Формирование гетеропереходов в полупроводниковых приборах с заданными электрическими характеристиками: влияние точности температуры, толщины пластины и количества примесей на конфигурацию кристаллической структуры и прохождение диффузионных токов


Тип работы:  Материал
Бесплатно:  Антиплагиат
Объем: 6 страниц
В избранное:   

Внимание:
  • Автоматический переведенный текст;
  • Закрыт для публичного просмотр;
  • Имеет большие шансы пройти антиплагиат.

Похожие работы
Характеристики и типы диодов: переменное напряжение, частота и форма
Дешифраторы, мультиплексоры и двоичные сумматоры: структура и принцип работы
Зависимость энергетического уровня Ферми от температуры и концентрации примесей в полупроводниках
Методы получения наноструктур кремния и их свойства в микроэлектронике
Формирование слоистых структур на поверхности кремния: влияние плотности тока анода, субстратов Si и времени обработки на морфологию и свойства получаемых структур
Оптические свойства свободных зарядных переносчиков на тонких оболочках окиси серы и влияние локализованных состояний запретной зоны
Основы электротехники: связь напряжения и тока, законы Ома и характеристики идеального сопротивления
Влияние примесей на электрические свойства полупроводников: переносчики заряда, уровни Ферми и фотопроводность
Электрическая проводимость полупроводников: роль примесей и дефектов в формировании электронной проводимости
Конструкция и принцип работы электродинамических, ферродинамических, электростатических и индукционных приборов для измерения электрических параметров
Дисциплины