Влияние межзоновой рекомбинации на время жизни неравномерных зарядов в полупроводниках


Тип работы:  Дипломная работа
Бесплатно:  Антиплагиат
Объем: 33 страниц
В избранное:   

Внимание:
  • Автоматический переведенный текст;
  • Закрыт для публичного просмотр;
  • Имеет большие шансы пройти антиплагиат.

Похожие работы
Спектры излучения и рекомбинационные процессы в кристаллах антимонида галлия и индийского антимонида
Фотодиоды с лавинным размножением переносчиков: физические процессы и конструктивные особенности
Формирование ионов и свободных электронов в полупроводниках при введении атомов группы V и акцепторных примесей
Принцип работы p-n перехода в полупроводниках и его приложение в электронике
Полупроводниковые Диоды и Оптоэлектронные Приборы: Принцип Работы, Типы и Особенности
Оптроны: Основные Элементы и Применения в Промышленной Электронике и Высоковольтных Преобразователях
Термоэлектрические явления и эффект Пельтье: возникновение электродвижущей силы при контакте металлов с разной температурой
Уильям Брэдфорд Шокли: жизнь, карьера и научные достижения
Электрическая проводимость полупроводников: роль примесей и дефектов в формировании электронной проводимости
Полупроводники: структура, свойства и типы проводимости
Дисциплины