Тунельдік диодтар


Жоспары.

Кіріспе.

І. Негізгі бөлім.
І. 1.Тунельдік диодтардың құрылысы
І. 2.Тунельдік жартылай өткізгішті диодтардың қолданылуы.
І. 3.Тунельдік диодтардың өлшемдік құрылымы.

ІІ.Есептеу бөлімі.
ІІ.1.Тунельдік диодтардың берілу және тиімділік коэффиценттерін
есептеу.

Қорытынды.

Пайдаланылған әдебиеттер.
Кіріспе.

Бұл жұмыста жартылай өткізгіштердің ішіндегі тунельдік диодтың мағынасын ашу керек. Жұмысты орындаудағы мақсат тунельдік диодтардың берілу және тиімділік коэффиценттерін есептеу. Бірден жұмысты орындауға кіріспес бұрын, жалпы диоддеген не, олардың қандай түрлері, осы мәселелерге тоқталып кетуді жөн көріп отырмын.
Электроника вакуумдық, қатты денелік және кванттық болып бөлінеді. Қатты денелік электрониканың негізгі бөлімі жартылай өткізгіштер, олардың қасиеттері мен қолданылуы жайлы ілім болып табылады, сондай-ақ жартылай өткізгішті приборларға диодтар, транзисторлар, тиристорлар, оптондар, әсіресе, ЭВМ-ге негізделген интегралдық схемаларды пайдалану әдістері енеді.
19 ғасырдың екінші жартысынан бастап заттардың әр түрлі агрегаттық күйдегі қасиеттерін зерттеу зор қарқынмен жүргізіле бастады. Қатты денелердің ішінен өз формасын сақтайтын денелер- кристалдық қатты денелер өз алдына бөлініп шықты.
Зоналық теорияға сәйкес жартылай өткізгіштерге тыйым салынған зонасы 0-2 эВ болатын заттар жатады. Мұндай заттар тым көп . Элементтерден оларға бор, кремний, германий, фосфор, селен, теллур, иод жатады.
Көптеген жартылай өткіш приборлардың әрекеті p-n ауысудың қасиеттерін пайдалануға негізделген. Бұл приборларға әр түрлі мақсаттағы диодтар, транзисторлар, фотогальваникалық элементтер, жартылай өткізгішті лазерлер т.б жатады. p-n ауысулар жартылай өткізгіштер қасиетінің сезімталдықты арттыруға, сөйтіп фотодиодтар, фототранзистор, магнитодиодтар, тензодиодтар, тензотранзисторлар, салқындатқыштар т.б жасауға мүмкіндік береді. Жартылай өткізгішті диодтардың кейбірінің құрылысы мен жұмысын төменде қарастыратын боламыз.
Ең көп тараған диодтар түзеткіш диод, стаблитрон, варикап, фотодиод, жарық диод. Түзеткіш диодтар айнымалы токты тұрақты токка түрлендіру үшін қолданылады. Түзеткіш диодтарды германийден және кремнийден әзірлейді. Түзеткіш диодтар төмен және жоғарғы жиілікті, импульсті, әлсіз және қуатты токтарды түзету үшін қолданылады. Диодтардың жұмыс үшін шекті мүмкін параметрлерді токтың максимал мәнін, диодта таралатын қуаттың шекті мүмкін мәнін, сондай-ақ шекті мүмкін кернеуді білудің үлкен маңызы бар.Жоғары жиілікте бітеме бағытта диодтың активті кедергісі
сыйымдылық кедергімен шунтталады. Егер диодтың сыйымдылық кедергісі ауысудың кері кедергісі мен салыстырмалы болса, онда құбылыс өтетін жиілікті шекаралы деп атайды. Кері ток пен тура кернеу мәндері көбейтіндісінің желіде пайдаланылатын активті қуатқа қатынасымен анықталатын пайдалы әсер коэффиценті германий және кремний түзеткіштерде жоғары 99 пайызды. Шағын қуатты және арзан диодтарды физика және электротехника сабақтарында әр түрлі схемаларды монтаждау үшін пайдалануға болады.
Жоғары жиілік тогын, модуляцияны түзету, жиілікті түрлендіруді, импульсты схемаларда жұмыс істеу үшін әдетте диодтар қолданылады. Нүктелік диодтардың p-n ауысуы төмендегіше қалыптасады, п-типті
германий кесегіне берилий қола ине батырылады. Содан кейін, контакт арқылы шамасы ине үшін жартылай өткізгішпен бірге балқытатындай токтың қысқа импульсі жіберіледі. Балқу кезінде берилий инеден п-герменийге диффундирленеді. Ал берилий атомдары-акцептор болғандықтан, ине төңірегінде р-п ауысу түзіледі. Бұл ауысуды ауданы шағын жартылай сфералы деп қарастыруға болады. Сондықтан р-п ауысудың сиымдыдылығы аз. Осы диодтар үшін аз омдық жартылай өткізгіш материал іріктелініп алынады.
Тогы өзгергенмен кернеуі тұрақты болып қалатын шала өткізгішті диод стаблитрон деп аталады. Стабилитрон әртүрлі құрылғыларда кернеуді тұрақтандыру үшін, яғни кернеуді өзгертпей ұстап тұру үшін қолданылады.
Кері тогы р-п өтпесінің жарықталуына байланысты өзгеріп отыратын жартылай өткізгішті диодты фотодиод деп атайды.Фотодиодтар екі түрлі жұмыс режимінде пайдаланылады: сыртқы қорек көзінсіз фотогенератор ретінде және сыртқы қорек көзімен фототүрленгіш ретінде.
Фотодиод, қарапайым диод секілді бір р-п ауысудан тұрады Бірақ ауысудың ауданы басқа диодтарға қарағанда әлдеқайда үлкен болады, өйткені сәуле осы ауданға перпендикуляр түсуі керек. р-п ауысуына түскен сәуле фотондары қоздыратын валенттік электрондар өткізгіштік аймаққа өтеді. Осының салдарынан екі жартылай өткізгіште де заряд тасушы қос бөлшектің саны көбееді.Түйістік потенциалдар айырымының әсерінен п-түрлі жартылай өткізгіштегі негізгі емес заряд тасымалдаушылар кемтіктер р-типті жартылай өткізгішке өтеді де, ал мұндағы негізгі емес заряд тасымалдаушылар электрондар п-типті жартылай өткізгішке өтеді. Сөйтіп, n-типті жартылай өткізгіште артық электрондар, ал p-типті жартылай өткізгіште артық кемтіктер пайда болады. Бұл фотодиодтың қысқыштарында потенциялдар айырымын, яғни фотоэлектрлік ЭҚК –ті тудырды. Фотоэлектрлік ЭҚК –тің мәні көптеген фотодиодтарда 0,5...0,9 В шамасында болады және сәуле ағымынан тәуелді, бірақ сәуле ағыны белгілі бір шамаға
жеткенде p-n өтпесі заряд тасмалдаушыларға қанығады да, фотоэлектрлік ЭҚК одан ары өспейді.
Фотодиодтар фотоматерияда және телекескіндері беру құрылғыларында қолданылады.
Ток жүрген кезде p-n өтпесінен жарық шығатын жартылай өткізгішті диод жарық диоды деп аталады. Жарық диоды негізінен цифрлық
индекаторларда қолданылады.
p-n өтпесіне тура кернеу бергенде негізгі заряд тасмалдаушыныңпайда болуымен қатар,олардың рекомбинациясы да жүріп жатады. Рекомбинация бөліп шығатын фотондардың энергиясы жарық сәулелерінің энергиясына тең болғанда ол сәулелер көзге көрінетін болады. Егер жартылай өткізгіште тыйым саған аймақтың ені 107 эВ-тен артық болса, онда электрондар
Пайдаланылған әдебиеттер

1.КитаевВ.Е. «Электроника және өнеркәсіптік электроника негіздері» Алматы «Білім» 1991 ж
2.Әлімжан Берікұлы «Техникалық электроника» Алматы «Қазақстан» 1995 ж
3. Мухити И.М. Электротехника, Алматы , 2005 ж
4.Г.А. Иванов. Жартылай өткізгіштер; Алматы, Мектеп, 1989
5.М.И. Мұхити; Электротехника; Алматы, 2005 ж
6.К. Исмаилов; Жартылай өткізгіштер; Тараз, 2008 ж
7.А.С Енохович; Справочник по полупроводниковым материалам, Москва, Высшая школа, 1976
8.Автоматизация; И.Ю. Пивоваров; Автоматизация, Высшая школа, 1998
9.Савелев И.В. Жалпы физика курсы 2-том, 1977
10.Калашников; Электричество; Москва, Просвещение,1980
11.Электротехнический справочник / Под. ред В.Г. Герасимова
12.Құсайнов А.Қ, Энергетика, Высшая школа, 2003
13.Савельев И.В. Курс общей физики. М. Наука, 1982. Т. 2.496 С
14.Общая электротехника/ Под ред. В. С. Пантюшина. М. Высшая школа, 1970.567 С.
15.Электротехника /Под ред. В. Г. Герасимова. М.:Высшая школа. 1985.480 С.
16. Борисов Ю.М., Липатов Д. Н. Общая электротехника.М.: Высшая школа 1974.519С
17. Касаткин А.С.,Немцов М. В. Электротехника.М:Энергоатомиздат. 1983.440С
18. Основы теории цепей/ Г. В. Зевеке, П.А. Ионкин, А. В. Нетушил, С.В. Страхов.М.: Энергия. 1975. 752С.
19. Электрические измерения/ Под ред. А.В. Фремке. М.: Энергия.1980.424С.
20. .Вольдек А.И. Электрические машины. Л.: Энергия. 1980. 928С.

Пән: Автоматтандыру, Техника
Жұмыс түрі: Курстық жұмыс
Көлемі: 22 бет
Бұл жұмыстың бағасы: 500 теңге




Жоспары.

Кіріспе.

І. Негізгі бөлім.
І. 1.Тунельдік диодтардың құрылысы
І. 2.Тунельдік жартылай өткізгішті диодтардың қолданылуы.
І. 3.Тунельдік диодтардың өлшемдік құрылымы.

ІІ.Есептеу бөлімі.
ІІ.1.Тунельдік диодтардың берілу және тиімділік коэффиценттерін
есептеу.

Қорытынды.

Пайдаланылған әдебиеттер.

Кіріспе.

Бұл жұмыста жартылай өткізгіштердің ішіндегі тунельдік диодтың
мағынасын ашу керек. Жұмысты орындаудағы мақсат тунельдік диодтардың берілу
және тиімділік коэффиценттерін есептеу. Бірден жұмысты орындауға кіріспес
бұрын, жалпы диоддеген не, олардың қандай түрлері, осы мәселелерге тоқталып
кетуді жөн көріп отырмын.
Электроника вакуумдық, қатты денелік және кванттық болып бөлінеді.
Қатты денелік электрониканың негізгі бөлімі жартылай өткізгіштер, олардың
қасиеттері мен қолданылуы жайлы ілім болып табылады, сондай-ақ жартылай
өткізгішті приборларға диодтар, транзисторлар, тиристорлар, оптондар,
әсіресе, ЭВМ-ге негізделген интегралдық схемаларды пайдалану әдістері
енеді.
19 ғасырдың екінші жартысынан бастап заттардың әр түрлі
агрегаттық күйдегі қасиеттерін зерттеу зор қарқынмен жүргізіле бастады.
Қатты денелердің ішінен өз формасын сақтайтын денелер- кристалдық қатты
денелер өз алдына бөлініп шықты.
Зоналық теорияға сәйкес жартылай өткізгіштерге тыйым салынған зонасы 0-2
эВ болатын заттар жатады. Мұндай заттар тым көп . Элементтерден оларға бор,
кремний, германий, фосфор, селен, теллур, иод жатады.
Көптеген жартылай өткіш приборлардың әрекеті p-n ауысудың
қасиеттерін пайдалануға негізделген. Бұл приборларға әр түрлі мақсаттағы
диодтар, транзисторлар, фотогальваникалық элементтер, жартылай өткізгішті
лазерлер т.б жатады. p-n ауысулар жартылай өткізгіштер қасиетінің
сезімталдықты арттыруға, сөйтіп фотодиодтар, фототранзистор,
магнитодиодтар, тензодиодтар, тензотранзисторлар, салқындатқыштар т.б
жасауға мүмкіндік береді. Жартылай өткізгішті диодтардың кейбірінің
құрылысы мен жұмысын төменде қарастыратын боламыз.
Ең көп тараған диодтар түзеткіш диод, стаблитрон, варикап,
фотодиод, жарық диод. Түзеткіш диодтар айнымалы токты тұрақты токка
түрлендіру үшін қолданылады. Түзеткіш диодтарды германийден және кремнийден
әзірлейді. Түзеткіш диодтар төмен және жоғарғы жиілікті, импульсті, әлсіз
және қуатты токтарды түзету үшін қолданылады. Диодтардың жұмыс үшін шекті
мүмкін параметрлерді токтың максимал мәнін, диодта таралатын қуаттың шекті
мүмкін мәнін, сондай-ақ шекті мүмкін кернеуді білудің үлкен маңызы
бар.Жоғары жиілікте бітеме бағытта диодтың активті кедергісі
сыйымдылық кедергімен шунтталады. Егер диодтың сыйымдылық кедергісі
ауысудың кері кедергісі мен салыстырмалы болса, онда құбылыс өтетін
жиілікті шекаралы деп атайды. Кері ток пен тура кернеу мәндері
көбейтіндісінің желіде пайдаланылатын активті қуатқа қатынасымен
анықталатын пайдалы әсер коэффиценті германий және кремний түзеткіштерде
жоғары 99 пайызды. Шағын қуатты және арзан диодтарды физика және
электротехника сабақтарында әр түрлі схемаларды монтаждау үшін пайдалануға
болады.
Жоғары жиілік тогын, модуляцияны түзету, жиілікті
түрлендіруді, импульсты схемаларда жұмыс істеу үшін әдетте диодтар
қолданылады. Нүктелік диодтардың p-n ауысуы төмендегіше қалыптасады, п-
типті
германий кесегіне берилий қола ине батырылады. Содан кейін, контакт арқылы
шамасы ине үшін жартылай өткізгішпен бірге балқытатындай токтың қысқа
импульсі жіберіледі. Балқу кезінде берилий инеден п-герменийге
диффундирленеді. Ал берилий атомдары-акцептор болғандықтан, ине төңірегінде
р-п ауысу түзіледі. Бұл ауысуды ауданы шағын жартылай сфералы деп
қарастыруға болады. Сондықтан р-п ауысудың сиымдыдылығы аз. Осы диодтар
үшін аз омдық жартылай өткізгіш материал іріктелініп алынады.
Тогы өзгергенмен кернеуі тұрақты болып қалатын шала өткізгішті диод
стаблитрон деп аталады. Стабилитрон әртүрлі құрылғыларда кернеуді
тұрақтандыру үшін, яғни кернеуді өзгертпей ұстап тұру үшін қолданылады.

Кері тогы р-п өтпесінің жарықталуына байланысты өзгеріп отыратын
жартылай өткізгішті диодты фотодиод деп атайды.Фотодиодтар екі түрлі жұмыс
режимінде пайдаланылады: сыртқы қорек көзінсіз фотогенератор ретінде және
сыртқы қорек көзімен фототүрленгіш ретінде.
Фотодиод, қарапайым диод секілді бір р-п ауысудан тұрады Бірақ
ауысудың ауданы басқа диодтарға қарағанда әлдеқайда үлкен болады, өйткені
сәуле осы ауданға перпендикуляр түсуі керек. р-п ауысуына түскен сәуле
фотондары қоздыратын валенттік электрондар өткізгіштік аймаққа өтеді.
Осының салдарынан екі жартылай өткізгіште де заряд тасушы қос бөлшектің
саны көбееді.Түйістік потенциалдар айырымының әсерінен п-түрлі жартылай
өткізгіштегі негізгі емес заряд тасымалдаушылар кемтіктер р-типті жартылай
өткізгішке өтеді де, ал мұндағы негізгі емес заряд тасымалдаушылар
электрондар п-типті жартылай өткізгішке өтеді. Сөйтіп, n-типті жартылай
өткізгіште артық электрондар, ал p-типті жартылай өткізгіште артық
кемтіктер пайда болады. Бұл фотодиодтың қысқыштарында потенциялдар
айырымын, яғни фотоэлектрлік ЭҚК –ті тудырды. Фотоэлектрлік ЭҚК –тің мәні
көптеген фотодиодтарда 0,5...0,9 В шамасында болады және сәуле ағымынан
тәуелді, бірақ сәуле ағыны белгілі бір шамаға
жеткенде p-n өтпесі заряд тасмалдаушыларға қанығады да, фотоэлектрлік ЭҚК
одан ары өспейді.
Фотодиодтар фотоматерияда және телекескіндері беру құрылғыларында
қолданылады.
Ток жүрген кезде p-n өтпесінен жарық шығатын жартылай өткізгішті
диод жарық диоды деп аталады. Жарық диоды негізінен цифрлық
индекаторларда қолданылады.
p-n өтпесіне тура кернеу бергенде негізгі заряд тасмалдаушыныңпайда
болуымен қатар,олардың рекомбинациясы да жүріп жатады. Рекомбинация бөліп
шығатын фотондардың энергиясы жарық сәулелерінің энергиясына тең болғанда
ол сәулелер көзге көрінетін болады. Егер жартылай өткізгіште тыйым саған
аймақтың ені 107 эВ-тен артық болса, онда электрондар өткізгіштік аймақтан
валенттік аймаққа қайтып оралғанда шығаратын фотондары көзге көрінетін
жарық тудырады.
Жарық диодты галий арсенидтері мен фисфидтерінен және
силицийкарбидтерінен жасалады.
Жарық диодының негізгі параметрлері: жұмысы кернеуінің төменгі және жоғарғы
шеткі аралығы мен инерциялылығы. Жарық диодының инерциялылығы оның жарық
шығара бастағандағы кернеуімен анықталса, ал жоғары шекті мәнішашырата
алатын ең үлкен қуатымен анықталады. Жарық
диодының инерциялылығы оның жарықтылығы максимал мәнінің 0,1 және 0,9
бөлігіне тең болған кездегі жану және сөну уақыттарымен анықталады.

І. Негізгі бөлім.
1.1. Тунельдік диодтардың құрылысы.

1958 жылы Жапон физигі Есаки туннельдік диодты жасады. Ол n облыстары
бар германиден жасалған, барынша легирленген, тіпті ферми деңгейі сәйкес
валенттік зонада және өткізгіштік зонада жататын, ал тесіктің және электрон
газы көп ерекшеленген , жазық диод түрінде болады (1-сурет).

1-сурет. Ферми деңгейіне сәйкес келетін тунельдік диодтың сұлбасы.

Мұндай легирленуде p-nауысудың кеңдігі аз болып, электрлік контактілік өріс
тасушыларды тосқауыл арқылы туннельдеуге жеткілікті мәнге ие болады:
4с 5
٤= — =10 В см.
0,8

Бірақ Ферми деңгейі n-облыстың өткізгіштік зонасында, ал р- облыстың
валенттік зонасында бірдей биіктікте жататындықтан, сыртқы өрістің болмауы
салдарынан мүмкін болатын туннельдеу һ және р облысында электрондардың орын
ауыстыруын тудырады. Туннельдеуге байланысты нәтижелі ток 0-ге тең.
Егер осындай диодқа бітеме бағытта сыртқы кернеу берсек диодтың n-
облысымен + кездегі; ал p- облыспен - кезді қоссақ, онда ферми
деңгейі n облыста төмендеп, р- облыста жоғарылайды (1-сурет). Бұл жағдайда
электродтардың p облыстан n- облысқа қарқынды туннельденуі басталады:
бітеме уақытта берілген кернеу, туннельдік диодта кері токтың күрт артуын
тудырады. Егер кернеуді тура бағытта (облысқа - көзді, р-облысқа +
көзді жалғасақ ), онда ферми деңгейі nоблыста р облыспен салыстырғанда
жоғары болады.
Электрондар ағыны n облыстан p облысқа өседі (1 в-сурет). Тура ток тура
кернеудің өсуімен арта бастайды.
Бірақ оның өсуі р облыстың төбесі өткізгіштің зонасының түбімен
бір деңгейде болғанда тоқтайды, өйткені электрондардың n облыстан p облысқа
туннельденуі.
(электрондар энергиясының өзгерінсіз)
валенттік зонаның төбесінен жоғароы бос деңгейлер болмайды. Тура кернеудің
одан ары өсуіне сәйкес туннельдік ток нөлге дейін кемиді. Әйтсе де
туннельдік токтан бөлек, өткізу бағытындағы кернеу әдеттегі диодтағыдай
тура токты тудырады. Нәтижесінде туннельдік диодтың вольтамперилік
сипаттамасының тура саласы максмумға дейін өсіп содан кейін күрт
төмендейтін әрі кәдімгі диодтағыдай алдымен жайлап өсетін туннельдік токтан
құралады.
Токтың вольтамперлік сипаттама (2-сурет) кескінделген, онда туннельдік диод-
оның параметрлері: Jnuk- шырқау ток, J8- құралдау тогы,VВ-Vnuk-шырқау мен
құлдырау кернеулер айырымы сипатталады .
Туннельдік диодтың негізгі қасиетіне шырқау кернеуі арасында
пайда болатын теріс дефференциялдық кедергінің болуы жатады.Германий үшін
эмпирикалдық формулкмен анықталатын теріс кедергі аймағында R=140 Jnuk Ом,
диод күшейткіш, генератор және айырып қосу аз уақытта алатын айырып қосқыш
ретінде жұмыс істей алады.

2-сурет. Толық вольт-амперлік сипаттама.

1.2. Тунельдік жартылай өткізгішті диодтардың қолданылуы.

Жоғарыдағы тунельдік диодтардың көмегімен әр түрлі жартылай өткізгішті
құрылғылар жасалынады. Солардың ішінде жартылай өткізгішті түзеткіштерді
қарастырайық. Жартылай өткізгішті түзеткіштердің ішінде селенді және
купроксты түзеткіштер кең қолданылады.
Селенді түзеткіштер алюмений негізді шайба түрінде болады. Ал
күшейткіштің негізгі бөлігі селеннің жұқа қабаты жағылған жартылай
өткізгішті тунельдік диодтан тұрады. Осы шайбалар екі сағат бойы 218
градус температурада термоөңдеуден өтеді. Осы уақыт ішінде селен
кристалданып, оның бетіне 53 пайыз берилий, 24 пайыз камдий, 23 пайыз
силициум құрамды катодтық қорытпа жалатылады. Селенмен шекарада камдий
селенийді-электронды жартылай өткізгіш түзіледі, ал селен р-жартылай
өткізгіш болып табылады. Селенді түзеткіш ұзақ уақыт бітеме бағытта ток
өткізуден кейін қалыптастырылады. Қалыптастыру кернеуі 20-30 В болады.
Қалыптастыру кезінде біртегіс әрі қалыңдығы жеткілікті р-п ауысу пайда
болады. Селенді түзеткіштердің қасиеттерін қарастырайық.

1. Селенді түзеткіштер сақтау кезінде қалпы бұзылады, сол себепті
қайта қалыптастыруды қажет етеді.
2. Өткізубағытында тұрақты ток бұзылу дәрежесін арттырады.
3. Ылғалдық бұзылуға ықпал етіп, түзеткішті істен шығаруы мүмкін,
сондықтан шайбаларға лак жағылады.
4. Ұзақ уақыт сақтағанда түзеткіш тозып, тура кедергінің артуына
әкеледі. Заводтар 12,15,18,16,30 және 36 В-қа арналған түзеткіштер
шығарады. Шайбалар сыйымдылығы 0,01 мкФ см, номинал деректер 850
Гц көп емес жиілікте беріледі. Қызмет мерзімі 10000 сағаттай.
Купроксты жартылай өткізгішті тунельдік диодты күшейткіштер бір жағы купрум
мен оттегінің оспасынан тұратын мыспен қапталады. Бұл қабат бір текті
жартылай өткізгіш бола алмайды. Мыс жағынан бұл жартылай өткізгіш п-типті,
ал тотық жағынан р- типті жартылай өткізгішті диод болады. Бұл түзеткішті
дайындау үшін өте таза мыс диектері алынады. Дайындау процесі мына
кезеңдерді қамтиды:

1. Мысты 3-15 минут мерзімде 1030-1040 градус температурада пеште
тотықтырады. Мыс ауадағы оттегімен 0,1 мм тереңдікте тотығады.
Қабат шытынап кетпеу үшін 600 градуста жұмсартып, содан кейін суда
суытады.
2. Химиялық өңдеумен қабатты мыс оксидінің қарадағынан тазартып, мыс
оксидінің қалыңдығын азайтады., сондай-ақ бетіне электрод жалатуға
дайындайды. Химиялық өңдеу азот және тұз қышқылы ерітінділерінде
жүргізіледі.
3. Электрод жалату графиттік сүртумен немесе күміс қабатын вакуумда
тозаңдандыру арқылы жалатумен, не болмаса мысты ішінара қалпына
келтіре отырып, одан кейін электр химиялық жолмен никель қабатын
жалатумен орындалады.
4. Тунельдік диодты түзеткіш параметрлерін тұрақтандыру. Купроксту
түзеткіштердің сипаттамалары: кері жұмыстық кернеу 9 В, токтың
номиналь тығыздығы 50-60 мАсм, меншікті сыйымдылығы 60 пфсм
Купроксты түзеткіштердің формалары бұзылмайды және олар түзетуді бірнеше
милливольттан жүргізе алады. Бұл купроксты түзеткіштерді өлшеу
техникасында, атап айтқанда, магнит электрлік жүйе гальванометрмен бірге
айнымалы токты өлшеуге пайдаланылады. Түзеткіштер 60-55 градус температура
аралығында жұмыс істейді.

1.3. Тунельдік диодтардың өлшемдік құрылымы.

Электр сигналдарын тунельдік диодтар көмегімен реттеу мүмкіндігін 1922-
26 жылдары совет ғалымы Лосе анықтаған. Ол бірқатар кристалдық
детекторлардың түсу вольт-амперлік сипаттамасының болатынын білді. Түсу
вольт-амперлік сипаттамасы бар диодтарды Лосев өлшейтін тербелістерді
генерациялауға және қабылданған сигналдарды күшейтуге пайдаланылды.
Сонымен қатар мұндай тунельдік диодтарды кішігірім қашықтыққа таратқыш
ретінде пайдалануға болатынын көрсетті. Осылайша дүние жүзінде юірінші
жартылай өткізгіш кристаллдар тербеліс тудыруға пайдаланылды. Детекторлар
сияқты жартылай өткізгіштердің металмен контактісі радиотехниканың алғашқы
дамуы кезінде радиотехникалық құрылғылардың барлығында қолданылды.
Вакуумдық шамның жасалуымен тунельдік диодтар іс жүзінде қолданысқа ене
бастады. Екінші дүние жүзлік соғыс жылдарында локациялық техниканың дамуына
орай жоғары жиілікте жұмыс істеуге қабылетті кристалдық детектрлер
қолданылып, кейін тунельдік диодтың көмегімен өте жоғары сапалы детектрлер
алынды. Одан ары жұмыс сол материалдардың қасиеттерін зерттеуге негізделді

3а-сурет.

п

Д2 Д3

Д1

3- сурет. Тунельдік диод негізінде жасалған транзистордың құрылымы.

. Германий мен кремний детекторлардың жұмысын түсіндіруге талпыныс беттік
күйді зерттеуге әкелді. Оның бар екендігіне 1933 жылы Е.И. Тамм назар
аударғанды. Ол беттік зарядтар тығыздығын қосымша электрод жәрдемімен
бақылау жүргізе отырап тунельдік диод негізінде жұмыс атқаратын
транзисторларды ойлап тапты. 1949 жылы Шокли р-п ауысу жөнінде теориялық
зерттеулерін жариялап, тунельдік диодтардың ... жалғасы
Ұқсас жұмыстар
Диодтар
Стабилитрон. Тунельдік диод
Жартылай өткізгішті диодтар
Жартылай өткізгіш диодтар
Шифраторлар мен дешифраторлар
Диод туралы жалпы сипаттама
Жартылай өткізгішті диод
Диод және оның түрлері
Жартылай өткізгіштер туралы жалпы сипаттама
Металл-жартылай өткізгіш түйіспе
Пәндер

Қазақ тілінде жазылған рефераттар, курстық жұмыстар, дипломдық жұмыстар бойынша біздің қор №1 болып табылады.

Байланыс

Qazaqstan
Phone: 777 614 50 20
WhatsApp: 777 614 50 20
Email: info@stud.kz
Көмек / Помощь
Арайлым
Біз міндетті түрде жауап береміз!
Мы обязательно ответим!
Жіберу / Отправить

Рахмет!
Хабарлама жіберілді. / Сообщение отправлено.

Email: info@stud.kz

Phone: 777 614 50 20
Жабу / Закрыть

Көмек / Помощь