Жартылай өткізгіштік құрылғыларды (биполярлы транзистор, өрістік транзистор) пайдаланған жұмысты схемалары

1. Мультивибратордың жұмыс істеу принципі.
2. Көпэмиттерлі транзисторлар.
3. Транзисторларда жасалынған логикалық схема.

Мультивибратор. Мультивибраторлар жүйеге кіретін генерациялайтын тербелістерінің формасы синусойдалықтан анық өзгешеленетін, ал тербелістерінің ұзақтығы реактивті элементтеріне тәуелді (көбінесе конденсаторға) релаксациялық типтегі генераторларға жатады. Мультивибраторлардың триггерден айырмашылығы төртбұрыштыға ұқсас тербелістерді өздігінен өндіре генерациялай алады. Яғни ол төртбұрыш тәрізді тербелістердің автогенераторы болып табылады. Сиусойдалық тербелістердің RC-генераторларынан айырмашылығы мультивибраторларда өте күшті кері байланыс қолданылады. Осының нәтижесінде транзисторлар кезегімен біресе қанығу режиміне, біресе бөлу режиміне кіреді. Екі транзистор да қанығуда болғанда, тіпті ұзақ орнықты күйлер де болады. Осы кезде тербеліс туындауы үшін транзисторлардың біреуін бекітетін импульс қажет. Яғни, мультивибраторда тербелістердің пайда болуының күшті режимі мүмкін. Суретте транзистордан тұратын мультивибратордың схемасы көрсетілген.
Әрбір транзистордың коллекторы басқа транзистордың базасымен байланысқан, мультивибратордағы байланыс конденсаторлар арқылы жүзеге асады.
Мультивибратор симметриялы да симметриялы емес те болады. Симметриялық мультивибратордағы екі иініндегі коллекторлық кедергілер бірдей болады, сонымен бірге базалық кедергілері және сыйымдылықтары да бірдей болады. Симметриялық мультивибратордың схемасын қарастырайық.
Егер VT1 транзисторы ашық болып және қанығу режимінде болса, онда дәл осы уақытта VT2 транзисторы жабық. Сонымен бірге Сб1 конденсаторының оң жақ астары Rк2 арқылы қорек көзімен жалғанған, ал сол жақ астары VT1 транзисторының базасымен жалғанған. Ағатын зарядтық ток VT1 транзисторының базасының потенциалын UБЭ ≈ 0,8 В жақын кернеу береді, себебі бұл кернеу шамасы VT1 тарнзисторын қанығу режимінде ұстап тұруға жеткілікті. База-эмиттер кернеуі бұл кернеуден байқалатындай үлкен бола алмайды, себебі, оған транзистордың кірісінің әсері және токтың Rк2 кедергімен шектеуі әсер етеді.
Конденсатор Un - UБЭ1 кернеуіне дейін зарядталады, мұндағы UБЭ1 ≈ 0,8 В. Сб1 конденсаторының заряды таусылғаннан кейін UБЭ1 өзгермей қалады.
Сб1 конденсаторының заряды таусылғаннан кейін VT2 транзисторы алдыңғы жарты периодта зарядталған Сб2 конденсаторында жабық кернеумен қалады.
VT2 транзисторы ашылу үшін Сб2 конденсаторы толығымен заряды таусылып қана қоймай, UБЭ2 ≈ 0,6 В кернеуіне дейін қайта зарядталуы қажет. Бұл жағдайда VT2 өткізгіш болады. VT2 тарнзисторы өткізе бастағаннан кейін оның коллекторлық потенциалы төмендейді, Сб1 конденсаторы арқылы VT1 базасына беріледі. Соңғысы белсенді режимге енеді. Осы кезде туындайтын регенеративті процесс схеманы жылдам бір квазиорнықты күйден келесісіне ауыстырып қосады, бұл жағдайда VT1 бөлу режимінде болады, ал VT2 қанығу режиміне енеді.