Биөрісті транзистор



Жұмыс түрі:  Реферат
Тегін:  Антиплагиат
Көлемі: 6 бет
Таңдаулыға:   
Андас

РЕФЕРАТ
Тақырыбы:
n-р – басқару өткелі бар транзистор

Орындаған:
Тексерген:

Орал, 2011ж.

Жоспар

1. Транзисторлар
2. Биөрісті транзистор
3. n-р – басқару өткелі бар транзистор
Транзисторлар

Транзисторлардың пайда болуы екінші деңгейлі компьютерлердің пайда
болуына себеп болса, интегралды схемалардың пайда болуы есептеуіш
техникасының жаңа этапының, яғни үшінші деңгейлі машиналардың дамуына жол
ашты. Кристалл деп те аталатын интегралды схема көлемі 10мм шамасында
болатын кремнийлі кристалдардың үстіңгі қабатында жасалынған кішігірім
электронны схема түрінде болып келеді.
Транзистор (ағылшынша: transfer — тасымалдау және resistor — кедергіш)
— токты күшейтуге, түрлендіруге арналған үш электродты жартылай өткізгіш
құрал. Транзисторға жіберілген аз ток (кернеу) үлкен ток ағынын басқарады.
Ең бірінші транзистор алтын фольгасына оралған үшкір пластиктен, аз
мөлшерде германийден тұратын. Көпшілік те, ғалымдар да бұл нәрсенің қалай
істейтінін түсіндіре алмады, ол құрал арқылы тек радио тыңдады.
Алғаш өріс эффектсіне негізделген транзисторге патентті Канадада
Julius Edgar Lilienfeld 1925 жылы 22 қазанда тіркеді. Бірақ ол өзінің
құрылғысы туралы мәлімет таратпағандықтан, жетістігі ескерілмеді. Кейін,
1934 жылы неміс ғалымы Oskar Heil өріс эффектсіне негізделген басқа
тразисторге патент алады.
1947 ж. желтоқсанның 16 Уильям Шокли (William Shockley), Джон Бардин
(John Bardeen), Уолтер Брэттэйн (Walter Brattain) істейтін транзистор
жасағандығы туралы хабарлады. Бұл кезде олар Bell Labs. -та істейтін еді.
Bell Labs. патент алып, нарыққа шығады. Бірақ Bell Labs. барлық
қиындықтарды жеңе алмай, 1952 жылы транзисторға патентті сатып жібереді.
Сол уақыттан бері транзисторлар барлық жерде таралды.
Транзисторлар былай жіктеледі:
- Жартылай өткізгіш заты: германий, кремний, галлий арсениді, кремний
карбиді, т.б.
- Құрылысы: биөрісті т., өріс-эффект т.-ы, т.б.
Қуаты: аз, орташа, жоғарғы
- Істей алатын жиілік: төмен, орташа, жоғарғы, радиожиілік (RF — radio
frequency), микротолқын
- Сыртқабы: SMD, TO-92, TO-72, т.б. (ISO стандарттарына бағынады)

Биөрісті транзистор

Биөрісті транзистор (ағылшынша: bipolar junction transistor) —
транзисторлардың алғаш шыққан түрі. Екі түрлі заряд тасмалдағышпен
істейтіндіктен (би = 2) аталып кеткен. Үш қосылатын электроды: эмиттер,
база, коллектор, екі p-n (positive — negative) аймағы: эмиттер-база,
коллектор-база бар. Биөрісті транзистор екі түрге бөлінеді: n-p-n, p-n-p.
Айырмашылығы негізгі заряд тасымалдауышта: n-p-n -де электрон, p-n-p -де
кемтік. База жұқа болып жасалады, соның есесіне базадан өткен ток эмиттер —
коллектор тогын басқарады.
Қазіргі кезде транзисторлар өмірімізде түпкілікті орын алады. Аналогты
және сандық құралдар құрамында бола отырып, олар электр құралдарының негізі
саналады. Қолданылатын аялары: компьютерлер, ... жалғасы

Сіз бұл жұмысты біздің қосымшамыз арқылы толығымен тегін көре аласыз.
Ұқсас жұмыстар
Микропроцессорлер туралы жалпы түсінік
Электр өрісімен басқарылатын өрістік транзистор
Биполярлы транзисторлы күшейткіш каскадын есептеу
Биполярлық транзисторлар
Транзистор және оның параметрлері
Транзистор туралы жалпы сипаттама
Өрісті транзистордың жұмыс істеу принципі және оның негізгі параметрлері
Транзисторлар
Транзисторлар. Іске қосу сұлбалары
Тиристордың құрылысы және жұмыс істеу принципі
Пәндер