“Жартылай өткізгіштердің электр өткізгіштігін зерттеу”

“Жартылай өткізгіштердің электр өткізгіштігін зерттеу ” тақырыбында жазылған дипломдық жұмыста қазіргі заманымызға сай, ғылым мен техниканың даму жағдайына байланысты, радиоэлектроникада қажетті ғылыми жұмыстар жасалған.
Бәрімізге белгілі, жартылай өткізгіштерсіз электротехникалық құралдардың алға басуы мүмкін емес, осыған байланысты дипломдық жұмысты осындай тақырыпта таңдау, автордың ғылымға деген құштарлығы барын көрсетеді.
Қазіргі кезде жартылай өткізгіштерді оптикалық тәсілдермен зерттеу ең тиімді тәсіл. Себебі бұл тәсіл арқылы электрондардың, кемтіктердің коллективті әсерлесуінен көп мағұлмат алады. Сонымен бірге бұл тәсіл арқылы жартылай өткізгіштердің зоналық құрылыстарын және жартылай өткізгіштердің электрофизикалық қасиеттерін зерттеп, бұл зерттеген қасиеттерді практикада қолдануда үлкен орын алады.
Жартылай өткізгіштер көбіне қатты денелерден және химиялық қоспалардан тұрады. Осыған байланысты олардың құрылысы күрделі болып келеді. Жартылай өткізгіштер құрылысына қарай металдың да, диэлектриктің де қасиеттерін көрсете алады. Металдарда температура өскенде, кедергісі артады, ал жартылай өткізгіштерде керісінше азаяды. Міне сол сияқты жартылай өткізгіштердің электр өткізгіштігіде металдардан өзгеше. Жартылай өткізгіш сыртқы электр өрісінде болса, осы өріс әсерінен еркін электрондар өріске қарсы бағытта қозғалады, екінші жағынан жылулық қозғалыс әсерінен кейбір электрондар өріске қарсы қозғалады. Жалпы келгенде электрондар өрістің әсерінен реттелген қозғалысқа түсіп, дрейфтік қозғалыс жасайды, жартылай өткізгіш арқылы электр өрісі бағытында еркін электрондар тобы азаяды. Негізінде қоспасы жоқ таза жартылай өткізгіштерде электронның және кемтіктік электр өткізгіштік жүзеге асады. Осыған байланысты жартылай өткізгіштерде электр тоғы екі құраушымен бірдей бағытталған электрондық және кемтіктік токтармен анықталады. Кейбір жартылай өткізгіштердің электр өткізгіштігін энергетикалық ұғымдармен түсіндіруге болады.

“Жартылай өткізгіштердің электр өткізгіштігін зерттеу ” тақырыбында жазылған дипломдық жұмыста қазіргі заманымызға сай, ғылым мен техниканың даму жағдайына байланысты, радиоэлектроникада қажетті ғылыми жұмыстар жасалған.
Бәрімізге белгілі, жартылай өткізгіштерсіз электротехникалық құралдардың алға басуы мүмкін емес, осыған байланысты дипломдық жұмысты осындай тақырыпта таңдау, автордың ғылымға деген құштарлығы барын көрсетеді.
Қазіргі кезде жартылай өткізгіштерді оптикалық тәсілдермен зерттеу ең тиімді тәсіл. Себебі бұл тәсіл арқылы электрондардың, кемтіктердің коллективті әсерлесуінен көп мағұлмат алады. Сонымен бірге бұл тәсіл арқылы жартылай өткізгіштердің зоналық құрылыстарын және жартылай өткізгіштердің электрофизикалық қасиеттерін зерттеп, бұл зерттеген қасиеттерді практикада қолдануда үлкен орын алады.
Жартылай өткізгіштер көбіне қатты денелерден және химиялық қоспалардан тұрады. Осыған байланысты олардың құрылысы күрделі болып келеді. Жартылай өткізгіштер құрылысына қарай металдың да, диэлектриктің де қасиеттерін көрсете алады. Металдарда температура өскенде, кедергісі артады, ал жартылай өткізгіштерде керісінше азаяды. Міне сол сияқты жартылай өткізгіштердің электр өткізгіштігіде металдардан өзгеше. Жартылай өткізгіш сыртқы электр өрісінде болса, осы өріс әсерінен еркін электрондар өріске қарсы бағытта қозғалады, екінші жағынан жылулық қозғалыс әсерінен кейбір электрондар өріске қарсы қозғалады. Жалпы келгенде электрондар өрістің әсерінен реттелген қозғалысқа түсіп, дрейфтік қозғалыс жасайды, жартылай өткізгіш арқылы электр өрісі бағытында еркін электрондар тобы азаяды. Негізінде қоспасы жоқ таза жартылай өткізгіштерде электронның және кемтіктік электр өткізгіштік жүзеге асады. Осыған байланысты жартылай өткізгіштерде электр тоғы екі құраушымен бірдей бағытталған электрондық және кемтіктік токтармен анықталады. Кейбір жартылай өткізгіштердің электр өткізгіштігін энергетикалық ұғымдармен түсіндіруге болады.

1.E.J.Elliot, Symmetry of exciton in Cu2O.Phys.Rev. 124, 340-343 (1961).
2.Е.Ф.Гросс. Экситон и его движение в кристаллической решетке. УФН. 76, 433-439 (1962).
3.M.Hayashi. Absorbtion spectrum of Cuprous oxide. J.Phys. Soc. Japan 5, 380-385 (1950).
4.S.Nikitine, Experimental investigiation of txciton spectrum in ionic crystals.Phys. Mag. 4,1-5 (1959).
5.М.С.Бородин,М.И.Страшникова,Энергетическая структура кристалла CdS и фирма его экситонных полос, УВЖ 15, 705-710 (1970).
6.J.J.Hopfield, D.G.Thomas, Exciton spectrym of Cadmium sulfide, Phys.Rev. 116,573-580 (1959).
7. J.J.Hopfield, D.G.Thomas, A magneto-Stark effect and extion motion in CdS,Phys. Rev.124.657-660 (1961).
8. С.А.Москаленко,М.И.Шмиглюк, Об энергетическом спектре экситонов в кристаллах типа CdS,ФТТ 6, 3535-3540 (1964).
9. J.J.Hopfield, D.G.Thomas, Direct observation of excition motion in CdS.Phys. Rev. Letts 5, 605-610(1960).
10. П.С.Киреев.Физика полупроводников.«Высшая школа» М.1975.
11. B. Velicky,I.Sak. Elektronic effects in interband absorbtion of semiconductors, Phys. Stat. Sol. 16,147-151 (1966).
12. J.J.Hopfield, D.G.Thomas. Fine spectrum and magneticoptic effect in extion spectrum of Cadmium Sulfide. Phys. Rev. 122.35-40 (1960).
13. H.Halt, J.Bardeen, E.J.Blatt, Infrared observation spectrum of Cermanium, Phys. Rev. 95, 559-565 (1954).
14. П.В.Павлов, А.Ф.Хохлов, Физика твердого тела.«Высшая школа»М.2000.
15.M.Gerhenson, D.L.Thomos. R.E.Diez. Radiative transitions near the band edge of Callium phosphide, Proc. Intern. Conf. Phys. Semiconductors, London, 1962. p. 752-760.
16. А.И.Ансельм Введение в теорию полупроводников. М. Наука. 1965.
17. Н.Р.Семчуков «Эффект передающих фононов в арсениде галлия». Канд.диссертация, СО АА СССР, Новосибирск,1976.
18. А.С. Давыдов. Теория твердого тела. «Наука» М.1976.
19. Физика твердого тела. Под. Редакции. И.К. Верещагина. .«Высшая школа»М.2001.
20. С.А.Москаленко, К.Б.Толпыго. Об энергетическом спектре экситона Мотта в ионных кристаллах.ЖЭТФ 36, 149-156. 1959.