіне тік бұрышты (меандр) пішінді кернеу беріңіз, дәл сол жиіліктерде 1 кГц, 10 кГц және 100 кГц, тек 6В амплитудасымен. 100кГц жиілігінде t _жұт. жұтылу және t _құлау құлау уақыттарын өлшеңіз (1. 4 суретті қар. ) және Ом заңы бойынша тура және кері ток амплитудаларын есептеңіз.

1. 4 сурет - Диодтың тура және кері токтарының уақыттық диаграммасы

1. 2. 11 Кіріс кернеудің амплитудасын 1В дейін азайтыңыз және сол мәндерді өлшеңіз.

1. 3 Есептеу тапсырмалары

1. 3. 1 1. 1 кестедегі деректер бойынша диодтың ВАС тура тармағын тұрғызыңыз және сипаттаманың қисық сызықты бөлігінде графикалық жолмен дифференциалдық кедергіні есептеңіз.

1. 3. 2 1. 2 кестедегі деректер бойынша диодтың ВАС кері тармағын тұрғызыңыз және графикалық жолмен дифференциалдық кедергіні есептеңіз.

1. 3. 3 Диодтың қалпына келу уақытының тура тоқтың мәніне тәуелділік сызбасын тұрғызыңыз. t _жұт. жұтылу және t _құлау құлау уақыттарының диодтың тура тоғының мәніне тәуелділігін талдап шығыңыз.

1. 4 Бақылау сұрақтары

1. 4. 1 р-n ауысуы дегеніміз не? р-n ауысудың тура және кері қосылуы.

1. 4. 2 Диодтардың жіктелуі және шартты белгілері.

1. 4. 3 Түзеткіш диодтың ВАС мен негізгі техникалық көрсеткіштері.

1. 4. 4 Түзеткіштер. Түзеткіштердің қосылу сұлбалары.

1. 4. 5 Импульстік диодтар. Тағайындалуы.

2 Зертханалық жұмыс. Стабилитронның сипаттамаларын және қарапайым параметрлік кернеу тұрақтандырғышын зерттеу

Жұмыстың мақсаты:

стабилитронның вольтамперлік сипаттамасын түсіру және талдау;
қарапайым параметрлік кернеу тұрақтандырғышының сұлбасын зерттеу.

2. 1 Жұмыс тапсырмалары

2. 1. 1 Жүктеме қосылмаған кездегі, стабилитронның ВАС түсіру және тұрғызу қажет.

2. 1. 2 Параметрлік кернеу тұрақтандырғышының сұлбасын зерттеу және әртүрлі жүктеме кедергілері үшін ВАС тұрғызыңыз.

2. 1. 3 Әртүрлі жүктеме кедергілері үшін тұрақтандыру коэффициентін есептеңіз.

2. 2 Жұмысты орындауға әдістемелік нұсқаулықтар

2. 2. 1 2. 1 суретте көрсетілген сұлбаны жинаңыз.

2. 1 сурет - Стабилитроның ВАС түсіруге арналған сұлба

2. 2. 2 R6 резисторының кедергісін өлшеңіз.

2. 2. 3 PS-1 қоректендіру көзінің кернеуін нөлден максимал мәнге дейін көтере отырып, I _ст стабилитронның тогының мәні мен U _ст стабилитрондағы кернеуді жазып алыңыз, сонымен бірге сұлбаның кіріс кернеуінде (PS-1 көзінің кернеуін) өлшеңіз. Алынған мәндерді 2. 1 кестесіне енгізіңіз және алынған мәндер бойынша стабилитронның ВАС, сонымен бірге R6 кедергісі үшін жүктеме сызығын тұрғызыңыз. Сызбаларда R6 кедергісіндегі кернеумен стабилитрондағы кернеудің мәндерін көрсетіңіз.

2. 2. 4 (R7 + RV2) жүктеме кедергісінің максимал мәнін орнатып, өлшеңіз.

2. 2. 5 2. 2 суретте көрсетілген сұлбаны жинаңыз.

Кесте 2. 1

I _ст. , мА

Iст., мА: U _ст. , В

10:

15:

20:

25:

30:

35:

40:

45:

50:

Iст., мА: U _{қ. көзі.} , В

10:

15:

20:

25:

30:

35:

40:

45:

50:

2. 2 сурет - Параметрлік кернеу тұрақтандырғышын зерттеу сұлбасы

2. 2. 6 PS-1 қоректендіру көзінің кернеуін 1В тан максимал мәнге дейін 1В интервалмен жоғарылата отырып, жүктемедегі кернеуді U _тұр. өлшеңіз, сонымен қатар сұлбаның кірісіндегі кернеуді де U _кір. (PS-1 көзінің кернеуі) өлшеңіз. Өлшенген мәндерді 2. 2 кестесіне енгізіңіз.

2. 2. 7 Сол өлшемдерді жүктеме кедергінің келесі мәндері, Rж = 600 Ом және 200 Ом, үшінде өлшеп шығыңыз.

2. 2. 8 Алынған мәндер бойынша жүктеме қосылған стабилитронның ВАС тұрғызыңыз.

Кесте 2. 2

U _кір _. , В

…

Uкір.,В: U _тұр. , В - R _Ж = max

…:

11:

Uкір.,В: U _тұр. , В - R _Ж = 600 Ом

…:

11:

Uкір.,В: U _тұр. , В - R _Ж =200 Ом

…:

11:

Uкір.,В: K _тұр. , %

…:

11:

2. 3 Есептеу тапсырмалары

2. 3. 1 2. 1 кестедегі деректер бойынша стабилитронның ВАС және R6 кедергісі үшін жүктеме сызығын тұрғызыңыз. Сызбаларда R6 резисторындағы кернеумен, стабилитрондағы кернеудің мәндерін көрсетіңіз.

2. 3. 2 Жүктеме кедергінің әртүрлі мәндері үшін тұрақтандыру коэффициентін есептеңіз. Ол үшін жүктеме сызықтарын, 2. 2 кестесіндегі деректер бойынша тұрғызылған, ВАС қисық сызықты бөлігінің дәл ортасында қиылысатындай етіп, жүргізіңіз. Қиылысу нүктесіне сәйкес келетін стабилитрондағы кернеу, тұрақтандырғыштың шығыс номинал кернеуі U _{тұр. ном} болып, ал қоректендіру көзінің кернеуі номиналды кіріс кернеуі U _{кір. ном} . болады. Кіріс кернеудің ΔU _кір. = 2В өсімшесін беріп, тағы бір жүктеме сызығын жүргізіңіз. ВАС көмегімен тұрақтандыру кернеуінің сәйкес өсімшесін ΔU _тұр. өлшеңіз. Тұрақтандыру коэффициенті келесі формула арқылы анықталады

K _тұр. = (ΔU _кір. / U _{кір. ном.} ) / (ΔU _тұр. / U _{тұр. ном} ) .

Тұрақтандыру коэффициенті мәнінің жүктеме кедергісінен тәуелділігін талдаңыз.

2. 4 Бақылау сұрақтары

2. 4. 1 Стабилитрон дегеніміз не? Оның ВАС және негізгі техникалық көрсеткіштері.

2. 4. 2 Параметрлік кернеу тұрақтандырғышының жұмыс істеу принципі.

2. 4. 3 Тұрақтандыру коэффициенті стабилитронның дифференциалдық кедергісімен қалай байланысқан?

2. 4. 4 Стабистор дегеніміз не? Оның ВАС және негізгі техникалық көрсеткіштері.

2. 4. 5 Стабилитрон мен стабистордың басты ерекшеліктері.

2. 4. 6 Тұрақтандырғыштардың жіктелуі.

2. 4. 7 Компенсациялық тұрақтандырғыштар.

3 Зертханалық жұмыс. Биполярлық транзисторды зерттеу

Жұмыстың мақсаты:

биполярлық транзистордың кіріс және шығыс ВАС түсіру;
транзистордыңh-параметрлерін сызбалық түрде анықтау.

3. 1 Жұмыс тапсырмалары

3. 1. 1 Транзистордың кіріс сипаттамасын I _б = f(U _бэ ) коллекторлық кернеу U _кэ = 0В болған кезде, түсіріп, сызбасын тұрғызыңыз.

3. 1. 2 Транзистордың кіріс сипаттамасын I _б = f(U _бэ ) коллекторлық кернеу U _кэ = 5В болған кезде, түсіріп, сызбасын тұрғызыңыз.

3. 1. 3 Транзистордың кіріс сипаттамасын I _б = f(U _бэ ) коллекторлық кернеу U _кэ = 10В болған кезде, түсіріп, сызбасын тұрғызыңыз.

3. 1. 4 Транзистордың шығыс сипаттамасын I _к =f(U _кэ ) базалық тоқты 0 ден 150 мкА дейін өзгерте отырып, түсіріп, сызбасын тұрғызыңыз.

3. 1. 5 Транзистордың тура ток бойынша беріліс сипаттамасын I _к = f(I _б ) коллекторлық кернеу U _кэ = 0В және U _кэ = 5В болған кезде, түсіріп, сызбасын тұрғызыңыз.

3. 2 Жұмысты орындауға әдістемелік нұсқаулар

3. 2. 1 3. 1 суреттегі сұлба орналасқан, ЕВ - 111 баспа платасын DEGEM system фирмасының PU 2000 стендына орнатыңыз.

3. 2. 2 Rv1, R4, R5 резисторларының кедергілерін өлшеңіз.

3. 2. 3 Транзистордың кіріс сипаттамасын I _б = f(U _бэ ) коллекторлық кернеу U _кэ = 0В болған кезде, түсіру үшін сұлбаны жинаңыз (3. 1 суретті қар. ) .

3. 2. 4 Rv1 айнымалы резисторының көмегімен базалық токты 10 мкА интервалымен өзгерте отырып, өлшенген базалық кернеудің U _бэ мәндерін 3. 1 кестесіне жазыңыз.

3. 1 сурет - Коллектордағы кернеу нөлге тең болғанда, кіріс сипаттаманы түсіруге арналған сұлба

Кесте 3. 1

Iб , µA

100

150

Iб,µA: Uбэ, В

10:

20:

30:

40:

50:

60:

70:

80:

90:

100:

150:

3. 2. 5 Транзистордың кіріс сипаттамасын I _б = f(U _бэ ) коллекторлық кернеу U _кэ =5В және U _кэ =10В болған кезде, түсіру үшін сұлбаны жинаңыз (3. 2 суретті қар. ) .

3. 2. 6 PS-1 қоректендіру көзінің реттегіші арқылы U _кэ =5В коллекторлық кернеуінің мәнін орнатыңыз.

3. 2. 7 Rv1 айнымалы резисторының көмегімен базалық токты өзгертіп, өлшенген U _бэ кернеуінің мәнін 3. 2 кестесіне енгізіңіз.

3. 2. 8 PS-1 қоректендіру көзінің реттегіші арқылы U _кэ =10В коллекторлық кернеуінің мәнін орнатыңыз.

3. 2. 9 Rv1 айнымалы резисторының көмегімен базалық токты өзгертіп, өлшенген U _бэ кернеуінің мәнін 3. 2 кестесіне енгізіңіз.

3. 2 сурет - Коллектордағы кернеу 5В және 10В болғанда, кіріс сипаттаманы түсіруге арналған сұлба

Кесте 3. 2

I _б , µA

100

150

Iб,µA:

U _бэ , В,

U _кэ =5 В

10:

30:

50:

70:

100:

150:

Iб,µA:

U _бэ , В,

U _кэ =10 В

10:

30:

50:

70:

100:

150:

3. 2. 10 Транзистордың шығыс сипаттамасын I _к =f(U _кэ ) базалық ток нөлге тең болған кезде, түсіру үшін сұлбаны жинаңыз (3. 3 суретті қар. ) .

3. 2. 11 PS-1 қоректендіру көзінің реттегіші арқылы коллекторлық кернеуді нөлден 9В дейін, 1В интервалымен, өзгерте отырып, өлшенген коллекторлық токтың мәндерін 3. 3 кестесіне жазыңыз.

3. 2. 12 Транзистордың шығыс сипаттамасын I _к =f(U _кэ ) фиксирленген базалық ток болған кезде, түсіру үшін сұлбаны жинаңыз (3. 4 суретті қар. ) .

3. 2. 13 Rv1 айнымалы резисторының көмегімен базалық токтың шамасын 20мкА етіп орнатыңыз, PS-1 қоректендіру көзінің реттегіші арқылы коллекторлық кернеуді нөлден 9В дейін, 1В интервалымен, өзгерте отырып, өлшенген коллекторлық токтың мәндерін 3. 3 кестесіне жазыңыз.

3. 3 сурет - Транзистордың шығыс сипаттамасын, базалық ток нөлге тең болғанда, түсіруге арналған сұлба

3. 2. 14 I _к =f(U _кэ ) сипаттамаларын, берілген базалық токтарда, түсіру.

3. 3 Есептеу тапсырмалары

3. 3. 1 3. 5 суретте көрсетілгендей, бір сызбаға транзистордың кіріс сипаттамаларын I _б =f(U _бэ ) тұрғызыңыз, коллектордағы фиксирленген кернеулерде: U _кэ = 0В, U _кэ = 5В және U _кэ = 10В (3. 1. және 3. 2 кестелердегі деректер бойынша) . Сипаттамалар бойынша сызбалық әдіспен, ВАС қисық сызықты бөлігінің дәл ортасындағы аймақ үшін, h ₁₁ және h ₁₂ параметрлерін анықтаңыз,

3. 4 сурет - Биполярлық транзистордың шығыс сипаттамаларын, берілген базалық токтарда, түсіруге арналған сұлба

Кесте 3. 3

I _б , µA

I _к , mА

U _кэ =1В

I _к , mА

U _кэ =2В

I _к , mА

U _кэ =3В

I _к , mА

U _кэ =4В

I _к , mА

U _кэ =5В

I _к , mА

U _кэ =6В

I _к , mА

U _кэ =7В

I _к , mА

U _кэ =8В

I _к , mА

U _кэ =9В

Iб,µA: 0

Iк,mАUкэ=1В:

Iк,mАUкэ=2В:

Iк,mАUкэ=3В:

Iк,mАUкэ=4В:

Iк,mАUкэ=5В:

Iк,mАUкэ=6В:

Iк,mАUкэ=7В:

Iк,mАUкэ=8В:

Iк,mАUкэ=9В:

Iб,µA: 20

Iк,mАUкэ=1В:

Iк,mАUкэ=2В:

Iк,mАUкэ=3В:

Iк,mАUкэ=4В:

Iк,mАUкэ=5В:

Iк,mАUкэ=6В:

Iк,mАUкэ=7В:

Iк,mАUкэ=8В:

Iк,mАUкэ=9В:

Iб,µA: 40

Iк,mАUкэ=1В:

Iк,mАUкэ=2В:

Iк,mАUкэ=3В:

Iк,mАUкэ=4В:

Iк,mАUкэ=5В:

Iк,mАUкэ=6В:

Iк,mАUкэ=7В:

Iк,mАUкэ=8В:

Iк,mАUкэ=9В:

Iб,µA: 60

Iк,mАUкэ=1В:

Iк,mАUкэ=2В:

Iк,mАUкэ=3В:

Iк,mАUкэ=4В:

Iк,mАUкэ=5В:

Iк,mАUкэ=6В:

Iк,mАUкэ=7В:

Iк,mАUкэ=8В:

Iк,mАUкэ=9В:

Iб,µA: 80

Iк,mАUкэ=1В:

Iк,mАUкэ=2В:

Iк,mАUкэ=3В:

Iк,mАUкэ=4В:

Iк,mАUкэ=5В:

Iк,mАUкэ=6В:

Iк,mАUкэ=7В:

Iк,mАUкэ=8В:

Iк,mАUкэ=9В:

Iб,µA: 100

Iк,mАUкэ=1В:

Iк,mАUкэ=2В:

Iк,mАUкэ=3В:

Iк,mАUкэ=4В:

Iк,mАUкэ=5В:

Iк,mАUкэ=6В:

Iк,mАUкэ=7В:

Iк,mАUкэ=8В:

Iк,mАUкэ=9В:

h ₁₁ = ΔU _бэ / ΔI _б - транзистордың кіріс дифференциалдық кедергісі,

h ₁₂ = ΔU _бэ / ΔU _кэ = ΔU _бэ ¹ /(10В-5В) - ішкі кері байланыс коэффициенті.

3. 3. 2 Фиксирленген базалық токтарда, 3. 3 кестесіндегі деректер бойынша, бір сызбаға транзистордың шығыс сипаттамаларын I _к =f(U _кэ ) тұрғызыңыз. Сипаттамалар бойынша, 3. 6 суретте көрсетілгендей, шамамен сипаттаманың ортасында орналасқан аймақ үшін сызбалық әдіспен, h ₂₁ және h ₂₂ көрсеткіштерін анықтаңыз. [1-5]

3. 5 сурет 3. 6 сурет

h ₂₂ = ΔI _к /ΔU _кэ - транзистордың шығыс дифференциалдық өткізгіштігі,

h ₂₁ = ΔI _к ¹ / ΔI _б = ΔI _к ¹ /( I _б ¹¹¹ -I _б ¹¹ ) - базалық тоқты беру коэффициенті.

3. 4 Бақылау сұрақтары

3. 4. 1 Биполярлық транзистор (БТ) дегеніміз не?

3. 4. 2 Биполярлық транзистордың жұмыс істеу принциптері.

3. 4. 3 БТ қосылу сұлбалары, басты ерекшеліктері.

3. 4. 4 Ортақ эмиттер (ОЭ) сұлбасымен қосылған транзистордың статикалық сипаттамалары.

3. 4. 5 Активті 4 ұштық ретіндегі, транзистордың h- параметрлер теңдеулер жүйесінің артықшылықтары қандай?

3. 4. 6 Ортақ база (ОБ) сұлбасымен қосылған транзистордың статикалық сипаттамалары.

3. 4. 7 Ортақ коллектор (ОК) сұлбасымен қосылған транзистордың статикалық сипаттамалары.

3. 4. 8 Биполярлық транзистордың жиіліктік және температуралық қасиеттері.

4 Зертханалық жұмыс. Басқарылатын р-n ауысуы бар өрістік транзисторды зерттеу

Жұмыстың мақсаты:

басқарылатынр-nауысуы бар өрістік транзистордың ВАС және арнасының кедергісін зерттеу.

4. 1 Жұмыс тапсырмалары

4. 1. 1 Өрістік транзистордың құймалық сипаттамасын түсіріңіз.

4. 1. 2 Өрістік транзистордың құйма тиектік сипаттамасын түсіріңіз.

4. 1. 3 Өрістік транзистор арнасының кедергісін өлшеңіз.

4. 2 Жұмысты орындауға әдістемелік нұсқаулықтар

4. 2. 1 Өрістік транзисторды зерттеу үшін жиналған сұлба орналасқан, ЕВ - 112 баспа платасын DEGEM system фирмасының PU 2000 стендына орнатыңыз.

4. 2. 2 R ₁ , R ₂ , R ₃ , R ₄ , RV1 резисторларының кедергілерін өлшеңіз.

4. 2. 3 Құймалық сипаттаманы I _қ = f(U _қб ) түсіру үшін 4. 1 суретте көрсетілген сұлбаны жинаңыз.

4. 1 сурет - Өрістік транзистордың сипаттамаларын түсіруге арналған сұлба

4. 2. 4 Тиекте U _тб фиксирленген кернеудің мәндерін орнатып, құймадағы токтың құймадағы кернеуге тәуелділігін I _қ = f(U _қб . ) , PS-1 көзінің кернеуін өзгерте отырып, түсіріңіз. Өлшенген мәндерді 4. 1 кестесіне енгізіңіз.

Кесте 4. 1

U _тб , В

I _қ ,

U _қб =0, 1В

I _қ ,

U _қб =0, 5В

I _қ ,

U _қб =1В

I _қ ,

U _қб =2В

I _қ ,

U _қб =5В

I _қ ,

U _қб =10В

Uтб,В: 0

Iқ,Uқб=0, 1В:

Iқ,Uқб=0, 5В:

Iқ,Uқб=1В:

Iқ,Uқб=2В:

Iқ,Uқб=5В:

Iқ,Uқб=10В:

Uтб,В: -0, 5

Iқ,Uқб=0, 1В:

Iқ,Uқб=0, 5В:

Iқ,Uқб=1В:

Iқ,Uқб=2В:

Iқ,Uқб=5В:

Iқ,Uқб=10В:

Uтб,В: -1, 0

Iқ,Uқб=0, 1В:

Iқ,Uқб=0, 5В:

Iқ,Uқб=1В:

Iқ,Uқб=2В:

Iқ,Uқб=5В:

Iқ,Uқб=10В:

Uтб,В: -1, 5

Iқ,Uқб=0, 1В:

Iқ,Uқб=0, 5В:

Iқ,Uқб=1В:

Iқ,Uқб=2В:

Iқ,Uқб=5В:

Iқ,Uқб=10В:

Uтб,В: -2, 0

Iқ,Uқб=0, 1В:

Iқ,Uқб=0, 5В:

Iқ,Uқб=1В:

Iқ,Uқб=2В:

Iқ,Uқб=5В:

Iқ,Uқб=10В:

4. 2. 5 Құймада U _қб фиксирленген кернеудің мәндерін орнатып, құймадағы токтың тиектегі кернеуге тәуелділігін I _қ = f(U _тб . ) , PS-2 көзінің кернеуін өзгерте отырып, түсіріңіз. Өлшенген мәндерді 4. 2 кестеге енгізіңіз.

Кесте 4. 2

U _қб , В

I _қ при

U _тб =

=0 В

I _қ ,

U _тб =

=-0, 25В

I _қ ,

U _тб =

=-0, 5В

I _қ ,

U _тб =

=-1В

I _қ ,

U _тб =

=-2В

I _қ ,

U _тб

тоқсыз

Uқб, В: 0, 5

IқприUтб==0 В:

Iқ,Uтб==-0, 25В:

Iқ,Uтб==-0, 5В:

Iқ,Uтб==-1В:

Iқ,Uтб==-2В:

Iқ,Uтбтоқсыз:

Uқб, В: 1

IқприUтб==0 В:

Iқ,Uтб==-0, 25В:

Iқ,Uтб==-0, 5В:

Iқ,Uтб==-1В:

Iқ,Uтб==-2В:

Iқ,Uтбтоқсыз:

Uқб, В: 2

IқприUтб==0 В:

Iқ,Uтб==-0, 25В:

Iқ,Uтб==-0, 5В:

Iқ,Uтб==-1В:

Iқ,Uтб==-2В:

Iқ,Uтбтоқсыз:

Uқб, В: 5

IқприUтб==0 В:

Iқ,Uтб==-0, 25В:

Iқ,Uтб==-0, 5В:

Iқ,Uтб==-1В:

Iқ,Uтб==-2В:

Iқ,Uтбтоқсыз:

Uқб, В: 10

IқприUтб==0 В:

Iқ,Uтб==-0, 25В:

Iқ,Uтб==-0, 5В:

Iқ,Uтб==-1В:

Iқ,Uтб==-2В:

Iқ,Uтбтоқсыз:

4. 2. 6 Құйма тогы тоқтатылатын, U _тб токсыз кернеуін өлшеңіз.

4. 2. 7 Бастау-құйма арнасының кедергісін өлшеуге арналған, 2. 6 суретте көрсетілген сұлбаны жинаңыз.

4. 2. 8 PS-1 көзінің кернеуін 10В тең етіп орнатып, вольтметрдің көрсетуін түсіріңіз. Өлшенген мәндерді 4. 3 кестеге енгізіңіз.

Кесте 4. 3

U _тб , В

0 В

-0, 25В

-0, 5В

-1В

-2В

U _тб

тоқсыз

Uтб,В: U _қб

0 В:

-0, 25В:

-0, 5В:

-1В:

-2В:

Uтбтоқсыз:

Uтб,В: R _қб

0 В:

-0, 25В:

-0, 5В:

-1В:

-2В:

Uтбтоқсыз:

4. 2 cурет - Бастау-құйма арнасының кедергісін өлшеуге арналған сұлба

4. 3 Есептеу тапсырмалары

... жалғасы

Сіз бұл жұмысты біздің қосымшамыз арқылы толығымен тегін көре аласыз.

Ұқсас жұмыстар

Кәсіптік мектептерде электротехника курсын оқытудың әдіс- тәсілдері

Информатика пәніне кіріспе. ЭЕМ жұмысының математикалық негіздері.

Ақпарат және оны өрнектеу жолдары туралы ақпарат

Ақпарат және оны өрнектеу жолдары туралы мәлімет

Ақпарат және оны өрнектеу жолдары жайлы мәлімет

Аналогты аспаптар

Оптрон туралы түсінік

Ақпарат, оны өрнектеу жолдары

Геркон технологиясының бес артықшылығы

Ақпарат және оны өрнектеу жолдары. Ақпаратты өлшеу. Информатика ұғымы. Ақпараттық технологиялар және техника. Есептеу техникасының даму тарихы

Пәндер

Қазақ тілінде жазылған рефераттар, курстық жұмыстар, дипломдық жұмыстар бойынша біздің қор #1 болып табылады.

Ақпарат

Қосымша

Email: info@stud.kz