Плазмадағы тозаңды бөлшектердің зарядталуы


МАЗМҰНЫ
1. 3 Плазмадағы зарядталған бөлшектерге әсер ететін күштер ф
және олардың өзара әрекеттесуі
2. 2 Микрогравитация жағдайында ультракүлгінмен зарядталу кезінде пайда болатын плазмалы-тозаңды құрылым. .
3. 1 Тозаңды плазманың қасиеттерін зерттеуге арналған зертханалық қондырғы . . .
Көлемі 60 беттен тұратын дипломдық жұмыстың құрамына 33 сурет, 26 қолданылған әдебиеттер тізімі кіреді.
Негізгі ұғымдар: тозаңды плазма, плазмалы тозаңды құрылым, құрылымдық қасиеттер, қосалқы корреляциялық функция.
Зерттеу обектісі: табиғатта көп таралған (аспан кеңістігінің көп бөлігінде, шамамен 90%) яғни, планета сақиналары, кометалар құйрықтарында, планета аралық бұлттар, ғарыштық аппараттардың маңында сонымен қатар плазма магниттік толқындармен ұсталатын термоядерлік және микросхемаларды өңдеу сияқты технологиялық құрылғыларда кездесетін плазмалы тозаңды құрылымдардар болып табылады.
Жұмыстың мақсаты: тозаңды плазмада болатын фазалық ауысулар процессін тәжірибеде зерттеу.
Алға қойылған мақсатқа жету үшін төменде көрсетілген тапсырмаларды орындау керек болды:
- Тозаңды плазма қасиеттерін зерттеуге арналған тәжірибелік қондырғы жұмысымен жіті танысу және онымен жұмыс істеп үйрену.
- Разрядтың әр түрлі мәндерінде (газ түрі және қысымы, разряд тогы) плазмалы-тозаңды құрылымдарды видеоға түсіру.
- Плазмалы-тозаңды түзілімдердің құрылымдық қасиеттерін анықтау барысында тозаңды бөлшектердің қос корреляциялық функциясының таралуын алу.
Зерттеу әдісі : Газдық разрядтағы плазмалы тозаңды түзілімдер қарапайым видеокамера (25 кадр/cек. ) көмегімен түсіріледі. Алынған нәтижелер дербес компьютерде арнайы программалар көмегімен есептелініп шығарылады.
КІРІСПЕ
Тозаңды (комплексті) плазма деп құрамында электрондар, иондар, нейтрал атомдар сонымен қатар теріс немесе оң зарядталған қатты дененің микронды өлшеміндегі макроскопиялық бөлшектері бар объектіні айтады. Соңғы жылдары тозаңды немесе комплексті плазма реттелген тозаңды құрылымдар пайда болатын ашық сызықты диссипативтік жүйе ретінде ғалымдардың назарын аударуда.
Тозаңды плазманы зертханалық жағдайда 1920 жылдарда - ақ Ленгмюр байқаған болатын. Бірақ, плазманың бұл саласын қарқынды зерттеу соңғы онжылдықта басталды. Әрине, бұған техника мен технологияның дамуы себеп болды. Айта кетсек, 90 - жылдардағы тозаңды плазмаға қызығушылық біріншіден МГД генератордың электрофизикасын зерттеу, микроэлектроникада плазмалық тозаңдау технологиясында, сонымен бірге жұқа пленка және нанобөлшектер өндірісінінде кеңінен қолданылуға байланысты өсті.
Ең бастысы тозаң мен тозаңды плазма табиғатта өте үлкен көлемде тараған (планеталардың сақиналарында, кометалардаң құйрығында, планетааралық бұлттарда) . Және де тозаңды плазма жасанда жер серігінің және ғарыштық аппараттардың маңынан, магниттік өріспен ұсталатын термоядролық қондырғыларда байқалған. Тіпті біздің әлемнің, яғни планеталар, жұлдыздардың пайда болуы осы тозаңды плазманың ерекше қасиеттеріне байланысты деген болжам бар.
Тозаңды плазманың осындай процестерін анықтау үшін алдымен онда болып жатқан тозаңды бөлшектердің құрылымдық қасиеттерін зерттеу маңызды.
Тозаңды бөлшектер өте күшті әрекеттесіп, сұйық немесе кристалды құрылымды түзетін жағдайлар мейлінше көп қызығушылық тудыруда. Осы кезде плазмада болатын кинетикалық деңгейде процестерді зерттеу мүмкіндігі пайда болады.
Тозаңды-плазмалы кристалды, оның ерекше сипатына байланысты заттың бесінші агрегаттық күйі деп қарастыруға болады. Зат бір күйден екінші бір күйге өту үшін оны қыздыру керек және осы кезде оның құрылымы бұзылады, мысалы мұздан суға ауысу. Ал плазма (заттың төртінші күйі) жоғары температуралы, және жүйе бейберекет, осы себептен ол жерде қандай да бір реттелген құрылымды жүйені алу мүмкін емес дейтін. Бірақ плазманы қатыруға болады (Вигнер, Ландау, Зельдович), деген ұсыныстар болатын, ол қалай жүзеге асады? Бұл сұраққа жауапты тозаңды плазмадан алуға болады.
Бұл жұмыс тозаңды плазмада болатын құбылыстарды зертханалық жағдайда зерттеп, түсіндірілмелер беруге арналған. Дәлірек айтатын болсақ, бұл жұмыста макроскопиялық зарядталған бөлшектерден тұратын төменгі температуралы плазмада пайда болатын (жоғары жиілікті көлемдік разряд) - тозаңды плазманың қасиеттері қарастырылады. Тозаңды плазмадағы негізгі элементар процестер мен плазмадағы бөлшектерге әсер етуші күштер талдауға алынады. Төменгі температуралы плазмадағы тозаңды түзілімнің әр түрлі - газ, сұйық және кристалл типтес фазаларын тәжірибеде және теориялық түрде зерттеу нәтижелері келтіріледі. Сонымен бірге бұл жұмыста тозаңды түзілімнің орта параметрлеріне тәуелді болатын құрылым, түрін көрсететін қос корреляциялық функиялары анықталған.
Жұмыстың негізгі мақсаты: тозаңды плазмада болатын фазалық ауысулар процессін тәжірибеде зерттеу.
Осы мақсатқа қол жеткізу үшін келесі тапсырмаларды орындау қажет болды:
- Тозаңды плазма қасиеттерін зерттеуге арналған тәжірибелік қондырғы жұмысымен жіті танысу және онымен жұмыс істеп үйрену.
- Разрядтың әр түрлі мәндерінде (газ түрі және қысымы, разряд тогы) плазмалы-тозаңды құрылымдарды видеоға түсіру.
- Плазмалы-тозаңды түзілімдердің құрылымдық қасиеттерін анықтау барысында тозаңды бөлшектердің қос корреляциялық функциясының таралуын алу.
Бұл алынған нәтижелер экспериментальдық физика мен тозаңды плазма орын алатын инженерлік техникалар мен технологиялардың (жұқа үлдір және микро-, нанобөлшектер өндірісінінде, магниттік толқындармен ұсталатын термоядролық қондырғыларда) есептеулерінде қолданылуы әбден мүмкін.
1 ТОЗАҢДЫ ПЛАЗМАДАҒЫ ЭЛЕМЕНТАР ПРОЦЕСТЕР
1. 1 Плазмадағы тозаңды бөлшектердің зарядталуы
Тозаң плазмаға толығымен енген кезде электрондарды өзіне тарту әсерінен олар зарядталады, осы кезде бұл зарядталған бөлшектерге басты екі күш әсер етеді, бұлар бүкіл әлемдік тартылыс күші және электр өрісінің күші. Осы күштер бір-бірін теңестіру әсерінен тозаңды бөлшектер төменгі электродқа құламай әр түрлі құрлымдар құрап, плазмада, яғни электрод маңайы қабатында қалықтап тұрады. Осылайша разрядтың қолайлы шарттарында олар сан-алуан түзілімдер құрады. Солардың бірі cурет 1. 2 (түзілімнің тік бағыттағы қимасы) және cурет 1. 3 (түзілімнің көлденен бағыттағы қимасы) суреттерде көрсетілген, олар туралы толығырақ сәл кейін жазылады.
Егер жоғарыда айтылған екі күш белгілі болатын болса, онда тозаңды бөлшектердің зарядын табуға болады. Ол төмендегідей күйде болады:
, (1)
бұнда
- электр күші,
- тартылыс күші. Өз кезегінде
, бұндағы
- тозаңды бөлшектердің заряды,
- жергілікті электр өрісі, яғни бұл тозаңды бөлшектер тұрған жердегі өріс, ал
бұндағы
- тозаңды бөлшектердің массасы,
- еркін түсу удеуі. Осы шамаларды (1) формулаға қойып, төмендегіні аламыз:
, (2)
q=eZ болғандықтан, бұндағы
- элементарлы заряд, ал
- зарядтық сан, түпкілікті нәтиже мына түрде болады:
, (3)
яғни плазмадағы бөлшек заряды төмендегідей анықталады.
. (4)
Плазмадағы тозаңды бөлшектердің электрлік зарядының пайда болуына алып келетін әр түрлі процестер бар. Егер жіктеп қарастыратын болсақ бөлшектер фотоэмиссия немесе екінші электрондық эмиссия әсерінен, сонымен қатар бөлшектер сыртқы радиация көзінен немесе бөлшек материалының радиоактивті болу себебінен жүзеге асады. сурет 1. 1-де тозаңды бөлшектердің зарядталуының бірнеше механизмдері көрсетілген.





1. 2 Тозаңды плазманың идеал болмауы
Тозаңды плазмада орындалатын шарттар тіпті әр түрлі және оның сипаттамалы параметрлерінің арасындағы қатынастарға тәуелді болуы мүмкін.
Көптеген әрекеттесуші бөлшектер жүйесінің негізгі сипаттамаларының бірі идеалсіздік параметрі Г- көршілес бөлшектердің арасындағы потенциалды әрекеттесу энергиясының олардың кинетикалық энергиясына қатынасы ретінде анықталады. Зарядталған бөлшектердің кулондық әрекеттесу үшін
Г =
,
(5)
мұндағы
бөлшектер арасындағы орташа арақашықтық, ал Т- кинетикалық энергиясы. Плазманың электрондары мен иондары үшін
. (6)
(иондар бір рет зарядталған деп есептелді) . Жүйені Г
1 жағдайында идеалды емес деп қарастыру қабылданған. Белгілі болғандай, плазмадағы зарядтар экрандалды. Сондықтан тозаңды плазмада орташа бөлшектер арасындағы қашықтықтардан басқа сипаттамалы кеңістіктік масштаптар ретінде системаның әрқайсысының дебайлық экрандалу радиустары (қабылданған) қарастырылады, және де сондай ақ тозаңды бөлшектердің өлшемдері. Тозаңды плазмасы бар қарапайым тәжрибелер жағдайында дебай сферасындағы электрондар (иондар) саны
электрондар иондар үшінүлкен,
=n
>> 1, сондықтан, электрондар және иондар кішірек жүйелер идеалды толық табылады, себебі Г
е(i)
~
(
)
-2/3
<<1.
Алдыңғы жағдайда тозаңды бөлшектер жүйесіндегі жағдайдан сапалы түрде ерекшеленеді. Бұрынғыдай
>>1 кезінде тозаңды жүйе идеалды, және де бұл кезде тозаң жүйеге жаңа сипаттамалы кеңістік және уақыттық масштабтарды енгізетін қосымша плазмалық құраушы ретінде қарастырылады. Тозаңды бөлшектер эффективті дебай радиусының өрнегіне үлес қосу арқылы экрандалуға қатысады:
, (7)
(тозаңды бөлшектердің зарядтары тіркелген болып табылады) . Кері жағдайда
«1 тозаңды бөлшектердің жүйесі әрқашан идеалды емес, себебі бұл кезде экрандалу тек электрондармен және иондармен анықталуы мүмкін. Тозаңды бөлшектер арасындағы арақашықтық тозаңды қүраушы үшін Дебай радиусынан кіші болуы мүмкін, бірақ олар электрондар мен иондар плазмасымен алдын-ала экрандалу нәтижесінде өте күшті әрекеттесу міндетті емес. Идеалды емес тозаңды плазманың қасиеттерін сипаттау үшін ұсынылған көптеген теориялар келесі модельге негізделген: теріс зарядталған бөлшектер плазмалы көлемнің ішінде қандай да бір ұстап тұрушы күштің нәтижесінде сонда болады және өзара изотропты экрандалған кулондық потенциал арқылы әрекеттеседі (Дебай-Хюккель немесе Юкава потенциалы)
U
=
.
(8)
мұнда экрандалу плазма электрондармен және иондармен жүргізіледі. Бұл модель тозаңды плазмада болып жатқан поцестің оңайлатылған түрін береді және әсіресе анизотропты плазма елеулі рол атқаратын кейбір тәжірибелерді сипаттау үшін қолданылмайды. Сондай-ақ, бұл модель алыстан әсер ететін бөлшектер зарядының тұрақсыздығын, ұстап қалатын потенциалдың түрін және т. б. ескермейді. Бірақ оның көмегімен тәжірибе жүзінде дәлелденген бірқатар сапалы нәтижелер алынды, және де сондықтан ол мейлінше әртүрлі жағдайлардағы тозаңды плазманың қасиеттерін сипаттауға қажет нақты модельдерді құруға негіз ретінде қарастырылуы мүмкін.
1. 3 Плазмадағы тозаңды бөлшектерге әсер ететін негізгі күштер
Плазмадағы тозаңды бөлшектерге әсер ететін негізгі күштер электр зарядымен байланыспаған күштер (гравитациялық күш, бейтараптармен тежелу күш, термофоритті күш) және бөлшекте электр зарядының бар болуымен байланысты күштер болып бөлінеді.
Гравитациялық күш (ауырлық күш) мына өрнекпен анықталады
. (9)
мұндағы g - еркін түсу үдеуі. Гравитациялық күш бөлшектің көлеміне пропорционал F g ~а 3
Қозғалыстағы бөлшекке қоршаған орта тарапынан кедергі күш әсер етеді. Әлсіз иондалған плазма жағдайында кедергі күшіне негізгі үлесті бейтарап құраушы қосады. Тозаңды бөлшектердің жылдамдығы әдетте бейтарап атомдар мен молекулалардың жылулық жылдамдығынан әлдеқайда аз болғандықтан, кедергі күш көп жағдайларда бөлшектер жылдамдығына пропоционал. Кнудсен
Кп
санының шамасымен анықталатын екі режимді айыра білу керек бейтарап газ атомдары немесе молекулалардың еркін жүру ұзындығының бөлшектің сипаттамалы өлшеміне қатынасы,
.
Кп«1
шарты орындалатын режим гидродинамикалық деп аталады. Бұл шекте кедергі күші Стокc формуласымен анықталады.
, (10)
мұндағы η
-
бейтарап газдың тұтқырлығы, ал
и-
газбен салыстырғанда бөлшек қозғалысының жылдамдығы. Минус таңбасы салыстырмалы жылдамдық векторына қарама-қарсы бағытта әсер ететін күш екенін білдіреді. Әдетте еркін молекулалы режим деп аталатын
Кп
»1 орындалатын кері шекті жағдай, бөлшектердің өте аз салыстырмалы жылдамдықтарында
(и«
Тп
) кедергі күші мына түрде жазылады
, (11)
мұндағы
п
п
және
Т
п
-
сәйкесінше бейтараптар (нейтралдар) концентрациясы мен температурасы,
- бірінші ретті коэффицент. Ол нейтралдардың бөлшектер бетімен әрекеттесу ерекшеліктері. Мысалы, осылайша соқтығысқан кезде бөлшектің бетінен нейтралдардың толық жұтылу немесе айналы шағылысу кезінде
=
1, ал толық аккомодация жағдайында
= 1+
/8. Үлкен жылдамдықтарда
(и»
Тп
)
кедергі күші салыстырмалы жылдамдықтың квадратына пропорционал:
,
(12)
мұндағы т п - нейтралдар массасы. Келтірілген өрнектер әуел баста бейтарап газдағы зарядталмаған бөлшектер үшін алынған еді. Сол арқылы тозаңды бөлшектің айналасындағы біртекті емес электр өрісінің бар болуымен байланысты поляризациялы әрекеттесу ескерілмеді. Бірақ поляризациялық әрекеттесу радиусы тозаңды бөлшектердің өлшемінен әлдеқайда аз, сондықтан көп жағдайларда түзетулер ескерусіз аз.
Әдетте тозаңды плазмада өрнек орындалатын жағдайлар жүзеге асады. Әдетте тежелу күшін мына түрде F
=-m
d
dn
u
көрсету ыңғайлы, және де
dn
жиілігі тозаң бөлшектерінің бейтараптармен соқтығысу кезіндегі импульс беруінің эффективті (тиімді) жиілігін нақтайды.
Плазмада электр өрісінің кернеулігі Е - бар кезде зарядталған бөлшекке мына күш әсер етеді
, (13)
Эффективті (тиімді) өріс шамасы енгізуге болады
. (14)
Сонда
.
-
үлкен шамасы
Е
- мен салыстырғанда сыртқы электр өрісімен индуцияланған тозаңды бөлшектің айналасында плазма поляризациясымен байланысты. Плазманың поляризациялануы сондай-ақ тозаңды бөлшекте дипольді моменттің
пайда болуына алып келеді.
Егер сыртқы күш біртекті болмаса, онда мұндай дипольге мынандай күш әсер етеді
. (15)
Тозаңды плазма үшін
кезінде электростатты күш
өрнегімен, ал дипольдық момент
р
«
а
3
E
өрнегімен берілетін шарттар тән. Дипольдық моментінің аздығына байланысты,
Ғ
dp
- дипольдық күшін
Ғ
е
-
қарағанда ескермеуге болады. Сондай-ақ иондық ағынның қатысуымен біртекті емес плазмадағы электростатикалық күшті есептеуге арналған. Оларда плазма зарядтарының тығыздық градиентіне немесе ионды ағын жылдамдығына тәуелді және кему жағына бағытталған сәйкес Дебай ұзындығына пропорционал қосымша құраушы күш көрсетілген.
Тозаңды бөлшектерге қатысты иондардың жылдамдығы немесе электрондардың бағытталған қозғалысы болған кезде плазмалық бөлшектердің қозғалыс бағытында әсер ететін күш пайда болады. Ол плазмалық бөлшектерден тозаңдарға импульс беруге негізделген. Иондар массасының үлкен болуына байланысты, олармен байланысты эффект басым болады. Берілген күш (иондық әуестенудің) екі қосылғыштың суммасы түрінде келтірілуі мүмкін, олардың біріншісі иондардың бөлшектермен серпімсіз соқтығыс кезіндегі (жұтылуда) импульсті берумен анықталады, ал екіншісі серпімді соқтығыстағы импульсті берумен және қозғалыс бағытының өзгеруімен анықталады (бөлшектегі иондардың зарядының шашырауында) .
Тозаңды бөлшектер арасындағы әрекеттесу потенциалы ваккумдағы зарядталған бөлшектер арасындағы кулондық әрекеттесу потенциалынан ерекшеленеді. Төменде көрсетілетіндей, тозаңды бөлшектердың әрекеттесу потенциалы бөлшектер арасындағы электростатикалық әрекеттесумен ғана анықталып қоймайды. Зарядтардың тұрақсыздығы және төменде талқыланатын бірқатар топтамалы эффектер осы ерекшелікке жауапты. "Топтамалы әрекеттесу" тозаңды құраушының кейбір критикалық концентрациясында түзілетін аттас зарядтардың тартылуына алып келеді. Төменгі концентрацияларда зарядталған бөлшектердің арасындағы әрекеттесу, олардың экрандалу мен зарядталуы оқшауланған бөлшектердың жуықтауларында есептелуі мүмкін. Бұл жағдайда бөлшектер арасындағы электростатикалы әрекеттесу сыналатын бөлшекті қоршайтын плазмадағы электростатикалық потенциалдың
таралуы белгілі болғанда анықталады. Z
d
тұрақты заряды бар кейбір бөлшекке әсер ететін электростатикалы күштің абсолютті шамасын онда мына түрде көрсетуге болады
Ғ
dе
= - dU
el
(r) /dr
, мұндағы
U
е1
(r) = Z
d
e
(r) ,
(16)
осылайша плазмадағы потенциалдың таралуын білу
r«
аз арақашықтарда изотропты плазмада оқшауланған сфералық бөлшектің потенциалы таза кулондық болып табылады:
r
~
кезінде маңызды ролді экрандалу ойнайды және Дебай-Хюккель потенциалын жиі қолдануға болады, және де ақырында бірнеше Дебай ұзындығынан үлкен арақашықтықтарда потенциал дәрежелік асимптотикаға шығады . Осылайша,
-дан біршама үлкен арақашықтықтарда экрандалған кулондық түрдегі әрекеттесу потенциалын қолдану орынды:
U
el
(r) =
. (17)
r <
ln(
a)
(3-5)
қашықтықтары үшін жұтылатын бөлшектің айналасында плазманың жылдамдықтар бойынша анизотропты таралумен байланысты алыстан әсер ететін тебу орын алады. Әрекеттесу потенциалының асимптотикасы мына түрде болады
. (18)
2 ТОЗАҢДЫ ПЛАЗМАДА СҰЙЫҚ КРИСТАЛЛ ЖӘНЕ КРИСТАЛДЫ ҚҰРЛЫМДАРДЫҢ ПАЙДА БОЛЫУ МЕХАНИЗМІ ТУРАЛЫ ҚЫСҚАША ТҮСІНІК
Тозаңды бөлшектер плазманың құрамына тек әдейі енгізіліп қана қоймай, сонымен қатар әр түрлі процестердің нәтижесінде ерікті түрде де түзілуі мүмкін.
Плазмадағы тозаңды бөлшектер электрлік зарядқа ие болады және плазманың қосымша зарядталған құраушыларына айналады. Бірақ тозаңды плазманың құрамы түрлі сорттардағы электрондар мен иондары бар жай көпқұрамды плазмадан әлдеқайда өзгеше. Тозаңды бөлшектер плазмадағы электрондар мен иондардың рекомбинациясы болып келеді, алайда кей кездерде термо-, фотоэмиссияның есебінен электрондар көзі де болады. Сонымен қатар тозаңды құраушы тепе-тең иондалуға да әсерін тигізеді. Тозаңды бөлшектердің заряды тұрақты (бекітілген) шама болғандықтан, ол қоршаған плазманың параметрлерімен анықталады және уақыт бойынша да, кеңістік бойынша да өзгеріп отырады. Алайда, тозаңды бөлшектердің зарядында қоршаған плазманың тұрақты параметрлерінде де ауытқулар болады.
Тозаңды бөлшектердің зарядының үлкен болу салдарынан әрекеттесетін зарядтардың көбейтіндісіне тура пропорционал олардың электростатикалық әрекеттесуінің потенциалдық энергиясы үлкен. Сондықтан да тозаңды бөлшектер жүйесінің идеалды болмауы электронды-ионды жүйенің идеалды болмауына қарағанда едәуір оңай түрде жүзеге асады. Бірақ макробөлшек-тердің концентрациясы электрондар мен иондардың концентрациясынан әл-деқайда төмен. Соның нәтижесінде тозаңды бөлшектер жүйесінде ең жақын реттелуі тіпті кристалданудың пайда болуы мүмкін.
Зарядталған микробөлшектердің реттелген құрылымын алғаш рет (модификацияланған тұзақтың көмегімен) 1959 жылы алынды. Ал, тепе-тең емес газрязрадты плазмадағы тозаңды жүйенің кристалдануын Икези 1986 жылы байқады.
Осы байқалған қызықты процестерге байланысты көп ғалымдар осы салаға өз қызығушылықтарын таныта бастады. Бұл қызығушылық технологиялық плазмада тозаңды бөлшектердің болуы жартылай өткізгіштің бетінің шаңдануы және сонымен қатар дефектті (ақау) элементтерінің шығуының ұлғаюы және де плазма күйінің айтарлықтай өзгеруіне әкеп соғатындығына байланысты. Бұл эффектілерді мейлінше азайту немесе жою ондағы бөлшектердің құрылу және пайда болу процестерін, тасмалдану механизмі мен разряд құрамына қалай әсер ететіндігін білмей мүмкін емес болды. Осы бағыта жасалған қадамдар арқасында 90 - жылдардың орта тұсында көптеген теориялық зерттеулер экспериментте расталды. Бұл эксперименттер шамаман бір уақытта екі лабораторияда жасалды: Тайванда және Германияда. Бұл жұмыстарда жоғарғы жиілікті разрядта төменгі қысымда әлсіз иондалған плазмада қатты әсерлесетін макробөлшектердің кулондық кристалдануын бақылау сипатталған. Кулондық кристалдануды оптикалық микроскопты қолдану арқылы бақыланды. Олардың арасындағы әртүрлі типтегі кристалдық торлар бар, олардың кейбіреулері плазманың және тозаңды бөлшектердің белгілі параметрлерінде ғана пайда болады. Сонымен бірге радиожиілікті разряд қуатын арттырған кезде реттелген кристалдық тор ретсіз сұйық күйге ауысатындығы байқалған. Бұл бағытта осы күнге дейін көптеген тәжірибелер жасалды. Солардың бірі неміс проффессоры Морфилдің басшылығымен жасалған тәжірибеде газразрядты плазмада макроскопиялық реттелген кристалл байқалды. Бұл тәжірибенің нәтижесі әлсіз иондалған аргон газындағы диаметрі 7 мкм болатын тозаңды бөлшектердің заряды шамамен 1 электрон зарядына тең болған, және гексоганальды кристалдық түзілім құратындығын көрсетті.
Тура сондай кулонды кристалдың құрылымы Шунгли Ұлттық Университетінде де байқалды. Бірақ бұл тәжірибе монодисперсті көміртегі бөлшектерімен жасалды және де олардың өлшемдерінің айырмашылығына қарамастан онда кристалдық құрылымдары байқалды.
Ал, келесі жасалған тәжірибеде солғын разрядтағы неон газында да реттелген макроскопиялық кристалдар байқалған. Бұл жерде бөлшектердің өлшемдері шамамен 60 мкм. Осыған байланысты бөлшектердің ара қашықтығы 300 мкм, ал заряды
болды. Бұл тәжірибелер қазіргі уақыттағы тозаңды плазманы зерттеуге ықпал етті және қызықтырды.
- Іс жүргізу
- Автоматтандыру, Техника
- Алғашқы әскери дайындық
- Астрономия
- Ауыл шаруашылығы
- Банк ісі
- Бизнесті бағалау
- Биология
- Бухгалтерлік іс
- Валеология
- Ветеринария
- География
- Геология, Геофизика, Геодезия
- Дін
- Ет, сүт, шарап өнімдері
- Жалпы тарих
- Жер кадастрі, Жылжымайтын мүлік
- Журналистика
- Информатика
- Кеден ісі
- Маркетинг
- Математика, Геометрия
- Медицина
- Мемлекеттік басқару
- Менеджмент
- Мұнай, Газ
- Мұрағат ісі
- Мәдениеттану
- ОБЖ (Основы безопасности жизнедеятельности)
- Педагогика
- Полиграфия
- Психология
- Салық
- Саясаттану
- Сақтандыру
- Сертификаттау, стандарттау
- Социология, Демография
- Спорт
- Статистика
- Тілтану, Филология
- Тарихи тұлғалар
- Тау-кен ісі
- Транспорт
- Туризм
- Физика
- Философия
- Халықаралық қатынастар
- Химия
- Экология, Қоршаған ортаны қорғау
- Экономика
- Экономикалық география
- Электротехника
- Қазақстан тарихы
- Қаржы
- Құрылыс
- Құқық, Криминалистика
- Әдебиет
- Өнер, музыка
- Өнеркәсіп, Өндіріс
Қазақ тілінде жазылған рефераттар, курстық жұмыстар, дипломдық жұмыстар бойынша біздің қор #1 болып табылады.

Ақпарат
Қосымша
Email: info@stud.kz