Биполярлы транзисторлар түрлері

1. КІРІСПЕ
2. БИПОЛЯРЛЫҚ ТРАНЗИСТОРЛАР
3. БИПОЛЯРЛЫҚ ТРАНЗИСТОРДЫҢ МАҢЫЗДЫ ПАРАМЕТРЛЕРІ
4. БИПОЛЯРЛЫҚ ТРАНЗИСТОРДЫҢ ҚОСЫЛУ СҰЛБАЛАРЫ
5. ТРАНЗИСТОРДЫҢ СТАТИКАЛЫҚ СИПАТТАМАСЫ
6. ПАЙДАЛАНЫЛҒАН ӘДЕБИЕТТЕР

Транзистордың көп тараған бір түрі биполярлы транзистор болып табылады. Биполярлы транзисторлар үш кезектелген электрондық (п) немесе кемтіктік (р) өткізгіштік облыстардан тұрады. Олар р-п-р және п-р-п типті болып ажыратылады. Биполярлы транзистордың ортаңғы облысы база, қалған екеуі эмиттер және коллектор деп аталады. База эмиттер мен коллектордан тиісінше эмиттерлік және коллекторлық р-п ауысуларымен бөлінген. Биполярлық транзистордың жұмыс істеу принципі база арқылы өтетін негізгі емес заряд тасушылардың ағынын бақылауға негізделген. Эмиттерлік ауысу тура бағытта ығысқан және ол негізгі емес заряд тасушылардың инжексиясын (итерілуін, ендірілуін) қамтамасыз етеді, ал коллекторлық ауысу кері бағытта ығысқан, ол эмиттер итерген негізгі емес заряд тасушыларды жинап алуды қамтамасыз етеді. Биполярлық транзисторлар негізінен электр сигналдарын өндіруге, күшейтуге арналған. Транзисторлар физикалық және басқа да параметрлеріне байланысты төмен (3 МГц-ке дейін), жоғары (300 МГц-ке дейін), аса жоғары жиілікті (300 МГц-тен жоғары), аз қуатты (шектік сейілу қуаты 1 Вт-қа дейін), үлкен қуатты (шектік сейілу қуаты 1 Вт-тан жоғары), жоғары және төмен кернеулі, дрейфтік, т.б. түрлерге бөлінеді. Транзистор қазіргі кездегі микроэлектроника құрылғыларының негізгі элементі болып табылады.

БИПОЛЯРЛЫҚ ТРАНЗИСТОРЛАР
Екі немесе бірнеше электрлік р-п өткелі бар, қуатты күшейтуге жарайтын, үш немесе одан да көп сыртқы қосылғышы бар электрлік түрлендіргіш шала өткізгіш аспапты биполярлық транзисторлар дейміз. Транзисторларды қолданады күшейту және электрлік толқындарды генерациялау немесе электрлік тізбекті коммутациялау үшін қолданылады. Биполярлық транзисторыларды түрлеріне байланысты бөледі p-n-p және n-p-n типтерге, қуат бойынша (кіші , орташа және үлкен ), жұмыстық жиілік бойынша(төменгі, орташа және үлкен жиілікті) және де басқа жағдайлар бойынша. Суретте биполярлық транзистордың құрылымдық схемасы мен шартты белгісі көрсетілген.Электрлік қосылғышы бар кристаллдың ортанғы бөлімін база деп атаймыз (Б), тікелей қосылған өткелді – эмиттер дейміз (Э), екіншісі кері қосылғанды - коллектор деп атаймыз (К).Эмиттер, база және коллектор арасында екі р-п өткел бар, ол эмиттерлік өткел және коллекторлық өткел аталады.

1. Студенттердің пәндік оқу-әдістемелік кешені: «Электроника негізі» пәні бойынша. Құрастырушылар: ф-м. ғ. к. Нұрманов М.Ш., ассистент Бигалиева Ж.С. –Алматы 2005
2. И.П. Жеребцов Основы электроники: -Ленинград 1989
3. http://ru.wikipedia.org/wiki/

Пән: Электротехника
Жұмыс түрі: Материал
Тегін: Антиплагиат
Көлемі: 9 бет
Таңдаулыға:

ЖОСПАР
КІРІСПЕ
БИПОЛЯРЛЫҚ ТРАНЗИСТОРЛАР
БИПОЛЯРЛЫҚ ТРАНЗИСТОРДЫҢ МАҢЫЗДЫ ПАРАМЕТРЛЕРІ
БИПОЛЯРЛЫҚ ТРАНЗИСТОРДЫҢ ҚОСЫЛУ СҰЛБАЛАРЫ
ТРАНЗИСТОРДЫҢ СТАТИКАЛЫҚ СИПАТТАМАСЫ
ПАЙДАЛАНЫЛҒАН ӘДЕБИЕТТЕР

КІРІСПЕ
Транзистордың көп тараған бір түрі биполярлы транзистор болып табылады. Биполярлы транзисторлар үш кезектелген электрондық (п) немесе кемтіктік (р) өткізгіштік облыстардан тұрады. Олар р-п-р және п-р-п типті болып ажыратылады. Биполярлы транзистордың ортаңғы облысы база, қалған екеуі эмиттер және коллектор деп аталады. База эмиттер мен коллектордан тиісінше эмиттерлік және коллекторлық р-п ауысуларымен бөлінген. Биполярлық транзистордың жұмыс істеу принципі база арқылы өтетін негізгі емес заряд тасушылардың ағынын бақылауға негізделген. Эмиттерлік ауысу тура бағытта ығысқан және ол негізгі емес заряд тасушылардың инжексиясын (итерілуін, ендірілуін) қамтамасыз етеді, ал коллекторлық ауысу кері бағытта ығысқан, ол эмиттер итерген негізгі емес заряд тасушыларды жинап алуды қамтамасыз етеді. Биполярлық транзисторлар негізінен электр сигналдарын өндіруге, күшейтуге арналған. Транзисторлар физикалық және басқа да параметрлеріне байланысты төмен (3 МГц-ке дейін), жоғары (300 МГц-ке дейін), аса жоғары жиілікті (300 МГц-тен жоғары), аз қуатты (шектік сейілу қуаты 1 Вт-қа дейін), үлкен қуатты (шектік сейілу қуаты 1 Вт-тан жоғары), жоғары және төмен кернеулі, дрейфтік, т.б. түрлерге бөлінеді. Транзистор қазіргі кездегі микроэлектроника құрылғыларының негізгі элементі болып табылады.

БИПОЛЯРЛЫҚ ТРАНЗИСТОРЛАР
Екі немесе бірнеше электрлік р-п өткелі бар, қуатты күшейтуге жарайтын, үш немесе одан да көп сыртқы қосылғышы бар электрлік түрлендіргіш шала өткізгіш аспапты биполярлық транзисторлар дейміз. Транзисторларды қолданады күшейту және электрлік толқындарды генерациялау немесе электрлік тізбекті коммутациялау үшін қолданылады. Биполярлық транзисторыларды түрлеріне байланысты бөледі p-n-p және n-p-n типтерге, қуат бойынша (кіші , орташа және үлкен ), жұмыстық жиілік бойынша(төменгі, орташа және үлкен жиілікті) және де басқа жағдайлар бойынша. Суретте биполярлық транзистордың құрылымдық схемасы мен шартты белгісі көрсетілген.Электрлік қосылғышы бар кристаллдың ортанғы бөлімін база деп атаймыз (Б), тікелей қосылған өткелді - эмиттер дейміз (Э), екіншісі кері қосылғанды - коллектор деп атаймыз (К).Эмиттер, база және коллектор арасында екі р-п өткел бар, ол эмиттерлік өткел және коллекторлық өткел аталады.

1-сурет. Биполярлық транзистордың жалпы құрылымы:
1-эмиттерлік өткел (ЭӨ), 2-коллекторлық өткел (КӨ)
Транзистордың p-n-p және n-p-n типтерінің шартты белгілері:

2-сурет. Транзистордың p-n-p және n-p-n типтерінің белгіленуі

БИПОЛЯРЛЫҚ ТРАНЗИСТОРДЫҢ МАҢЫЗДЫ ПАРАМЕТРЛЕРІ
Транзисторларда бір-бірімен байланысты төрт шама бар. Олар: кіріс және шығыс тогы, сонымен қатар кіріс және шығыс кернеуі:
Uкір = U1, Iкір = I1, Uшығ = U2, Iшығ = I2.
Осы келтірілген параметрлерден басқа, транзисторларда басқа да параметрлер жүйесі қолданылады, ол жүйені транзистордың һ параметрі деп те атайды.
Транзистордың h-параметрін анықтау. Транзисторлар сұлбаларын есептегенде және анализдегенде транзистордың эквивалентті схемасын және оған арналған параметрлер жүйесіне сүйенеміз. Транзисторлардың физикалық параметрлер жүесінің кемшілігі, олардың ішінен барлығы да өлшене бермейді. h-параметрлер жүйесінде транзисторлардың параметрлері активті сызықты 4-ұштықты параметрлермен анықталады. h-параметрлер жүйесінде тәуелді емес айнымалы бойынша кіріс токты қабылдайды(1) және шығыс кернеу(U2). Осыдан , U1 = h11 1 + h12 U2, 2 = h21 1 + h22 U2 біз төрт параметрді анықтаймыз ,ол қысқаша тұйықталу режимінде (U2=0) және бос жүріс режимінде болады (1=0). h11- кіріс сипаттамасы, h12-кері байланыс коэффициентті, h21- токты беру коэффициентті, h22- шығыс өткізгіштік.
Һ параметрінің бұл түрлерінің әр қайсысына жеклей тоқталсақ:
1. Кіріс сипаттамасы:
h11 = U1I1 U2 = const болғанда.
айнымалы кіріс тогына шығысында қысқа тұйықталу болатын, яғни шығысында айнымалы кернеу болмайтын транзистордың кедергісі болып табылады.
2. Кернеу бойынша кері байланыс коэффициенті:
h12 = U1U2 I1 = const болғанда.
кірістегі айнымалы кернеудің кандай мөлшері кері байланыс салдарынан транзистордың кірісіне берілетінін көрсетеді.
3. Токтың күшейту коэффициенті (токты беру коэффициенті):
h21 = I2I1 U2 = const болғанда.
жүктемесіз жұмыс істеу кезінде транзистордың айнымалы тогының күшейтуін көрсетеді.
4. Шығыс өткізгіштік:
h22 = I2U2 I1 = const болғанда.
бұл, транзистордың шығыс қысқыштарының арасындағы айнымалы токтың өткізгіштігін сипаттайды.

Бұл параметрлердің ортақ эмиттер арқылы қосылу сұлбасында келесі теңдіктерді аламыз:

мұндағы
һ11Э = UБЭІБ UКЭ = const;
h12Э = UБЭUКЭ ІБ = const;
h21Э = IКIБ UКЭ = const;
h22 = IКUК ІБ = const.
Коллекторлық ауысудың қызуына жол бермеу үшін одан коллекторлық ток өткенде шығарылатын қуатты белгілі бір максимал шамадан асырмау керек:

Сонымен қатар коллекторлық ... жалғасы

Сіз бұл жұмысты біздің қосымшамыз арқылы толығымен тегін көре аласыз.